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文檔簡介

1、Confidential擴散區基礎報告擴散區基礎報告Confidential一、爐管技術一、爐管技術擴散爐有垂直擴散爐和水平擴散爐兩種類型。 垂直擴散爐是石英舟垂直于水平面，更加有利于機械手傳送硅片，片內工藝參數一致性更好。 水平擴散爐是石英舟平行于水平面，一臺可以4個或4個以上的工藝爐管，平均爐管的占地面積更小，片間的工藝參數較垂直擴散爐更好。 按壓力分，有常壓擴散和低壓擴散兩種類型。 垂直擴散爐和水平擴散爐垂直擴散爐和水平擴散爐垂直擴散爐垂直擴散爐水平擴散爐水平擴散爐Confidential爐管擴散技術應用：爐管擴散技術應用： 擴散爐用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖

2、維等行業的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。擴散工藝的主要用途是在高溫條件下對半導體晶圓進行摻雜，即將元素磷、硼擴散入硅片，從而改變和控制半導體內雜質的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區域。 最新的低壓磷擴散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產批量，同時對環境的影響最小。 氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發生反應，生長一層二氧化硅膜。 氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。Confidential二、離子注入二、離子注入與之前的離子注入相同，這里不再重復Confidential三、化學站清洗三、化學站清洗 清洗種類硅片清洗的一般原則是首先去除表面的

3、有機沾污；然后溶解氧化層(因為氧化層是“沾污陷阱”，也會引入外延缺陷)；最后再去除顆粒、金屬沾污，同時使表面鈍化。 Confidential化學站清洗原理化學站清洗原理 清洗硅片的清洗溶液必須具備以下兩種功能:(1)去除硅片表面的污染物。溶液應具有高氧化能力，可將金屬氧化后溶解于清洗液中，同時可將有機物氧化為CO2和H2O； (2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。這就要求硅片表面和顆粒之間的Z電勢具有相同的極性，使二者存在相斥的作用。在堿性溶液中，硅片表面和多數的微粒子是以負的Z電勢存在，有利于去除顆粒；在酸性溶液中，硅片表面以負的Z電勢存在，而多數的微粒子是以正的Z電勢存在，不利于顆粒的去除。Confidential化學站清洗方法統計化學站清洗方法統計 SPM（三號液）（H2SO4 H2O2 H2O） DHF（HF(H2O2) H2O） APM(SC-1

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