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1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上CVD法制備硫化鉬薄膜1、 實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹＃?）掌握CVD的基本原理；（2）熟悉管式爐的操作過程；（3）制備硫化鉬薄膜；二、實(shí)驗(yàn)原理。氣相反應(yīng)物中生長(zhǎng)晶體的復(fù)相物理-化學(xué)過程。第一步：氣體傳輸至沉積區(qū)域。第二步：膜前驅(qū)體的形成與輸運(yùn)。第三步：膜前驅(qū)體的粘附與擴(kuò)散。第四步：表面反應(yīng)，導(dǎo)致膜沉積于副產(chǎn)物的形成。第五步：副產(chǎn)物的移除（表面和反應(yīng)腔）。三、實(shí)驗(yàn)步驟。（1）稱量。分別取足量的硫粉，稱取約5mg的MoCl5于陶瓷舟中，并取干凈的藍(lán)寶石片。（2）放置前驅(qū)體。將裝有硫粉的陶瓷舟擺放于距進(jìn)氣口約15cm處，裝有MoCl5的陶瓷舟置于管式爐中心位置，盛有藍(lán)寶石的石英舟緊挨著M

2、oCl5擺放于出氣口一側(cè)。（3）清洗。抽真空，并通入氬氣清洗管式爐，反復(fù)兩次。（4）設(shè)置參數(shù)。設(shè)置好管式爐參數(shù)。27min升溫至850，并保溫12min，然后自然冷卻。加熱帶溫度為120。氣流量為50sccm。爐壓保持在60Pa。（5）反應(yīng)。管式爐工作后12min，加熱帶開始給硫加熱。（6）實(shí)驗(yàn)結(jié)束。管式爐程序終止時(shí)關(guān)閉加熱帶電源。自然冷卻至常溫后，打開放氣閥，并取出樣品。四、思考題。（1）CVD反應(yīng)的控制要點(diǎn)有哪些？溫度與反應(yīng)速率的限制：溫度升高，表面反應(yīng)速度增加，過程中速率最慢的環(huán)節(jié)決定整個(gè)沉積過程的速度。氣壓：常壓下，CVD速率不會(huì)超過主氣體流質(zhì)量傳輸速率-質(zhì)量傳輸限制沉積工藝。低壓下，表面反應(yīng)速度較低，沉積速度受表面反應(yīng)速度限制-反應(yīng)速度限制CVD工藝。CVD氣體流動(dòng)對(duì)沉積膜的均勻性有較大影響。要求有足夠量的分子在合適的時(shí)間出現(xiàn)在合適的反應(yīng)區(qū)域。（2） CVD最基本的特征有哪些？產(chǎn)生化學(xué)變化（化學(xué)反應(yīng)或熱分解）；膜中所有材料都來源于外部的源；CVD工藝中反應(yīng)物必須以氣相形式參與反應(yīng)。（3） CVD有哪些基本的化學(xué)反應(yīng)過程？高溫分解：無氧條件下加熱分解化合物（化學(xué)鍵斷裂）；光分解：利用輻射能使化合物化學(xué)鍵斷裂；還原反應(yīng)：化合物分子與氫氣發(fā)生的反應(yīng)；氧化反應(yīng)：反應(yīng)物與

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