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文檔簡介

1、光電檢測技術作業21.設某只 CdS 光敏電阻的最大功耗為 30mW,光電導靈敏度 Sg= 0.5 X10-6 S / lx ,暗電導 g0 =0 。試求當 CdS 光敏電阻上的偏置電壓為 20V 時的極限照度。2. 在如下圖的照明燈控制電路中,將上題所給的 CdS 光敏電阻用作光電傳感 器,假設繼電器繞組的電阻為 5 KW ,繼電器的吸合電流為 2mA,電阻 R = 1KW 。求為使繼電器吸合所需要的照度。要使繼電器在 3lx 時吸合,問應如何調整電阻器 R?3. 在如下圖的電路中, Rb = 820W ,Re = 3.3kW,Uw = 4V ,光敏電阻為 Rp , 當光照度為 40lx 時

2、輸出電壓為 6V,80lx 時為 9V。設該光敏電阻在 30100lx 之間的 g 值不變。試求:1 輸出電壓為 8V 時的照度。2假設 Re 增加到 6 kW ,輸出電壓仍然為 8V,求此時的照度。3假設光敏面上的照度為 70lx,求 Re = 3.3kW 與 Re = 6kW 時輸出的電壓。4求該電路在輸出電壓為 8V 時的電壓靈敏度。4. 影響光生伏特器件頻率響應特性的主要因素有哪些?為什么PN結型硅光電二極管的最高工作頻率小于等于107 Hz?5 為什么在光照度增大到一定程度后,硅光電池的開路電壓不再隨入射照度的增大而增 大?硅光電池的最大開路電壓為多少?為什么硅光電池的有載輸出電壓總

3、小于相同照度下 的開路電壓?6 硅光電池的內阻與哪些因素有關?在什么條件下硅光電池的輸出功率最大?答:1極電容,串接電阻,串接電阻越小越好。2顯然,存在著最正確負載電阻Ropt,在最正確負載電阻情況下負載可以獲得最大的輸出功率Pmax7 光生伏特器件有幾種偏置電路?各有什么特點?8. 選擇最適當的答案填入括號中只有一個答案正確1 用光電法測量某高速轉軸15000r / min 的轉速時,最好選用D為 光電接收器件。A PMTB CdS 光敏電阻C 2CR42 硅光電池D 3DU 型光電三極管2 假設要檢測脈寬為10-7 s 的光脈沖,應選用A為光電變換器件。A PIN 型光電二極管B 3DU

4、型光電三極管C PN 結型光電二極管D2 CR11 硅光電池3 硅光電池在D偏置時,其光電流與入射輻射通量有良好的線性關系,且動態范圍較大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置 4 硅光電池在B情況下有最大的功率輸出。 A 開路B 自偏置C 零伏偏置 D 反向偏置 9. 假設調制波是頻率為 500Hz,振幅為 5V,初相位為 0 的正弦波,載波頻率為 10kHz,振 幅為 50V,求調幅波的表達式、帶寬及調制度。10. 利用 2CU22 光電二極管和 3DG40 三極管構成如下列圖所示的探測電路。光電二極管的電流靈敏度 Si = 0.4mA / mW ,其暗電流I D = 0.2mA ,

5、三極管 3DG40 的電流放大倍數 =50 ,最高入射輻射功率為 400 mW 時的拐點電壓 UZ = 1.0V 。求入射輻射功率最大時,電阻 Re 的值與輸出信號Uo 的幅值。入射輻 射變化 50mW 時的輸出電壓變換量為多少?利用 2CU22 光電二極管和 3DG40 三極管構成如圖 3-46 所示的探測電路。光電二極管的電流靈敏度 Si = 0.4mA / mW ,其暗電流I D = 0.2mA ,三極管3DG40 的電流放大倍數b = 50 ,最高入射輻射功率為 400 mW 時的拐點電壓UZ = 1.0V 。求入射輻射功率最大時,電阻 Re 的值與輸出信號Uo 的幅值。入射輻射變化

6、50mW 時的輸出電壓變換量為多少?11. 真空光電倍增管的倍增極有哪幾種結構?各有什么特點?12 何謂光電倍增管的增益特性?光電倍增管各倍增極的發射系數 與哪些因素有關?最主要的因素是什么?13 光電倍增管產生暗電流的原因有哪些?如何降低暗電流?14. 怎樣理解光電倍增管的陰極靈敏度和陽極靈敏度?二者的區別是什么?二者有什么關 系?15. 光電倍增管 GDB44F 的陰極光照靈敏度為 0.5A/lm,陽極靈敏度為 50A/lm,要求長期 使用時陽極允許電流限制在 2A 以內。求:1陰極面上允許的最大光通量。2當陽極電阻為 75K 時,最大的輸出電壓。3假設該光電倍增管為 12 級的 Cs3Sb 倍增極,其倍增系數 d = 0.2(U DD)0.7 ,實計算它的供電電壓。4當要求輸出信號的穩定度為 1%時,求高壓電源電壓的穩定度。16. 為什么說發光二極管的發光區在 PN 結的 P 區?這與電子、空穴的遷移率有關嗎?17 為什么發光二極管必須在正向電壓下才能發光?反向偏置的發光二極管能發光嗎?18. 產生激光的三個必要條件是什么?粒子數反轉分布的條件是什么?為什么 LD 必須有諧振腔?19. 半導體激光器有什么特點?LD 與 LED 發光機理的根本區別是什么?為

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