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文檔簡介

1、WORD格式27162716 指的是 Intel2716芯片， Intel2716 是一種可編程可擦寫存儲器芯片封裝：雙列直插式封裝，24 個引腳根本構造：帶有浮動柵的MOS 管封裝：直插24 腳，引腳功能：Al0A0 ：地址信號O7O0 ： 雙向數據信號輸入輸出引腳；CE ：片選OE ：數據輸出允許；Vcc ： +5v 電源，VPP ： +25v 電源；GND ：地2716 讀時序：專業資料整理WORD格式2732相較于 2716 ：Intel2716 存儲器芯片的存儲陣列由4K×8個帶有浮動柵的MOS 管構成，共可保存4K×8位二進制信息封裝：直插24 腳引腳功能：A0

2、A11 地址E 片選G/VPP 輸出允許 /+25v 電源DQ07 數據雙向VSS 地VCC+5v電源2732 讀時序專業資料整理WORD格式2764 、27128 、 27256 、 27512 等與之類似27020存儲空間： 256kx8讀寫時間： 55/70ns封裝：直插 /貼片 32 腳專業資料整理WORD格式引腳功能：專業資料整理WORD格式A0A17 地址線I/O07 數據輸入輸出CE 片選OE 輸出允許PGM 編程選通VCC+5v電源VPP+25v電源GND 地27020 讀時序：27040 與之類似RAM-61166116 是 2K*8 位靜態隨機存儲器芯片,采用 CMOS 工

3、藝制造 ,單一 +5V 供電 ,額定功耗 160mW,典型存取時間90/120ns,專業資料整理WORD格式封裝： 24 線雙列直插式封裝.專業資料整理WORD格式引腳功能 :A0-A10為地址線 ;CE 是片選線 ;OE 是讀允許線 ;WE 是寫允許線 .操作方式：CEOEWED0-D7方式H-高阻未選中LLHDout讀LHLDin寫LLLDin寫RAM 62646264 是 8K*8位靜態隨機存儲器芯片, 采用CMOS工 藝 制造,單一 +5V供電 ,最大功耗 450mW,典型存取時間70/100/120ns,封裝：直插式28 腳引腳功能：A0A12: 地址線WE 寫允許OE 讀允許專業資料整理WORD格式CS 片選專業資料整理WORD格式NC NoconnectionI/O1I/O8數據輸入輸出操作模式模式CS1CS2OEWEI/O18備用HXXX高阻XLXX高阻制止

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