1、橢偏儀操作規程 一.目的使用橢偏儀測量經PECV暖膜后的SiN膜的厚度（d）和折射率（n）.二.適用范圍適用于CENTECH司的SE 400advanced型號的橢偏儀三.設備主要性能及相關參數設備型號：SE 400advanced設備構成：A光學系統部分：由支架、定位顯微鏡、線偏振光發射器（包括激光源）、橢圓偏振光接受和分析器組成。此部分完成整個光學部分的測試。B PC機部分。此部分完成數據的分析和輸出。四.運行前的檢查主要檢查設備光學儀器部分是否損壞和電腦是否可正常使用。五.設備操作1.啟動軟件將橢偏儀控制器和PC的電源打開，為了儀器快速可用和延長激光器壽命，推薦 將橢偏儀控制器連續運轉。

2、SE 400advanced程序通常被安裝在文件夾：C:program filesSE 400AdvApplicationFrame.使用資源管理器或者直接雙擊桌面的 SE 400advanced圖標，啟動軟件。Fig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字-1: SE 400advanced 圖標軟件打開時會自動進入上次退出時的登陸用戶界面Fig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-2: SE 400advanced 用戶認證通過菜單Logon”,能夠添加、更改或刪除用戶和用戶權限。2.用戶主窗口tdt Ben Lwi JisJEow 陽pRecipe: 01 Si02 on Silicon 100

3、nmOptions .iPt叫erriFgEWIJAcMR嶼EWM1 SID2 gn 爭叱qn 呻 nm rprlp4 meIMeasureRepeatReadyFig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-3: SE 400advanced主窗口最后一次使用的模式會被自動加載。通過菜單，工具欄或模式列表，能夠 選擇另外的模式。在軟件界面的右下角，一個圖標（2）用來顯示橢偏儀控制器的連接狀態,它通常顯示為綠色。如果顯示不為綠色，請檢查橢偏儀和控制器之間的網絡連 接是否正常，并檢查屏幕右下角的任務欄的網絡狀態。3.樣品測試1）在 recipe 下拉菜單中選擇 08 Si3N4 on silicon

4、100 nm .2）將樣品平放于測試臺，并定位3）通過按 來開始測量，測量完成后，結果被顯示在主結果 區（3）和 protocol 區（4）。4 .測量選項在Measurement options頁面中，能夠按照測量的數值計算方法、數值極 限和結果報告，對一些設定進行更改。止匕外，設定入射角度和對多角度測量所 使用角度的選擇，也能夠在這里進行。Fig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-4:模式選項（測量）測量任務Psi, Delta橢偏角度的測量。Substrate ns, ks使用free surface.模型時，基底的復折射率。Thickness使用單層透明膜模型，并指定指定膜層折射率和基

5、底折射率時，膜層的厚度；開始膜厚由用戶給出或由CERW量給出。Thickness + n使用單層膜模型時，膜層的厚度和折射率。（基底的復折射率作為固定值）；開始膜厚由用戶給出或由CERM量給出Thickness + n +absorption多角度測量情況下，膜層的厚度、折射率和吸收系數，使用“ Thickness + n ”模型，橢 偏儀需要用多角度測量。Two layers多角度測量情況下，雙層膜的厚度。Fig.5 .模型選項頁面Model包含了所有對測量進行分析的參數。軟件所使用的默認模型為在吸收基底上的三層吸收膜。模型的參數能夠被直接輸入在相應的區域，另一種方法是使用SENTECI#料

6、庫，可通過膜層名字右邊的按鈕lU使用材料庫。-5:模式選項（模型）bale rial dataJ)aic后|國N1：AuMierPt & 1馱fm) - Palk2.J2744J492rorcbaokcf uttiCdi Cflnzjrc:;前ds - tdtoc beyE.D.PalkPn悵務 17b.日h網用喇2J領530。RllkfHj Fhhrbiriak rf肝用 Cm針e2 dr 51血 Fdk*rt 時 E MPWiv r XiYTir P*tmRd piuL后聽3.76764.6029p.Apn&szFJlj (b-liondess)1.J/6TOOUDO?di rt tsdi

7、ical hdCe-gw tIM.3.0714OuOlSOklhm d由) GE 括l，irr3田的同仁on jku GE whs J.-i (skin fmV3.3667ML印JEJkzri dsta G.EJeilsui.Jrji (SrikOfFiJ1OuOLSBJdlson dstAGEJIisoHjr.51 口虹 on) - H doped3.82241目明占MQ68wet m安必即 rwaarerentSill(Sliccr-iammpjrr.S.U3E003373Jdi-sTt dcta i.E1或5用_J*l20jeS3 (SIeo-i ge- menhirj4.白筋DL22J

8、dlvLli dlelaJdlsinJJr$酬二。.笈廄Itonqbmsiufr.4i6Sl&QJT悔JElban data GE Jenison Jr2.0 ITShtandbaoik cf。由 EQWaih 璜 5q由 EdWd 5 已后氏 ggnk士羯 1%&fSfW (ziicon ni*i ide)_di之口如自Hambiak d! GpikCondAr-s- :/ Woicb Edledhy E.B PdlL. Acedeini匚=均 LdiSE.)忸酎。山(iltongrmaibirf4,144bU.J4S0JdlsBh daftaCif-JcitoDniJr.i!一二盧 rii

9、af.i r.3.AT14OuOLFflJrfhnn rirfFig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-6: : SE400advanced材料庫模型參數的描述在下表給出：Ns基底折射率Ks基底吸收系數Na周圍環境的折射率（空氣：n=1）Ka周圍環境的吸收系數（空氣：k=0）Phi入射角（垂直時入射角=0 ）La 激光波長（nm）Nu上層膜的折射率Ku上層膜的吸收系數（通常為負）Du 上層膜的厚度Nm中間層膜的折射率Km 中間層膜的吸收系數Dm中間層膜的厚度Nl底層膜的折射率Kl底層膜的吸收系數Dl 底層膜的厚度Tab.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-1:三層膜模型的參數總結6.退出軟件點擊右上角的按鈕，關閉 SENTEC軟件界面，就可以退出 SE 400advanced 程序。六.注意事項1 .被測片放于測試臺，測試時注意片子不要移動，以使測試準確。2 .測試時若參數有較大偏差（n約為，d約為84-92nm）,應先考慮PECVD 工藝問題，再考慮橢偏儀本身是否測試準確。測試頻次3 .測試時其Degree of polarization（偏振度）應大于。4 .定期檢查光路準確情況：1 ）首先在70度位置測量SiO2標準片，看是否在誤差范圍內。2 ）