1、一， 劃分工作區： 在拿到芯片后，首先要明確自己的工作區范圍，以下是如何定義自己的工作區屬性。打開Chiplogic Analyzer,選擇自己的分析工程如圖1所示： 圖1 打開分析工程 接著要創建一個新工作區，在左欄的分析工程右擊鼠標選擇工作區屬性如圖2所示，輸入自己的名稱和芯片位置，確定上下左右邊界。 圖2 工作區屬性雙擊自己的工作區名稱，就可以找到自己的工作區范圍，進入工作區后，需要對工作區劃分單元，選擇鍵，把鼠標放在工作區右上角單擊鼠標左鍵，拉動鼠標到底則會出現如圖3所示單元區屬性對話框，注意單元區方向。在單元去名稱給單元去命名，比如A1或B1如圖4所示： 圖3 單元區屬性 圖4 單元

2、區二進行模塊提取：（1）在劃分完工作區后，要對工作區進行模塊提取，在對工作區劃分時我們已經給工作區反向進行了定義，比如左邊為VDD，右邊為GND。模塊中左邊顏色深的為PMOS，右邊顏色淺的為NMOS。Chiplogic軟件給出了芯片的4層結構，分別是襯底層、多晶層、鋁1與鋁2層，可分別按數字鍵1、2、3、4進行切換。我們先以最簡單的反向器為例來提取模塊，我們知道反向器是由一個PMOS和一個NMOS串聯而成，我們可以先在第二層多晶層上觀察，如圖4所示：它是由一個NMOS和一個PMOS組成且有一個輸入端（從柵極看出），再從第三層鋁1層觀察它是否與其它門相連且觀察它的輸出如圖6所示：我們可以看到它是

3、一個單獨的模塊并且有一個輸出（從漏極看出），根據我們所學的非門的電路圖可知，它是一個非門。 圖5 多晶層的INV1 圖6 鋁1層INV1(2)與非門的分析：我們分析2輸入的與非門，如同我們對反相器的分析，先在第二層多晶層上觀察，如圖7所示，我們先觀察它的輸入部分，它有兩個輸入，四根管子，其中兩個N管，兩個P管對稱，從多晶層上再觀察它的輸出和與外邊的管子是否有聯系如圖8所示：我們首先判斷出它是一個單獨的模塊與外邊的管子沒有聯系，且只有一個輸出，接下來我們分析它的結構，我們右邊有一個接地的，可判斷它是N管的源極，由于源極如果不接地則肯定與另一根管子的漏極相連，所以可從圖7知兩個N管是串聯的關系，通

4、過N管與P管的對稱性，很容易發現P管是并聯的，從以前我們學的與非門的電路圖兩個串聯的與門與兩個并聯的或門相串，從兩個柵極輸入，漏極輸出，可知是一個2輸入的與非門，分析3輸入或4輸入的與非門都可以這樣分析，這里就不在贅述。 圖7 多晶層的ND2（與非門） 圖8 鋁1層上的ND2(3)或非門的分析：或非門的分析正好和與非門的分析是相反的，它是兩個并聯的NMOS與兩個串聯的PMOS相接而成。同樣先從多晶層分析，如圖9所示：同樣是四根管子，兩根N管，兩根P管，如同分析與非門一樣，我們可以從第二層上看出有兩個輸入，從鋁1層上可以看出有一個輸出如圖10所示且是一個單獨的模塊，且從漏極只有一個輸出，兩根N管

5、的漏極相連，可判斷兩根N管是并聯關系，同理可判斷兩根P管是串聯關系。從而可知它是一個或非門電路（一般我們只需要分析N管就可以了，因為N管和P管是對稱的）。 圖9多晶層的NOR2（或非門） 圖10鋁1層的NOR2（4）緩沖器的分析： 在分析緩沖器時，我們首先要知道緩沖器的作用和電路圖。它的作用只是對輸入信號有一個緩沖作用，起延遲效果，可以增大輸出電流。緩沖器是由兩個反相器構成，因此并不改變輸入端的性質。同樣先從多晶層分析如圖11所示：一個輸出端，結合圖12鋁1層看出（從下面向上看）第一級的漏極輸出是第二級的源極輸入，我們從分析反相器中可知第一級和第二級分別是兩個反相器，因此第一級的輸入（總的輸入

6、）經漏極輸入到第二個反相器，從第二級的漏極輸出（總的輸出），沒有改變輸入性質。 圖11 多晶層的BUF1（一個輸入的緩沖器）（5）異或門的分析：我們先熟悉一下異或門的表達式AB=B+A。我們先分析N管，同樣從下往上看，第一個N管的柵極接一個輸入，二三管的柵極接第二個輸入（圖12），我們假設第一個輸入為A，第二個輸入為B，從第二層上我們可以看出最上面的管子其實是一個反相器，只是它的輸入由下面的管子來提供，因此我們先觀察下面的結構，結合鋁1層的圖（圖13）我們看出第一二管子并聯其漏極輸出到了第五根管子（反相器）的柵極作為輸入，從漏極輸出為M=，再觀察三四管，根據上面的分析我們知道它們是串聯關系，從

7、第4根管子漏極輸出為AB，最后觀察三四管與反相器的關系，它們漏極相接，因此是并聯關系，因此總的輸出表達式為：P=B+A，因此它就是異或門。 圖12多晶層的XOR（異或門） 圖13鋁1層的XOR（6）選擇器的分析：同理我們先了解選擇器的表達式：。像分析異或門一樣。我們先總體看一下多晶層上的模塊圖（圖14），從表面上看最上一層好像是一個BUF，但結合鋁1層上我們發現是一個反相器與另一結構的組成，因此，這提醒我們在分析電路圖時要結合二三層結構一起看。從下往上看，假設第一根管子的柵極的輸入為A，第三根管子的輸入為B，第五根管子的輸入為C，由于漏極都是作為輸出級的，我們可以從圖15中看出一二根管子的漏極

8、作為最上一層反相器的輸入，因此一二管是并聯關系，又由三四管是共接地，所以三四管也是并聯關系，再看一二管與三四管的關系，我們從圖15中可以看出一二管的源極與三四管的漏極連一塊，說明一二管與三四管是并聯關系。從圖15中可以看出C輸入經反相器輸出到第二管的柵極作為第二管的輸入因此+A）（A+B）,所以為選擇器。圖14多晶層的MUX（選擇器） 圖15鋁1層的MUX（7）D觸發器的分析：下面我們分析比較復雜的D觸發器，圖16與圖17分別是其多晶層的DFF和鋁1層的DFF，我們依然從最底層開始分析，如圖16與圖17所表，電路有五個外部輸入分別是：A、B、S、CK、Q。我們首先應該知道最下面一個模塊是由一個

9、選擇器加一個反相器構成，最后有Y輸出，Y=A+BS,作為上一級的一個輸入，上一級輸入還有一個外部輸入CK和經過一個反相器的內部輸入，第四個輸入是該級的輸出經過反相器作為這級的輸入，經過一個反相器最后由Z輸出，所以Z=Y+ZCK，Z經過一個反相器輸出，作為第三級的一個輸入，第三級的輸入還有和CK，第四個輸入和第二級一樣它的輸出經過一個反相器作為輸入，最后有X輸出，因此X=ZCK+，從圖中我們還可以得出P=Q,整個觸發器的輸出為。 圖16多晶層的DFF（D觸發器） 圖17鋁1層的DFF（D觸發器）三 .對比模塊：當我們提出一個模塊后，可對所劃分的單元進行相同模塊的搜索，具體操作如下： 圖18顯示單元模塊 圖191. 選擇鍵，將會出現你所提出的模塊，如圖18所示：右擊你要選的單元將會出現如圖19所示的對話框，選擇自動搜索單元，會出現如圖20所示的自動搜索單元對話框，選擇第3層，然后點擊確定，系統會自動搜索相似的模塊，搜索完后，右擊你所選的模塊，選擇開始確認實例項，我們將看到如圖22所示的模塊，可通過按鍵“T”來觀察系統搜索的模塊是否與你所選的模塊相同。如果相同就單擊確認，否則按結束。 圖20自動搜索單元 圖21 圖222. 系統有時也搜不到與你所選相同模塊