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1、半導體物理學第一章習題(公式要正確顯示，請安裝字體MT extra)1設晶格常數為a的一維晶格，導帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量EV(k)分別為：12. 晶格常數為0.25nm的一維晶格，當外加102V/m，107 V/m的電場時，試分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。3 1設晶格常數為a的一維晶格，導帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量EV(k)分別為： （1）禁帶寬度;（2）導帶底電子有效質量;（3）價帶頂電子有效質量;（4）價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化解：（1） 2. 晶格常數為0.25nm的一維晶格，當外加102V/m，107 V/m的電場時，

2、試分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。解：根據： 得 補充題1分別計算Si（100），（110），（111）面每平方厘米內的原子個數，即原子面密度（提示：先畫出各晶面內原子的位置和分布圖）Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如圖1所示： （a）(100)晶面 （b）(110)晶面 （c）(111)晶面 補充題2 一維晶體的電子能帶可寫為，式中a為 晶格常數，試求 （1）布里淵區邊界； （2）能帶寬度； （3）電子在波矢k狀態時的速度； （4）能帶底部電子的有效質量；（5）能帶頂部空穴的有效質量解：（1）由 得 （n=0，±1，±2）進一步分析 ，E（k）有極大值，時，E（k）有極小值所以布里淵區邊界為 (2)能帶寬度為(3）電子在波矢k狀態的速度（4）電子的有

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