1、精選優質文檔-傾情為你奉上同濟大學模擬電子技術期中試卷前六章基礎內容一、選擇題。 （每題3分，共36分）1.在本征半導體中，電子濃度_空穴濃度。A.大于 B.小于 C.等于 D.不定2.使用萬用表直流電壓擋,測的電路中晶體管各極相對于某一參考點的電位如圖2所示,從而可判斷出該晶體管工作在_。A.飽和狀態. B.放大狀態 C.截止狀態 D.倒置狀態3.共模抑制比是_之比.A差模輸入信號與共模輸入信號B輸出量中差模成分與共模成分C差模放大倍數與共模放大倍數(絕對值)D交流放大倍數與直流放大倍數(絕對值)4.差動放大電路的主要優點是 。A、穩定的放大性能 B、較高的輸入電阻C、能有效地抑制零點漂移

2、D、有穩定地靜態工作點5.穩壓管的穩壓區是工作在_。A正向導通區 B反向截止區 C反向擊穿區6.二極管兩端地反向偏置電壓增高時，在達到 _電壓以前，通過的電流很小。A擊穿 B最大 C短路7.如圖所示電流放大電路的輸出端直接與輸入端相連，則輸出電阻Ri _。AR1 B（1+）R1 CR1/ 1+ DR1/ 8.變容二極管在電路中使用時，其PN結是_。A正向運用 B反向運用9.當晶體管工作在放大區時，_。A發射結和集電結均反偏； B發射結正偏，集電結反偏；C發射結和集電結均正偏。10.在非線性失真中，飽和失真也稱為（ ）A頂部失真 B底部失真 C雙向失真11簡單地把一塊P型半導體和一塊N型半導體接

3、觸在一起_形成PN結。A能夠 B不能 C不一定 12.當二極管兩端正向偏置電壓大于_電壓時，二極管才能導通。A擊穿 B飽和 C門檻二、填空題。 （每空2分，共12分）1.寫出下列正弦波電壓信號的表達式：A.峰峰值10V，頻率10kHz ( )B.均方根值220V，頻率50Hz ( )C.峰峰值100mV，周期1ms（ ）D.峰峰值0.25V，角頻率1000rad/s( )2.一電壓放大電路輸出端接1k負載電阻時，輸出電壓為1V，負載電阻斷開時，輸出電壓上升到1.1V。則該放大電路的輸出電阻R。為（ ）。3.共模信號是指大小相等，極性（ ）的信號。三、兩只處于放大狀態的三極管，測得、腳對地電位分

4、別為-8V、-3V、-3.2V和3V、12V、3.7V，試判斷管腳名稱，并說明是PNP型管還是NPN型管，是硅管還是鍺管？ （6分）四、如圖所示的電路中，已知ui=30sintV，二極管的正向壓降可忽略不計，試畫出輸出電壓的波形。（5分）五、電路如圖所示，已知VCC=VEE=15V.晶體管T1,T2的100,rbb=200RC=RL=6k,RE=7.2k1.估算T1,T2管的靜態工作點ICQ,VCEQ （5分）2.計算AVD=VO/(Vi1-Vi2),Rid,Rod （8分）六、FET恒流源電路如圖，設已知管子的參數、，試證明AB兩端的小信號電阻。（8分）七、圖中RS、Re、Rb1、Rb2、RC、RL、VCC均已知；求：IC、IB、VCB （8分）八、已知某放大電路電壓增益的頻率特性表達式為 (式中f的單位