1、手機(jī)維修培訓(xùn)第三章：手機(jī)基本電子線路本章精要介紹了手機(jī)常用的一些基本概念和基本電子線路，掌握這些知識，是分析手機(jī)各功能電路和整機(jī)電路的基礎(chǔ)，因此，本章是一名合格手機(jī)維修人員必備的基礎(chǔ)知識。  第一節(jié) 三極管放大和開關(guān)電路  在手機(jī)中，較多地采用了三極管放大和開關(guān)電路，下面作一簡要分析。  一、三極管放大電路  1.放大電路的基本形式  放大器是一種三端電路，其中必有一個(gè)端是輸入和輸出的共同“地”端，如果這個(gè)共“地”端接于發(fā)射極的，稱為共射電路，接于集電極的，稱為共集電路，接于基極的，稱為共基電路。三種放大電路的基本電路見圖3-1、3-

2、2、3-3所示。這三種放大器主要性能見下表所示。  2.三極管放大電路的偏置電路  (1)分壓式偏置電路  圖3-4分壓式偏置電路。電源通過電阻R丑、R2分壓，給三極管V1的發(fā)射極提供合適的正向偏置，又給基極提供一個(gè)合適的基極電流。基極回路電阻既和電源配合，使電路有合適的基極電流，又保證在輸入信號作用下，基極電流能作相應(yīng)的變化。若基極分壓電阻R1=0，則基極電壓恒定等于電源電壓，基極電流就不會發(fā)生變化，電路就沒有放大作用。R丑與R2構(gòu)成一個(gè)固定的分壓電路，達(dá)到穩(wěn)定放大器工作點(diǎn)的作用。在電路中，Rl被稱為上偏置電阻，R2被稱為下偏置電阻。  電源通過集電極

3、電阻R3給集電極加上反向偏壓，使三極管工 作在放大區(qū)(只有當(dāng)三極管的集電極處于反向偏置，發(fā)射極處于正向偏置，三極管才能工作在放大區(qū))，同時(shí)電源也給輸出信號提供能量。集電極電阻R3的作用是把放大了的集電極電流的變化轉(zhuǎn)化為集電極電壓的變化，然后輸出(實(shí)際上就是把三極管的電流放大轉(zhuǎn)化為電壓放大，從而使三極管放大電路具有電壓放大能力)。若集電極電阻R3=0，則輸出電壓恒定等于電源電壓，電路失去電壓放大作用。  電容C1和C3分別為輸入與輸出隔直電容，又稱耦合電容。C1、C3使放大器與前后級電路互不影響，同時(shí)又起交流耦合作用，讓交流信號順利通過。為避免交流信號電壓在發(fā)射極電阻R4上產(chǎn)生壓降，造

4、成放大電路電壓放大倍數(shù)下降，常在R4的兩端并聯(lián)一個(gè)電容(C2)。只要C2的容量足夠大，對交流分量就可視作短路。C2稱為發(fā)射極交流旁路電容。  (2)固定式偏置電路  圖3-5固定式偏置電路。圖中，R1為偏置電阻，為V1管基極提供基極電流，R3為集電極負(fù)載電阻，R4為發(fā)射極負(fù)反饋電阻。C3為發(fā)射極旁路電容。  3.三極管放大電路的分析  當(dāng)沒有信號輸入到放大電路時(shí)，放大電路中各處的電壓、電流是不變的直流，這時(shí)稱電路的狀態(tài)為直流狀態(tài)或靜止工作狀態(tài)，簡稱靜態(tài)。靜態(tài)時(shí)，三極管具有固定的基極電流、偏壓、集電極電流和集電極電壓，稱為直流工作點(diǎn)或靜態(tài)工作點(diǎn)。 

5、; 當(dāng)輸入交流信號后(注意：控制信號通常是直流控制電壓)，電路中各處的電壓、電流是變動的，這時(shí)電路處于交流狀態(tài)或動態(tài)工作狀態(tài)，放大電路中各處的電壓、電流是隨輸入信號的變化而變化的。  對于共發(fā)射極放大電路，當(dāng)放大電路無信號輸入時(shí)，三極管電路各處的電壓電流不變，當(dāng)有輸入信號進(jìn)入，且在信號的正半周時(shí)，信號電壓疊加在基極電壓上，基極電壓上升，基極電流上升，使三極管的集電極電流以一定的倍數(shù)增長。集電極電流的增大使集電極電阻上的電壓降增大，導(dǎo)致集電極電壓下降。當(dāng)信號處于負(fù)半周時(shí)，信號電壓使基極電壓下降，基極電流下降，使三極管的集電極電流也急劇下降。集電極電流的減小使集電極電阻上的電壓降減小，導(dǎo)

6、致集電極電壓增大。由于集電極電流的變化量比基極電流的變化量大，所以集電極電壓的變化量也比基極電壓的變化量大，從而使基極信號被放大輸出。對于共集電極和共基極電路的分析，這里不再介紹。  在進(jìn)行三極管放大電路分析時(shí)，要注意三極管的偏壓(硅材料的三極管的基極偏壓在0.65V左右，鍺材料的三極管的基極偏壓在0.2V左右)。而集電極電壓通常接近相應(yīng)的電源電壓。通過測量這些電壓，就基本上可以判斷三極管是否能比較正常地工作。  二、三極管開關(guān)電路  在手機(jī)電路中，除了使用三極管的放大電路，還經(jīng)常用到三極管的開關(guān)電路。三極管開關(guān)電路在手機(jī)電路中通常用作某一個(gè)單元電路的電源電子開關(guān)

7、。工作在開關(guān)狀態(tài)下的三極管處于兩種狀態(tài)，即飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)。以NPN型三極管來說，當(dāng)三極管的基極有一個(gè)高電平時(shí)(一個(gè)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于三極管偏置電壓的電壓)，則三極管飽和導(dǎo)通，這時(shí)的三極管集電極與發(fā)射極之間的電阻很小，發(fā)射極電壓基本上等于集電極電壓，就像開關(guān)閉合一樣：當(dāng)三極管的基極有一個(gè)低電平時(shí)(一個(gè)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于三極管偏置電壓的電壓)，三極管截止，這時(shí)的三極管集電極與發(fā)射極之間的電阻很大，集電極電壓近似等于電源電壓，發(fā)射極電壓近似等于0V。  例如，在圖3-6所示的電路中，當(dāng)三極管基極加一個(gè)2V的脈沖信號時(shí)，其集電極將輸出一個(gè)5V的反相脈沖。第二節(jié) 振蕩電路  在手機(jī)電路中，

8、用以產(chǎn)生一本振、二本振和基準(zhǔn)頻率的振蕩電路有多種，應(yīng)用較多的是LC電容三點(diǎn)式的振蕩電路和石英振蕩電路，下面簡要分析。  一、電容三點(diǎn)式振蕩電路  電容三點(diǎn)式的振蕩電路由于高頻性能好，在手機(jī)的頻率合成器電路中得到了廣泛的應(yīng)用，振蕩電路與變?nèi)荻O管一起構(gòu)成一個(gè)壓控振蕩電路(VCO電路)，用以產(chǎn)生穩(wěn)定的一本振或二本振信號。  1.電容三點(diǎn)式基本電路  電容三點(diǎn)式振蕩器基本電路如圖3-7所示。該電路實(shí)質(zhì)上是一個(gè)放大器，只不過它沒有輸入而產(chǎn)生輸出，在滿足振蕩條件的情況下，即電路具備正反饋條件的情況下可以產(chǎn)生振蕩。  2.考畢茲振蕩電路  以上電

9、路是一種性能優(yōu)良的振蕩屯路，但是，它有兩個(gè)缺點(diǎn)：一是不能作為頻率可調(diào)的振蕩器；二是振蕩器的頻率穩(wěn)定性較差。為了克服這兩個(gè)缺點(diǎn)，提出了改進(jìn)型的電容三點(diǎn)式振蕩電路，如圖3-8所示。這種電路又叫考畢茲振蕩電路。從圖可以看出，改進(jìn)的方法很簡單，只是在振蕩回路的電感支路上串聯(lián)了一支小電容C3，C1、C2對振蕩頻率的影響大大減小，振蕩頻率主要由C3決定，可以通過調(diào)整C3來改變振蕩頻率而不影響反饋。  3.壓控振蕩電路(VCO)  在上圖中，若將C3換成一個(gè)變?nèi)荻O管，就變成了圖39所示的電路。  這種電路是通過改變變?nèi)荻O管的反偏壓VD來使變?nèi)荻O管的結(jié)電容發(fā)生變化，從而改變

10、了振蕩頻率。由手是用電壓來控制頻率的變化，從這個(gè)意義上說，這樣的電路稱為壓控振蕩電路。壓控振蕩電路在手機(jī)一本振、二本振等振蕩電路中得到了廣泛的應(yīng)用，如摩托羅拉V998手機(jī)的一本振和二本振電路就采用了這種形式的壓控振蕩電路，不過，對于大多數(shù)手機(jī)，本振電路則是將整個(gè)壓控振蕩電路全部給合在一起封裝起來，組成一個(gè)VCO組件，只有幾引腳(一般有供電腳、接地腳、輸出腳和控制腳)和外電路相連，但不管如何組合，內(nèi)部工作原理卻是不變的，仍是一個(gè)壓控振蕩電路。  二、石英晶體振蕩電路  1.石英晶體的特性  石英晶體是一種天然結(jié)晶體，具有穩(wěn)定的物理化學(xué)性能，石英晶體之所以能成為電的諧

11、振器，是利用了它特有，的壓電效應(yīng)，當(dāng)機(jī)械力作用于晶片時(shí)，晶片的兩面將產(chǎn)生電荷，呈現(xiàn)出電壓，這稱為正壓電效應(yīng)，當(dāng)晶片兩面加上電壓時(shí)，晶片又會發(fā)生形變，這稱為反壓電效應(yīng)。因此，若在晶片兩端加上交變電壓時(shí)，晶片將隨交流信號的變化而產(chǎn)生機(jī)械振動，晶片本身有一固有的振動頻率，頻率的高低取決于晶片的幾何尺寸和結(jié)構(gòu)。當(dāng)外加交流信號的頻率與晶片固有的機(jī)械振蕩頻率相等時(shí)，就會發(fā)生諧振現(xiàn)象。它既表現(xiàn)為晶片的機(jī)械共振，又表現(xiàn)為電諧振，這時(shí)有很大的電流流過晶片，產(chǎn)生電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換。  2.石英晶體的等效電路  石英晶片的諧振特性可以用一個(gè)串并聯(lián)諧振回路來等效，等效電路和電路符號如圖3-10所示

12、。   石英晶體的諧振曲線如圖3-11所示。當(dāng)ffq時(shí)，等效回路又呈容性。  石英晶體的諧振頻率fq、fq非常穩(wěn)定，因?yàn)長q、Cq、C0由晶片尺寸決定，它們受外界因素影響極小，且石英晶體有很高的品質(zhì)因素。  石英晶體作回路元件時(shí)，應(yīng)工作在感性區(qū)，等效為一個(gè)電感元件，從諧振曲線可以看出，石英晶體在一個(gè)很窄的范圍內(nèi)(fq-fq)才呈現(xiàn)感性，且在這個(gè)狹窄的頻率范圍內(nèi)感性曲線非常陡峭，因此，對頻率的補(bǔ)償能力極強(qiáng)。  需要說明的是：石英晶體不應(yīng)工作在容性區(qū)，這是因?yàn)榧词咕w的壓電效應(yīng)失效，晶體仍有靜電容,它仍呈容性狀態(tài)，因此，晶體如果作為電容元件接在回路

13、中，一旦壓電效應(yīng)失效，晶體仍能工作，振蕩器仍可維持振蕩，但石英晶體已完全失去了穩(wěn)頻作用，這就違背了使用石英晶體的本意。  3.石英晶體振蕩電路  石英晶體振蕩電路形式有很多種，常用的有兩類：一類是石英晶體接在振蕩回路中，作為電感元件使用，這類振蕩器稱為并聯(lián)晶體振蕩器；另一類是把晶體作為串聯(lián)短路元件使用，使其工作于串聯(lián)諧振頻率上，稱為串聯(lián)晶體振蕩器。  (1)并聯(lián)晶體振蕩器  這類晶體振蕩器的原理和一般LC振蕩器相同，只是把晶體接在振蕩回路中作為電感元件使用，并與其它回路元件一起，按照三點(diǎn)式電路的組成原則與晶體管相連。圖3-12(a)是一種用晶體構(gòu)成的考畢

14、茲電容三點(diǎn)式振蕩電路。圖312(b)為交流等效電路。石英晶體的振蕩頻率由石英諧振器和負(fù)載電容CL共同決定。所謂“負(fù)載電容”是指從晶振的插腳兩端向振蕩電路的方向看進(jìn)去的等效電容，晶振在振蕩電路中起振時(shí)等效為感性，負(fù)載電容與晶振的等效電感形成諧振，決定振蕩器的振蕩頻率。對于上圖所示電路，負(fù)載電容cI由c、c2、c3共同組成，由于C3遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于C1和C2，可見石英晶體確定后，Lq、C0、Cq也就確定了，振蕩頻率主要由C3決定，實(shí)際電路中，C3一般用一個(gè)變?nèi)荻O管代替，通過改變變?nèi)荻O管的反偏壓來使變?nèi)荻O管的結(jié)電容發(fā)生變化，從而改變了振蕩頻率。使振蕩頻率符合要求。  (2)串聯(lián)晶體振蕩電路&

15、#160; 串聯(lián)晶體振蕩電路是把晶體接在正反饋支路中，當(dāng)晶體工作在串聯(lián)諧振頻率上時(shí)，其總電抗為零，等效為短路元件，這時(shí)反饋?zhàn)饔米顝?qiáng)，滿足振幅起振條件。圖3-13(a)給出了一種串聯(lián)晶體振蕩電路的實(shí)際電路，圖3-13(b)為其交流等效電路。由圖可知，該電路與電容三點(diǎn)式振蕩電路十分相似，所不同的只是反饋信號不是直接接到晶體管的輸入端，而是經(jīng)過石英晶體接到振蕩的發(fā)射極，從而實(shí)現(xiàn)正反饋。當(dāng)石英晶體工作在串聯(lián)諧振頻率時(shí)，石英晶體呈現(xiàn)極低的阻抗，可以近似地認(rèn)為是短路的，則在這個(gè)頻率上，該電路與三點(diǎn)式振蕩器沒有什么區(qū)別。基于這種原理，我們可以調(diào)諧振蕩回路，使振蕩頻率正好等于晶體的諧振頻率，這時(shí)，正反饋?zhàn)顝?qiáng)，

16、正好滿足起振條件。對于其它頻率，石英諧振器不可能發(fā)生串聯(lián)諧振，它在反饋支路中呈現(xiàn)一個(gè)較大的電阻，使振蕩電路不能滿足起振；條件，故不能振蕩。可見，串聯(lián)石英晶體振蕩器的振蕩頻率及頻率穩(wěn)定度都是由石英諧振器的串聯(lián)振蕩頻率決定的，而不是由振蕩回路決定的。顯然，由振蕩回路元件決定的固有頻率，必須與石英諧振器的串聯(lián)諧振頻率相一致。  由于串聯(lián)晶振電路中振蕩頻率等于晶體串聯(lián)諧振頻率，因此它不需要外加負(fù)載電容CL，通常這種晶體標(biāo)明其負(fù)載電容為無窮大。在實(shí)際應(yīng)用中，若有小的誤差，則可以通過回路電容C3來微調(diào)頻率。  實(shí)際電路中，C3一般用一個(gè)變?nèi)荻O管代替，通過改變變?nèi)荻O管的反偏壓來使變?nèi)?/p>

17、二極管的結(jié)電容發(fā)生變化，使串聯(lián)晶振電路中振蕩頻率等于晶體串聯(lián)諧振頻率。  4.使用石英晶體時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)  為了正確地使用石英諧振器，充分利用其優(yōu)點(diǎn)，有必要指出使用石英諧振器時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)。  (1)石英晶體諧振器成品上標(biāo)有一個(gè)標(biāo)稱頻率，當(dāng)電路工作在這個(gè)標(biāo)稱頻率時(shí)，頻率穩(wěn)定度最高。這個(gè)標(biāo)稱頻率通常是在成品出廠前，在石英晶體上并接一定的負(fù)載電容條件下測定的。在實(shí)際組成石英晶體振蕩器時(shí)必須在石英晶體兩端并接負(fù)載電容，且負(fù)載電容必須符合石英晶體技術(shù)條件中所規(guī)定的數(shù)值，這個(gè)電容大都采用微調(diào)電容，以便調(diào)整。規(guī)定的負(fù)載電容值載于廠家的產(chǎn)品說明書中，通常為30pF(高頻晶體)，

18、或?yàn)?00pF (低頻晶體)，或標(biāo)示為田(這是指無需外接負(fù)載電容，通常用在串聯(lián)晶體振蕩器中)。  (2)石英晶體諧振器的激勵電平應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)。石英晶體諧振器在振蕩器中被激勵時(shí)，要通過激勵電流，要消耗一定的激勵功率。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，應(yīng)使輸入石英晶體的激勵功率不超過額定值。過高的激勵功率會使石英諧振器內(nèi)部溫度升高，使石英晶片的老化效應(yīng)和頻率漂移增大；極強(qiáng)的激勵功率會使石英晶片的機(jī)械振動過于劇烈而損壞。  (3)在并聯(lián)石英晶體振蕩器中，石英晶體只能工作在感性區(qū)，而不能工作在容性區(qū)。因?yàn)槿舭丫w當(dāng)作容性元件使用，一旦壓電效應(yīng)失效，它仍呈容性，此時(shí)振蕩器仍可能維持振蕩，但石

19、英晶體已失去穩(wěn)頻作用。  (4)由于石英諧振器在一定的溫度范圍內(nèi)才具有很高的頻率穩(wěn)定度，當(dāng)對頻率穩(wěn)定度要求很高時(shí)，可以考慮采用恒溫設(shè)備或溫度補(bǔ)償措施。  (5)晶振在振蕩電路中起振時(shí)等效為感性，負(fù)載電容與晶振的等效電感形成諧振，決定振蕩器的振蕩頻率。負(fù)載電容值不同，振蕩器的振蕩頻率也不一樣，改變負(fù)載電容的大小，就可以改變振蕩頻率。因此，通過適度調(diào)整負(fù)載電容，一般可以將振蕩器的振蕩頻率精確地調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)值。在晶振資料主要參數(shù)中提供的負(fù)載電容是一個(gè)測試條件，也是一個(gè)不容忽視的使用條件，忽略這個(gè)負(fù)載電容參數(shù)，會使振蕩頻率偏離標(biāo)準(zhǔn)值，偏離過大時(shí)會使振蕩器起振困難造成停振。 

20、 (6)晶振的負(fù)載電容有高、低兩類之別。低者一般僅為十幾至幾百PF，而高者則為無窮大，兩者相差懸殊，決不能混用，否則會使振蕩頻率偏離。兩類不同負(fù)載電容的晶振使用方式絕然不同。低負(fù)載電容晶振都串聯(lián)幾十pF容量的電容器；而高負(fù)載電容晶振不但不能串聯(lián)電容器，還須并聯(lián)數(shù)pF小容量電容器(外電路的分布電容有時(shí)也能取代這個(gè)并聯(lián)小電容)。  第三 RC和LC電路  在手機(jī)電路中，由電阻、電容和電感網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成的電路應(yīng)用十分廣泛，RC、LC電路可以構(gòu)成許多用途的電路，理解和領(lǐng)會RC、LC電路對分析手機(jī)電路圖十分重要。下面簡要介紹o  一、RC電路  1.RC串聯(lián)電

21、路  圖3-14是RC串聯(lián)電路及該網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性曲線。圖(a)中，R1、C1串聯(lián)，由于C1對各種頻率信號的容抗是不同的，這樣整個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性便如圖(b)所示。這一RC網(wǎng)絡(luò)對各頻率信號呈現(xiàn)不同的阻抗。當(dāng)信號頻率大于轉(zhuǎn)折頻率f01后，整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的阻抗Z=R1。這是因?yàn)楫?dāng)信號頻率大到一定程度后， Rc串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的總阻抗便有R1大小來決定。  當(dāng)信號頻率低于f01時(shí)，由于信號頻率已較低了，C1的容抗已較大而不能忽視，此時(shí)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的總阻抗為R1和c1容抗之和。又因?yàn)閏1的容抗隨頻率降低而增大，所以特性曲線中頻率f小于f01的一段是上升的，這樣，頻率愈低，阻抗愈大。當(dāng)R

22、重不變時(shí)，C1大，轉(zhuǎn)折頻率小；反之，C1小，轉(zhuǎn)折頻率大。同樣，通過改變R1的大小也可以改變f01。  2.RC并聯(lián)電路  圖3-15所示是RC并聯(lián)電路及該網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性曲線。這一網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性曲線也有一個(gè)轉(zhuǎn)折頻率f01，f01由下式?jīng)Q定：  當(dāng)信號頻率低于轉(zhuǎn)折頻率f01時(shí)，頻率愈低，C1容抗愈大于R10此時(shí)C1相當(dāng)于開路，RC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)阻抗由R1決定，小于f01部分為平直線，大小為R1阻值。  當(dāng)信號頻率大于轉(zhuǎn)折頻率f01時(shí)，c1的容抗可以與R1阻值比較，此時(shí)總的阻抗是R1和C1容抗的并聯(lián)值由于頻率升高后c1容抗下降，所以RC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)總的阻抗斜率下降，且頻

23、率愈高，網(wǎng)絡(luò)的阻抗愈小。改變C1或R1大小時(shí)，轉(zhuǎn)折頻率也要作相應(yīng)改變。  3.RC串并聯(lián)電路  RC串并聯(lián)電路及阻抗特性曲線如圖3-16所示。這里不再分析。  二、LC電路  1.LC串聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)  圖3-17為LC串聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)。  LC串聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)有一個(gè)固有諧振頻率f0.從上式可以看出，仍只與11、C1大小有關(guān)，而與R1的大小無關(guān)。L1、C1大，諧振頻率反而低。當(dāng)送人LC串聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)的信號頻率等于該網(wǎng)絡(luò)固有諧振頻率扔時(shí)，網(wǎng)絡(luò)便發(fā)生串聯(lián)諧振現(xiàn)象。  串聯(lián)諧振具有如下特性：  (1)諧振時(shí)網(wǎng)絡(luò)的阻抗為最小，且為純阻性

24、，在仍處的阻抗達(dá)最小，為回路中的直流電阻R1。當(dāng)信號頻率大于或小于f0時(shí)，該網(wǎng)絡(luò)的阻抗均大于f0時(shí)的阻抗。信號頻率愈是偏離仍，網(wǎng)絡(luò)的阻抗愈大。  (2)諧振時(shí)L1上的電壓等于C1上的電壓，并且等于信號電壓的Q倍(Q為品質(zhì)因素)，所以，串聯(lián)諧振又稱電壓諧振。  2.LC并聯(lián)詣?wù)窬W(wǎng)絡(luò)  圖3-18是LC并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)及阻抗特性曲線。R1是L1的直流電阻。LC并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)的諧振頻率f0由下式?jīng)Q定：  從上式中可以看出，LC并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)的諧振頻率與R1無關(guān)，只與11、C1有關(guān)。當(dāng)信號頻率等于該網(wǎng)絡(luò)的固有諧振頻率時(shí)，該LC網(wǎng)絡(luò)發(fā)生并聯(lián)諧振現(xiàn)象。  LC并聯(lián)

25、諧振具有如下特性：  (1)并聯(lián)諧振時(shí)網(wǎng)絡(luò)的阻抗達(dá)到最大，并為純阻性，阻抗大小為Q2R1。  (2)回路電壓達(dá)到最大值，即L1、Cl上的信號電壓達(dá)到最大值。  (3)回路總電流很小，而電容、電感支路的電流達(dá)到最大值，為回路總電流的Q倍。但電容、電感支路的電流方向相反、大小相差不多，其差值為回路的總電流。由于并聯(lián)諧振時(shí)電容、電感支路中的電流達(dá)到最大值，所以并聯(lián)諧振又稱電流諧振。  (4)不同的Q值有不同的曲線，Q值大的曲線尖銳。在諧振頻率扔處，網(wǎng)絡(luò)阻抗為最大。當(dāng)信號頻率f高于或低于扔時(shí)，網(wǎng)絡(luò)的阻值均下降，且信號頻率f偏差f0愈多，網(wǎng)絡(luò)阻抗愈小。 

26、 三、濾波器  濾波器是一種讓某一頻帶內(nèi)信號通過，同時(shí)又阻止這一頻帶外信號通過的電路，濾波器分為無源濾波器和有源濾波器。  無源濾波器又分為：RC濾波器和LC濾波器，RC濾波器又分為：低通RC濾波器、高通RC濾波器和帶通RC濾波器。LC濾波器又分為低通LC濾波器、高通LC濾波器和帶通LC濾波器。  有源濾波器分為有源高通濾波器、有源低通濾波器和有源帶通濾波器等。  下面簡要分析RC和LC無源濾波器。  1. RC無源濾波器  2. (1)低通濾波器  圖319是一種RC無源低通濾波器。圖(a)是低通濾波器

27、電路，圖(b)是它的幅頻特性曲線。可以看出，低通濾波器的作用是讓低于轉(zhuǎn)折頻率f0的低頻段信號通過，而將高于轉(zhuǎn)折頻率f0的信號去掉。這二低通濾波器的工作原理是，當(dāng)輸入信號中頻率低于轉(zhuǎn)折頻率f0的信號加到電路中時(shí)，由于C1的容抗很大而無分流作用，所以這一低頻信號經(jīng)Rl輸出。當(dāng)Vi中頻率高于轉(zhuǎn)折頻率f0時(shí)，因C1的容抗已很小，故通過R1的高頻信號由C1分流到地而無輸出，達(dá)到低通的目的。這一RC低通濾波器的轉(zhuǎn)折頻率仍由下式?jīng)Q定：  (2)高通濾波器  圖3-20是RC元件構(gòu)成的高通濾波器。圖(a)是電路，圖(b)是這一高通濾波器的幅頻特性曲線。從這一曲線可以看出，當(dāng)輸入信號中頻率低

28、于轉(zhuǎn)折頻率仍時(shí)，輸出受到明顯的衰減。高于轉(zhuǎn)折頻率f0的信號輸出大。這一電路的工作原理是，當(dāng)頻率低于f0的信號輸入這一濾波器時(shí)，由于C1的容抗很大而受到阻止，輸出減小，且頻率愈低輸出愈小。當(dāng)頻率高于f0的信號輸入這一濾波器時(shí)，由于C1的容抗很小，故對信號無衰減作用，這樣該濾波器具有讓高頻信號通過，阻止低頻信號的作用，這一電路的轉(zhuǎn)折頻率扔由下式?jīng)Q定：  (3)帶通濾波器帶通濾波器可以讓一定頻帶的信號通過，而阻止頻帶以外的信號。將高通濾波器和低通濾器組合在一起，適當(dāng)設(shè)計(jì)電路參數(shù)，就可以構(gòu)成所需要的帶通濾波器。  2.LC無源濾波器  LC濾波器適用于高頻信號的濾波，它由

29、電感L和電容C所組成，由于感抗隨頻率增加而增加，而容抗隨頻率增加而減小，因此，LC低通濾波器的串臂接電感，并臂接電容，高通濾波器的L、C位置，則與它相反。帶通濾波器則是二者的組合。  需要說明的是，手機(jī)中的很多濾波器，如射頻濾波器、一中頻濾波器、二中頻濾波器、發(fā)射濾波器等均已模塊化。而不再是由簡單的分立元件組成。  RC、LC還可以組合成許多電路，如選頻放大電路、低頻補(bǔ)償電路、高頻補(bǔ)償電路、積分電路、微分電路、移相電路、陷波器等，這里不再一一分析。  第四節(jié)場效應(yīng)管電路  手機(jī)電路中較多地采用了場效應(yīng)管，場效應(yīng)管與晶體管不同，它是一種電壓控制器件(晶體管

30、是電流控制器件)，其特性更象電子管，它具有很高的輸入阻抗，較大的功率增益，由于是電壓控制器件所以噪聲小。  一、場效應(yīng)管的分類  根據(jù)電場對導(dǎo)電溝道控制方式的不同，場效應(yīng)管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩種。  結(jié)型場效應(yīng)管是利用加在PN結(jié)上的反向電壓的大小控制PN結(jié)的厚度，從而改變導(dǎo)電溝道的寬窄，實(shí)現(xiàn)對漏極電流的控制作用。  絕緣柵場效應(yīng)管是利用絕緣柵在外電壓的作用下，產(chǎn)生的感應(yīng)電荷控制導(dǎo)電溝道的寬窄，絕緣柵場效應(yīng)管又稱為金金屬氧化物場效應(yīng)管簡稱MOS管。  絕緣柵型場效應(yīng)管又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，我們稱在正常情況下導(dǎo)通的為耗盡型場效應(yīng)管，在正常情況

31、下斷開的稱增強(qiáng)型效應(yīng)管。增強(qiáng)型場效應(yīng)管特點(diǎn)是：當(dāng)Vgs=0時(shí)，Id(漏極電流)=0，只有當(dāng)Vgs增加到某一個(gè)值時(shí)才開始導(dǎo)通，有漏極電流產(chǎn)生。并稱開始出現(xiàn)漏極電流時(shí)的柵源電壓Vgs為開啟電壓。耗盡型場效應(yīng)管的特點(diǎn)是：漏、源極間一開始就有一個(gè)原始導(dǎo)通溝道，即使Vgs=0，在漏極電壓的作用下也有較大的漏極電流。根據(jù)半導(dǎo)體材料的不同，每一種又可分為N溝道和P溝道兩類。這樣，總共有六種場效應(yīng)管。即：N溝道結(jié)型場效應(yīng)管、P溝道結(jié)型場效應(yīng)管、N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管、N溝道耗盡型場效應(yīng)管、P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和P溝道耗盡型場效應(yīng)管。  場效應(yīng)管分為三個(gè)極，分別是控制柵極G(相當(dāng)于三極管的基極B)、源極

32、S(相當(dāng)于三極管的發(fā)射極E)和漏極D(相當(dāng)于三極管的集電極C)。  場效應(yīng)管的分類、符號及特性曲線見上圖3-21所示。  二、場效應(yīng)管的偏置電路  與三極管一樣，場效應(yīng)管必須加上適當(dāng)?shù)钠茫拍苷９ぷ鳎@里介紹常用的幾種偏置電路。  1.N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的偏置電路  (1)自偏置電路  如圖3-22所示。它是利用漏極電路流過源極電阻RS，使得源極被提高了一個(gè)小的正電位。而柵極則保持零電位，柵極相對于源極呈現(xiàn)負(fù)電壓，即：Vgs=-IsRs=-IDRDo，滿足了它的反向偏置要求。RD是漏極電阻，起負(fù)載作用。  (2)分壓式偏

33、置電路，  如圖3-23所示。分壓器式偏置電路類似三極管的分壓式偏置電路。柵極電壓VG由電阻R1和R2構(gòu)成的分壓器提供。這偏置穩(wěn)定性比自偏置電路好。  由于N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的Vgs<0，因此，2.MOS場效應(yīng)管的偏置電路  (1)耗盡型MOS場效應(yīng)管的偏置電路耗盡型MOS場效應(yīng)管可采用自偏置和分壓器式偏置。對于N溝道耗盡型MOS場效應(yīng)管來說，柵源為負(fù)、零或。正偏置，漏源為正。對于P溝道耗盡型MOS場效應(yīng)管來說，柵源為正、零或負(fù)偏置，漏源為負(fù)。  (2)增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的偏置電路  增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管要求柵極保持為正向偏置，而不能采

34、用自偏置電路。N溝道MOS場效應(yīng)管柵源為正偏置，漏源為正偏置，P溝道MOS場效應(yīng)管柵源為負(fù)偏置，漏源為負(fù)偏置。  第五節(jié) 手機(jī)常用電路圖介紹  電路圖就是為了人們方便，使用約定的電路符號在紙上繪制的一種圖形，是一種用來表示相應(yīng)的實(shí)際電路的一種圖紙。人們根據(jù)圖紙來進(jìn)行工程分析或進(jìn)行其他技術(shù)作業(yè)，大大地提高了工作效率。  手機(jī)電路圖主要有方框圖(包括集成電路內(nèi)部方框圖)、單元電路圖、等效電路圖、整機(jī)電路圖、印刷線路圖等多種。手機(jī)圖紙的雖然種類很多，但對于維修人員來說，通常了解方框圖、電路原理圖、元件分布圖就可以了。  一、手機(jī)方框圖  手機(jī)方框圖是一種用各種方框和連線來表示手機(jī)電路工作原理和構(gòu)成概況的電路圖。在這種圖紙中，除了方框和連線，幾乎就沒有別的符號了。它與手機(jī)原理圖的區(qū)別，就在于手機(jī)原理圖詳細(xì)地繪制了手機(jī)電路的全部元器件與它們的連接方式，而手機(jī)方框圖只是簡單地將電路按照功能劃分為幾個(gè)部分，將每一個(gè)部分描繪成一個(gè)方框，