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文檔簡介

2-4-4 場效應管與三極管性能比較 器件名稱 性能 半導體三極管 既利用多數載流子，又利用 少數載流子，故稱為雙極型 器件 多子濃度擴散與少子漂移 電流控制（IBIC） （=20200） PNP、NPN 大 較大 差 較復雜 場效應管 只利用多數載流子工作 稱為單極型器件 多子漂移 電壓控制（UGSID） gm（15mA/V） P溝道、N溝道 小 較小 強 簡單，特別是MOS管， 易于集成 導電結構 導電方式 控制方式 放大系數 類型 受溫度影響 噪聲 抗輻射能力 制造工藝 課后小結見黑板 課前復習及提問： 課前復習及提問 1）NPN管在放大狀態下各極電位的關系？ 2）三極管在共射、共集組態下的電流關系？ 3）三極管的三個工作區是什么？ 4）NPN、 PNP管的區別？ 思考題：P67 1、2 思考題 作業題：P146 2-5 作業題 預習內容：1）常用半導體發光器件的四大類型 預習內容 2）七段數碼管的結構及使用

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