1、CMC·泓域咨詢 /防城港年產(chǎn)xx個IGBT器件項目建議書防城港年產(chǎn)xx個IGBT器件項目建議書xxx集團有限公司目錄第一章 項目基本情況10一、 項目名稱及投資人10二、 項目建設(shè)背景10三、 結(jié)論分析11主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表13第二章 項目投資背景分析15一、 壯大沿邊產(chǎn)業(yè)集群15二、 深化面向東盟的金融創(chuàng)新與合作15三、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代16四、 汽車半導(dǎo)體量價齊升，市場空間正快速擴大17五、 IGBT技術(shù)發(fā)展歷程及趨勢21六、 工控領(lǐng)域及電源行業(yè)支撐IGBT穩(wěn)定發(fā)展24七、 IGBT是新能源車動力系統(tǒng)核心中的核心25第三章 建設(shè)單位基本情況28一、 公

2、司基本信息28二、 公司簡介28三、 公司競爭優(yōu)勢29四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)31公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)31公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)31五、 核心人員介紹31六、 經(jīng)營宗旨33七、 公司發(fā)展規(guī)劃33第四章 市場預(yù)測35一、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新35二、 電動化+數(shù)字互聯(lián)帶動功率模擬芯片、控制芯片、傳感器需求提升39三、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景40第五章 運營模式42一、 公司經(jīng)營宗旨42二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)42三、 各部門職責(zé)及權(quán)限43四、 財務(wù)會計制度46五、 晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊缺，IGBT供不應(yīng)求或延續(xù)較長時間52六、 新能源發(fā)電為IGB

3、T帶來持續(xù)發(fā)展動力53七、 IGBT基本情況54八、 新能源汽車：IGBT是核心零部件，單車價值量達(dá)到上千人民幣56第六章 SWOT分析60一、 優(yōu)勢分析（S）60二、 劣勢分析（W）61三、 機會分析（O）62四、 威脅分析（T）63第七章 發(fā)展規(guī)劃67一、 公司發(fā)展規(guī)劃67二、 主要任務(wù)68第八章 法人治理結(jié)構(gòu)71一、 股東權(quán)利及義務(wù)71二、 董事73三、 高級管理人員77四、 監(jiān)事80第九章 創(chuàng)新發(fā)展82一、 提升科技創(chuàng)新要素支撐能力82二、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析82三、 項目技術(shù)工藝分析84四、 質(zhì)量管理86五、 創(chuàng)新發(fā)展總結(jié)87第十章 建筑工程方案分析88一、 項目工程設(shè)計總體要求88二

4、、 建設(shè)方案89三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)90建筑工程投資一覽表91第十一章 產(chǎn)品方案92一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容92二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)92產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表93第十二章 項目風(fēng)險防范分析94一、 項目風(fēng)險分析94二、 公司競爭劣勢97第十三章 進(jìn)度計劃方案98一、 項目進(jìn)度安排98項目實施進(jìn)度計劃一覽表98二、 項目實施保障措施99第十四章 項目投資分析100一、 投資估算的依據(jù)和說明100二、 建設(shè)投資估算101建設(shè)投資估算表103三、 建設(shè)期利息103建設(shè)期利息估算表103四、 流動資金104流動資金估算表105五、 總投資106總投資及構(gòu)成一覽表106六、 資金籌措與投資計劃

5、107項目投資計劃與資金籌措一覽表107第十五章 經(jīng)濟效益評價109一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取109二、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算109營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表109綜合總成本費用估算表111利潤及利潤分配表113三、 項目盈利能力分析113項目投資現(xiàn)金流量表115四、 財務(wù)生存能力分析116五、 償債能力分析116借款還本付息計劃表118六、 經(jīng)濟評價結(jié)論118第十六章 總結(jié)評價說明119第十七章 補充表格121主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表121建設(shè)投資估算表122建設(shè)期利息估算表123固定資產(chǎn)投資估算表124流動資金估算表124總投資及構(gòu)成一覽表125項目投資計劃與資金籌措一覽表126營業(yè)收入、

6、稅金及附加和增值稅估算表127綜合總成本費用估算表128固定資產(chǎn)折舊費估算表129無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表129利潤及利潤分配表130項目投資現(xiàn)金流量表131借款還本付息計劃表132建筑工程投資一覽表133項目實施進(jìn)度計劃一覽表134主要設(shè)備購置一覽表135能耗分析一覽表135報告說明根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資10598.46萬元，其中：建設(shè)投資8710.37萬元，占項目總投資的82.19%；建設(shè)期利息118.44萬元，占項目總投資的1.12%；流動資金1769.65萬元，占項目總投資的16.70%。項目正常運營每年營業(yè)收入22100.00萬元，綜合總成本費用18490.23萬元，凈利潤

7、2634.13萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率19.06%，財務(wù)凈現(xiàn)值2731.30萬元，全部投資回收期5.77年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。電力電子技術(shù)是以電子（弱電）為手段去控制電力（強電）的技術(shù)，使電網(wǎng)的工頻電能最終轉(zhuǎn)換成不同性質(zhì)、不同用途的電能，以適應(yīng)不同用電裝臵的不同需求。電力電子技術(shù)以電子學(xué)、電力學(xué)和控制論相互交叉結(jié)合為基礎(chǔ)，研究電能的變換和利用，廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電、電力機車牽引、交直流轉(zhuǎn)換、電加熱、電解等各種領(lǐng)域中。新為能源車的快速發(fā)展為IITGBT帶來廣闊的增量市場。新能源車的加速能力、最高時速、能源效率主要看車規(guī)級功率器件的性能。硅基IGBT作

8、為主導(dǎo)型功率器件，在新能源車中應(yīng)用于電動控制系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器三個子系統(tǒng)中，約占整車成本的7%-10%，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關(guān)鍵器件。根據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，2021年6月新能源車產(chǎn)銷分別為24.8萬輛、25.6萬輛，環(huán)比+14.3%、+17.7%，同比增長1.3倍和1.4倍，2021年1-6月，新能源車產(chǎn)銷分別達(dá)到121.5萬輛和120.6萬輛，同比增長均為2.0倍，新能源車的快速發(fā)展為IGBT帶來廣闊的市場空間。本報告為模板參考范文，不作為投資建議，僅供參考。報告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術(shù)方案、風(fēng)險評估等內(nèi)容基于公開信息；項目建設(shè)方案、投資估算、經(jīng)濟效益

9、分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學(xué)習(xí)交流或模板參考應(yīng)用。第一章 項目基本情況一、 項目名稱及投資人（一）項目名稱防城港年產(chǎn)xx個IGBT器件項目（二）項目投資人xxx集團有限公司（三）建設(shè)地點本期項目選址位于xxx（以最終選址方案為準(zhǔn)）。二、 項目建設(shè)背景半導(dǎo)體是汽車發(fā)展趨勢（電驅(qū)化、數(shù)字互聯(lián)）的核心。汽車在電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的發(fā)展過程中，半導(dǎo)體是發(fā)展的核心支撐。1）電驅(qū)化（電動化），電動與混動汽車的發(fā)展要求動力傳動系統(tǒng)向電氣化邁進(jìn)，其中由電池、電機、電控組成的三電系統(tǒng)主要以功率半導(dǎo)體為主，包含IGBT、MOSFET等。2）數(shù)字互聯(lián)（智能化、網(wǎng)聯(lián)化），智能化發(fā)展帶動具備AI計算能力

10、的主控芯片市場規(guī)模快速成長；此外智能與網(wǎng)聯(lián)相輔相成，核心都是加強人車交互，除了加強計算能力的主控芯片外，傳感器、存儲也是核心的汽車半導(dǎo)體，包含自動化駕駛的實現(xiàn)使傳感器需求提升、數(shù)據(jù)量的增加帶動存儲的數(shù)量和容量的需求提升。三、 結(jié)論分析（一）項目選址本期項目選址位于xxx（以最終選址方案為準(zhǔn)），占地面積約25.00畝。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項目正常運營后，可形成年產(chǎn)xxx個IGBT器件的生產(chǎn)能力。（三）項目實施進(jìn)度本期項目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。（四）投資估算本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資10598.46萬元，其中：建設(shè)投資8710.37萬元，占項

11、目總投資的82.19%；建設(shè)期利息118.44萬元，占項目總投資的1.12%；流動資金1769.65萬元，占項目總投資的16.70%。（五）資金籌措項目總投資10598.46萬元，根據(jù)資金籌措方案，xxx集團有限公司計劃自籌資金（資本金）5764.27萬元。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)測算，本期工程項目申請銀行借款總額4834.19萬元。（六）經(jīng)濟評價1、項目達(dá)產(chǎn)年預(yù)期營業(yè)收入（SP）：22100.00萬元。2、年綜合總成本費用（TC）：18490.23萬元。3、項目達(dá)產(chǎn)年凈利潤（NP）：2634.13萬元。4、財務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）：19.06%。5、全部投資回收期（Pt）：5.77年（含建設(shè)期12個月

12、）。6、達(dá)產(chǎn)年盈虧平衡點（BEP）：8993.73萬元（產(chǎn)值）。（七）社會效益綜上所述，本項目能夠充分利用現(xiàn)有設(shè)施，屬于投資合理、見效快、回報高項目；擬建項目交通條件好；供電供水條件好，因而其建設(shè)條件有明顯優(yōu)勢。項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略思想，有利于行業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整。本項目實施后，可滿足國內(nèi)市場需求，增加國家及地方財政收入，帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，為社會提供更多的就業(yè)機會。另外，由于本項目環(huán)保治理手段完善，不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項目建設(shè)具有良好的社會效益。（八）主要經(jīng)濟技術(shù)指標(biāo)主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積16667.00約25.00畝1.1總建筑面積33012.091.

13、2基底面積10166.871.3投資強度萬元/畝336.752總投資萬元10598.462.1建設(shè)投資萬元8710.372.1.1工程費用萬元7638.232.1.2其他費用萬元844.112.1.3預(yù)備費萬元228.032.2建設(shè)期利息萬元118.442.3流動資金萬元1769.653資金籌措萬元10598.463.1自籌資金萬元5764.273.2銀行貸款萬元4834.194營業(yè)收入萬元22100.00正常運營年份5總成本費用萬元18490.23""6利潤總額萬元3512.17""7凈利潤萬元2634.13""8所得稅萬元878.

14、04""9增值稅萬元813.35""10稅金及附加萬元97.60""11納稅總額萬元1788.99""12工業(yè)增加值萬元6395.73""13盈虧平衡點萬元8993.73產(chǎn)值14回收期年5.7715內(nèi)部收益率19.06%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元2731.30所得稅后第二章 項目投資背景分析一、 壯大沿邊產(chǎn)業(yè)集群深入推進(jìn)東興邊境深加工產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)，大力發(fā)展進(jìn)出口加工、跨境電商、跨境金融、跨境貿(mào)易、現(xiàn)代物流等邊境特色產(chǎn)業(yè)和邊境深加工產(chǎn)業(yè)，夯實沿邊產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。積極培育發(fā)展醫(yī)療服務(wù)、工程技術(shù)、旅游、教育

15、培訓(xùn)、國際仲裁、法律咨詢、知識產(chǎn)權(quán)、金融、娛樂、康養(yǎng)等服務(wù)貿(mào)易。積極推動通道經(jīng)濟向口岸經(jīng)濟轉(zhuǎn)變，加快防城邊境經(jīng)濟合作區(qū)建設(shè)，打造跨境產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈，建設(shè)一批深化雙邊經(jīng)貿(mào)合作的重大項目。落實邊民補助政策，積極推動邊民互市進(jìn)口商品落地加工，大力發(fā)展“邊貿(mào)+”產(chǎn)業(yè)，提高邊民收入。統(tǒng)籌“東融”與“南向”開放，落實RCEP和CEPA政策，加強同大灣區(qū)和東盟建立更加緊密的經(jīng)貿(mào)關(guān)系，打造“大灣區(qū)研發(fā)+北部灣制造+東盟組裝+國際市場”產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈價值鏈。二、 深化面向東盟的金融創(chuàng)新與合作完善跨境金融基礎(chǔ)設(shè)施，深化跨境金融創(chuàng)新與合作，大力發(fā)展跨境人民幣結(jié)算業(yè)務(wù)。以貿(mào)易、航運為紐帶拓展金融服務(wù)，集聚航運貿(mào)易金融主體

16、，開展航運貿(mào)易金融業(yè)務(wù)創(chuàng)新，著力打造邊境金融改革創(chuàng)新試驗區(qū)、保險創(chuàng)新綜合試驗區(qū)、航運貿(mào)易金融服務(wù)高地“兩區(qū)一高地”，加快形成面向中南西南和東盟的金融服務(wù)觸角和服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，推動成為面向東盟金融開放門戶建設(shè)的重要支撐。三、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代以特色工藝需要工藝與設(shè)計的積累，海外企業(yè)以MIDM為主。功率半導(dǎo)體主要以特色工藝為主，器件的技術(shù)迭代像邏輯、存儲芯片依靠尺寸的縮小，因此特色工藝的要求更多需要行業(yè)的積累與know-how，包括工藝、產(chǎn)品、服務(wù)、平臺等多個維度；功率器件產(chǎn)品性能與應(yīng)用場景密切相關(guān)，導(dǎo)致平臺多、產(chǎn)品類型多，因此更注重工藝的成熟度和穩(wěn)定性，工藝平臺的多樣性。在這

17、樣的背景下，由于IDM可以按需生產(chǎn)不同電性功能的功率器件，加速技術(shù)及應(yīng)用積累，在深度及廣度上覆蓋客戶不同的需求，因此IGBT海外的企業(yè)大多的生產(chǎn)模式以IDM為主，國內(nèi)相比海外發(fā)展較晚，因此催生出Fabless找代工廠生產(chǎn)的模式，專業(yè)化分工加速對海外的追趕。代表IDM型IGBT廠商包括英飛凌、瑞薩、Vishay、羅姆、安森美、富士電機、士蘭微、華微電子等；Fabless型IGBT廠商包括斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、宏微科技等。IGBT代工廠則包括高塔、華虹、東部高科等廠商。IGBT主要采用成熟制程，目前生產(chǎn)大多以以88英寸晶圓為主。IGBT產(chǎn)品對產(chǎn)線工藝依賴性較強，目前國際IGBT大廠主要采用8英寸生產(chǎn)線

18、。為進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能與可靠性，IGBT制造廠正積極布局可用于12英寸晶圓的相關(guān)工藝。英飛凌作為IGBT龍頭企業(yè)，已于2018年推出以12英寸晶圓生產(chǎn)的IGBT器件。同時，斯達(dá)半導(dǎo)12英寸IGBT產(chǎn)能也已實現(xiàn)量產(chǎn)。未來，隨著各家IGBT廠商工藝的進(jìn)步，IGBT產(chǎn)品也將轉(zhuǎn)向12英寸晶圓，并采用更先進(jìn)的制程。IGBT需求增長擴廠計劃持續(xù)推進(jìn)，朝向300mm（12英寸）晶圓發(fā)展。英飛凌2021年9月公告其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動運營，隨著數(shù)字化和電氣化進(jìn)程的加快，公司預(yù)計未來幾年全球?qū)β拾雽?dǎo)體器件的需求將持續(xù)增長，因此當(dāng)前正是新增產(chǎn)能的最好時機。2021年3月東

19、芝公告準(zhǔn)備開工建設(shè)300mm晶圓制造廠，由于功率器件是控制和降低汽車、工業(yè)和其他電氣設(shè)備功耗的重要部件，公司預(yù)計電動汽車、工廠自動化和可再生能源領(lǐng)域的增長將繼續(xù)推動功率器件的需求增長。2020年12月士蘭微12英寸芯片生產(chǎn)線項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)實施運營，第一條12英寸產(chǎn)線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計劃月產(chǎn)8萬片。本次投產(chǎn)的產(chǎn)線就是其中的一期項目，總投資50億元，規(guī)劃月產(chǎn)能4萬片；項目二期將繼續(xù)投資20億元，規(guī)劃新增月產(chǎn)能4萬片。第二條12英寸生產(chǎn)線預(yù)計總投資100億元，將建設(shè)工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。四、 汽車半導(dǎo)體量價齊升，市場空間正快

20、速擴大純電動車有望成為未來新能源汽車發(fā)展的主要方向。新能源汽車根據(jù)發(fā)動機主要可以分為HEV（混合電動汽車）、PHEV（插電式混合電動汽車）、BEV（純電動汽車）。其中，HEV是最常見的混合動力類型，它的動力驅(qū)動方式可以通過使用燃料的發(fā)動機和帶有電池的電動機。PHEV電池容量比較大，由較長的純電續(xù)航里程，且有充電接口，一般需要專用的供電樁進(jìn)行供電，在電能充足的時候，采用電動機驅(qū)動車輛，而電能不足時，發(fā)動機發(fā)電給動力電池。BEV則不需要燃油機，只需要依靠電池提供能量，所以會配置較大容量的電池。BEV的優(yōu)勢在于零排放。受益于國家的雙碳計劃，BEV有望成為未來新能源汽車發(fā)展的主要方向。中國新能源汽車銷

21、量增速高于全球，02020年中國新能源汽車銷量達(dá)到7136.7萬輛。根據(jù)EV-volumes公布的數(shù)據(jù)，2014年全球新能源汽車銷量為32.1萬輛，2020年達(dá)到324萬輛，2014-2020年復(fù)合增長率為47%；根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會公布的數(shù)據(jù)，2014年中國新能源汽車銷量為7.5萬輛，2020年達(dá)到136.7萬輛，2014-2020年復(fù)合增長率為62%；整體來看全球與中國新能源汽車銷量皆快速增長，且中國的增速高于全球。雙碳計劃促進(jìn)新能源汽車發(fā)展，新能源汽車的碳減排潛力相較傳統(tǒng)燃油車更具優(yōu)勢。國內(nèi)要實現(xiàn)雙碳目標(biāo)，可能性路徑包括中國工業(yè)和公路交通等領(lǐng)域加速電氣化、加速部署可再生電源等零碳電源等。

22、受益于雙碳目標(biāo)，新能源汽車替代傳統(tǒng)燃油車已是大勢所趨。在車輛使用階段，新能源汽車的碳減排潛力有明顯優(yōu)勢。純電動汽車與油車相比，單車運行階段減排比例介于243%。若電動汽車的電耗降低，新能源電力使用比例提高，新能源汽車減排量比例還會進(jìn)一步提升。2021年上半年全球新能源汽車銷量同比接近翻倍，全球各國家銷量皆大幅度提升。根據(jù)EV-volumes預(yù)測，2021年全球新能源汽車銷量預(yù)計達(dá)到640萬，相較于2020年同比增長98%。全球輕型汽車市場已從2020年上半年的-28%的低迷中部分恢復(fù)，同比增長28%。2021年上半年部分地區(qū)新能源汽車由于基數(shù)較低因此呈倍數(shù)增長，歐洲同比增長157%，中國同比增

23、長197%，美國同比增長166%，其余市場同比增長達(dá)到95%；除日本外，所有主要市場在今年上半年的電動汽車銷量和份額均創(chuàng)下新紀(jì)錄。中國新能源汽車滲透率預(yù)計在2025年達(dá)到20%,預(yù)計中國新能源汽車銷量超過600萬輛。國務(wù)院辦公廳印發(fā)新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(20212035年)提出，新能源汽車新車銷售量達(dá)到汽車新車銷售總量的20%左右；此外中汽協(xié)預(yù)測2025年中國汽車銷量或到3000萬輛，根據(jù)保守線性推算，我們預(yù)計2025年中國新能源汽車銷量達(dá)到600萬輛，年復(fù)合增速達(dá)到34.4%。根據(jù)中汽協(xié)預(yù)測未來五年中國新能源汽車銷量年均增速40%以上的預(yù)測，2025年新能源汽車銷量預(yù)計達(dá)到735萬輛。20

24、20年新能源汽車半導(dǎo)體價值量4834美金。根據(jù)英飛凌、IHS、AutomotiveGroup等多家機構(gòu)測算，2020年FHEV、PHEV、BEV單車半導(dǎo)體的成本到了834美元，相較于傳統(tǒng)燃油車的汽車半導(dǎo)體價值417美元，單車半導(dǎo)體價值量翻倍成長；相較于48V輕混合車，單車半導(dǎo)體價值量增加45.8%。預(yù)計2025年，48V輕混車、FHEV/PHEV/BEV銷量分別將達(dá)到1880萬輛、2100萬輛，基于2020年單車半導(dǎo)體BOM靜態(tài)測算，2025年車用半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到282.7億美元。新能源汽車半導(dǎo)體價值量持續(xù)增加，保守估計52025年中國市場規(guī)模達(dá)到070億美元。隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)

25、化發(fā)展，半導(dǎo)體在單車上的整體價值也越來越高，根據(jù)Gartner預(yù)測的數(shù)據(jù)，2024年單輛汽車中的半導(dǎo)體價值有望超過1000美元，根據(jù)前四年的年復(fù)合增長率預(yù)測，預(yù)計2025年達(dá)到1046美元，中國2025年新能源汽車預(yù)計達(dá)到600-700萬量，經(jīng)測算中國新能源汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模在2025年有望達(dá)到62.8億-73.2億美元。汽車半導(dǎo)體國產(chǎn)化率僅10%，前八大歐美日企業(yè)占整體市場的63%。根據(jù)ICVTank數(shù)據(jù)，2019年汽車半導(dǎo)體前八大企業(yè)為歐美日公司，包含恩智浦、英飛凌、瑞薩半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、德州儀器等，占整體市場規(guī)模的63%。從自主汽車芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模來看，歐美日占據(jù)整體市場的93%，歐洲、美

26、國和日本公司分別占37%、30%和25%市場份額；中國公司僅為3%，根據(jù)中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)汽車行業(yè)中車用芯片自研率僅占10%，國內(nèi)汽車芯片市場基本被國外企業(yè)壟斷，并且具備90%的替代空間。五、 IGBT技術(shù)發(fā)展歷程及趨勢IGBT技術(shù)的整體發(fā)展趨勢是大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性。從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時間、功率損耗等各項指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6500V以上。第一代：PT-IGBT，使用重?fù)诫s的P

27、+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+buffer，N-base外延，最后在外延層表面形成原胞結(jié)構(gòu)，由于體內(nèi)晶體結(jié)構(gòu)本身原因造成“負(fù)溫度系數(shù)”，各IGBT原胞通態(tài)壓降不一致，不利于并聯(lián)運行，第一代IGBT電流只有25A，且容量小速度低，目前已基本退出市場。第二代：改進(jìn)版PT-IGBT，采用精細(xì)平面柵結(jié)構(gòu)，增加一個“緩沖層”，在相同的擊穿電壓下實現(xiàn)了更薄的晶片厚度，從而降低了IGBT導(dǎo)通電阻，降低了IGBT工作過程中的損耗，提高了IGBT的耐壓程度。第三代：Trench-IGBT，采用Trench結(jié)構(gòu)，通過挖槽工藝去掉柵極下面的JFET區(qū)，把溝道從表面變到垂直面，基區(qū)的PIN效應(yīng)增強，柵極附近載

28、流子濃度增大，提高了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)減小了導(dǎo)通電阻，有效降低導(dǎo)通壓降及導(dǎo)通損耗。第四代：NPT-IGBT，使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區(qū)的正面做成MOS結(jié)構(gòu)，然后從背面減薄到IGBT電壓規(guī)格需要的厚度，再從背面用離子注入工藝形成P+集電極，在截止時電場沒有貫穿N-漂移區(qū)，因此稱為NPT“非穿通”型IGBT?？梢跃珳?zhǔn)的控制結(jié)深而控制發(fā)射效率，盡可能地增快載流子抽取速度來降低關(guān)斷損耗，保持基區(qū)原有的載流子壽命而不會影響穩(wěn)態(tài)功耗，同時具有正溫度系數(shù)特點。第五代：FS-IGBT，采用先進(jìn)的薄片技術(shù)并且在薄片上形成電場終止層，大大的減小了芯片的總厚度，使得導(dǎo)通壓降和動態(tài)損耗都有大幅的下降，從

29、而進(jìn)一步降低IGBT工作中過程中的損耗。第六代：FS-Trench-IGBT，是在第五代基礎(chǔ)上改進(jìn)溝槽柵結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步增加芯片的電流導(dǎo)通能力，優(yōu)化芯片內(nèi)的載流子濃度和分布，減小了芯片的綜合損耗。第七代：微溝槽柵-場截止型IGBT，溝槽密度更高，原胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實現(xiàn)5kv/us下的最佳開關(guān)性能。總體而言，不同代際升級趨勢為升高耐壓成都，降低開關(guān)損耗，在結(jié)構(gòu)上大體表現(xiàn)在以下兩方面：柵極結(jié)構(gòu)方面：早期IGBT是平面柵結(jié)構(gòu)，隨著Trench（干法刻槽）工藝的成熟，將平面型柵極結(jié)構(gòu)變成垂直于芯片表面的溝槽型結(jié)構(gòu)，IGBT的本質(zhì)是通過控制柵極與發(fā)射級之間的電壓大小，從而實

30、現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的控制。當(dāng)柵極-發(fā)射級電壓0時，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)，當(dāng)集電極-發(fā)射級電壓0且柵極-發(fā)射級電壓閾值電壓，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)。溝槽型結(jié)構(gòu)單元面積小、電流密度大、通態(tài)損耗降低約30%，擊穿電壓更高?？v向結(jié)構(gòu)方面：早期是穿通型（PT）和非穿通型（NPT）結(jié)構(gòu)。PTIGBT是最早商業(yè)化生產(chǎn)的IGBT，隨著使用應(yīng)用中電壓等級越來越高，對NPT結(jié)構(gòu)的基區(qū)寬帶要求越來越寬，又有了在高壓領(lǐng)域向穿通結(jié)構(gòu)的回歸。六、 工控領(lǐng)域及電源行業(yè)支撐IGBT穩(wěn)定發(fā)展IGBT模塊是變頻器、逆變焊機、UPS電源等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件，根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2019年全球工控市場IGBT市場規(guī)模

31、約為140億元，中國工控市場IGBT市場規(guī)模約為30億元。由于工控市場下游需求分散，工控IGBT市場需求較為穩(wěn)定，假設(shè)未來每年保持3%的規(guī)模增速，預(yù)計到2025年全球工控IGBT市場規(guī)模將達(dá)到167億元。變頻器行業(yè)：據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院測算，我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)模整體呈上升態(tài)勢，從2012年至2019年，中國變頻器行業(yè)規(guī)模除2015年有小幅度下降以外，其余年份均處于穩(wěn)步增長狀態(tài)。2019年我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)模達(dá)到495億元，相比2018年增長4.7%。在一系列節(jié)能環(huán)保政策的指引下，預(yù)計未來5年內(nèi)，變頻器將在電力、冶金、煤炭、石油化工等領(lǐng)域?qū)⒈３址€(wěn)定增長，在市政、軌道交通、電梯等領(lǐng)域需求進(jìn)一步

32、增加，從而促進(jìn)市場規(guī)模擴大，未來幾年整體增幅將保持在10%左右，到2025年，變頻器市場規(guī)模將達(dá)到883億。變頻器靠內(nèi)部IGBT的開關(guān)來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率，根據(jù)電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓，進(jìn)而達(dá)到節(jié)能、調(diào)速的目的，變頻器產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展勢必導(dǎo)致IGBT需求提升。逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻（50赫茲）交流網(wǎng)路電壓，先經(jīng)輸入整流器整流和濾波，變成直流，再通過IGBT模塊的交替開關(guān)作用，逆變成幾千赫茲至幾萬赫茲的中頻交流電壓，同時經(jīng)變壓器降至適合于焊接的幾十伏電壓，后再次整流并經(jīng)電抗濾波輸出相當(dāng)平穩(wěn)的直流焊接電流。根據(jù)國家統(tǒng)計局?jǐn)?shù)據(jù)

33、，2020年我國電焊機產(chǎn)量為1108.93萬臺，同比2019年增加了158.87萬臺。UPS，電源系統(tǒng)，IGBT被廣泛應(yīng)用于不間斷電源系統(tǒng)(UPS)的設(shè)計中，數(shù)據(jù)顯示，1200V/100AIGBT的導(dǎo)通電阻為同規(guī)格耐壓功率MOSFET的1/10，開關(guān)時間為同規(guī)格GTR的1/10。據(jù)QYR電子研究中心統(tǒng)計，2018年全球不間斷電源（UPS）市場價值為105.37億美元，預(yù)計到2025年底將達(dá)到139.66億美元。七、 IGBT是新能源車動力系統(tǒng)核心中的核心新能源車的制動原理是利用電磁效應(yīng)驅(qū)動電機轉(zhuǎn)動，IGBT優(yōu)異的開關(guān)特性可以實現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換、電壓轉(zhuǎn)換和頻率轉(zhuǎn)換幾個核心功能，電動車充電時，通過IG

34、BT將外部電源轉(zhuǎn)變成直流電，并把外部220V電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷航o電池組充電。電動車制動時，通過IGBT把直流電轉(zhuǎn)變成交流電機使用的交流電，同時精確調(diào)整電壓和頻率，驅(qū)動電動車運動。一臺車的加速能力、最高時速、能源效率主要看車規(guī)級功率器件的性能，硅基IGBT作為主導(dǎo)型功率器件，在新能源車中應(yīng)用于電動控制系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器三個子系統(tǒng)中，約占整車成本的7%-10%，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關(guān)鍵器件。新能車市場銷量：根據(jù)中汽協(xié)發(fā)布的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2019年新能源車新產(chǎn)銷分別完成124.2萬輛和120.6萬輛，其中絕大部分為純電動汽車，產(chǎn)銷為102萬輛和97.2萬輛

35、，插電式混合動力汽車產(chǎn)銷為22.0萬輛和23.2萬輛，2020年國內(nèi)新能源車銷量為136.7萬輛。2021年5月，新能源汽車產(chǎn)銷環(huán)比略增，同比繼續(xù)保持高速增長，產(chǎn)銷均為21.7萬輛，環(huán)比增長0.5%和5.4%，同比增長1.5倍和1.6倍。單臺新能源車用量：電動汽車單車IGBT的價格在A00級車的主控IGBT模塊價值量800-1000元，A級車1500左右，混動車在2000元左右，再綜合空調(diào)、充電等部分，平均電動汽車單車IGBT價值量為1000-4000不等。根據(jù)Yole的統(tǒng)計，2016年全球電動車IGBT管用量約為9億美元，單車的IGBT管用量約為450美元。新能源車IGBT市場空間推算：據(jù)I

36、DC預(yù)計，受政策推動等因素的影響，中國新能源汽車市場將在未來5年迎來強勁增長，2020年至2025年的年均復(fù)合增長率（CAGR）將達(dá)到36.1%，假設(shè)單臺車IGBT用量3000元左右來預(yù)估，至2025年，國內(nèi)新能源車IGBT模塊市場規(guī)模為191億左右。第三章 建設(shè)單位基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xxx集團有限公司2、法定代表人：王xx3、注冊資本：620萬元4、統(tǒng)一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關(guān)：xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2016-1-247、營業(yè)期限：2016-1-24至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營范圍：從事IGBT器件相關(guān)業(yè)務(wù)（

37、企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）二、 公司簡介公司秉承“誠實、信用、謹(jǐn)慎、有效”的信托理念，將“誠信為本、合規(guī)經(jīng)營”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險控制能力。當(dāng)前，國內(nèi)外經(jīng)濟發(fā)展形勢依然錯綜復(fù)雜。從國際看，世界經(jīng)濟深度調(diào)整、復(fù)蘇乏力，外部環(huán)境的不穩(wěn)定不確定因素增加，中小企業(yè)外貿(mào)形勢依然嚴(yán)峻，出口增長放緩。從國內(nèi)看，發(fā)展階段的轉(zhuǎn)變使經(jīng)濟發(fā)展進(jìn)入新常態(tài)，經(jīng)濟增速從高速增長轉(zhuǎn)向中高速增長，經(jīng)濟增長方式從規(guī)模速度型粗放增長轉(zhuǎn)向質(zhì)量效率型集約增長，經(jīng)濟增長動力從物質(zhì)要

38、素投入為主轉(zhuǎn)向創(chuàng)新驅(qū)動為主。新常態(tài)對經(jīng)濟發(fā)展帶來新挑戰(zhàn)，企業(yè)遇到的困難和問題尤為突出。面對國際國內(nèi)經(jīng)濟發(fā)展新環(huán)境，公司依然面臨著較大的經(jīng)營壓力，資本、土地等要素成本持續(xù)維持高位。公司發(fā)展面臨挑戰(zhàn)的同時，也面臨著重大機遇。隨著改革的深化，新型工業(yè)化、城鎮(zhèn)化、信息化、農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化的推進(jìn)，以及“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”、中國制造2025、“互聯(lián)網(wǎng)+”、“一帶一路”等重大戰(zhàn)略舉措的加速實施，企業(yè)發(fā)展基本面向好的勢頭更加鞏固。公司將把握國內(nèi)外發(fā)展形勢，利用好國際國內(nèi)兩個市場、兩種資源，抓住發(fā)展機遇，轉(zhuǎn)變發(fā)展方式，提高發(fā)展質(zhì)量，依靠創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新開辟發(fā)展新路徑，贏得發(fā)展主動權(quán)，實現(xiàn)發(fā)展新突破。三、 公司競爭優(yōu)勢（一）

39、公司具有技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢，創(chuàng)新能力突出公司在研發(fā)方面投入較高，持續(xù)進(jìn)行研究開發(fā)與技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，形成企業(yè)核心的自主知識產(chǎn)權(quán)。公司產(chǎn)品在行業(yè)中的始終保持良好的技術(shù)與質(zhì)量優(yōu)勢。此外，公司目前主要生產(chǎn)線為使用自有技術(shù)開發(fā)而成。（二）公司擁有技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品應(yīng)用與市場開拓并進(jìn)的核心團隊公司的核心團隊由多名具備行業(yè)多年研發(fā)、經(jīng)營管理與市場經(jīng)驗的資深人士組成，與公司利益捆綁一致。公司穩(wěn)定的核心團隊促使公司形成了高效務(wù)實、團結(jié)協(xié)作的企業(yè)文化和穩(wěn)定的干部隊伍，為公司保持持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和不斷擴張?zhí)峁┝吮匾娜肆Y源保障。（三）公司具有優(yōu)質(zhì)的行業(yè)頭部客戶群體公司憑借出色的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)，樹立了良好的品牌形象，獲得

40、了較高的客戶認(rèn)可度。公司通過與優(yōu)質(zhì)客戶保持穩(wěn)定的合作關(guān)系，對于行業(yè)的核心需求、產(chǎn)品變化趨勢、最新技術(shù)要求的理解更為深刻，有利于研發(fā)生產(chǎn)更符合市場需求產(chǎn)品，提高公司的核心競爭力。（四）公司在行業(yè)中占據(jù)較為有利的競爭地位公司經(jīng)過多年深耕，已在技術(shù)、品牌、運營效率等多方面形成競爭優(yōu)勢；同時隨著行業(yè)的深度整合，行業(yè)集中度提升，下游客戶為保障其自身原材料供應(yīng)的安全與穩(wěn)定，在現(xiàn)有競爭格局下對于公司產(chǎn)品的需求亦不斷提升。公司較為有利的競爭地位是長期可持續(xù)發(fā)展的有力支撐。四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額3828.413062.7328

41、71.31負(fù)債總額1380.131104.101035.10股東權(quán)益合計2448.281958.621836.21公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入16022.1112817.6912016.58營業(yè)利潤3224.362579.492418.27利潤總額2802.892242.312102.17凈利潤2102.171639.691513.56歸屬于母公司所有者的凈利潤2102.171639.691513.56五、 核心人員介紹1、王xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1961年出生，本科學(xué)歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任

42、公司獨立董事。2、丁xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級會計師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司財務(wù)經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財務(wù)總監(jiān)。3、蘇xx，中國國籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。4、汪xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學(xué)歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。5、陶xx，

43、中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學(xué)歷，高級經(jīng)濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。6、雷xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1959年出生，大專學(xué)歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術(shù)顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。7、曾xx，1957年出生，大專學(xué)歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限

44、公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2018年3月至今任公司董事。8、孫xx，中國國籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。六、 經(jīng)營宗旨依據(jù)有關(guān)法律、法規(guī)，自主開展各項業(yè)務(wù)，務(wù)實創(chuàng)新，開拓進(jìn)取，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)質(zhì)量，改善經(jīng)營管理，促進(jìn)企業(yè)持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展，努力實現(xiàn)股東利益的最大化，促進(jìn)行業(yè)的快速發(fā)展。七、 公司發(fā)展規(guī)劃（一

45、）戰(zhàn)略目標(biāo)與發(fā)展規(guī)劃公司致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供高質(zhì)量產(chǎn)品、技術(shù)服務(wù)與整體解決方案，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。（二）措施及實施效果公司立足于本行業(yè)，以先進(jìn)的技術(shù)和高品質(zhì)的產(chǎn)品滿足產(chǎn)品日益提升的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)進(jìn)步要求，為國內(nèi)外生產(chǎn)商率先提供多種產(chǎn)品，為提升轉(zhuǎn)換率和品質(zhì)保證以及成本降低持續(xù)做出貢獻(xiàn)，同時通過與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)客戶緊密合作，為公司帶來穩(wěn)定的業(yè)務(wù)增長和持續(xù)的收益。公司通過產(chǎn)品和商業(yè)模式的不斷創(chuàng)新以及與產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)深度融合，建立創(chuàng)新引領(lǐng)、合作共贏的模式，再造行業(yè)新格局。（三）未來規(guī)劃采取的措施公司始終秉持提供性價比最優(yōu)的產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)的理念，充分發(fā)揮公司在技術(shù)以及膜工藝技術(shù)的扎實

46、基礎(chǔ)及創(chuàng)新能力，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。在近期的三至五年，公司聚焦于產(chǎn)業(yè)的研發(fā)、智能制造和銷售，在消費升級帶來的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整所需的領(lǐng)域積極布局。致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供中高端技術(shù)服務(wù)與整體解決方案。在未來的五至十年，以蓬勃發(fā)展的中國市場為核心，利用中國“一帶一路”發(fā)展機遇，利用獨立創(chuàng)新、聯(lián)合開發(fā)、并購和收購等多種方法，掌握國際領(lǐng)先的技術(shù)，使得公司真正成為國際領(lǐng)先的創(chuàng)新型企業(yè)。第四章 市場預(yù)測一、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新IGBT是一個電路開關(guān)，透過開關(guān)控制改變電壓。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor

47、）是一個三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時控制開通與關(guān)斷，具有自關(guān)斷的特征，即是一個非通即斷的開關(guān)。IGBT擁有柵極G（Gate）、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通。IGBT結(jié)合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢。IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)點，既有MOSFET的開關(guān)速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，

48、此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜。IGBT被各類下游市場廣泛使用，是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。IGBT工藝與設(shè)計難度高，產(chǎn)品生命周期長。IGBT芯片結(jié)構(gòu)分為正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。從80年代初到現(xiàn)在，IGBT正面技術(shù)從平面柵（Planar）迭代至溝槽柵(Trench)，并演變?yōu)槲喜郏∕icroPatternTrench）；背面技術(shù)從穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演變?yōu)閳鼋刂剐停‵S,FieldStop）。技術(shù)的迭代對改善IGBT的開關(guān)性能和提升通態(tài)降壓

49、等性能上具有較大幫助，但是實現(xiàn)這些技術(shù)對于工藝有著相當(dāng)高的要求，尤其是薄片工藝（8英寸以上的硅片當(dāng)減薄至100200um后極易破碎）以及背面工藝（因正面金屬熔點的限制，所以背面退火激活的難度大），這也是導(dǎo)致IGBT迭代速度較慢。此外，IGBT產(chǎn)品具有生命周期長的特點，以英飛凌IGBT產(chǎn)品為例，該產(chǎn)品已迭代至第七代，但其發(fā)布于2000年代初的第三代IGBT芯片技術(shù)在3300V、4500V、6500V等高壓應(yīng)用領(lǐng)域依舊占據(jù)主導(dǎo)地位，其發(fā)布于2007年的第四代IGBT則依舊為目前使用最廣泛的IGBT芯片技術(shù)，其IGBT4產(chǎn)品的收入增長趨勢甚至持續(xù)到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是I

50、GBT未來發(fā)展趨勢。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產(chǎn)品技術(shù)已成為本土廠商的對標(biāo)。截至2021年，英飛凌產(chǎn)品已迭代至第七代。其中，第五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來，IGBT會朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結(jié)溫、可靠性等方面的提升來實現(xiàn)整個芯片結(jié)束的進(jìn)步。此外，IGBT模塊的未來趨勢也將朝著更高的熱導(dǎo)率材料、更厚的覆銅層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。第三代半導(dǎo)體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導(dǎo)體材料領(lǐng)

51、域至今經(jīng)歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導(dǎo)體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導(dǎo)體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀(jì)40年代開始登上舞臺，目前主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應(yīng)用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。新材料推進(jìn)新產(chǎn)品發(fā)展，高壓高頻領(lǐng)域適用SiC。碳化硅在絕緣破壞電場界強度為硅的10倍，因此SiC可以以低電阻、薄膜厚的漂移層實現(xiàn)高耐壓，意味著相同的耐壓產(chǎn)品SiC的面積會比Si還要小，比如900VSiC-MOSFET的面積是Si-MOSFET的1/

52、35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的產(chǎn)品，SiC可以做到1700V以上且低導(dǎo)通電阻。Si為了改善高耐壓化所帶來的導(dǎo)通電阻增大主要采用IGBT結(jié)構(gòu)，但由于其存在開關(guān)損耗大產(chǎn)生發(fā)熱、高頻驅(qū)動受到限制等問題，所以需借由改變材料提升產(chǎn)品性能。SiC在MOSFET的結(jié)構(gòu)就可實現(xiàn)高耐壓，因此可同時實現(xiàn)高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高速，即使在1200V或更高的擊穿電壓下也可以制造高速MOSFET結(jié)構(gòu)。SiCMTOSFET具備一定優(yōu)勢，但成本較高。就器件類型而言，SiCMOSFET與SiMOSFET相似。但是，SiC是一種寬帶隙（WBG）材料，其特性允許這些器件在與IGBT相同的高功率水平下運行，同

53、時仍然能夠以高頻率進(jìn)行開關(guān)。這些特性可轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)優(yōu)勢，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的熱耗散。然而，受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，SiC產(chǎn)品價格較高。由于Si越是高耐壓的組件、每單位面積的導(dǎo)通電阻變高(以耐壓的約22.5倍增加)，因此600V以上的電壓則主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少數(shù)載子之正孔于漂移層內(nèi)，比MOSFET可降低導(dǎo)通電阻，另一方面由于少數(shù)載子的累積，斷開時產(chǎn)生尾電流、造成開關(guān)的損耗。SiC由于漂移層的電阻比Si組件低，不須使用傳導(dǎo)度調(diào)變，可用高速組件構(gòu)造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻，可實現(xiàn)開關(guān)損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。SiC在制造和應(yīng)用方面又面臨很高

54、的技術(shù)要求，因此SiCMosfet價格較SiIGBT高。根據(jù)功率器件的特性，不同功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域各有不同。雖然IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)勢，但三者根據(jù)各自的器件性能優(yōu)勢，都有適合的應(yīng)用領(lǐng)域。BJT更強調(diào)工作功率，MOSFET更強調(diào)工作頻率，IGBT則是工作功率與頻率兼具。BJT因其成本優(yōu)勢，常被用于低功率低頻率應(yīng)用市場，MOSFET適用于中功率高頻率應(yīng)用市場，IGBT適用于高功率中頻率應(yīng)用市場。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面將繼續(xù)發(fā)展，因此在較長一段時間內(nèi)仍會是汽車電動化的主流器件。SiC組件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，在縮小體積的同時提高了效率，相關(guān)產(chǎn)品則主要用于高

55、壓高頻領(lǐng)域。部分IGBT廠商已開始布局SiC產(chǎn)業(yè)。SiC具有較大發(fā)展?jié)摿Γ盐嗉夜β势骷S商進(jìn)行布局。英飛凌于2018年收購德國廠商Siltectra，彌補自身晶體切割工藝，又于2018年12月與Cree簽署長期協(xié)議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領(lǐng)域的產(chǎn)品供應(yīng)，旗下CoolSiC系列產(chǎn)品已走入量產(chǎn)。2019年，意法半導(dǎo)體與Cree簽署價值2.5億美元的長單協(xié)議，且收購了瑞典SiC晶圓廠商NorstelAB，以滿足汽車和工業(yè)客戶對MOSFET與二極管的需求。2021年，意法半導(dǎo)體宣布造出8英寸SiC晶圓。此外，斯達(dá)半導(dǎo)、華潤微、等本土廠商也已在SiC領(lǐng)域布局。二、 電動化+數(shù)字互聯(lián)帶動功率

56、模擬芯片、控制芯片、傳感器需求提升半導(dǎo)體是汽車發(fā)展趨勢（電驅(qū)化、數(shù)字互聯(lián)）的核心。汽車在電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的發(fā)展過程中，半導(dǎo)體是發(fā)展的核心支撐。1）電驅(qū)化（電動化），電動與混動汽車的發(fā)展要求動力傳動系統(tǒng)向電氣化邁進(jìn)，其中由電池、電機、電控組成的三電系統(tǒng)主要以功率半導(dǎo)體為主，包含IGBT、MOSFET等。2）數(shù)字互聯(lián)（智能化、網(wǎng)聯(lián)化），智能化發(fā)展帶動具備AI計算能力的主控芯片市場規(guī)模快速成長；此外智能與網(wǎng)聯(lián)相輔相成，核心都是加強人車交互，除了加強計算能力的主控芯片外，傳感器、存儲也是核心的汽車半導(dǎo)體，包含自動化駕駛的實現(xiàn)使傳感器需求提升、數(shù)據(jù)量的增加帶動存儲的數(shù)量和容量的需求提升。汽車半導(dǎo)體絕對值在增長，從分類中功率半導(dǎo)體價值量增加幅度最大。新能源汽車相比傳統(tǒng)燃油車，新能源車中的功率半導(dǎo)體價值量提升幅度較大。按照傳統(tǒng)燃油車半導(dǎo)體價值量417美元計算，功率半導(dǎo)體單車價值量達(dá)到87.6美元，按照FHEV、PHEV、BEV單車半導(dǎo)體價值量834美元計算，功率半導(dǎo)體單車價值量達(dá)到458.7美元，價值量增加四倍多。三、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景IGBT根據(jù)使用電壓范圍可分為低壓、中壓和高壓IGBT。按照使用電壓范圍，可以將IGBT分為低壓、中壓和高壓三大類產(chǎn)品，不同電壓范圍對應(yīng)著不同的應(yīng)