1、半導(dǎo)體制造基本概念晶圓（ Wafer ）晶圓（ Wafer ）的生產(chǎn)由砂即（二氧化硅）開始，經(jīng)由電弧爐的提煉還原成 冶煉級的 硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過慢速分 解過程，制成棒狀或 粒狀的多晶硅。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅 晶棒。一支 85 公分長，重 76.6 公斤的 8? 硅晶棒，約需 2 天半時(shí)間長成。經(jīng)研磨、 ? 光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片。光學(xué)顯影光學(xué)顯影是在光阻上經(jīng)過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到光阻 下面的薄 膜層或硅晶上。光學(xué)顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對準(zhǔn)、 曝光和顯影等程序。 小尺寸之顯像分辨

2、率，更在 IC 制程的進(jìn)步上，扮演著 最關(guān)鍵的角色。由于光學(xué)上的需 要，此段制程之照明采用偏黃色的可見光。因此俗稱此區(qū)為 黃光區(qū)。干式蝕刻技術(shù)在半導(dǎo)體的制程中，蝕刻被用來將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除。干式蝕刻（又稱為電 漿蝕刻）是目前最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，并藉由電漿能量來驅(qū) 動反應(yīng)。電漿對蝕刻制程有物理性與化學(xué)性兩方面的影響。 首先，電漿會將蝕刻氣體分子分解， 產(chǎn)生能夠快速蝕去材料的高活性分子。此外，電漿也會把這些化學(xué)成份離子化，使其帶有 電荷。晶圓系置于帶負(fù)電的陰極之上，因此當(dāng)帶正電荷的離子被陰極吸引并加速向陰極方向 前進(jìn)時(shí)，會以垂直角度撞擊到晶圓表面。芯片制造商即是運(yùn)

3、用此特性來獲得絕佳的垂直蝕 刻，而后者也是干式蝕刻的重要角色。基本上，隨著所欲去除的材質(zhì)與所使用的蝕刻化學(xué)物質(zhì)之不同，蝕刻由下列兩種模式 單獨(dú)或混會進(jìn)行：1. 電漿內(nèi)部所產(chǎn)生的活性反應(yīng)離子與自由基在撞擊晶圓表面后，將與某特定成份之 表面材質(zhì)起化學(xué)反應(yīng)而使之氣化。如此即可將表面材質(zhì)移出晶圓表面，并透過抽氣動作將 其排出。2. 電漿離子可因加速而具有足夠的動能來扯斷薄膜的化學(xué)鍵，進(jìn)而將晶圓表面材質(zhì) 分子一個個的打擊或?yàn)R擊（ sputtering ）出來。化學(xué)氣相沉積技術(shù)化學(xué)氣相沉積是制造微電子組件時(shí)，被用來沉積出某種薄膜 （film） 的技術(shù)，所沉積出 的薄膜可能是介電材料 （絕緣體 ）（diel

4、ectrics） 、導(dǎo)體、或半導(dǎo)體。在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積制 程時(shí)，包含有被沉積材料之原子的氣體，會被導(dǎo)入受到嚴(yán)密控制的制程反應(yīng)室內(nèi)。當(dāng)這些 原子在受熱的昌圓表面上起化學(xué)反應(yīng)時(shí)，會在晶圓表面產(chǎn)生一層固態(tài)薄膜。而此一化學(xué)反 應(yīng)通常必須使用單一或多種能量源 （ 例如熱能或無線電頻率功率 ）。CVD 制程產(chǎn)生的薄膜厚度從低于 0.5 微米到數(shù)微米都有，不過最重要的是其厚度都 必須足夠均勻。較為常見的 CVD 薄膜包括有： 二氣化硅（通常直接稱為氧化層） 氮化硅 多晶硅 耐火金屬與這類金屬之其硅化物 可作為半導(dǎo)體組件絕緣體的二氧化硅薄膜與電漿氮化物介電層（ plasmas nitride dielectr

5、ics ）是目前 CVD 技術(shù)最廣泛的應(yīng)用。這類薄膜材料可以在芯片內(nèi)部構(gòu)成三種主 要的介質(zhì)薄膜：內(nèi)層介電層（ ILD ）、內(nèi)金屬介電層（ IMD ）、以及保護(hù)層。此外、金層 化學(xué)氣相沉積（包括鎢、鋁、氮化鈦、以及其它金屬等）也是一種熱門的 CVD 應(yīng)用。物理氣相沉積技術(shù)如其名稱所示，物理氣相沉積（ Physical Vapor Deposition ）主要是一種物理制程 而非化學(xué)制程。此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材 后，可將靶材原子一個個濺擊出來，并使被濺擊出來的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如 雪片般沉積在晶圓表面。制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真空環(huán)境，可使這些金

6、屬原子結(jié)成晶 粒，再透過微影圖案化（ patterned ）與蝕刻，來得到半導(dǎo)體組件所要的導(dǎo)電電路。解離金屬電漿（ IMP ）物理氣相沉積技術(shù) 解離金屬電漿是最近發(fā)展出來的物理氣相沉積技術(shù)，它是在目標(biāo)區(qū)與晶圓之間，利用 電漿，針對從目標(biāo)區(qū)濺擊出來的金屬原子，在其到達(dá)晶圓之前，加以離子化。離子化這些 金屬原子的目的是，讓這些原子帶有電價(jià)，進(jìn)而使其行進(jìn)方向受到控制，讓這些原子得以垂直的方向往晶圓行進(jìn)，就像電漿蝕刻及化學(xué)氣相沉積制程。這樣做可以讓這些金屬原子 針對極窄、極深的結(jié)構(gòu)進(jìn)行溝填，以形成極均勻的表層，尤其是在最底層的部份。高溫制程多晶硅（ poly ）通常用來形容半導(dǎo)體晶體管之部分結(jié)構(gòu)：至于

7、在某些半導(dǎo)體組件上常 見的磊晶硅（ epi ）則是長在均勻的晶圓結(jié)晶表面上的一層純硅結(jié)晶。 多晶硅與磊晶硅兩 種薄膜的應(yīng)用狀況雖然不同，卻都是在類似的制程反應(yīng)室中經(jīng)高溫（600 C至1200 C）沉積而得。即使快速高溫制程（ Rapid Thermal Processing, RTP ）之工作溫度范圍與多晶硅 及磊晶硅制程有部分重疊，其本質(zhì)差異卻極大。 RTP 并不用來沈積薄膜，而是用來修正薄 膜性質(zhì)與制程結(jié)果。 RTP 將使晶圓歷經(jīng)極為短暫且精確控制高溫處理過程，這個過程使晶 圓溫度在短短的10至20秒內(nèi)可自室溫升到1000 C。RTP通常用于回火制程（ annealing ），負(fù)責(zé)控制組件

8、內(nèi)摻質(zhì)原子之均勻度。此外 RTP 也可用來硅化金屬，及透 過高溫來產(chǎn)生含硅化之化合物與硅化鈦等。最新的發(fā)展包括，使用快速高溫制程設(shè)備在晶 極重要的區(qū)域上，精確地沉積氧及氮薄膜。離子植入技術(shù)離子植入技術(shù)可將摻質(zhì)以離子型態(tài)植入半導(dǎo)體組件的特定區(qū)域上，以獲得精確的電子 特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透（植入）薄膜，到達(dá)預(yù)定的 植入深度。 離子植入制程可對植入?yún)^(qū)內(nèi)的摻質(zhì)濃度加以精密控制。 基本上，此摻質(zhì)濃度（劑 量）系由離子束電流（離子束內(nèi)之總離子數(shù)）與掃瞄率（晶圓通過離子束之次數(shù)）來控制， 而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（ Chem

9、ical Mechanical Polishing, CMP ）兼其有研磨性物質(zhì)的 機(jī)械式研磨與酸堿溶液的化學(xué)式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達(dá)到全面性的平坦化，以 利后續(xù)薄膜沉積之進(jìn)行。在 CMP 制程的硬設(shè)備中，研磨頭被用來將晶圓壓在研磨墊上并帶動晶圓旋轉(zhuǎn)，至于研磨 墊則以相反的方向旋轉(zhuǎn)。在進(jìn)行研磨時(shí)，由研磨顆粒所構(gòu)成的研漿會被置于晶圓與研磨墊 間。影響 CMP 制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的 旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學(xué)成份、溫度、以及研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。制程監(jiān)控在下個制程階段中，半導(dǎo)體商用 CD-SEM 來量測芯片內(nèi)次微米電路之微距，以確保 制程

10、之正確性。一般而言，只有在微影圖案（ photolithographic patterning ）與后續(xù)之 蝕刻制程執(zhí)行后，才會進(jìn)行微距的量測。光罩檢測( Retical Inspection )光罩是高精密度的石英平板，是用來制作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的制作。光 罩必須是完美無缺，才能呈現(xiàn)完整的電路圖像，否則不完整的圖像會被復(fù)制到晶圓上。光 罩檢測機(jī)臺則是結(jié)合影像掃描技術(shù)與先進(jìn)的影像處理技術(shù)，捕捉圖像上的缺失。 當(dāng)晶圓 從一個制程往下個制程進(jìn)行時(shí)，圖案晶圓檢測系統(tǒng)可用來檢測出晶圓上是否有瑕疵包括有 微塵粒子、斷線、短路、以及其它各式各樣的問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓 成品

11、而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測。 一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白 光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將 該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。切割晶圓經(jīng)過所有的制程處理及測試后，切割成壹顆顆的 IC 。舉例來說：以 0.2 微米制 程技術(shù)生產(chǎn)，每片八？季采峽芍譜鶻？六百顆以上的64M DRAM。封裝制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導(dǎo) 線架的 線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試 IC 功能是否正常。由于切割與封裝所需技 術(shù)層面比較不高， 因此常成為一般業(yè)者用以介入半導(dǎo)體工業(yè)之切入點(diǎn)。300

12、mm為協(xié)助晶圓制造廠克服 300mm 晶圓生產(chǎn)的挑戰(zhàn)， 應(yīng)用材料提供了業(yè)界最完整的解決 方案。不但擁有種類齊全的 300mm 晶圓制造系統(tǒng)，提供最好的服務(wù)與支持組織，還掌握 先進(jìn)制程與制程整合的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)；從降低風(fēng)險(xiǎn)、增加成效，加速量產(chǎn)時(shí)程，到協(xié)助達(dá)成最 大生產(chǎn)力，將營運(yùn)成本減到最低等，以滿足晶圓制造廠所有的需求。應(yīng)用材料的 300mm 全方位解決方案，完整的產(chǎn)品線為：高溫處理及離子植入設(shè)備 (Thermal Processes and Implant) 介質(zhì)化學(xué)氣相沉積 (DCVD ： Dielectric Chemical Vapor Deposition) 金屬沉積 (Metal Depo

13、sition)蝕刻(Etch)化學(xué)機(jī)械研磨 (CMP ： Chemical Mechanical Polishing) 檢視與量測 (Inspection & Metrology)制造執(zhí)行系統(tǒng) (MES：Manufacturing Execution System)服務(wù)與支持 (Service & Support)銅制程技術(shù)在傳統(tǒng)鋁金屬導(dǎo)線無法突破瓶頸之情況下，經(jīng)過多年的研究發(fā)展，銅導(dǎo)線已經(jīng)開始成 為半導(dǎo)體材料的主流， 由于銅的電阻值比鋁還小， 因此可在較小的面積上承載較大的電流， 讓廠商得以生產(chǎn)速度更快、電路更密集，且效能可提升約 30-40 的芯片。亦由于銅的抗 電子遷移( electro-migration )能力比鋁好，因此可減輕其電移作用，提高芯片的可靠 度。在半導(dǎo)體制程設(shè)備供貨商中，只有應(yīng)用材料公司能提供完整的銅制程全方位解決方