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1、MOSFET是一個四端器件是一個四端器件OXOXOXTCDI =0,GSTHDSGSTHVVVVV 當且時QdWCox(VGSVTH)Qd(x) WCox(VGSV(x)VTH)dIQv ID WCoxVGS V(x) VTHvIDdxx0LWCoxnVGS V(x) VTHdVV0VDSGiven v E and E(x) dV(x)dxIDWCoxVGSV(x)VTHndV(x)dxIDnCo xWL(VGS VTH)VDS12VDS2IDnCo xWL(VGS VTH)VDS12VDS2IDnCoxWL(VGSVTH)VDS12VDS2()WDnoxGSTHDSLICVVV 1()ONW

2、noxGSTHLRCVV 2()DSGSTHVVV 當時2()2noxDGSTHC WIVVL ,GSTHDSGSTHVVVVV 且時2=GSTHDIWCn oxLVV 飽和區內，電流近似只與飽和區內，電流近似只與 W/L W/L 和過飽和電壓和過飽和電壓VGS-VTH VGS-VTH 有關，有關，不隨源漏電壓不隨源漏電壓VDSVDS變化變化2)(2THGSoxnDVVLWCI因此在因此在VGSVGS不變的條件下不變的條件下MOSFETMOSFET可以等效為恒流源可以等效為恒流源 tanDmGSVDS constIgV 引入重要的概念引入重要的概念 跨導跨導 gm gmtconsVDSGSDm

3、VIgtan ()WnoxGSTHLCVV2WnoxDLCI2DGSTHIVV 對于,管子導通,且相對于足夠高，即（,管子進入線性）區GDGTHDVVNM SVVOV ,DSGSTHVVV管子導通 且時，則管子進入區相反性區線是飽和 對于,管子導通,且相對于足夠低，即（,管子進入線性）區GDGTHDVVPM SVVOV DTHGSoxnDSDDDSoIVVLWCVIIVr1)(21/12分析高頻交流特性時分析高頻交流特性時必須考慮寄生電容的影響必須考慮寄生電容的影響1D SoDDVrII gmb gm2 2FVSBgm以及串并聯關系！以及串并聯關系！ 解釋什么是小信號跨導，給出飽和區解釋什么是小信號跨導，給出飽和區MOSFET小信號跨小信號跨導的三種表達形式導的三種表達形式 2. 右圖中右圖中MOSFET的過飽和電壓是多少？管子處于什么工的過飽和電壓是多少？管子處于什么工作區？作區？3. 如下圖，如下圖，Vin隨時間線性增加。在不考慮溝調效應，需考慮隨時間線性增加。在不考慮溝調效應，需考慮體效應的前提下，畫出體效應的

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