1、4 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管4.2 4.2 根本共射極放大電路根本共射極放大電路4.3 4.3 放大電路的分析方法放大電路的分析方法4.4 4.4 放大電路任務點的穩定問題放大電路任務點的穩定問題4.5 4.5 共集電極放大電路和共基極放大電路共集電極放大電路和共基極放大電路4.6 4.6 組合放大電路組合放大電路4.7 4.7 放大電路的頻率呼應放大電路的頻率呼應4.8 4.8 單級放大電路的的瞬態呼應單級放大電路的的瞬態呼應4.9 SPICE4.9 SPICE仿真例題仿真例題11

2、4 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-4.1.1 BJT的構造簡介的構造簡介NPPN結結二極管二極管PPNPN結結PN結結三極管三極管1.常見三極管的外形常見三極管的外形24 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-2.BJT的分類的分類按頻率分按頻率分高頻管高頻管中頻管中頻管低頻管低頻管按功率分按功率分大功率管大功率管中功率管中功率管小功率管小功率管按資料分按資料分硅管硅管鍺管鍺管按構造分按構造分NPN型管型管PNP型管型管

3、4.1.1 BJT的構造簡介的構造簡介34 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-3.3.兩種兩種BJTBJT類型及其符號類型及其符號 發射區發射區 發射極(e)集電區集電區基區基區 基極(b)集電極集電極(c)發射結發射結(Je) 集電結(Jc)箭頭代表發射結正偏時箭頭代表發射結正偏時流過發射結電流的實踐方向。流過發射結電流的實踐方向。4.1.1 BJT的構造簡介的構造簡介44 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-4. 4.

4、 三個區的作用：三個區的作用： 發射區發射區: 集電區集電區: 基區基區:向基區發射向基區發射(注入注入)載流子載流子NPN型型:注入電子注入電子PNP型型:注入空穴注入空穴控制由發射區注入到基區的多數載流子的傳輸和分配控制由發射區注入到基區的多數載流子的傳輸和分配搜集由發射區注入到基區的載流子搜集由發射區注入到基區的載流子.即即:集電區在基區的控制下集電區在基區的控制下搜集由發射區發射的多數搜集由發射區發射的多數載流子。載流子。4.1.1 BJT的構造簡介的構造簡介54 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-

5、5.5.構造特點：構造特點： 三個區的雜質濃度、半導體厚度及三個區的雜質濃度、半導體厚度及PNPN結的結面結的結面積均不同。積均不同。非對稱構造的特點：非對稱構造的特點： 發射區的摻雜濃度最高，雜質數量最多；基區摻雜濃度最低，雜質數量最少；集電區摻雜發射區的摻雜濃度最高，雜質數量最多；基區摻雜濃度最低，雜質數量最少；集電區摻雜濃度介于兩者之間。濃度介于兩者之間。 集電結的結面積很大；集電結的結面積很大；集電區很厚而基區很薄，普通在幾個微米至幾十集電區很厚而基區很薄，普通在幾個微米至幾十 個微米。個微米。4.1.1 BJT的構造簡介的構造簡介64 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大

6、電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理BJT的任務形狀：的任務形狀： 根據三極管兩個根據三極管兩個PN結的偏置情況不同，可分為結的偏置情況不同，可分為四種形狀、三種任務形狀：四種形狀、三種任務形狀：1.發射結和集電結均反偏發射結和集電結均反偏2.發射結和集電結均正偏發射結和集電結均正偏3.發射結正偏，集電結反偏發射結正偏，集電結反偏4.發射結反偏，集電結正偏發射結反偏，集電結正偏截止形狀截止形狀飽和形狀飽和形狀放大形狀放大形狀倒置形狀倒置形狀倒置形狀是一種非任務形狀。倒置形狀是一種非任務形狀。 三極管的放大作用是在一定的外部條

7、件控制下，經過載流子傳輸表達出來的。三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，經過載流子傳輸表達出來的。 發射結正偏，集電結反偏。發射結正偏，集電結反偏。外部條件：外部條件：1.1.處于放大形狀的處于放大形狀的BJTBJT與外電路的銜接與外電路的銜接發射結正偏，集電結反偏。發射結正偏，集電結反偏。原那么：原那么：cbeRbVBBIB使發射結正偏的外電路使發射結正偏的外電路: 基極電源基極電源VBB和和RbVCCRC使集電結反偏的外電路使集電結反偏的外電路:集電極電源集電極電源VCC和和Rc， 且且: VCC VBBICIE774 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1

8、4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-a.發射區向基區注入電子發射區向基區注入電子 構成發射極電流構成發射極電流IEN：因發射結正偏因發射結正偏,空間電荷區變薄空間電荷區變薄,分散運動分散運動加強加強,漂移運動減弱漂移運動減弱.發射區的多數載流子電子向基區分散。發射區的多數載流子電子向基區分散。因發射區外接電源的負極因發射區外接電源的負極,所以電源負極所以電源負極不斷向發射區提供電子不斷向發射區提供電子,從而構成發射極從而構成發射極電流電流IEN。IEN1構成發射極電流構成發射極電流IEVCCRCRbVBBNPNecbb.基區向發射區分散空穴基區向發射區分散空穴 構成發射極

9、電流構成發射極電流IEP：基區的多數載流子空穴向發射區分散。基區的多數載流子空穴向發射區分散。分散到發射區后被電源負極拉走，構成分散到發射區后被電源負極拉走，構成發射極電流發射極電流IEP。IEP可見：可見： IE=IEN+IEP因發射區雜質濃度遠遠大于基區的雜質濃因發射區雜質濃度遠遠大于基區的雜質濃度故度故:IENIEP故故: IE=IEN+IEPIEN2.2.處于放大形狀的處于放大形狀的BJTBJT內部載流子的運動內部載流子的運動4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理84 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(

10、BJT)(BJT)32-IEa.a.電子在基區復合構成基極電流電子在基區復合構成基極電流IBNIBN(2) (2) 發射區的電子注入到基區后的情況發射區的電子注入到基區后的情況由發射區分散到由發射區分散到 基區的電子有很少一部分和基基區的電子有很少一部分和基區的多數載流子空穴相遇而復合掉區的多數載流子空穴相遇而復合掉, ,因基區外接因基區外接電源的正極電源的正極, ,故電源故電源VBBVBB不斷向基區提供空穴而不斷向基區提供空穴而構成基極電流構成基極電流IBNIBN。IBN因基區的雜質濃度很低，因基區的雜質濃度很低， 故故IBN很小。很小。b.b.絕大多數沒有復合掉的絕大多數沒有復合掉的 電子

11、繼續向集電結靠攏電子繼續向集電結靠攏 分散。分散。2.2.處于放大形狀的處于放大形狀的BJTBJT內部載流子的運動內部載流子的運動4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理94 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-IEIBN=IEN+IEP(3) (3) 集電區搜集從發射區分散到基區集電區搜集從發射區分散到基區的大部分電子構成集電極電流的大部分電子構成集電極電流ICNICN因集電結反偏，故有利于少數載流子的漂移運動。因集電結反偏，故有利于少數載流子的漂移運動。由發射區分散到基區的電子成為基區的

12、少數由發射區分散到基區的電子成為基區的少數載流子稱非平衡載流子。載流子稱非平衡載流子。基區的非平衡載流子在集電結的作用下漂移到基區的非平衡載流子在集電結的作用下漂移到集電區，因集電區外接電源的正極，故電子被集電區，因集電區外接電源的正極，故電子被電源正極拉走構成集電極電流電源正極拉走構成集電極電流ICN。ICN可見：可見： IEN= ICN+ IBN2.2.處于放大形狀的處于放大形狀的BJTBJT內部載流子的運動內部載流子的運動4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理104 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJ

13、T)(BJT)32-IEIBN=IEN+IEPICN(4) (4) 集電極的反向電流集電極的反向電流因集電結反偏，故基區本身的少數載流子因集電結反偏，故基區本身的少數載流子-電子電子和集電區本身的少數載流子和集電區本身的少數載流子-空穴也要發生漂移空穴也要發生漂移運動構成電流運動構成電流ICBOICBO可見：可見：IB=IBN-ICBO IC=ICN+ICBOIB+IC=IBN+ICN=IEN2.2.處于放大形狀的處于放大形狀的BJTBJT內部載流子的運動內部載流子的運動4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理114 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4

14、.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-小小 結結 三極管內有兩種載流子三極管內有兩種載流子(自在電子和空穴自在電子和空穴)都參與導都參與導電，故稱為雙極型三極管。電，故稱為雙極型三極管。發射區：發射載流子發射區：發射載流子集電區：搜集載流子集電區：搜集載流子基區：傳送和控制載流子基區：傳送和控制載流子 因多數載流子的分散而構成因多數載流子的分散而構成IEN、 IEP、 IBN、ICN；因少數載流子的漂移而構成；因少數載流子的漂移而構成ICBO。 IE=IEN+IEPIENIB=IBN-ICBOIC=ICN+ICBOIE=IB + IC4.1.2 放大形狀下放大形狀下B

15、JT的任務原理的任務原理124 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32- 雙極型三極管有三個電極，其中一個可以作為雙極型三極管有三個電極，其中一個可以作為輸入輸入, , 一個可以作為輸出，這樣必然有一個電極是一個可以作為輸出，這樣必然有一個電極是公共電極。三種接法也稱三種組態。公共電極。三種接法也稱三種組態。3.BJT3.BJT的三種銜接方式的三種銜接方式( (三種電路組態三種電路組態) ) ： 共基極銜接方式：共基極銜接方式： 共發射極銜接方式：共發射極銜接方式： 共集電極銜接方式：共集電極銜接方式： 4.1.

16、2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理1)1)共發射極接法共發射極接法發射極作為公共電極；發射極作為公共電極；2)2)共基極銜接方式：共基極銜接方式： 基極作為公共電極基極作為公共電極;3)3)共集電極銜接方式：共集電極銜接方式： 集電極作為公共電極集電極作為公共電極;134 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-4.4.電流分配關系電流分配關系 傳輸到集電極的電流設發射極注入電流ecbIEICIBCNE II即通常通常 IC ICBOCE II則有 為電流放大系數，它只與管子的構造尺寸和摻雜濃度有

17、關，與外加電壓無為電流放大系數，它只與管子的構造尺寸和摻雜濃度有關，與外加電壓無關。普通關。普通 = (90 99)%IC= ICN+ ICBO ICN(1)(1)共基極放大電路的直流電流放大系數共基極放大電路的直流電流放大系數 IC IE4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理144 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-cbeIBICIECB II令由由CE II IEBCII和和 1可得可得 (1)BEII所以所以(2)(2)共射極放大電路直流電流放大系數共射極放大電路直流電流放大系數

18、是另一個直流電流放大系數，同樣，它也與是另一個直流電流放大系數，同樣，它也與管子的構造尺寸和摻雜濃度有關。普通管子的構造尺寸和摻雜濃度有關。普通 1 反映了三極管的基極電流對集電極電流反映了三極管的基極電流對集電極電流的控制才干。的控制才干。4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理4.4.電流分配關系電流分配關系154 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-cbeIBICIE4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理4.4.電流分配關系電流分配關系3 3共集電極放大電路的輸出電

19、流共集電極放大電路的輸出電流IEIEIB=IE-ICCB IIIE=IB+IC =(1+)IB164 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-ICIEIB+- vIiE=IE+iEiC=IC+iCiB=IB+iB+v0假設假設 vI = 20mV那么那么電壓放大倍數電壓放大倍數4920mVV98. 0IOV vvA iE = -1 mA， iC = iE = -0.98 mA， vO = - iC RL = 0.98 V， = 0.98 時，時，+VEB vBE +ebcVEERLVCCRe+-V01k輸入輸入回

20、路回路輸出輸出回路回路5.BJT5.BJT在電壓放大電路中的運用舉例在電壓放大電路中的運用舉例4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理174 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-bce+ iCRBVBBIBRLVCC1kICIE+VBE+- vI+ iB+ iE vO+- vBE + vI = 20mV 設設假設假設那么那么 iB = 20 uA = 0.98491使使CB0.98mAii vO = - iC RL = -0.98 V電壓放大倍數電壓放大倍數4920mVV98. 0IOVvv

21、A5.BJT5.BJT在電壓放大電路中的運用舉例在電壓放大電路中的運用舉例4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理184 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32- 三極管的放大作用，是依托它的發射極電流可以三極管的放大作用，是依托它的發射極電流可以經過基區傳輸，然后到達集電極而實現的。經過基區傳輸，然后到達集電極而實現的。發射結正向偏置，集電結反向偏置。發射結正向偏置，集電結反向偏置。IE=IB+ IC , IC=iB ， IC=IE一組公式一組公式實現這一傳輸過程的兩個條件是：實現這一傳輸過程

22、的兩個條件是：1內部條件：由構造決議；由構造決議；2外部條件： 小小 結結4.1.2 放大形狀下放大形狀下BJT的任務原理的任務原理194 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-4.1.3 BJT的的V-I特性曲線。特性曲線。.。BJTBJT的特性曲線的特性曲線 從運用從運用BJTBJT的角度來講，了解它的特性要比了解的角度來講，了解它的特性要比了解它的內部載流子的運動顯得更為重要。它的內部載流子的運動顯得更為重要。 BJT BJT的特性曲線是指各電極電壓與電流之間的關的特性曲線是指各電極電壓與電流之間的關系曲

23、線，它是系曲線，它是BJTBJT內部載流子運動的外部表現。內部載流子運動的外部表現。輸入特性曲線輸入特性曲線輸出特性曲線輸出特性曲線204 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-+bceVBBVCCvBEiCiB+-vCE-RbRc+- A-+ A輸入回路：由基極和發射極組成的回路。輸入回路：由基極和發射極組成的回路。輸出回路：由集電極和發射極組成的回路。輸出回路：由集電極和發射極組成的回路。輸輸入入回回路路輸輸出出回回路路1丈量電路丈量電路1. 共射極銜接時的輸入共射極銜接時的輸入V-I曲線曲線 iB=f(v

24、BE) vCE=constU+-VCEU+-VBE4.1.3 BJT的的V-I特性曲線。特性曲線。.。214 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-+bceVBBVCCvBEiCiB+-vCE-RbRc+- A-+ AU+-VCEU+-VBE輸輸入入回回路路輸輸出出回回路路當當VCE=0VVCE=0V時，相當于時，相當于C C和和E E短接，表現為短接，表現為PNPN結的正向伏安特性曲線。結的正向伏安特性曲線。1丈量電路丈量電路1. 共射極銜接時的輸入共射極銜接時的輸入V-I曲線曲線 iB=f(vBE) vCE

25、=const4.1.3 BJT的的V-I特性曲線。特性曲線。.。2 2當當VCE=00.7VVCE=00.7V時，特性曲線右移時，特性曲線右移, ,闡明輸出電壓闡明輸出電壓 對輸入特性的影響對輸入特性的影響: :在同樣的輸入電壓在同樣的輸入電壓vBEvBE作作用下用下, ,輸入電流減小了輸入電流減小了. .(3) (3) 當當VCE1VVCE1V時，集電結進入反偏形狀時，集電結進入反偏形狀 VCB= VCEVBE 0 VCB= VCEVBE 0；構成穩定的電流分配，；構成穩定的電流分配，表現為特性曲線根本不變。這是正常運用形狀表現為特性曲線根本不變。這是正常運用形狀VCE1V 通常用通常用VC

26、E=1VVCE=1V的輸入特性曲線替代的輸入特性曲線替代VCEVCE1V1V的特性的特性曲線。曲線。224 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-2 2輸入特性曲線的三個區輸入特性曲線的三個區死區死區非線性區非線性區線性區線性區VBE0.5V,Je結反偏。結反偏。VBE0.50.6V， Je結接近正偏。結接近正偏。VBE0.6V， Je結正偏，結正偏， Jc結反偏結反偏1. 共射極銜接時的輸入共射極銜接時的輸入V-I曲線曲線 iB=f(vBE) vCE=const4.1.3 BJT的的V-I特性曲線。特性曲線。

27、.。VCE1VVBEIBE234 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-+bceVBBVCCvBEiCiB+-vCE-RbRc+- A-+ AU+-U+-VCEVBE2. 共射極銜接時的輸出共射極銜接時的輸出V-I曲線曲線1 1丈量電路丈量電路iC=f(vCE) iB=const當當IB=0AIB=0A時，兩個時，兩個PNPN結均反偏，結均反偏，iC=iCEOiC=iCEOiB=0(2)(2)當當IB=20AIB=20A時時(3)(3)當當IB=40AIB=40A時時(4)(4)當當IB=60AIB=60A時時

28、iB=20iB=40iB=60iB=804.1.3 BJT的的V-I特性曲線。特性曲線。.。244 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-2 2輸出特性曲線的三個區輸出特性曲線的三個區飽和區飽和區放放大大區區截止區截止區飽和區：飽和區：iC明顯受明顯受vCE控制的區域，該區域內，普通控制的區域，該區域內，普通vCE0.7V(硅管硅管)。此時，發射結正偏，集電。此時，發射結正偏，集電結正偏或反偏電壓很小。結正偏或反偏電壓很小。截止區：截止區：iC接近零的區域，相當接近零的區域，相當iB=0的曲線的下方。的曲線的下

29、方。此時，此時， vBE小于死區電壓。發射結反偏，集小于死區電壓。發射結反偏，集電結反偏。電結反偏。放大區：放大區：iC平行于平行于vCE軸的區域，曲線根本平行等距。軸的區域，曲線根本平行等距。此時，發射結正偏，集電結反偏，此時，發射結正偏，集電結反偏， IC=IB。2. 共射極銜接時的輸出共射極銜接時的輸出V-I曲線曲線4.1.3 BJT的的V-I特性曲線。特性曲線。.。254 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32- (1) (1)共發射極直流電流放大系數共發射極直流電流放大系數 4.1.4 BJT的主要參數

30、。的主要參數。.。1. 1. 電流放大系數電流放大系數 VCE=const=IC / IB (2) 共發射極交流電流放大系數共發射極交流電流放大系數 = IC/ IBvCE=const 顯然，顯然，和和的含義不同，的含義不同， 反映靜態反映靜態(直流直流形狀形狀)時的電流放大特性，時的電流放大特性， 反映動態反映動態(交流任務狀交流任務狀態態)時的電流特性。但時的電流特性。但 (3) (3) 共基極直流電流放大系數共基極直流電流放大系數 =IC/IE VCB=const (4) 共基極交流電流放大系數共基極交流電流放大系數 = IC/IC/ IEIE VCB=const VCB=const當當

31、BJT任務于放大區時，任務于放大區時， 、 ，可以不，可以不加區分。加區分。264 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-2. 極間反向電流極間反向電流(1) 集基間反向飽和電流集基間反向飽和電流ICBO 發射極開路時，集電結的反向飽和電流。 +bce-uAIe=0VCCICBO (2) 集射間反向飽和電流集射間反向飽和電流ICEO 基極開路時，晶體管的穿透電流。基極開路時，晶體管的穿透電流。 +bce-VCCICEOuA穿透電流在特性曲線上表現穿透電流在特性曲線上表現ICEO4.1.4 BJT的主要參數。的主

32、要參數。.。274 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32-ICMV(BR)CEOPCM(1) (1) 集電極最大允許電流集電極最大允許電流ICMICM(2) 集電極最大允許功率損耗集電極最大允許功率損耗PCM留意：任何時候晶體管功耗留意：任何時候晶體管功耗 PCM= ICVCE 安安 全任務區全任務區過過損損耗耗區區(3) 晶體管平安任務區晶體管平安任務區 極限參數決議晶體管能否能平安任務極限參數決議晶體管能否能平安任務 由由PCM、 ICM和和V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定在輸出特性曲線上可以確定 晶體管平安任務區。晶體管平安任務區。過流區過流區過壓區過壓區3. 極限參數極限參數4.1.4 BJT的主要參數。的主要參數。.。284 雙極結型三極管及放大電路基礎雙極結型三極管及放大電路基礎4.1 4.1 半導體三極管半導體三極管(BJT)(BJT)32- V(BR)CBO發射極開路時的集電結反向擊穿電壓發射極開路時的集電結反向擊穿電壓 V(BR) EBO集電極開路時發射結的反向擊穿電壓集電極開路時發射結的反向擊穿電壓 V(BR)CEO基極開路時集射間的擊穿電壓，它與穿透電流直接聯絡幾個擊穿電壓有如下關系幾個擊穿電壓有如下關系 V(BR)CBOV