1、Erso五項測試流程氣體管路的QC氣體管路的QC指的是要確保管路的外觀及管內的各項測試都合乎客戶要求的標準并 確保我們的產品的品質達到一定的水準。（1）通常大多數半導體廠的設備對我們的工作內容都不了解，他們所關心的是管路是否歪斜？焊道是否標準？氣體標簽是否有貼等有關管路外觀的問題。所以QC人員對于管路外觀的檢查就顯得格外重要，縱是管路內部的分析再怎么確實， 在客戶眼里我們的品質一樣是有瑕疵的，此也是我們應努力的方向之一，然大 多數剛接觸QC的同仁對于要檢查哪些外觀都顯得有些不知所措，故在附件一 概略列出檢查的要項，盼對剛接觸QC的人員有所幫助。（2）氣體管路的五項測試：氣體管路的五項測試為QC

2、最重要的一部分，內容概略可分為測漏及管路內的分 析,前者如沒做好而造成危險氣體泄漏，除了對公司的聲譽造成影響外，更嚴重 的是人的生命及安全都會受到威脅，而后者則是影響到wafer的良率，也是不可忽視的。以下就五項測試一一作介紹：（一）保壓測試（Pressure）目的：保壓測試的目的除了在檢查管路，接頭是否有泄漏之情形外，另一目的則是在于利用高于工作壓力之氣體壓力保持在一封閉管路內，經過一段時間后及可偵測出管路焊道上是否有沙孔（沙孔會因過高的壓力而造成泄漏）以及銜接點是否可承受如此高的壓力而不至泄漏，以確保所有人員的安全。原理：將待測管路通入PN2,使其壓力達到管路正常使用壓力的1。1倍或是7至

3、9公斤之間，在一端接上記錄器， 經過一段時間后檢查是否有壓降現象，若無則表示該管路已通過保壓測試，反之，則檢查壓降之原因， 并在原因排除后再做一次保壓測試，直到完全沒有泄漏 為止步驟：A ,取得該機臺之管路施工圖，并一一核對下包商是否有按圖施工？B,將Panel入口端的接頭松開，并利用管路本身的氣體將預30秒，并檢查Takeoff及管路是否正確？C,將Panel出入口兩端用新的Gasket銜接上，并將進機臺端的接頭Cap起來。D,將Panel上的Valve及Gegulator開止Open位置。E,將所有待測管路Takeoff端的接頭用測試的管子串聯起來，并于一端連接記錄 器（Recorder）

4、。F,使用PN2將管路內充滿壓力達79公斤,并檢查所有壓力表頭是否有壓力。G,使用測漏液（snoop,其漏率可達1。0*10-4）對所有的接頭作初步的測漏，尤其是swagelok接頭。H,開始測漏。Notice :1,步驟b中因施工者施工不當，常造成管內有鐵屑存留，如未先purge管路而直接銜接上，鐵屑可能會被吹入Valve里，而造成Valve的內漏損壞，另一個好處是可確認管路是否正確，以免浪費測試的時間。但是He及特殊氣體管路除外，必須另外找PN2管路來purge管路。2,Recorder 定要放在Takeoff點，因為Panel上的Regulator在Out In時 可能會有逆止情形發生而

5、影響測漏的準確度。3,盡量避免使用Swageick做轉接頭，以免因人為因素而影響測漏，造成測 試時間的浪費。4,所有的管路盡可能不要銜接Source測試， 以免造成氣體倒灌而污染主管 路。5,保壓，Purge用的氣體一定使用PN2。6,不可使用氮氣Purge管路，否則會影響氮測漏。7,本公司所使用之記錄器有傳統機械轉盤記錄器與電子記錄器。8,若使用傳統機械記錄器，記錄器范圍應與記錄紙之壓力范圍相符。（記錄 范圍如010kg/cm2，或015kg/cm2）9,傳統機械記錄器之操作方法由現場資深同仁講解。10,當所有動作都已完成，要將待測管路充滿壓力時，開氣源閥時應放漫速度，以免瞬間壓力上升而損壞

6、記錄器及壓力表。11,當待測管路系統中有check valve時，應注意其流向，并將記錄器放 置正確位置。（二）氮測漏（He Leak Test）目的；因氮氣的分子非常小（4）,可偵測出非常小之漏點，如果說保壓測試是測大漏， 氮測漏則是測小漏，在壯達人所著的VLSI制造技術一書中提到（氣體管路的漏率在每秒10E9CC才可以送氣）如此才不會造成危險。原理；將待測管路用氮測漏機將管內抽至超近真空狀態，當達到客戶要求之漏率時， 用還氮氣噴在焊道及接頭上， 若氮測漏機無反應表示測漏完成， 若有反應則表示有漏， 針 對漏點問題排除。步驟；A .確認欲使用插座之電源是否為110V/60HZ。B .暖機10

7、分鐘，完成后做測漏本身試抽。C.銜接上待測管路，并開始測漏。D .當待測管路的漏率達到客戶要求的范圍時，在所有的焊道及接頭上噴氮 氣，并觀察測漏機是否有反應，若無，表測漏完成，若有，則針對漏點作 處理，直到氮測漏機沒反應為止。Notice ;1,待測管路串的過多會增加測漏的時間，故盡量將各管路分開來測試。2, Phe的管路如已經銜接會造成氮測漏機吸到，故Phe的管路不可以銜接做氮測漏。3,待測點噴氮氣的原則是由近而遠，由上而下。4,噴完氮氣后必須經過一段氮測漏機的反應時間，待沒問題后開始可繼續下一個測試點5,測試點最好用無塵手套包覆在外，以免氮氣散掉或被其他的測試點吸入，而造成誤 判。6,LR

8、=Leck Rate單位是mbar/s, m=10-3, bar=1kg例如；LR=1。5E-9表示漏率為每秒1。5*10-9mbar明白的說就是每秒的漏率為1。5*10-9 cc=0。0000000015cc。7,PE=PressureEntrance （入 口端的壓力）單位是mbar , m=10-3 1bar大約等于1kg例如；PE=3。4E-3表示人口端的壓力為3。4*10-3mbar的說就是人口端的壓力為0。0034mbar真空狀態的壓力為0。人口端的壓力業主并沒特別 的規定，但是人口端的壓力越超近于0越準確，故PE通常都抽到-3。8,在半導體廠中的機臺通常都pump down的功能

9、，所以我們的銜接點都由作pump down來測試我們的銜接點是否有確實，而機臺的測漏方式是將chamber先抽至真空狀態，待達到業主指定的真空度時，打開manual valve ,此 時chamber加我們管路的真空度不可高出0。5Torr。通常pump down需要一天一夜的時間，有時可能會因pump down的時間不夠長，而誤判我們的管路有漏，故如有碰到詞種情形時，請機臺的代理商再抽久一點既可解決此問題。1mbar=0。75Torr。9,測試完畢后，無須將氮測漏機vent，讓氮測漏 機內部保持負壓，下次使用可縮 短自抽的時間。10,氮測漏機代理商建議在每次測試前可以做一次校正的動作，如此可

10、確定測漏機 會有反應。（三）Particle Analyzer（灰塵含H分析）目的；particle在半導體廠中是不良率禍首之一，尤其在現在的制程越來越小的情況下，如管路中含有過多的particle，對wafcr的良率影響很大原理；利用samplcgas流經雷射頭，若particle則會造成crystal的震蕩而測的出particle的大小及數量。步驟；a,先將待測管路預吹4小時以上。找一待測管路銜接至particlecount的inlet端。b,在未開始測試前，先打開bypass valve,以一開一關的方式將待測管路再 預吹數分鐘。c,打開電源，并確認outlet是否有氣流出來。d,開始測

11、試。Notice ;1,測試的壓力不可小于40psi。大于150psi。2,通常我們測試的時間為分鐘，而10分鐘流過雷射頭的氣體1立方英尺，而測試的單位是um。例如；在記錄紙上的0。1的那格出現2則表示在10分鐘當中流經雷射頭的氣體量有1立方英尺，而在這么多的氣體中測得大小為0。1um的particle有2顆3,particle counter inlet端所使用的Valve不可使用Ball Valve ,因為Ball Valve會產生particle，最好使用DiaphragmValve。在開始測試之前利用bapays valve做cycle purge,可以縮短測試時間。4,測試一段時間后

12、如partice的數量仍會有2, 3顆的情形，可以試著將測試 管路敲一敲。5,如LREF的值低于4。5時，請通知專業人員做雷射頭清潔。（四）氧含H:分析（OxygenAnalyzer）:目的：晶片在生產過程中，原本大氣中O2會和Si產生化學反應得O2+Si=SiO2（二氧化矽）為原始的氧化層，如果管路的氧含量過高，原始的氧化層會超出原本已計算好的厚度，如此會嚴重影響接下來各階段的制程。原理；我們利用純度較高的PN2對待測管路以長時間purge的方式，將微氧帶離管路，并在一端接上分析儀器，直到儀器顯示的含氧量達到客戶要求的標準為止。步驟：將待測管路預吹至少4小時。取一待測管路銜接至測試儀器的in

13、let端。打開電源，開始測試。Notice :1,選用來Purge的source盡量不使用主管路的最后一顆Valve可 能會造成值會降不下來。2,待測管路不宜串接太多，以免壓力不足，無法讓儀器正常運作。3,氧分析用的儀器，應隨時注意電解液是否已達到警戒線了。4,如果在儀器的顯示屏幕上出現負值，表示目前管路的含氧量的濃 度比儀器校正時用的標準氣體濃度還純，并非儀器損壞，欲作手 動歸零校正，請勿自行校正，通知專業人員。5,如屏幕上顯示的值忽高忽低時，請檢查CAP的接頭是否都已松 開，讓氣體purge出來。6,儀器不使用時，仍需利用PN2通人儀器內，以防止電解液壞死。乙 如氧含量一直都降不下來，請確

14、認主管路氮氣的含氧量為何。（五）水含H分析（MoistureAnalyzer）目的：晶片在生產過程中， 原本大氣中H2O會和Si產生化學反應得：2H2O+Si=SiO2+2H2 ,其中二氧化矽為原始的氧化層，如果管路的含水量過高，原始的氧化層會超出原本已計算好 的厚度，如此會影響接下來各階段的制程。a,bc,原理：我們利用純度較高的PN2對待測管路以長時間purge的方法，將水氣帶離管路，并在 一端接上分析儀器，直到儀器顯示的含氧量濃度達到客戶要求的標準為止。步驟：A:將待測管路預吹至少4小時。B:取一待測管路銜接到測試儀器的inlet端。C:打開電源，開始測試。Notice :1,選用來purge的source盡量不所有主管路的最后一顆valv