1、電磁場與電磁波自測試題1. 介電常數為 的均勻線性介質中，電荷的分布為 （V，則空間任一點 gE , gD2.1. 線電流I,與I 2垂直穿過紙面，如圖所示。已知丨1 1A，試問v? H.dl ；-h若?Hl.dl0,則 I2 。2. 1 ； 1A1. 鏡像法是用等效的代替原來場問題的邊界，該方法的理論依據是2. 鏡像電荷；唯一性定理_ , 這樣的媒質又稱為ey H0 cos（ t x），則電場強度的方向為1. 在導電媒質中，電磁波的相速隨頻率改變的現象稱為2. 色散； 色散媒質1. 已知自由空間一均勻平面波，其磁場強度為H_ _ ,能流密度的方向為_三種，其中I犬態不傳遞電1. 傳輸線的工作

2、狀態有:_ _磁能量。2. 行波； 駐波； 混合波；駐波1. 真空中有一邊長為三的正六角 形，六個頂點都放有 點電荷。則在圖示兩種情形 下，在六角形中心點處的場 強大小為圖白中£二；圖方中E 。2. 0 ；2兀電孑1. 平行板空氣電容器中，電位V一 I珂其中a b、c與d為常數），則電場強度?=,電荷體密度心=2. -（2+） + 2叫 + 2血q.-盤占斗丄護加）耳1. 在靜電場中，位于原點處的電荷場中的電場強度也線是一族以原點為中心的 ,等位線為一族。2. 射；同心圓1. 損耗媒質中的平面波，其傳播系數F可表示為 的復數形式，其中表 示衰減的為2. j ； 口；1. 在無損耗傳輸

3、線上，任一點的輸入功率都 并且等于所得到的功率。2. 相同； 負載1. 在靜電場中，線性介質是指介質的參數不隨 改變， 各向同性的線性介質是指介質的特性不隨而變化的線性介質。2. 場量的量值變化；場的方向變化這里人號導體上的電位廠工是指1. 對于只有口：-個帶電導體的靜電場系統，取其中的一個導體為參考點，其靜電能量可表示成的電荷在號導體上引起的電位，因此計算的結果表示的是靜電場的 £量的總和。2. 所有帶電導體；自有和互有1. 請用國際單位制填寫下列物理量的單位 磁場力盧 磁導率口。2. N； H/m U1. 分離變量法在解三維偏微分方程? -：'f'-! '

4、 二' 時，其第一步是令皆二二,代入方程后將得到個方 程。2. -：- - 二匸-；,常微分。1. 用差分法時求解以位函數為待求量的邊值問題，用階有限差分近似表示禺處的de/dx,設+二 Ax, 則正確的差分格式是。審 貳-Js)2. 一;1. 在電導率103s/m、介電常數-所謂均勻平面波是指等相位面為,且在等相位面上各點的場強勺電磁波。的導電媒質中，已知電場強度匸一二7-：丄,則在 2.5x10 2時刻，媒質中的傳導電流密度文=、位移電流密度 Jj =2. 1.41 10 1 平面；相等1. 設媒質1介電常數三）與媒質2 （介電常數為乞）分界面上存在自由電荷面密度，,試用電位函 數

5、刃寫出其分界面上的邊界條件 和。A/m2 ； :.'r - I i1. 終端開路的無損耗傳輸線上，距離終端 處為電流波的 波腹；距離終端為電流波的波節。刀二 1, 3* 5 , 旳二 Q I 2 ,1. 鏡像法的理論根據是 鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替分布。2. 場的唯一性定理 ；未知電荷1. 請采用國際單位制填寫下列物理量的單位 電感£,磁通。_2. H Wb1. 靜態場中第一類邊值問題是已知整個邊界上 其數學表達式 為2. 位函數的值；- -1. 坡印廷矢量,它的方向表示勺傳輸方向，它的大小表示單位時間通過與能流方向相垂直的電磁能量。2. 電磁能量；單位面積的1

6、. 圖示填有兩層介質的平行板電容器，設兩極板上半部分的面積為：，下半部分的面積為氣，板間距離為二，兩層介質的介電常數分別為三與亡。介質分界面垂直于兩極板。若忽略端部的邊緣效應，則此平行板電容器的電容應為。_2. - 1. 損耗媒質中其電場強度振幅和磁場強度振幅以,因子隨玄增大而。1. 用以處理不同的物理場的類比法，是指當描述場的數學方式具有相似的和相似的則它們的解答在形式上必完全相似，因而在理論計算時，可以把某一種場的分析計算結果，推廣到另一種場中 去。2微分方程；邊界條件1. 電荷分布在有限區域的無界靜電場問題中，對場域無窮遠處二-:的邊界條件可表示為 即位函數常在無限遠處的取值為2. 冷二

7、w 有限值；:1損耗媒質中的平面波，其電場強度盧三咎阮夕於仞，其中口 稱為 0稱為。2. 衰減系數；相位系數1. 在自由空間中，均勻平面波等相位面的傳播速度等于電磁波能量傳播速度等于。2. 光速；光速1均勻平面波的電場和磁場除了與時間有關外，對于空間的坐標，僅與的坐標有關。均勻平面波的等相位面和向垂直。2. 傳播方向；傳播1. 在無限大真空中，一個點電荷所受其余多個點電荷對它的作用力，可根據 定律和原理求得。2. 庫侖；疊加1. 真空中一半徑為a的圓球形空間內，分布有體密度為 的均勻電荷，則圓球內任一點的電場強度E1 （r a）;圓球外任一點的電場強度E2 （r a）。2 22. r/3 o

8、； a /3 °r ；1. 鏡像法的關鍵是要確定鏡像電荷的個數、和。2. 位置；大小1. 一均勻平面波由空氣垂直入射到良導體表面，則其場量衰減為表面值的1/e時的傳播距離稱為該導體的，其值等于 （設傳播系數j ）。2. 透入深度（趨膚深度）；1/1. 電磁波發生全反射的條件是，波從且入射角應不小于。2. 光密媒質進入光疏媒質；臨界角1.若媒質1為完純介質，媒質2為理想導體。一平面波由媒質1入射至媒質2,在分界面上，電場強度的反射波 分量和入射波分量的量值，（填相等或相反）。2.相等；相反1.設空氣中傳播的均勻平面波，其磁場為匚"- 11 ，則該平面波的傳播方向為該波的頻率為

9、。v62. ey;5 10 Hz1. 已知銅的電導率.'i ,相對磁導率二',相對介質電常數：,對于頻率為|【三二的電磁波在銅中的透入深度為，若頻率提高，則透入深度將變。2. 66 m ；小1. 一右旋圓極化波，電場振幅為匚，角頻率為二，相位系數為二，沿冬 傳播，則其電場強度貞的瞬時表示為,磁場強度丹'的瞬時表示為。_2. E E0cos( tz)exE0 sin( tz)£ ； HE°cos( t z)eytz)ex1. 設一空氣中傳播的均勻平面波，已知其電場強度為,Y1 :1 *;-，則該平面波的磁場強度月二 長為。V 18丿2.exE0 cos

10、(6 10 2 z) ； 1m1201. 在電導率:匸匸、介電常數' 1.時變電磁場中，根據方程可定義矢量位丿使舌二 w 再根據方程，的導電媒質中，已知電場強度 - 一： ' 1 -，則在1 = 2.5x10 s時刻，媒質中的傳導電流密度上=、位移電流密度広= xicr/ir)一 I人2. 1.414 10 ez cos( t z) ；ez cos( t z) VxJ = - 1. 麥克斯韋方程組中的£ D = D和內表明不僅要產生電場，而且隨時間變化的 要產生電場。 2. 電荷；磁場A/m2 ； 2.36 10 7A/m21. 在分別位于胃二和蘭二書處的兩塊無限大的

11、理想導體平板之間的空氣中，時變電磁場的磁場強度 ff=出曲g悶k /m則兩導體表面上的電流密度分別為I"二和平均坡印廷矢量g町=。£ = 一V （p可定義標量位使-'：'v2.vv BgB 0 ； Et1.無源真空中，時變電磁場的磁場強度"滿足的波動方程為;正弦電磁場（角頻率為）的磁場強度復矢量（即相量）山工滿足的亥姆霍茲方程為2.2HV2HH2 v 2 v0 0 下 0 ；半徑為芒的圓形線圈放在磁感應強度匸- n -的磁場中，血 與線圈平面垂直，則線圈上的感應電動勢莊=感應電場的方向為2 v 2 （3t 1）a ； e 1.真空中，正弦電磁場的電

12、場強度-;和磁場強度分別為 F a竹二Wo雖心£匚口或?。〩 2 0 oH 01.在介電常數為G磁導率為r.、電導率為零的無損耗均勻媒質中，已知位移電流密度復矢量（即相量嚴供匪一沖k/口，那么媒質中電場強度復矢量（即相量）應二；磁場強度復矢量（即相量）H二-2e J zA/mJ 02 j2. exe J zV / m ；eyj1 在電導率-'-：l 和介電常數7 的均勻媒質中，已知電磁場的電場強度£ =久V/m，則當頻率于= 時間了二 媒質中位移電流爲二丄xlCF* F/m 密度的大小與傳導電流密度的大小相等。（注：.）2. 7.2 1010Hz ；10 （n -）

13、, n 0,1,27282. ezv v v v v v v /EB1nB2n 0 ； n (H1 H2) Js ； ngB1B?)0 ； sin( z)sin(2 t) ;04'. o1.兩個載流線圈的自感分別為和一，互感為屮一，分別通有電流，'；和？，則該系統的自有能為，互有能為。2.1L1I121L2I| ； MI1I22 21.在恒定磁場中，若令磁矢位/ 的散度等于零，則可以得到/所滿足的微分方。但若/的散度不為零，還能得到同樣的微分方程嗎？2.2AvJ ； 不能1.在平行平面場中，占 線與等沖線相互(填寫垂直、重合或有一定的夾角)1.恒定磁場中不同媒質分界面處， 冴與

14、百滿足的邊界條件2.H1t H2t Js ；7、試題關鍵字鏡像法1.圖示點電荷Q與無限大接地導體平板的靜電場問題中，為了應用鏡像法求解區域A中的電場，基于唯一性定理，在確定鏡像法求解時，是根據邊界條件(用電位表示)rm e2.1. 鏡像法的關鍵是要確定鏡像電荷的大小、和。2. 位置；個數1.根據場的唯一性定理在靜態場的邊值問題中，只要滿足給定的 條件，則泊松方程或拉普拉斯方程的解是。2. 邊界；唯一的1.以位函數為待求量的邊值問題中，設匚-為邊界點三的點函數，則所謂第一類邊值問題是指給定2. f(S)；1. 分離變量法用于求解拉普拉斯方程時，具體步驟是1、先假定待求的_ 由_的乘積所組成。2、

15、把假定的函數代入，使原來的_方程轉換為兩個或三個常微分方程。解這些方程，并利用給定的邊界條件決定其中待定常數和函數后，最終即可解得待求的 位函數。2. 位函數；兩個或三個各自僅含有一個坐標變量的；拉氏方程；偏微分；1. 靜態場中第一類邊值問題是已知整個邊界上_，其數學表達式為。2. 位函數的值；|s f （s）1.以位函數門為待求量的邊值問題中，設：為邊界點戈的點函數，則所謂第二類邊值問題是指給定式。2.韋 f（S）1. 鏡像法的理論根據是_ 。鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替 的分布。2. 場的唯一性定理；求知電荷1. 電源以外恒定電流場基本方程的積分形式是它說明恒定電流場的傳導電流是

16、。2. 蜒v dv 0, / dS 0;連續的1. 電通密度（電位移）矢量的定義式為連二 ;若在各向同性的線性電介質F中，則電通密度衛 與電場強度左 的關系又可表示為刃二。v vv2. oE P ；E1.介電常數的電導率分別為：及i' 1的兩種導電媒質的交界面，如已知媒質2中電流密度的法向分量，則分界面上的電荷面密度廠二，要電荷面密度為零，必須滿足 條件。2.2n1. 寫出下列兩種情況下，介電常數為，的均勻無界媒質中電場強度的量值隨距離的變化規律（1）帶電金屬球（帶電荷量為Q廳二； （2）無限長線電荷（電荷線密度為三）占二。22. Q/4 or ；/2 r1. 真空中一半徑為a的球殼，

17、均勻分布電荷Q殼內任一點的電場強度覽= G< a）；殼外任一點的電場強度=乜>刃）。22. 0 ；Q/4 or1. 電偶極子是指，寫出表征其特征的物理量電偶極矩的數學表達式。v v2. 兩個相距一定距離的等量異號的電荷；p ql1. 矢量場中A圍繞某一點P作一閉合曲面S,則矢量A穿過閉合曲面S的通量為;若0，則流出S面的通量_ 流入的通量，即通量由S面內向外，說明S面內有_。2. A ds ;大于；擴散；正源s1. 矢量場的散度在直角坐標下的表示形式為，它的結果為一_場。2. A空血仝；標量x y z1. 散度定理的表達式為;斯托克斯定理的表達式為。rrr rr2. °A

18、dS A dv ； ?A dl ( A) dSsvs1.標量場的梯度是一 場，表示某一點處標量場的。2矢量；變化率1. 研究一個矢量場，必須研究它的_和_，才能確定該矢量場的性質，這即是2. 散度；旋度；亥姆霍茲定理1. 標量場的梯度的方向為 ;數值為。2. 指向標量增加率最大的方向或是等值面的法線方向；該方向上標量的增加率1. 圖示填有兩層介質的平行板電容器，設兩極板上半部分的面積為：，下半部分的面積為二，板間距離為巴，兩層介質的介電常數分別為三與乞。 介質分界面垂直于兩極板。若忽略端部的邊緣效應，則此平行板電容器的電容 應為。2. - 1. 用以處理不同的物理場的類比法，是指當描述場的數學

19、方式具有相似的和相似的，則它們的解答在形式上必完全相似，因而在理論計算時，可以把某一種場的分 析計算結果，推廣到另一種場中去2. 微分方程；邊界條件1. 電荷分布在有限區域的無界靜電場問題中，對場域無窮遠處：門的邊界條件可表示為，_即位函數俘在無限遠處的取值為_2. 有限值；:1. 損耗媒質中的平面波，其電場強度E K垃尹3，其中©稱為，稱為2. 衰減系數；相位系數1. 在自由空間中，均勻平面波等相位面的傳播速度等于，電磁波能量傳播速度等于2. 透入深度（趨膚深度）;1/1. 在傳播方向上有磁場分量，但沒有電場分量，這種模式的電磁波稱為 波。2. 橫電；TE1. 求解矩形波導中電磁波

20、的各分量、是以體表面上滿足的邊界條件為理論依據的波，簡稱為方程和波導壁理想導1. 波導中，TM波的波阻抗門2 ； jTE波的波阻抗2. 麥克斯韋（或波動、亥姆霍茲）；電場或磁場1. 矩形波導中，工波的S分量應滿足的邊界條件為在廠'和 '處衛=0和左二百處2.HzHz1. 矩形波導可以工作在多模狀態，也可以工作在單模狀態，而單模的傳輸模式通常是模,這時要求波導尺寸a、b滿足關系。2. TE10 ； a 2a,b1. 矩形波導的尺寸為三: ，填充空氣，工作模式為：1.模，設頻率為，此時的波阻抗丄一的 定義為。計算公式為。2.橫向電場與橫向磁場之比ExHyZTE101201.在矩形波

21、導中，若習二，則波導中的主模是；若力22），則波導中的主模2.TE10 和 TE01 ； TE101.電磁波發生全反射的條件是，波從，且入射角應不小于2.光密媒質進入光疏媒質；臨界角1. 若媒質1為完純介質，媒質2為理想導體。一平面波由媒質1入射至媒質2,在分界面上，電場強度的反射波分量和入射波分量的量值；相位，（填相等或相反）。2.相等；相01. 已知兩種介質的介電常數分別為】、】，磁導率為T U ，當電磁波垂直入射至該兩介質分界面時，反射系數二，透射系數匸二2.72,1冬：12丁111. 設空氣中傳播的均勻平面波，其磁場為為" 一 * 二-'2. EE)cos( tz)e

22、xE0sin( t z)& ； H號8$(tz)Xysin( tz)eVx，則該平面波的傳播方向為，該波的頻率為V62. ey ；5 10 Hz，若頻率提高，則透入深度將變1. 已知銅的電導率-匚：,1L-，相對磁導率丫 '，相對介質電常數二'，對于頻率為 /=1貶二的電磁波在銅中的透入深度為2. 66 m ；小1. 一右旋圓極化波，電場振幅為;，角頻率為，相位系數為，涉 傳播，則其電場強度胚的瞬時表示為_磁場強度廿的瞬時表示為1. 設一空氣中傳播的均勻平面波，已知其電場強度為F= I'：，則該平面波的磁場強度冴二 _v 182. eE0cos(6108 2 z

23、) ； 1m1201. 在電導率l -丁、介電常數的導電媒質中，已知電場強度 _1'-':，則在-2.5x10 s時刻，媒質中的傳導電流密度：-廠=-/m、位移電流密加 = 3 6開22722. 1.414 10 A/m ； 2.36 10 A/m1. 在分別位于和蘭二占處的兩塊無限大的理想導體平板之間的空氣中，時變電磁場的磁場強度"八X 則兩導體表面上的電流密度分別為-和 J J i _ o 2. ez cos( t z);e： cos( t z)Vxjr = - 1. 麥克斯韋方程組中的 = P和於表明不僅要產生電場，而且隨時間變化的要產生電場。2. 電荷；磁場1

24、. 時變電磁場中，根據方程 ，可定義矢量位曲使可心，再根據方程S = -(p- 可定義標量位'，使疔古vv2. gB 0 ； E1.無源真空中，時變電磁場的磁場強留kt）滿足的波動方程為_正弦電磁場（角頻率為二）的磁場強度復矢量（即相量屮k 滿足的亥姆霍茲方程為2 Vex -e j "V /m ; j目2 V 2 V2.2H 0 020 ； H 0 oH 01. 如圖所示，導體桿詁 在磁感應強度：I】：的均勻磁場中，以 速度日向右平移。設才二1時導體桿卻與重合，則在t /時刻, 導體桿上的感應電動址二，方向由。2. BovL ； a b1. 在介電常數為J磁導率為5、電導率為

25、零的無損耗均勻媒質中，已知位移電流密度復矢量（即 相量”嚴©姑諭A知,那么媒質中電場強度復矢量即相量聲=；磁場強度復矢量（即相量）F二0_ey _2 e j zA/ m j o1. 在電導率和介電常數二"的均勻媒質中，已知電磁場的電場強度Z = siri2 V/m，J則當頻率十= 時間皆 質中= xlO"9 F/m 位移電流密度的大小與傳導電流密度的大小相等_注：）102. 7.2 10 Hz ;臥 8），n7280,1,21. 半徑為壬的圓形線圈放在磁感應強度-匚二：丨-的磁場中，且與線圈平面垂直，則線圈上的感應電動如二 應電場的方向為2.2 V2 (3t 1)

26、a2 ; e1.真空中，正弦電磁場的電場強虔=和磁場強腫=分別為莊 =弓妬 sir(/32)cosC®/) 甘也審=召 Jcoslfe) sii型 t)那么，坡印廷矢量,1平均坡印廷矢量12.1.6z JEosin( z)sin(2 t);0 長直導線通有電流匚，其周圍的等二（磁位）線的是一系列處放上一塊薄（厚度一0）的鐵板（板與導線不連）對原磁場沒有影響。2. 以電流軸線為中心的射線；等磁位面1試用法拉弟觀點分析以下受力情況長直螺線管空腔軸線處放一圓形載流小線圈線圈平面與螺線管軸線垂直。當小線圈放在位置(1 ，2)時受到的軸向力最大，方向2. 2；百，互有能1. 兩個載流線圈的自感

27、分別為S和七，互感為 匚，分別通有電流和一，則該系統的自有能為Ml 1I21. 在均勻磁場遲 中有一鐵柱，柱中有一氣隙，對于圖可,氣隙與*平行貝Pi _ 覽;對于圖b ,氣隙與廳垂直，貝蛇費；月1丄 I（以上空格內填上大于或小于或等于）(b)0P/所滿足的微分方1. 在恒定磁場中，若令磁矢位A的散度等于零，則可以得到。但若/的散度不為零，還能得到同樣的微分方程嗎？1.在平行平面場中，H線與等并線相互（填寫垂直、重合或有一定的夾角2. 垂直1. 導磁媒質被磁化，除等效為磁化電流對外的效應外,也可等效為磁荷對外的效應。當已知磁介質內的磁化強度事 后，其束縛磁荷體密度為MgV束縛磁荷面密度為2. m

28、1. 下圖中圖.的互感最大。An(a)SB2. b1.恒定磁場中不同媒質分界面處，H與廳滿足的邊界條件V V VB2)0；2. H1t H2t Js ； B1nB2n0 ； V (1 J)Vs ；7、試題關鍵字鏡像法1. 圖示點電荷Q與無限大接地導體平板的靜電場問題中，為了應用鏡像片 h級1IYZZZZZZZZ7ZZ7Z 法求解區域A中的電場，基于唯一性定理，在確定鏡像法求解時，是根據 一區岷D邊界條件(用電位表示)和。2.1. 鏡像法的關鍵是要確定鏡像電荷的大小、和。2. 位置；個數1. 根據場的唯一性定理在靜態場的邊值問題中，只要滿足給定白 條件，則泊松方程或拉普拉斯方程的解是02. 邊界

29、；唯一的1. 以位函數為待求量的邊值問題中，設為邊界點左的點函數，則所謂第一類邊值問題是指給定02. f(s);1. 分離變量法用于求解拉普拉斯方程時，具體步驟是1、先假定待求的_ 由的乘積所組成。2、把假定的函數代 ，使原來白 方程轉換為兩個或三個常微分方程。解這些方程，并利用給定的邊界條件決定其中待定常數和函數后，最終 即可解得待求的位函數。2. 位函數；兩個或三個各自僅含有一個坐標變量的；拉氏方程；偏微分；1. 靜態場中第一類邊值問題是已知整個邊界上,，其數學表達式 02. 位函數的值；L f (s)1. 以位函數為待求量的邊值問題中，設為邊界點三的點函數，貝U所謂第二類邊值問題是 指給

30、定式 02. f(s)n1.鏡像法的理論根據是的分布。鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替2. 場的唯一性定理；求知電荷1. 電介質的極性分子在無外電場作用下，所有正、負電荷的作用中心不相重合，而形成電偶極子, 但由于電偶極矩方向不規則，電偶極矩的矢量和為零。在外電場作用下,極性分子的電矩發生，使電偶極矩的矢量和不再為零，而產生2. 轉向；極化倍。而兩導體間的電場強度將是原來電場強度的1. 圖示一長直圓柱形電容器， 內、外圓柱導體間充滿介電常數為 的電介質，當內圓柱導體充電到電壓后，拆去電壓源，然后將1介 質換成；- 的介質，則電容器單位長度的電容1將增加.倍。2.1.是.1r ；r電源以外

31、恒定電流場基本方程的積分形式是_它說明恒定電流場的傳導電流0殼外任一點的電場強度2 =旳 動。2. 0 ;Q/4 or21. 將一個由一對等量異號電荷構成的電偶極子放在非勻強電場中，不僅受一個一 _ 作用，發生轉動，還要受力的作用，使發生平動，移向電場強的方向。2. 力矩；電偶極子中心1. 電偶極子是指，寫出表征其特征的物理量電偶極矩的數學表達式0vV2. 兩個相距一定距離的等量異號的電荷；p qdl1矢量場中A圍繞某一點P作一閉合曲面S,則矢量A穿過閉合曲面S的通量為;若0,則流出S面的通量_ 流入的通量，即通量由S面內向外，說明S面內_。2. °AdS ；大于；擴散；正源s1.

32、矢量場的散度在直角坐標下的表示形式為，它的結果為一場。2. A仝® ;標量x y z1. 散度定理的表達式 ;斯托克斯定理的表達式 。rrr rr2. °AdSA dv ； ?A dl ( A) dSSVs1. 標量場的梯度是一場，表示某一點處標量場白。2. 矢量；變化率1. 研究一個矢量場，必須研究它的 和，才能確定該矢量場的性質，這即v1.描述天線的參數有2. 輻射場強、方向性、輻射功率、效率1. 對于是磁偶極子與開槽天線的輻射場，可以利用 和電磁學上的原理來求解。2. 電磁對偶；巴俾涅1. 如圖所示兩個載流線圈，所受的電流力使兩線圈間的距離（ ）擴大；E .縮?。欢?

33、不變2. B1. 真空中兩個點電荷之間的作用力（）A. 若此兩個點電荷位置是固定的，貝U不受其他電荷的引入而改變B. 若此兩個點電荷位置是固定的，貝U受其他電荷的引入而改變C. 無論固定與不固定，都不受其他電荷的引入而改變2. A1. 真空中有三個點電荷占、：、：。占帶電荷量：'：，卜帶電荷量_，且 1 ''.。要使每個點電荷所受的電場力都為零，貝9（）A. r電荷位于三、電荷連線的延長線上，一定與同號，且電荷量一定大于二B. 口電荷可位于連線的任何處，可正、可負，電荷量可為任意大小C. r電荷應位于占、止電荷連線的延長線上，電荷量可正、可負，且電荷量一定要大于:2.

34、A1. 如圖所示兩個載流線圈，所受的電流力使兩線圈間的距<-擴大；縮??；二不變離（）2. A1. 電流是電荷運動形成的，面電流密度可以表示成（）2. B1. 載有電流匚半徑為的圓環，置于嘰G的均勻磁場中，線圈.所在平面的法線方向豈二弓，此時線圈（）?.受到G方向的力；B.不受力；C.受到一轉矩2. C 1均勻直線式天線陣中，若最大輻射方向發生在與陣軸線相垂直的方向上，則稱為（）A 側射陣；B 端射陣；C 直線陣2. A）時刻發生的變化作出響應。（其中r為源點與場點的距離1. 場點在t時刻對源點（C為光速）A. tC. t2. A 1均勻直線式天線陣中，若最大輻射方向發生在陣軸線的方向上，

35、則稱為（）。A 側射陣；B.端射陣；C.直線陣2. B1. 源點t時刻對場點在（）時刻發生的變化作出響應。（其中r為源點與場點的距離C為光速）rrA. t 一 ； B . t -；ccC. t2. B1. 對于電偶極子遠區場的特點，下述表述錯誤的是（A. 只有E ,H分量，TEM波;B. E、H同頻率，同相位；C. 波阻抗 E k等于媒質的本征阻抗。HP 曠D. 輻射功率與sin成正比。2. D1. 下述關于理想點源天線的描述錯誤的是（）A. 是無方向性天線；B.方向圖是一球面；C.方向圖為不規則形狀的曲面。2. C1. 偶極子遠區場的輻射功率與（）成正比。A. sin ; B . sin ;

36、C. 1/si n 2.1.對于偶極子天線的遠區場，表述正確的是A.sin ,與無關 ； Bsin ,與有關；C.sin2 ,與有關 1/sin1. 偶極子天線的遠區場與（）成正比A. rC.2. B1.偶極子天線的的方向圖因子與（）成正比A. sin ； B . sinC1. 在給定尺寸的矩形波導中，傳輸模式的階數越高，相應的截止頻率（）A. 越高；B.越低； C.與階數無關2. A1. 在傳輸TEM波的導波系統中，波的相速度，與參數相同的無界媒質中波的相速度 相比，是（）A. 更??； B. 相等； C. 更大2. B1. 在傳輸I模的矩形空波導管中，當填充電介質f匚匚.、宀 后，設工作頻率

37、不變,;C. 1/si n2. A1. 下列關于電磁對偶性的互換規則，正確的是（）A. E H , HE ; B .,1/;C.e m ,1/ ；D . A ,J2. C1. 在導波系統中，存在TEM波的條件是A. ' ''-1; B. >'：' - r ； C. /2. C1. 矩形波導中的波導波長*：、工作波長丘和截止波長I：之間的關系為（A.B.C.A其波阻抗將（A.變大；B.變小;C.不變2. B1. 對于給定寬邊三的矩形波導，當窄邊增大時，衰減將（）A. 變??；B. 變大； C. 不變2. A1. 在選擇波導尺寸，時，為保證波導中能傳輸:

38、.波，應滿足（）A.用 <2a1；B. A > 2s；C.2. A1. 矩形波導中傳輸I i.波，若提高工作頻率，則波阻杭、將（）A. 變大； B. 變?。?C. 不變2. B1 .矩形波導（尺寸為<）中傳輸L波，當頻率一定時，若將寬邊尺寸增大一倍其相位系數將（）A. 變大；B.變小；C.不變2. A1. 矩形波導中，截止頻率最低的叮模是（）-i.模； t二模；- r .模'1.2. C兩個載流線圈的自感分別為-和上，互感為丁。分別通有電流：和二，則系統的儲能為）A.B. 'c札二評H5）2. C1. 用有限差分近似表示丘處的“，設_；，則不正確的式子是（）爭

39、（咼）一誓咼一祺 + h-甲（耳一h心羽（咼+占）一很（鬲-+）A 9 D - tr - -2. C1.損耗媒質中的電磁波其傳播速度隨媒質電導率一的增大而（)A. 不變；B. 減?。籆. 增大2. B1矩形波導（尺寸為.工）中傳輸I 1.波，當頻率一定時，若將寬邊尺寸增大一倍（變為H），其截止波長將（）A. 變大；B. 變??；C. 不變2. A1. 在無損耗媒質中,電磁波的相速度與波的頻牽A. 成正比；B. 成反比； C. 無關2. C1. 同軸線、傳輸線（）A. 只能傳輸TEM波B. 只能傳輸TE波和TM波C. 既能傳輸TEM波，又能傳輸TE波和TM波2. C 7、試題關鍵字自感、互感1.

40、兩線圈的自感分別為、：和I，互感為上，若在線圈下方放置一無限大鐵磁平板，如圖所示，貝（）A. '增加，上減小B. 一、.1一和丘 均增加C. 不變，且增加2. B1. 在電阻性終端的無損耗傳輸線上，當：L - 一時（I為終端負載電阻）,在終端（ ）A. 電流最大值；B.電流最小值；C.以上兩條都不是2. A1. 矩形波導（尺寸為三；門）中傳輸波，當頻率一定時，若將寬邊尺寸增大一倍,其相位系數心將（）A. 變大； B. 變??； C. 不變2. A1. 損耗媒質中的平面電磁波 其波長隨著媒質電導率'的增大，將（）A. 變長； B. 變短； C. 不變2. B1. 兩個極化方向相互垂

41、直的線極化波疊加，當振幅相等，相位差為上或：時，將形成（ ）A. 線極化波；B.圓極化波；C. 橢圓極化波2. B1. 均勻平面波由介質垂直入射到理想導體表面時，產生全反射，入射波與反射波疊加將形成駐波，其電場強度和磁場的波節位置（）A. 相同；B.相差C. 相差廠-2. B1. 已知一導電媒質中平面電磁波的電場強度表示為-匚丄一：-，則該導電媒質可視為（）A. 良導體；B.非良導體；C. 不能判定2. A1. 一平面電磁波由無損耗媒質垂直入射至無損耗媒質：的平面分界面上，分界面上的電場強度為最大值的條件是（）A. 媒質2的本征阻抗（波阻抗”丄大于媒質1的本征阻抗* 一B. 媒質2的本征阻抗（

42、波阻抗二小于媒質1的本征阻抗：C. 媒質2的本征阻抗（波阻抗），為純虛數2. A1. 已知一均勻平面波以相位系數l在空氣中沿蘭軸方向傳播，則該平面波的頻率為（ ）C. xlO5 M血二.： ir：-z I 灶2. C1. 已知電磁波的電場強度W- ，則該電磁波為（ ）A. 左旋圓極化波；B.右旋圓極化波；C.線橢圓極化波2. A1均勻平面波從一種本征阻抗（波阻抗）為：的無耗損媒質垂直入射至另一種本征阻抗為一 的無耗媒質的平面上，若_ 則兩種媒質中功率的時間平均勻值T.-的關系為（ ）L -小工亠；二皿；二；2. A1. 已知一均勻平面波的電場強度振幅為,當丁=：時，原點處的達到最大值且取向為耳

43、，該平面波以相位系數 -Zi在空氣中汗勺方向傳播，則其電場強度可表示為（）£ 一 匸：一|丄口丄；c.'. J .-uj 1- :一jJ-C.JS"=eT40cos（ x 10330jt） V/m2. B1. 若介質1為完純介質，其介電常數1 :廠，磁導率七，電導率| ;介質為空氣。平面電磁波由介質 向分界平面上斜入射，入射波電場強度與入射面平行，若入射角乙一，則 介質：（空氣）中折射波的折射角"為（）Z %；氏%;J %2. B1. 一金屬圓線圈在均勻磁場中運動，以下幾種情況中，能產生感應電流的是（）土.線圈沿垂直于磁場的方向平行移動匚線圈以自身某一直徑

44、為軸轉動，轉軸與磁場方向平行線圈以自身某一直徑為軸轉動，轉軸與磁場方向垂直2. C1. 如圖所示，半徑為三的圓線圈處于變化的均勻磁場中，線圈平面與垂直。已知匚I -，則線圈中感應電場強度L的大小和方向為（ ）Ul-P ,逆時針方向'1順時針方向二-<l _ J逆時針方向2. C1. 已知正弦電磁場的電場強度矢量 12q，丁：-：記W I則電場強度復矢量（即相量）為（）C.2. B1. 已知無源真空中，正弦電磁場的復矢量（即相量蟲-心.'J - 八）其中人和“是常矢量，那么一定有（）-.力; '和 q 丿； ，尸.1 檸2. C1. 對于載有時變電流的長直螺線管中的

45、坡印廷矢量，下列陳述中，正確的是（）A. 無論電流增大或減小，弓都向內B. 無論電流增大或減小，F都向外C. 當電流增大，亍向內；當電流減小時，5向外2. BT1 門；C.1. 由半徑為工的兩塊圓形導體板構成的平行板電容器，極板間媒質的介電常數為、磁導率為，、 電導率為零。當電容器充電時，極板間的電場強度變化率為，貝U兩極板間距離軸線：-'處 的磁感應強度丹為（ ）A.:；72. B1. 比較位移電流與傳導電流，下列陳述中，不正確的是（A. 位移電流與傳導電流一樣，也是電荷的定向運動B. 位移電流與傳導電流一樣，也能產生渦旋磁場C. 位移電流與傳導電不同，它不產生焦耳熱損耗2. A1.

46、 已知在電導率：* N '、介電常數* 的海水中，電場強度- J- T- 則位移電流密度為（A. X=80siriL09) S?B. X = 2xl0lccostL0,7Tf) A/m"罟"EM2. C1. 自由空間中，正弦電磁場的電場強度和磁場強寫 分別為産二叩L5O£iHe*0國，月二丐0.4 弓訊砒-0£ A/m，那么，通過平面內邊長為二；和匸1。n的方形面積的平均功率為（）2. B1. 導電媒質中，已知電場強度，則媒質中位移電流密度丄的相位與傳導電流密度一 的相位（）挖JT相差:相差二；相同2. A1. 在無限大被均勻磁化的磁介質中，有一

47、圓柱形空腔，其軸線 平行于磁化強度則空腔中點二的匕廠與磁介質中白勢 滿 足（）j R八HB.2. C1. 兩塊平行放置載有相反方向電流線密度.烷與：I.-匚這時（）_d d_A. 兩板間磁感應強度為零。二'-）gB. 兩外側的磁感應強度為零。二）C. 板間與兩側的*都為零2. B1. 若要增大兩線圈之間的互感，可以采用以下措施（）A. 增加兩線圈的匝數B. 增加兩線圈的電流C. 增加其中一個線圈的電流2. A1. 在無限長線電流匚附近有一塊鐵磁物質，現取積分路徑1234,以下諸式中，正確的是（）EJ若場成+出=（注：與回路鏈結的鐵磁物質被磁化后等效的磁化電流2. C1. 若在兩個線圈之

48、間插入一塊鐵板，則（）A. 兩線圈的自感均變小B. 兩線圈的自感不變C. 兩線圈的自感均變大2. C1. 下列矢量哪個可能是磁感應強度，式中三為常數（）A尸=型可& F 二 - ye）的無限大薄板，板間距離為L ,它部分地經過鐵磁物質，則在AO二醉軋2. B1. 通有電流的長直螺線管軸線處，有一半徑為 的載流環形小線圈，設環面的法線方向與螺線管軸線之間的夾角為二，貝9()A. 此環形小線圈受到的轉矩將使其與螺線管線圈之間的互感達到最大值B. 此環形小線圈受到的轉矩使其與螺線管線圈之間的互感一芹等于零C. 當二二時，環形小線圈受到軸向力2. A1. 空氣與磁介質(導磁媒質)的分界面為無限

49、大平面，有一載流線圈位于磁介質內部，則該線圈( )A. 將受到遠離分界面的斥力B. 將受到朝向分界面的吸力C. 將不受力。2. A1. 云匚平面為兩種媒質的分界面，已知分界面處乜 y卜二， 匕 -，則分界面上有電流線密度為()a -= io蟲B.込=10罠 + q q2 “2. C1. 一半徑為三的圓柱形鐵棒在均勻外磁場中磁化后，棒內的磁化強度為仁J，則鐵棒表面的磁化電流密度為()乩那熄二-札2. B1. 根據恒定磁場中磁感應強度、磁場強度r與磁化強財 的定義可知，在各向同性媒質中( )A.占與庁 的方向一定一致，“的方向可能與r 一致，也可能少 相反£、*的方向可能與"

50、一致，也可能少相反:.磁場強度的方向總是使外磁場加強。2. A1.1. 圖示一點電荷Q與一半徑為a、不接地導體球 的球心相距為 ' ，則導體球的電位（A. 一定為零B. 可能與點電荷Q的大小、位置有關C. 僅與點電荷Q的大小、位置有關2. B設丄都為邊界點的點函數，貝U所謂）1. 以位函數為待求量的邊值問題中， 第二類邊值問題是指給定（J驚2B. 護+=專（s）（兒-一為G在邊界上的法向導數值2. B1. 以位函數為待求量邊值問題中，設 U 、？都為邊界點 的點函數，則所謂第 一類邊值問題是指給定：）C. 護 +=專0）冷力（占力為歹在邊界上的法向導數值2. A1. 靜電場中電位為零處

51、的電場強度（）A. 一定為零；B. 一定不為零； C.不能確定2. C1. 電源以外恒定電流場基本方程的微分形式說明它是（）-1-有散無旋場；三-無散無旋場；1-無散有旋場2. B1恒定電流場中，不同導電媒質交界面上自由電荷面密g I的條件是（2. A1試確定靜電場表達史 口丨十：中，常數c的值是（）B.C.r= 22. Ad1. 圖示一平行板電容器內，置有兩層厚度各為 的介 質，其介質的介電常數分別為與匚，且- : 0若 兩平行板電極外接電壓源的電壓為，試比較圖中點A、 點B及點C處電場強度E的大小，并選出正確答案（）。（忽略邊緣效應）A. Iu - 一B. AL； .2. A1. 兩個平行放置的通有同向大小電流載流線圈，所受的磁場力力使兩線圈間的距離（