1、一 名詞解釋1.聲頻支振動(dòng)：震動(dòng)著的質(zhì)點(diǎn)中所包含的頻率甚低的格波，質(zhì)點(diǎn)彼此之間的相位差不大，格波類似于彈性體中的應(yīng)變波，稱聲頻支振動(dòng)。2.光頻支振動(dòng)：格波中頻率甚高的振動(dòng)波，質(zhì)點(diǎn)間的相位差很大，臨近質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)幾乎相反，頻率往往在紅外光區(qū)，稱光頻支振動(dòng)。3.格波：材料中一個(gè)質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)會(huì)影響到其臨近質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)，相鄰質(zhì)點(diǎn)間的振，動(dòng)會(huì)形成一定的相位差，使得晶格振動(dòng)以波的形式在整個(gè)材料內(nèi)傳播的波。4.熱容：材料在溫度升高和降低時(shí)要時(shí)吸收或放出熱量，在沒有相變和化學(xué)反應(yīng)的條件下，材料溫度升高1K時(shí)所吸收的熱量。5.一級(jí)相變：相變?cè)谀骋粶囟赛c(diǎn)上完成，除體積變化外，還同時(shí)吸收和放出潛熱的相變。6.二級(jí)相變：在

2、一定溫度區(qū)間內(nèi)逐步完成的，熱焓無突變，僅是在靠近相變點(diǎn)的狹窄區(qū)域內(nèi)變化加劇，其熱熔在轉(zhuǎn)變溫度附近也發(fā)生劇烈變化，但為有限值的相變。7.熱膨脹：物體的體積或長(zhǎng)度隨溫度升高而增大的現(xiàn)象。8.熱膨脹分析：利用試樣體積變化研究材料內(nèi)部組織的變化規(guī)律的方法。9.熱傳導(dǎo)：當(dāng)材料相鄰部分間存在溫度差時(shí)，熱量將從溫度高的區(qū)域自動(dòng)流向溫度低的區(qū)域的現(xiàn)象。10.熱穩(wěn)定性（抗熱震性）：材料稱受溫度的急劇變化而不致破壞的能力。11.熱應(yīng)力：由于材料的熱脹冷縮而引起的內(nèi)應(yīng)力。12.材料的導(dǎo)電性：在電場(chǎng)作用下，材料中的帶電粒子發(fā)生定向移動(dòng)從而產(chǎn)生宏觀電流13.載流子：材料中參與傳導(dǎo)電流的帶電粒子稱為載流子14.精密電阻合

3、金：需要電阻率溫度系數(shù)TRC或者數(shù)值很小的合金，工程上稱其為精密電阻合金15.本征半導(dǎo)體：半導(dǎo)體材料中所有價(jià)電子都參與成鍵，并且所有鍵都處于飽和（原子外電子層填滿）狀態(tài)，這類半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。16. n型半導(dǎo)體:摻雜半導(dǎo)體中或者所有結(jié)合鍵處被價(jià)電子填滿后仍有部分富余的價(jià)電子的這類半導(dǎo)體。17. p型半導(dǎo)體：在所有價(jià)電子都成鍵后仍有些結(jié)合鍵上缺少價(jià)電子，而出現(xiàn)一些空穴的一類半導(dǎo)體。18.光致電導(dǎo)：半導(dǎo)體材料材料受到適當(dāng)波長(zhǎng)的電磁波輻射時(shí)，導(dǎo)電性會(huì)大幅升高的現(xiàn)象。19.光致電導(dǎo)的基本條件：是電磁波的光子能量要=半導(dǎo)體的能帶間隙值。20.光生伏特效應(yīng)：一些半導(dǎo)體材料受到電磁照射時(shí)，所產(chǎn)生的非平衡

4、載流子呈現(xiàn)特殊的空間分布，從而形成兩個(gè)電極，它們之間建立一個(gè)電場(chǎng)，具有電位差的現(xiàn)象21.超導(dǎo)現(xiàn)象：材料的電阻率隨溫度變化，某些材料隨溫度下降電阻率突然減小到零的現(xiàn)象，將具有超導(dǎo)現(xiàn)象的材料稱為超導(dǎo)材料。超導(dǎo)材料有很強(qiáng)的抗磁性。23.超導(dǎo)材料超導(dǎo)的條件：1）溫度條件溫度低于某個(gè)臨界溫度TT0 2）磁場(chǎng)條件：外不辭長(zhǎng)不超過某個(gè)強(qiáng)度HHC 3）電流密度小于臨界值24.磁場(chǎng)強(qiáng)度：為了描述磁性介質(zhì)的磁化狀態(tài)定義單位體積磁性材料內(nèi)原子磁矩的矢量總和。25.磁極化強(qiáng)度J為單位體積內(nèi)的磁偶極子矢量總和26.磁化率材料在磁場(chǎng)中磁化的難易程度M/H27.磁疇：鐵磁體的自發(fā)磁化分為若干區(qū)域28.磁致伸縮：在磁場(chǎng)中磁化

5、時(shí)，鐵磁體的長(zhǎng)度或者體積發(fā)生變化的現(xiàn)象29疇與疇之間的邊界稱為疇壁。30.磁滯回線：對(duì)反磁化過程的宏觀描述，兩條反磁化曲線組成的閉合回線31.矯頑力：鐵磁體磁化到飽和以后，使它的磁化強(qiáng)度或磁感應(yīng)強(qiáng)度降低到0所需要的反向磁場(chǎng)32.剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度：鐵磁體磁化到飽和并去掉外磁場(chǎng)后，在磁化方向保留的Mr或Br稱剩磁。Mr剩余磁化強(qiáng)度，Br剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度。33.趨膚效應(yīng)：鐵磁體的表面磁場(chǎng)高，向鐵磁體的內(nèi)部磁場(chǎng)逐漸減小的現(xiàn)象34.磁電阻效應(yīng)：材料的電阻隨外加磁場(chǎng)的變化而變化。按照電阻效應(yīng)的機(jī)理和大小，分為正常磁電阻效應(yīng)OMR、各向異性磁電阻效應(yīng)AMR、巨磁電阻效應(yīng)GMR35.介電常數(shù)的溫度系數(shù)：溫度每變化

6、1時(shí)，電介質(zhì)介電常數(shù)的相對(duì)變化率36.電介質(zhì)的極化強(qiáng)度P：電介質(zhì)單位體積內(nèi)的點(diǎn)偶極矩的矢量總和37.介質(zhì)的擊穿：當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過某一臨界值后，電介質(zhì)由介電狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)的現(xiàn)象。擊穿時(shí)電壓為擊穿電壓。相應(yīng)的電場(chǎng)強(qiáng)度稱為擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。38.移峰效應(yīng)：在鐵電體中引入某種添加物生成固溶體，改變?cè)瓉淼木О麉?shù)和離子間的相互聯(lián)系，使居里點(diǎn)向低溫或高溫方向移動(dòng)。39.壓峰效應(yīng)：降低居里點(diǎn)處的介電常數(shù)的峰值。40.鐵電體的非線性是指介電常數(shù)隨外加電場(chǎng)強(qiáng)度非線性的變化41.壓電效應(yīng)的形成：對(duì)壓電晶體在一定方向上施加機(jī)械應(yīng)力時(shí)，在其兩端表面上會(huì)出現(xiàn)數(shù)量相等，符號(hào)相反的束縛電荷；作用力相反時(shí)，表面荷電性質(zhì)亦反號(hào)，而

7、且在一定范圍內(nèi)電荷密度與作用力呈正比，為正壓電效應(yīng)；反之，在一定方向的電場(chǎng)作用下，則會(huì)產(chǎn)生外形尺寸的變化，在一定范圍內(nèi)，其形變與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比，為逆壓電效應(yīng)，統(tǒng)稱為壓電效應(yīng)。42.材料對(duì)光的吸收：當(dāng)光通過材料時(shí)，出射光強(qiáng)相對(duì)于入射光強(qiáng)被減弱的現(xiàn)象43.直接帶隙半導(dǎo)體：導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂都位于k空間原點(diǎn)（k=0），電子要躍遷到導(dǎo)帶上只需要吸收能量，這樣的半導(dǎo)體44.間接帶隙半導(dǎo)體：電子躍遷不止要吸收能量，還要改變動(dòng)量的半導(dǎo)體。45.彈性散射：散射前后光的波長(zhǎng)（或光子能量）不發(fā)生變化的散射。發(fā)生變化的散射稱非彈性散射。46.拉曼散射:光通過材料時(shí)由于入射光和分子運(yùn)動(dòng)相互作用而使頻率發(fā)生變化的散射。分共

8、振拉曼散射和表面增強(qiáng)拉曼散射。47.材料的光發(fā)射：材料將以某種方式吸收能量轉(zhuǎn)化為光能即發(fā)射光子的過程48.光的全反射：當(dāng)入射光的角度達(dá)到或超過某一角度時(shí)，折射光消失，入射光被全部反射回來的現(xiàn)象49.光電效應(yīng)：材料在光照射后釋放出電子的效應(yīng)，發(fā)射出來的電子叫做光電子。只有當(dāng)入射光的頻率高于極限頻率時(shí)，材料才會(huì)發(fā)射光電子，產(chǎn)生光電效應(yīng)50.光生載流子：如果能量大于帶隙寬度的光照射到半導(dǎo)體上，則電子被激發(fā)而從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，形成電子空穴對(duì)。如果這些電子空穴對(duì)擺脫庫倫力的相互作用而成為自由電子，則在導(dǎo)帶和價(jià)帶內(nèi)將形成可以產(chǎn)生電流的過剩自由電子和自由空穴，這些就被稱為光生載流子。51.太陽能光電池產(chǎn)生電

9、動(dòng)勢(shì)的基本條件：達(dá)到熱平衡時(shí)，由于產(chǎn)生電流的載流子濃度增加，所以半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加52.形狀記憶效應(yīng)：金屬材料在發(fā)生較大變形后，經(jīng)加熱到某一溫度上能夠回復(fù)到變形前形狀的現(xiàn)象53.相變偽彈性：去除應(yīng)力后，部分或全部應(yīng)變因應(yīng)力誘發(fā)馬氏體逆變?yōu)槟赶喽謴?fù)的現(xiàn)象54.變溫馬氏體轉(zhuǎn)變：在變溫條件下，馬氏體生成量是溫度的函數(shù)55.腐蝕率：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)單位面積上的腐蝕量56.侵蝕率：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)侵入的深度57.高溫腐蝕：金屬材料和它接觸的環(huán)境介質(zhì)在高溫條件下發(fā)生的界面反應(yīng)58.極化：由于電極上通過電流而使電極電位發(fā)生變化的現(xiàn)象。陽極極化：陽極通過電流電位向正的方向變化。陰極極化：陰極通過電流電位向負(fù)的方向變化59

10、. 最大磁導(dǎo)率：在B-H起始磁化曲線上，B與H比值的最大值；60. 起始磁導(dǎo)率：磁化曲線上起始點(diǎn)的斜率61. 溫度敏感性是指導(dǎo)電性對(duì)溫度非常敏感，一般變現(xiàn)為導(dǎo)電性隨溫度升高呈指數(shù)規(guī)律增強(qiáng)。62.雜質(zhì)敏感性表現(xiàn)為導(dǎo)電性對(duì)雜質(zhì)異常敏感，幾乎是所有材料性能中對(duì)于雜質(zhì)最敏感的性能。63.光照敏感性是指半導(dǎo)體受到電磁波輻射，導(dǎo)電性大幅度增加，具有所謂的光致導(dǎo)電效應(yīng)64. 抗磁性：某些材料受到外磁場(chǎng)作用后，感生出和外磁場(chǎng)相反的磁化強(qiáng)度，磁化率小于0的材料。超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體一定是抗磁性材料65.順磁性：許多材料在放入外磁場(chǎng)中，感生出和外磁場(chǎng)相同方向的磁性，磁化率大于0，但其數(shù)值也很小的材料66.鐵磁材料具有磁

11、性轉(zhuǎn)變溫度：居里溫度Tc。一般自發(fā)磁化隨環(huán)境溫度的升高而逐漸減小，超過居里溫度時(shí)全部消失，這時(shí)材料表現(xiàn)出順磁性，只有當(dāng)溫度小于居里溫度時(shí)，組成鐵磁性材料的原子磁矩在磁疇內(nèi)才平行或反平行排列，材料具有自發(fā)磁化67.鐵磁性和亞鐵磁性材料的磁性轉(zhuǎn)變溫度稱為居里點(diǎn)Tc，反鐵磁性材料的磁性轉(zhuǎn)變溫度稱為奈爾點(diǎn)TN二 填空1， 在不發(fā)生相變的條件下物質(zhì)的熱熔隨溫度的變化規(guī)律分三個(gè)區(qū)域：1區(qū)（接近0K），CV,M正比于T，0K時(shí)，CV,M=0； 2區(qū)（低溫區(qū)），CV,M正比于 T的三次方; 3區(qū)（高溫區(qū)），CV,M變化很平緩，近于恒定值3R。 AL2O3=3R*5 MgO=3R*22， 元素的熱容定律：恒壓下

12、元素的原子熱容為25J/(MOL*K)；化合物的熱容定律：1MOL物質(zhì)中的原子數(shù)為2NA，故摩爾熱熔為2*25J/(MOL*K),三原子固體化合物的摩爾熱熔3*25J/(MOL*K)，以此類推。3， D是高溫材料的選材依據(jù)之一，熔點(diǎn)高，材料間原子結(jié)合力越強(qiáng)，D越高。4， 熱分析方法包括：差熱分析，差示掃描量熱法，熱重法。5， 相鄰兩個(gè)片狀疇的磁矩夾角為180度時(shí)，它們的邊界稱為180度疇壁。片狀疇與三角疇之間磁矩相互垂直，他們的邊界稱為90度疇壁6， 對(duì)于各向同性的立方系晶體，各方向的膨脹特性相同，對(duì)于各向異性的晶體，各晶軸方向的線膨脹系數(shù)不同。7， 物體的熱膨脹系數(shù)與定熱容成正比，在低溫下隨

13、溫度的增加而急劇增加，高溫下趨于平穩(wěn)。原子間結(jié)合力越強(qiáng)的材料熱膨脹系數(shù)越小，熔點(diǎn)高的物質(zhì)膨脹系數(shù)小，鍵強(qiáng)度越高，膨脹系數(shù)越小。相同成分的材料，晶體非晶體，多晶單晶，層間層內(nèi)，固溶體化合物8， 熱導(dǎo)率：晶體結(jié)構(gòu)越復(fù)雜，晶格振動(dòng)的非線性程度越大。熱導(dǎo)率尖晶石莫來石，層內(nèi)層間，單晶體多晶體，晶體非晶態(tài)材料，非晶態(tài)材料隨溫度的升高熱導(dǎo)率增大。9， 電阻率：合金純金屬；非晶體晶體；尺寸越小電阻率越高；本征半導(dǎo)體隨溫度的升高而呈指數(shù)增加。10.固體中的導(dǎo)熱主要依靠晶格振動(dòng)的格波和自由電子的運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)。11.熱阻分為兩部分：晶格振動(dòng)形成的熱阻和雜質(zhì)缺陷形成的熱阻，溫度不高不低情況下，缺陷熱阻隨溫度的升高依1/

14、T的規(guī)律下降，聲子熱阻隨溫度的升高依T的平方規(guī)律上升；純金屬聲子熱導(dǎo)占主要地位，熱導(dǎo)率隨溫度的升高降低，合金缺陷熱阻主導(dǎo)地位，熱帶導(dǎo)隨溫度的升高而升高。12.材料的熱沖擊損壞兩種類型：抵抗材料發(fā)生瞬時(shí)斷裂的抗擊沖擊斷裂性，和抵抗在熱沖擊循環(huán)作用下，才老表面開裂剝落并不斷發(fā)展，最終碎裂或變質(zhì)的抗熱沖擊損傷性.13.材料的熱導(dǎo)率越大，傳熱越快，熱應(yīng)力緩解越快，對(duì)熱穩(wěn)定越有利；材料尺寸越小，傳熱通道越短；材料的表面熱散速率h越大，內(nèi)外溫差越大，熱應(yīng)力越大。14.材料中的微裂紋產(chǎn)生及擴(kuò)展跟彈性應(yīng)變能和裂紋擴(kuò)展的斷裂表面能有關(guān)，彈性應(yīng)變能釋放率越小，斷裂表面能越大，抗熱沖擊損傷性越好15.參照材料導(dǎo)電性

15、的高低，習(xí)慣上將材料劃分為導(dǎo)體，半導(dǎo)體和絕緣體16.影響材料電導(dǎo)率的主要因素是材料中載流子的體積密度與遷移率；半導(dǎo)體材料的載流子為導(dǎo)帶的電子與價(jià)帶的空穴；對(duì)于金屬而言，參與導(dǎo)電的自由電子僅僅是處于費(fèi)米面附近的電子17.純金屬與合金材料的導(dǎo)電性隨溫度的變化顯示兩種不同的類型一類遵循馬提申規(guī)則，另一類是偏離該規(guī)則的規(guī)律性18.半導(dǎo)體在導(dǎo)電性方面獨(dú)特的性質(zhì)：溫度敏感性、雜質(zhì)敏感性、光照敏感性。半導(dǎo)體導(dǎo)電性隨溫度升高呈指數(shù)規(guī)律增加19.施主能及Ed針對(duì)n型半導(dǎo)體，受主能級(jí)Ea針p型半導(dǎo)體。20.陶瓷材料中一旦有較多的電子參與導(dǎo)電，這類材料特有的離子導(dǎo)電性會(huì)被掩蓋。很多陶瓷呈半導(dǎo)體性質(zhì)原因，其有大小適當(dāng)

16、的能帶間隙形成晶格空位。21.根據(jù)磁化率的大小材料的磁性大致可以分為鐵磁性、亞鐵磁性、順磁性、反鐵磁性、抗磁性22.材料磁性來源于電子的兩種運(yùn)動(dòng)：軌道運(yùn)動(dòng)和電子的自旋運(yùn)動(dòng)23.材料鐵磁性的條件：1）存在未滿殼層2）Rab/r>3時(shí)且A為正24.退磁場(chǎng)Hd與材料的磁化強(qiáng)度M,材料的形狀成正比：Hd=-NM N為退磁因子，僅和形狀有關(guān)。25.技術(shù)磁化與反磁化過程是以疇壁位移和磁矩轉(zhuǎn)動(dòng)兩種方式進(jìn)行的。26.磁性材料的鐵芯損耗一般包括三部分，即磁滯損耗、渦流損耗和趨膚效應(yīng)、剩余損耗27.絕緣體都是電介質(zhì)，反之不一定，在電解質(zhì)中起主要作用的是束縛著的電荷。電解質(zhì)壓電解材料鐵電解材料28.當(dāng)光子能量

17、達(dá)到禁帶寬度Eg時(shí)，電子就會(huì)吸收光子能量從滿帶躍遷到導(dǎo)帶，此時(shí)吸收系數(shù)將驟然增大29.當(dāng)溫度升高時(shí)，由于介質(zhì)密度降低，極化強(qiáng)度降低，使得墊子和離子位移極化率的貢獻(xiàn)都減弱。如果電介質(zhì)只有電子位移極化，那么它的介電系數(shù)的溫度系數(shù)是負(fù)的。但是溫度升高會(huì)使離子晶體的彈性聯(lián)系減弱，離子位移極化加強(qiáng)，導(dǎo)致介電系數(shù)的溫度系數(shù)為正30.電介質(zhì)擊穿的形式大致可以分為三類：熱擊穿，點(diǎn)擊穿，和電化學(xué)擊穿31.光學(xué)材料是功能材料中的重要組成部分，光學(xué)材料以折射、反射、和透射的方式改變光線的方向、強(qiáng)度和位相，使得光照按照預(yù)定的要求傳輸，也可以吸收或者透過一定波長(zhǎng)范圍的光而改變光線的光譜成分32.光作為波的屬性可以用頻率

18、和波長(zhǎng)描述，作為光子的屬性用能量和動(dòng)量表征。33.拉曼光譜的理論解釋是，入射光子與分子發(fā)射非彈性散射，分子吸收頻率為V0的光子，發(fā)射VO-Vi的光子，同時(shí)分子從低能態(tài)躍遷到高能態(tài)，分子吸收頻率為V0的光子，發(fā)射V0+Vi的光子，同時(shí)分子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)。頻率差Vi與入射光頻率V0無關(guān)，由散射物質(zhì)的性質(zhì)決定，每種散射物質(zhì)都有自己特定的頻率差，其中有些與材料的紅外吸收頻率相一致34.激勵(lì)方式：光致發(fā)光，場(chǎng)致發(fā)光，陰極射線致發(fā)光35.產(chǎn)生激光的首要條件是實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)36.光導(dǎo)纖維簡(jiǎn)稱光纖，是利用光的全反射原理制作的一種新型光學(xué)元件，是由兩種或兩種以上折射率不同的同名材料通過特殊復(fù)合技術(shù)制成的復(fù)

19、合纖維。包層折射率纖芯37.形狀記憶效應(yīng)的分類：?jiǎn)蜗蛐螤钣洃浶?yīng)，雙向形狀記憶效應(yīng)，全方位形狀記憶效應(yīng)38.根據(jù)馬氏體相變及其逆相變后溫度的大小分為熱彈性馬、氏體相變和非熱彈性馬氏體相變39.腐蝕抗腐蝕機(jī)理分為化學(xué)腐蝕、電化學(xué)腐蝕、物理溶解腐蝕。40.氧化皮從結(jié)構(gòu)上分離子型化合物銹皮，半導(dǎo)體化合物類型銹皮，間隙化合物型銹皮三 簡(jiǎn)答1， 為什么溫度升高材料會(huì)吸收熱量？答：（1）溫度升高時(shí)，晶格熱振動(dòng)加劇，材料內(nèi)能增加；（2）吸收熱量與過程有關(guān)，若溫度升高時(shí)體積膨脹，所吸收的熱量一部分用于材料內(nèi)能增加，一部分用于對(duì)外作功。2， 提高抗熱沖擊斷裂性能的措施。1）對(duì)于密實(shí)性陶瓷材料和玻璃而言：（1）.

20、提高材料強(qiáng)度，減小彈性模量E,使/E提高（2）.提高材料熱導(dǎo)率（3）.減小材料熱膨脹系數(shù)（4）.減小表面散熱系數(shù)（5）.減小產(chǎn)品有效厚度2）對(duì)于多孔，粗粒，干壓，和部分燒結(jié)制品 （1）根據(jù)R和R”使材料有較高的E和較低的，使材料有較低的彈性應(yīng)變能釋放率（2） 提高材料的斷裂表面能3.由于晶格振動(dòng)的作用，使合金的導(dǎo)電性隨溫度升高而普遍降低。兩種典型情況為：1）在較低溫度下，起因于晶格熱振動(dòng)的金屬電阻率正比于絕對(duì)金屬T的五次方；2）較高溫度下，純金屬及合金的電阻率隨T線性升高，這種情況在溫度T超出金屬德拜特征溫度的范圍內(nèi)都可以應(yīng)用4.一般磁化曲線分四個(gè)部分。第1部分是可逆磁化部分，此階段沒有剩磁和

21、磁滯；第2部分是不可逆壁移階段，此階段存在磁滯現(xiàn)象；第3部分是磁化矢量的轉(zhuǎn)動(dòng)過程，此階段隨著磁化場(chǎng)進(jìn)步增加，此舉轉(zhuǎn)動(dòng)到與外磁場(chǎng)一致方向，第4階段，磁體已磁化到技術(shù)飽和，此時(shí)磁化強(qiáng)度稱飽和磁化強(qiáng)度。5.簡(jiǎn)述磁化曲線的磁化過程處于磁中興狀態(tài)的強(qiáng)磁性體在外磁場(chǎng)作用下，其磁化狀態(tài)隨外磁場(chǎng)發(fā)生變化的過程。磁中性狀態(tài)是指材料處于磁感應(yīng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)同時(shí)為0的狀態(tài)。在這一過程中，反應(yīng)磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度或磁化強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度關(guān)系的曲線稱為磁化曲線。反磁化過程是指磁性材料沿一個(gè)方向磁化飽和后當(dāng)外磁場(chǎng)逐漸減小再沿相反方向逐漸增加時(shí)，其磁化狀態(tài)隨外磁場(chǎng)發(fā)生變化的過程。6.磁矩轉(zhuǎn)動(dòng)過程P128磁矩轉(zhuǎn)動(dòng)包括可逆轉(zhuǎn)動(dòng)和不可逆

22、轉(zhuǎn)動(dòng)。以單軸各向異性磁體為例分析如下：如圖（1）所示，磁疇在屋外磁場(chǎng)時(shí)，磁矩在易磁化方向0A，加磁場(chǎng)后，轉(zhuǎn)動(dòng)一定角度瑟塔0，設(shè)0A和磁場(chǎng)方向夾角 小于900，此時(shí)不論磁場(chǎng)強(qiáng)度的強(qiáng)弱如何，當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度減到0時(shí)，磁矩轉(zhuǎn)回到易磁化方向，為可逆轉(zhuǎn)動(dòng)；圖（2）所示， 900，當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度H從0增加， 也增加，當(dāng)H不大時(shí)，若將H減到0，磁矩轉(zhuǎn)回原來的易磁化方向，亦為可逆轉(zhuǎn)動(dòng)；當(dāng)磁場(chǎng)某個(gè)值H0之后，會(huì)一直轉(zhuǎn)向磁場(chǎng)方向，但由于OB方向磁晶各向異性等效場(chǎng)作用，會(huì)轉(zhuǎn)到圖（3）位置，此時(shí)如果H減到0，磁矩會(huì)轉(zhuǎn)到OB方向，不能回到原來0A，此為不可逆轉(zhuǎn)動(dòng)。7.電介質(zhì)極化類型1）電子位移極化：電場(chǎng)作用下，離子中的電子向反電

23、場(chǎng)方向移動(dòng)一個(gè)小距離，帶正點(diǎn)的原子核沿電場(chǎng)方向移動(dòng)更小一個(gè)距離，造成政府電荷中心分離形成電偶極子產(chǎn)生電子位移極化。2）離子位移極化：電場(chǎng)作用下，離子晶體中的正負(fù)離子在其平衡位置附近發(fā)生可逆性相對(duì)位移形成離子位移極化3）偶極子轉(zhuǎn)向極化4）熱離子極化：材料中存在相互束縛較弱的電子，離子，在電場(chǎng)作用下發(fā)生沿電場(chǎng)方向的躍遷運(yùn)動(dòng)而引起。5）空間電荷極化6）自發(fā)極化 由晶體內(nèi)部構(gòu)造造成8.鐵電體及壓電體的特性鐵電體是指在一定溫度范圍內(nèi)具有自發(fā)極化，并且自發(fā)極化方向課隨外電場(chǎng)作課逆轉(zhuǎn)動(dòng)的晶體，鐵電體具有種自發(fā)磁化和電滯回線。鐵電體：電滯回線 介電特性 非線性 自發(fā)極化壓電體：受到晶體結(jié)構(gòu)對(duì)稱性的制約，具有對(duì)

24、稱中心的晶體不可能有壓電效應(yīng)；必須是離子性晶體或離子團(tuán)組成的份子晶體。9.當(dāng)光線垂直入射時(shí)反射及入射情況P199當(dāng)光線垂直入射時(shí)， m為反射系數(shù)，此時(shí)光在界面上反射的多少取決于兩種介質(zhì)相對(duì)折射率n211）如果介質(zhì)1為空氣，認(rèn)為n1=1，n21=n2；2）如果n1和n2相差很大，界面反射損失就嚴(yán)重，；3）如果n1=n2，則m=0，因此在垂直入射情況下，幾乎無反射損失，以透射為主。10. 熱應(yīng)力里引起的材料破壞與哪些因素有關(guān)？1）材料的熱導(dǎo)率：越大，傳熱越快，熱應(yīng)力緩解越快，對(duì)熱穩(wěn)定越有利；2）材料尺寸越：薄的傳熱通道越短，容易很快使溫度均勻；3）材料的表面熱散速率：h越大，散熱越快，內(nèi)外溫差就越

25、大，熱應(yīng)力越大。11.共振吸收與自發(fā)輻射以及受激輻射定義以及異同點(diǎn)P212圖1） 共振吸收：由于特定電子能級(jí)之間的電子躍遷引起的，滿足能量守恒定律的光子被吸收的現(xiàn)象。共振吸收的大小與入射光強(qiáng)度成正比。2）受激輻射：光的照射下，根據(jù)能量守恒定律，產(chǎn)生的光子數(shù)與入射光強(qiáng)度成比例的現(xiàn)象。只有滿足能量守恒定律（hv=E2-E1)光的照射時(shí)才能發(fā)生。受激輻射的光子頻率，前進(jìn)方向以及相位都與入射光相同。3）自發(fā)輻射：沒有光照射時(shí)，處于E2能級(jí)的電子躍遷到E1，產(chǎn)生能量hv=E2-E1的光子的現(xiàn)象。12. 要活的激光發(fā)射，要滿足三個(gè)基本條件1）形成分布反轉(zhuǎn)，使得受激輻射占優(yōu)勢(shì)；2） 具有共振腔，以實(shí)現(xiàn)光量子

26、放大；3）至少達(dá)到閾值電流密度，使得增益至少等于損耗13.合金呈現(xiàn)形狀記憶效應(yīng)必備條件1）馬氏體相變是熱彈性的2）母體與馬氏體相變呈有序點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)3）馬氏體內(nèi)部亞結(jié)構(gòu)為孿晶4） 相變?cè)诰w學(xué)上具有完全可逆性14.氧化皮對(duì)界面及界面反應(yīng)的影響：1)直線規(guī)律:y=kt直線規(guī)律反應(yīng)表面氧化膜多少，不完整對(duì)金屬進(jìn)一步氧化無抑制作用2）簡(jiǎn)單拋物線規(guī)律：氧化反應(yīng)生成致密厚膜，對(duì)金屬保護(hù)作用3）對(duì)數(shù)規(guī)律：對(duì)銹皮及腐蝕進(jìn)一步抑制15.高溫抗蝕銹層條件：1）具備優(yōu)良化學(xué)穩(wěn)定性2）優(yōu)良相穩(wěn)定性3）結(jié)構(gòu)致密4）銹皮必須連續(xù)而均勻覆蓋于金屬表面5）銹皮必須牢固連接在金屬表面16.金屬抗高溫腐蝕合金化遵循原則1）合金元素選擇氧化后生成合金元素銹皮2）合金元素與基體金屬組成尖晶石結(jié)構(gòu)銹皮后取代抗蝕性低的基體金屬銹皮3）將微量元素固定于基體金屬銹皮中，借助微觀結(jié)構(gòu)缺陷變化提高金屬抗蝕性17.合金元素對(duì)氧化速率的影響：1）合金過剩性：加入