1、附件7：南昌大學本科生畢業設計（論文）書寫式樣一、頁面設置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,頁眉1.5cm,頁腳1.75cm，行間距1.35倍。二、目錄：“目錄”兩字小三號宋體加粗，目錄內容小四號宋體，頁碼數字對齊。三、頁眉和頁碼：頁眉和頁碼從中文摘要開始，頁眉為相應內容的標題，頁碼從中文摘要、Abstract、目錄用羅馬數字(I，II，III)編排，從正文第一章開始按照阿拉伯數字（1，2，3）編排。四、摘要1 中文摘要：標題小二號宋體加粗，“專業、學號、姓名、指導教師”五號宋體，“摘要”兩字四號宋體，摘要內容小四號宋體，“關鍵詞”三字小四號宋體加粗，2 英文摘

2、要：標題小二號Times New Roman 體加粗，“Abstract” 四號Times New Roman 體；“Abstract” 內容小四號Times New Roman 體，“Keyword”小四號Times New Roman 體加粗。五、正文：標題四號宋體，正文內容小四號宋體。六、圖表：圖表內容五號宋體。七、參考文獻：“參考文獻”四字四號宋體，參考文獻內容小四號宋體，其中英文用小四號Times New Roman 體。八、致謝：“致謝”兩字四號宋體，致謝內容小四號宋體。具體書寫式樣如下： 密級： 校名標識（cm）1.88×6.59，居中校名外文（大寫）Times New

3、 Roman，四號，居中 NANCHANG UNIVERSITYTimes New Roman，四號，居中宋體，30磅，居中 學 士 學 位 論 文 THESIS OF BACHELOR中文：宋體；數字：Times New Roman四號，居中（20 20 年）宋體，四號，居右頁面設置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，頁眉1.5cm,頁腳1.75cm ,1.35倍行距，應用于整篇文檔校徽標識（cm）3.33×3.33，居中宋體，三號，居中題 目 宋體，四號，居中注意線條長度一致學 院： 系 專業班級： 學生姓名： 學號： 指導教師： 職稱： 起訖日期：

4、 此頁可直接下載南 昌 大 學學士學位論文原創性申明本人鄭重申明：所呈交的論文是本人在導師的指導下獨立進行研究所取得的研究成果。除了文中特別加以標注引用的內容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經發表或撰寫的成果。對本文的研究作出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式表明。本人完全意識到本申明的法律后果由本人承擔。作者簽名： 日期：學位論文版權使用授權書本學位論文作者完全了解學校有關保留、使用學位論文的規定，同意學校保留并向國家有關部門或機構送交論文的復印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權南昌大學可以將本論文的全部或部分內容編入有關數據庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段

5、保存和匯編本學位論文。 保密，在 年解密后適用本授權書。本學位論文屬于 不保密。（請在以上相應方框內打“”）作者簽名： 日期：導師簽名： 日期：摘要頁眉：中文宋體，五號，居中宋體，小二號，居中III-族氮化物及其高亮度藍光宋體，五號，對齊居中LED外延片的MOCVD生長和性質研究專 業： 學 號：學生姓名： 指導教師： 標題：宋體，四號，兩端對齊，1.35倍行距內容：中文宋體，外文字符Times New Roman，小四，兩端對齊，1.35倍行距關鍵詞：“關鍵詞”三字加粗，關鍵詞用“；”分隔 摘要寬禁帶III族氮化物半導體材料在短波長高亮度發光器件、短波長激光器、光探測器以及高頻和大功率電子器

6、件等方面有著廣泛的應用前景。自1994年日本日亞化學工業公司率先在國際上突破了GaN基藍光LED外延材料生長技術以來，美、日等國十余家公司相繼報導掌握了這項關鍵技術，并分別實現了批量或小批量生產GaN基LED。盡管如此，這項高技術仍處于高度保密狀態，材料生長的關鍵思想及核心技術仍未公開，還無法從參考文獻及專利公報中獲取最重要的材料生長信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中的物理及化學問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學依據。本文在自制常壓MOCVD和英國進口MOCVD系統上對III族氮化物的生長機理進行了研究，對材料的性能進行了表征。通過設計并優化

7、外延片多層結構，生長的藍光LED外延片質量達到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創新和有意義的研究結果：1首次提出了采用偏離化學計量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實現。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結晶性能，使GaN基藍光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國家863計劃、國家自然科學基金以及教育部發光材料與器件工程研究中心項目的資助。關鍵詞：氮化物； MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光致發光；光透射譜 - 31 -Abstract頁眉：外

8、文Times New Roman，五號，居中Times New Roman，小二號，居中Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafersAbstract標題：Times New Roman，四號，兩端對齊，1.35倍行距內容：Times New Roman，小四，兩端對齊，1.35倍行距關鍵詞：“Keyword”三字加粗，關鍵詞用“；”分隔 GaN based - nitrides have potential applications on high brightn

9、ess LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides grow

10、th technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED

11、 wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrid

12、es growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The

13、 leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption目錄宋體，小三號，居中目錄摘要Abstract第一章 Ga

14、N基半導體材料及器件進展（多數文章為“緒論”）11 .1 III族氮化物材料及其器件的進展與應用11. 2 III族氮化物的基本結構和性質41. 3 摻雜和雜質特性121. 4 氮化物材料的制備131. 5 氮化物器件191. 6 GaN基材料與其它材料的比較221. 7 本論文工作的內容與安排24第二章 氮化物MOCVD生長系統和生長工藝31 2. 1 MOCVD材料生長機理31 2. 2本論文氮化物生長所用的MOCVD設備32目錄內容：中文宋體，英文和數字Times New Roman，小四頁碼編號：摘要,Abstract使用頁碼“I,II,”；正文開始使用頁碼“1,2,3,”；小節標題左

15、側縮進1字符；頁碼數字居中對齊 結論136參考文獻（References）138致謝150第一章 GaN基半導體材料及器件進展節標題：中文宋體，英文Times New Roman，四號居左章標題：中文宋體，英文Times New Roman，四號居中第一章 GaN基半導體材料及器件進展1 .1 III族氮化物材料及其器件的進展與應用正文文字：中文宋體，英文Times New Roman，小四，兩端對齊，段落首行左縮進2個漢字符，行距1.35倍（段落中有數學公式時，可根據表達需要設置該段的行距），段前0行，段后0行。 在科學技術的發展進程中，材料永遠扮演著重要角色。在與現代科技成就息息相關的千萬

16、種材料中，半導體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導體誕生于20世紀40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機的發明。以GaAs為代表的第二代半導體誕生于20世紀60年代，它們成為制作光電子器件的基礎。III族氮化物半導體材料及器件研究歷時30余年，前20年進展緩慢，后10年發展迅猛。由于III族氮化物特有的帶隙范圍，優良的光、電性質，優異的材料機械和化學性能，使得它在短波長光電子器件方面有著廣泛的應用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。III族氮化物半導體材料已引起了國內外眾多研究者的興趣。 表標題置于表的上方，中文宋體，英文Times New Ro

17、man ，五號加粗居中，表序與表名文字之間空一個漢字符寬度；內容：中文宋體，英文Times New Roman，五號，行距1.35。12 III族氮化物的基本結構和性質 表1-1 用不同技術得到的帶隙溫度系數、Eg0、ac和T0的值樣品類型實驗方法帶隙溫度系數dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻GaN/Al2O3光致發光-5.32´10-43.5035.08´10-4-99661GaN/Al2O3光致發光¾3.4897.32´10-470059GaN/Al2O3光致發光-4.0´10-4

18、90;-7.2´10-460062GaN/Al2O3光吸收-4.5´10-43.471-9.3´10-477263圖標題置于圖的下方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個漢字符寬度；內容：中文宋體，英文Times New Roman，五號，行距1.35。加熱電阻氣流測溫元件測溫元件圖1-1 熱風速計原理第二章 氮化物MOCVD生長系統和生長工藝第二章 氮化物MOCVD生長系統和生長工藝2.1 MOCVD材料生長機理轉換控制頻率信 號 源頻率控 制 器地址發生 器波形存儲 器轉換器濾波器頻率設置波形數據設置圖2-1 DDS方式AWG的工作流程參考文獻標題：中文宋體，四號，居中參考文獻1 WellMultiple-modulator fraction-n dividerPUS Patent，50381171986-02-02參考文獻內容：中文宋體，英文Times New Roman，四號，1.35倍行距，參考文獻應在文中相應地方按出現順序標引。2 B