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文檔簡介

1、3.2 氧化過程中雜質再分布氧化過程中雜質再分布3.2.1 影響的因素影響的因素 （1）雜質在）雜質在 界面附近的界面附近的分凝系數分凝系數 （2）雜質在氧化硅中的擴散系數：）雜質在氧化硅中的擴散系數：快擴散快擴散與與慢擴散慢擴散 （3）氧化過程中）氧化過程中 界面的界面的推進速率推進速率k 硅中雜質的平衡濃度氧化硅中雜質的平衡濃度2/si sio2/si siok黃君凱 教授3.2.2 再分布過程再分布過程 :在硅襯底深處的雜質平衡濃度在硅襯底深處的雜質平衡濃度 ; :在在 附近的雜質平衡濃度附近的雜質平衡濃度 結論結論 硅中的雜質再分布影響著工藝和性能硅中的雜質再分布影響著工藝和性能 （界

2、面陷阱特性、閾值電壓、接觸電阻等）（界面陷阱特性、閾值電壓、接觸電阻等）c圖圖3-10 熱氧化引起的雜質再分布過程熱氧化引起的雜質再分布過程bc2/si sio氧化物吸收雜質氧化物吸收雜質氧化物吸收雜質氧化物吸收雜質氧化物析出雜質氧化物析出雜質氧化物析出雜質氧化物析出雜質黃君凱 教授3.3 二氧化硅掩模特性二氧化硅掩模特性3.3.1 氧化硅膜特性氧化硅膜特性n 柵氧化膜：柵氧化膜：mosmos器件（器件（520 nm520 nm）n 選擇性掩模：阻擋高溫下雜質離子的擴散（選擇性掩模：阻擋高溫下雜質離子的擴散（0.51.0 mm0.51.0 mm）3.3.2 掩模特性（溫度和時間）掩模特性（溫度

3、和時間）表表3-1 中的擴散常數中的擴散常數2sio快擴散快擴散黃君凱 教授圖圖3-12 最小氧化硅掩模厚度最小氧化硅掩模厚度圖圖3-11 雜質在雜質在 中的擴散系數中的擴散系數2sio黃君凱 教授3.4 氧化層質量氧化層質量 : 晶向為晶向為 , 晶向為晶向為 : 晶向為晶向為 , 晶向為晶向為 : 氧化中加氯能固定鈉離子而減少污染氧化中加氯能固定鈉離子而減少污染mq圖圖3-13 熱氧化硅中電荷熱氧化硅中電荷fqitq1025 10 cm10210 cm11210 cm10210 cm黃君凱 教授3.5 氧化層厚度表征氧化層厚度表征3.5.1 比色法比色法 根據顏色表比照晶片顏色確定厚度。根據顏色表比照晶片顏色確定厚度。3.5.2 輪廓法輪廓法 通過輪廓儀拖動精細探針滑過薄膜層，由信號變化記通過輪廓儀拖動精細探針滑過薄膜層，由信號變化記 錄膜厚度。錄膜厚度。3.5

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