年產(chǎn)xxx萬片半導體芯片項目投資計劃書【模板范文】_第1頁
年產(chǎn)xxx萬片半導體芯片項目投資計劃書【模板范文】_第2頁
年產(chǎn)xxx萬片半導體芯片項目投資計劃書【模板范文】_第3頁
年產(chǎn)xxx萬片半導體芯片項目投資計劃書【模板范文】_第4頁
年產(chǎn)xxx萬片半導體芯片項目投資計劃書【模板范文】_第5頁
已閱讀5頁,還剩112頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、泓域咨詢 /年產(chǎn)xxx萬片半導體芯片項目投資計劃書年產(chǎn)xxx萬片半導體芯片項目投資計劃書xxx(集團)有限公司目錄第一章 緒論6一、 項目名稱及建設性質(zhì)6二、 項目承辦單位6三、 項目定位及建設理由7四、 報告編制說明8五、 項目建設選址10六、 項目生產(chǎn)規(guī)模10七、 建筑物建設規(guī)模11八、 環(huán)境影響11九、 原輔材料及設備11十、 項目總投資及資金構成12十一、 資金籌措方案12十二、 項目預期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標12十三、 項目建設進度規(guī)劃13第二章 項目建設背景、必要性15一、 半導體硅片行業(yè)競爭格局15二、 半導體硅片行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景16三、 半導體硅片行業(yè)市場供求狀況及變動原因20四、

2、 項目實施的必要性22第三章 市場分析23一、 半導體硅片行業(yè)技術水平及技術特點23二、 半導體硅片行業(yè)技術水平及技術特點24三、 影響半導體硅片行業(yè)發(fā)展的有利和不利因素26第四章 選址方案分析29一、 項目選址原則29二、 建設區(qū)基本情況29三、 創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展30四、 社會經(jīng)濟發(fā)展目標32五、 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向33六、 項目選址綜合評價34第五章 建設規(guī)模與產(chǎn)品方案35一、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容35二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領35第六章 發(fā)展規(guī)劃分析37一、 公司發(fā)展規(guī)劃37二、 保障措施41第七章 法人治理44一、 股東權利及義務44二、 董事46三、 高級管理人員51四、 監(jiān)事53第八章

3、運營管理56一、 公司經(jīng)營宗旨56二、 公司的目標、主要職責56三、 各部門職責及權限57四、 財務會計制度61第九章 原輔材料分析64一、 項目建設期原輔材料供應情況64二、 項目運營期原輔材料供應及質(zhì)量管理64第十章 進度規(guī)劃方案66一、 項目進度安排66二、 項目實施保障措施66第十一章 環(huán)境保護分析68一、 編制依據(jù)68二、 環(huán)境影響合理性分析69三、 建設期大氣環(huán)境影響分析69四、 建設期水環(huán)境影響分析71五、 建設期固體廢棄物環(huán)境影響分析71六、 建設期聲環(huán)境影響分析72七、 營運期環(huán)境影響72八、 環(huán)境管理分析74九、 結論及建議75第十二章 投資方案77一、 投資估算的依據(jù)和說

4、明77二、 建設投資估算78三、 建設期利息82四、 流動資金84五、 項目總投資85六、 資金籌措與投資計劃86第十三章 經(jīng)濟效益87一、 基本假設及基礎參數(shù)選取87二、 經(jīng)濟評價財務測算87三、 項目盈利能力分析91四、 財務生存能力分析94五、 償債能力分析94六、 經(jīng)濟評價結論96第十四章 項目招標及投標分析97一、 項目招標依據(jù)97二、 項目招標范圍97三、 招標要求97四、 招標組織方式100五、 招標信息發(fā)布101第十五章 項目綜合評價103第十六章 附表105第一章 緒論一、 項目名稱及建設性質(zhì)(一)項目名稱年產(chǎn)xxx萬片半導體芯片項目(二)項目建設性質(zhì)本項目屬于新建項目二、

5、項目承辦單位(一)項目承辦單位名稱xxx(集團)有限公司(二)項目聯(lián)系人孫xx(三)項目建設單位概況未來,在保持健康、穩(wěn)定、快速、持續(xù)發(fā)展的同時,公司以“和諧發(fā)展”為目標,踐行社會責任,秉承“責任、公平、開放、求實”的企業(yè)責任,服務全國。公司按照“布局合理、產(chǎn)業(yè)協(xié)同、資源節(jié)約、生態(tài)環(huán)保”的原則,加強規(guī)劃引導,推動智慧集群建設,帶動形成一批產(chǎn)業(yè)集聚度高、創(chuàng)新能力強、信息化基礎好、引導帶動作用大的重點產(chǎn)業(yè)集群。加強產(chǎn)業(yè)集群對外合作交流,發(fā)揮產(chǎn)業(yè)集群在對外產(chǎn)能合作中的載體作用。通過建立企業(yè)跨區(qū)域交流合作機制,承擔社會責任,營造和諧發(fā)展環(huán)境。本公司秉承“顧客至上,銳意進取”的經(jīng)營理念,堅持“客戶第一”

6、的原則為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務。公司堅持“責任+愛心”的服務理念,將誠信經(jīng)營、誠信服務作為企業(yè)立世之本,在服務社會、方便大眾中贏得信譽、贏得市場。“滿足社會和業(yè)主的需要,是我們不懈的追求”的企業(yè)觀念,面對經(jīng)濟發(fā)展步入快車道的良好機遇,正以高昂的熱情投身于建設宏偉大業(yè)。公司依據(jù)公司法等法律法規(guī)、規(guī)范性文件及公司章程的有關規(guī)定,制定并由股東大會審議通過了董事會議事規(guī)則,董事會議事規(guī)則對董事會的職權、召集、提案、出席、議事、表決、決議及會議記錄等進行了規(guī)范。 三、 項目定位及建設理由從全球市場來看,半導體硅片市場具有較高的壟斷性,少數(shù)主要廠商占據(jù)了絕大多數(shù)市場份額,掌握著先進的生產(chǎn)技術。上述壟斷性在

7、大尺寸半導體硅片市場更為明顯。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計,2017年全球半導體硅片銷售額前五名為日本Shin-Etsu、日本Sumco、臺灣GlobalWafer、德國Siltronic、韓國SKSiltron。全球前五大半導體硅片供應商的市場份額高達92%。綜合判斷,在經(jīng)濟發(fā)展新常態(tài)下,我區(qū)發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)并存,機遇大于挑戰(zhàn),發(fā)展形勢總體向好有利,將通過全面的調(diào)整、轉(zhuǎn)型、升級,步入發(fā)展的新階段。知識經(jīng)濟、服務經(jīng)濟、消費經(jīng)濟將成為經(jīng)濟增長的主要特征,中心城區(qū)的集聚、輻射和創(chuàng)新功能不斷強化,產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入新階段。四、 報告編制說明(一)報告編制依據(jù)1、中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展“十三五”規(guī)劃

8、綱要;2、建設項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)及使用手冊(第三版);3、工業(yè)可行性研究編制手冊;4、現(xiàn)代財務會計;5、工業(yè)投資項目評價與決策;6、國家及地方有關政策、法規(guī)、規(guī)劃;7、項目建設地總體規(guī)劃及控制性詳規(guī);8、項目建設單位提供的有關材料及相關數(shù)據(jù);9、國家公布的相關設備及施工標準。(二)報告編制原則1、項目建設必須遵循國家的各項政策、法規(guī)和法令,符合國家產(chǎn)業(yè)政策、投資方向及行業(yè)和地區(qū)的規(guī)劃。2、采用的工藝技術要先進適用、操作運行穩(wěn)定可靠、能耗低、三廢排放少、產(chǎn)品質(zhì)量好、安全衛(wèi)生。3、以市場為導向,以提高競爭力為出發(fā)點,產(chǎn)品無論在質(zhì)量性能上,還是在價格上均應具有較強的競爭力。4、項目建設必須高度重

9、視環(huán)境保護、工業(yè)衛(wèi)生和安全生產(chǎn)。環(huán)保、消防、安全設施和勞動保護措施必須與主體裝置同時設計,同時建設,同時投入使用。污染物的排放必須達到國家規(guī)定標準,并保證工廠安全運行和操作人員的健康。5、將節(jié)能減排與企業(yè)發(fā)展有機結合起來,正確處理企業(yè)發(fā)展與節(jié)能減排的關系,以企業(yè)發(fā)展提高節(jié)能減排水平,以節(jié)能減排促進企業(yè)更好更快發(fā)展。6、按照現(xiàn)代企業(yè)的管理理念和全新的建設模式進行規(guī)劃建設,要統(tǒng)籌考慮未來的發(fā)展,為今后企業(yè)規(guī)模擴大留有一定的空間。7、以經(jīng)濟救益為中心,加強項目的市場調(diào)研。按照少投入、多產(chǎn)出、快速發(fā)展的原則和項目設計模式改革要求,盡可能地節(jié)省項目建設投資。在穩(wěn)定可靠的前提下,實事求是地優(yōu)化各成本要素,

10、最大限度地降低項目的目標成本,提高項目的經(jīng)濟效益,增強項目的市場競爭力。8、以科學、實事求是的態(tài)度,公正、客觀的反映本項目建設的實際情況,工程投資堅持“求是、客觀”的原則。(二) 報告主要內(nèi)容報告是以該項目建設單位提供的基礎資料和國家有關法令、政策、規(guī)程等以及該項目相關內(nèi)外部條件、城市總體規(guī)劃為基礎,針對項目的特點、任務與要求,對該項目建設工程的建設背景及必要性、建設內(nèi)容及規(guī)模、市場需求、建設內(nèi)外部條件、項目工程方案及環(huán)境保護、項目實施進度計劃、投資估算及資金籌措、經(jīng)濟效益及社會效益、項目風險等方面進行全面分析、測算和論證,以確定該項目建設的可行性、效益的合理性。五、 項目建設選址本期項目選址

11、位于xx園區(qū),占地面積約91.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越,交通便利,規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備,非常適宜本期項目建設。六、 項目生產(chǎn)規(guī)模項目建成后,形成年產(chǎn)xx萬片半導體芯片的生產(chǎn)能力。七、 建筑物建設規(guī)模本期項目建筑面積102272.44,其中:生產(chǎn)工程70744.15,倉儲工程8748.78,行政辦公及生活服務設施13667.63,公共工程9111.88。八、 環(huán)境影響該項目在建設過程中,必須嚴格按照國家有關建設項目環(huán)保管理規(guī)定,建設項目須配套建設的環(huán)境保護設施必須與主體工程同時設計、同時施工、同時投產(chǎn)使用。各類污染物的排放應執(zhí)行環(huán)保行政管理部門批復的標準。九、 原

12、輔材料及設備(一)項目主要原輔材料該項目主要原輔材料包括藍寶石襯底、三甲基鎵、三乙基鎵、三甲基鋁、三甲基銦、二茂基鎂、二氧化鈦、鉑、鋁、氧化銦錫、緩沖氧化蝕、刻劑、丙酮、異丙醇、光刻膠、顯影劑、去膠液、銀膠、硝酸。(二)主要設備主要設備包括:光刻機、勻膠機、打膠機、顯影設備、金相顯微鏡、拍照顯微鏡、清洗機、氮化、甩干機、金屬蒸發(fā)臺、快速退火爐、電感耦合等離子刻蝕機、退火爐、NANO膜厚儀、四探針。十、 項目總投資及資金構成(一)項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算,項目總投資42004.86萬元,其中:建設投資34326.42萬元,占項目總投資的

13、81.72%;建設期利息741.21萬元,占項目總投資的1.76%;流動資金6937.23萬元,占項目總投資的16.52%。(二)建設投資構成本期項目建設投資34326.42萬元,包括工程費用、工程建設其他費用和預備費,其中:工程費用29228.85萬元,工程建設其他費用4180.25萬元,預備費917.32萬元。十一、 資金籌措方案本期項目總投資42004.86萬元,其中申請銀行長期貸款15126.79萬元,其余部分由企業(yè)自籌。十二、 項目預期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標(一)經(jīng)濟效益目標值(正常經(jīng)營年份)1、營業(yè)收入(SP):79600.00萬元。2、綜合總成本費用(TC):65279.09萬元。3、

14、凈利潤(NP):10474.38萬元。(二)經(jīng)濟效益評價目標1、全部投資回收期(Pt):6.25年。2、財務內(nèi)部收益率:17.97%。3、財務凈現(xiàn)值:14294.25萬元。十三、 項目建設進度規(guī)劃本期項目按照國家基本建設程序的有關法規(guī)和實施指南要求進行建設,本期項目建設期限規(guī)劃24個月。十四、項目綜合評價經(jīng)分析,本期項目符合國家產(chǎn)業(yè)相關政策,項目建設及投產(chǎn)的各項指標均表現(xiàn)較好,財務評價的各項指標均高于行業(yè)平均水平,項目的社會效益、環(huán)境效益較好,因此,項目投資建設各項評價均可行。建議項目建設過程中控制好成本,制定好項目的詳細規(guī)劃及資金使用計劃,加強項目建設期的建設管理及項目運營期的生產(chǎn)管理,特別

15、是加強產(chǎn)品生產(chǎn)的現(xiàn)金流管理,確保企業(yè)現(xiàn)金流充足,同時保證各產(chǎn)業(yè)鏈及各工序之間的銜接,控制產(chǎn)品的次品率,贏得市場和打造企業(yè)良好發(fā)展的局面。表格題目主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積60667.00約91.00畝1.1總建筑面積102272.44容積率1.691.2基底面積34580.19建筑系數(shù)57.00%1.3投資強度萬元/畝355.562總投資萬元42004.862.1建設投資萬元34326.422.1.1工程費用萬元29228.852.1.2工程建設其他費用萬元4180.252.1.3預備費萬元917.322.2建設期利息萬元741.212.3流動資金萬元6937.233資金

16、籌措萬元42004.863.1自籌資金萬元26878.073.2銀行貸款萬元15126.794營業(yè)收入萬元79600.00正常運營年份5總成本費用萬元65279.096利潤總額萬元13965.847凈利潤萬元10474.388所得稅萬元3491.469增值稅萬元2958.8910稅金及附加萬元355.0711納稅總額萬元6805.4212工業(yè)增加值萬元23461.5113盈虧平衡點萬元29131.62產(chǎn)值14回收期年6.25含建設期24個月15財務內(nèi)部收益率17.97%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元14294.25所得稅后第二章 項目建設背景、必要性一、 半導體硅片行業(yè)競爭格局1、全球市場情況從全

17、球市場來看,半導體硅片市場具有較高的壟斷性,少數(shù)主要廠商占據(jù)了絕大多數(shù)市場份額,掌握著先進的生產(chǎn)技術。上述壟斷性在大尺寸半導體硅片市場更為明顯。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計,2017年全球半導體硅片銷售額前五名為日本Shin-Etsu、日本Sumco、臺灣GlobalWafer、德國Siltronic、韓國SKSiltron。全球前五大半導體硅片供應商的市場份額高達92%。2、我國市場情況從我國市場來看,由于我國從20世紀90年代才逐步開始加大對半導體產(chǎn)業(yè)的投入力度,同國外發(fā)達國家相比整體起步較晚,長期以來,我國半導體硅片供應商主要生產(chǎn)6英寸及以下半導體硅片,以滿足國內(nèi)需求,市場格局較為穩(wěn)定。

18、而近年來,大尺寸半導體硅片國產(chǎn)化成為我國半導體領域的重要戰(zhàn)略目標和努力方向,國內(nèi)企業(yè)在8英寸半導體硅片生產(chǎn)方面與國際先進水平的差距已得到較大程度的縮小,但12英寸半導體硅片由于核心工藝技術難度更高,尚無法實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。根據(jù)ICMtia統(tǒng)計,目前國內(nèi)從事硅材料業(yè)務的公司主要包括浙江金瑞泓、有研半導體、中環(huán)股份、南京國盛、上海新昇、上海新傲、河北普興、昆山中辰等十余家。截至2018年底,浙江金瑞泓具備月產(chǎn)12萬片8英寸硅拋光片的生產(chǎn)能力,衢州金瑞泓正在建設的集成電路用8英寸硅片項目將增加月產(chǎn)能10萬片;中環(huán)股份已實現(xiàn)月產(chǎn)30萬片8英寸硅拋光片的生產(chǎn)能力;有研半導體具備月產(chǎn)10萬片8英寸硅片的生產(chǎn)

19、能力,在建8英寸硅片生產(chǎn)線月產(chǎn)能將達到15萬片。國產(chǎn)8英寸半導體硅片的量產(chǎn)在一定程度上緩解了我國對相關產(chǎn)品進口的依賴,彌補了國內(nèi)技術上的空白,同時縮小了中國半導體硅片行業(yè)與世界先進水平之間的差距,在振興民族半導體工業(yè)的發(fā)展目標上邁下重要一步。目前,雖然我國12英寸半導體硅片僅有個別企業(yè)初步實現(xiàn)量產(chǎn),但整體來看,我國半導體硅片行業(yè)已取得了長足的發(fā)展。上海新昇等國內(nèi)半導體硅片企業(yè)正在進行國產(chǎn)12英寸半導體硅片的產(chǎn)業(yè)化工作,有望在未來實現(xiàn)12英寸半導體硅片的大規(guī)模量產(chǎn)。綜上,半導體硅片市場在全球范圍內(nèi)具有較高的壟斷性,國內(nèi)本土企業(yè)之間的市場競爭相對充分。未來在政策支持和國內(nèi)部分企業(yè)的帶動下,我國在半

20、導體硅片、特別是大尺寸半導體硅片領域?qū)⒉粩嗫s小與國際領先水平之間的差距。二、 半導體硅片行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景1、半導體硅片簡介目前,全球半導體材料已經(jīng)發(fā)展到第三代,包括以硅(Si)、鍺(Ge)等為代表的第一代元素半導體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等為代表的第二代化合物半導體材料,以及以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的第三代寬禁帶半導體材料。硅材料因其具有單方向?qū)щ娞匦浴崦籼匦浴⒐怆娞匦浴诫s特性等優(yōu)良性能,可以生長為大尺寸高純度晶體,且儲量豐富、價格低廉,故而成為全球應用最廣泛、最重要的半導體基礎材料。目前全球半導體市場中,90%以上的芯片和傳感器都是基于硅材料制造

21、而成。在自然界中,硅主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在于礦物、巖石中。二氧化硅經(jīng)過化學提純,成為多晶硅。多晶硅根據(jù)其純度由低到高,一般可以分為冶金級、太陽能級和電子級。其中,電子級多晶硅的硅含量最高,一般要求達到99.9999999%至99.999999999%(9-11個9),也是生產(chǎn)半導體硅片的基礎原料。電子級多晶硅通過在單晶爐內(nèi)的培育生長,生成硅單晶錠,這個過程稱為晶體生長。半導體硅片則是指由硅單晶錠切割而成的薄片,又稱硅晶圓(SiliconWafer)。通過在半導體硅片上進行加工制作,從而形成各種電路元件結構,可以使其成為有特定功能的集成電路或分立器件產(chǎn)品。作為生產(chǎn)制造各類半導體產(chǎn)品的載

22、體,半導體硅片是半導體行業(yè)最核心的基礎產(chǎn)品。總體而言,半導體硅片可以按照尺寸、工藝等方式進行劃分。按照尺寸劃分,一般可分為12英寸(300mm)、8英寸(200mm)、6英寸(150mm)、5英寸(125mm)、4英寸(100mm)等規(guī)格;按照工藝劃分,一般可分為硅研磨片、硅拋光片、硅外延片等,其中以硅拋光片和硅外延片為主。硅研磨片是指對硅單晶錠進行切割、研磨等加工得到的厚度小于1mm的圓形晶片,是制作硅拋光片及硅外延片的中間產(chǎn)品,也可以用于制作分立器件芯片。硅拋光片由硅研磨片經(jīng)過后續(xù)拋光、清洗等精密加工而成,主要應用于集成電路和分立器件制造。硅拋光片按照摻雜程度不同分為輕摻硅拋光片和重摻硅拋

23、光片,摻雜元素的摻入量越大,硅拋光片的電阻率越低。輕摻硅拋光片廣泛應用于大規(guī)模集成電路的制造,也有部分用作硅外延片的襯底材料。重摻硅拋光片一般用作硅外延片的襯底材料。硅外延片是指在硅單晶襯底上外延生長一層或多層硅單晶薄膜的材料,用于制造半導體分立器件和集成電路。根據(jù)襯底片的摻雜濃度不同,分為輕摻雜襯底外延片和重摻雜襯底外延片。前者通過生長高質(zhì)量的外延層,可以提高CMOS柵氧化層完整性、改善溝道漏電、提高集成電路可靠性,后者結合了重摻雜襯底片和外延層的特點,在保證器件反向擊穿電壓的同時又能有效降低器件的正向功耗。2、全球半導體硅片市場現(xiàn)狀及前景近年來,全球半導體硅片市場存在一定的波動。2009年

24、,受經(jīng)濟危機的影響,全球半導體硅片市場規(guī)模急劇下滑,出貨量下降;2010至2013年,半導體硅片市場隨全球經(jīng)濟逐漸復蘇而反彈,同時12英寸大尺寸半導體硅片技術逐漸普及;2014年至今,受益于通信、計算機、汽車產(chǎn)業(yè)、消費電子、光伏產(chǎn)業(yè)、智能電網(wǎng)、醫(yī)療電子等應用領域需求帶動以及人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的崛起,全球半導體硅片出貨量呈現(xiàn)上升趨勢,直至2019年度出現(xiàn)小幅回落。根據(jù)SEMI統(tǒng)計,全球半導體硅片市場規(guī)模在2018年大幅增長至113.8億美元后出現(xiàn)小幅回調(diào),2019年為111.5億美元,預期2020年將達到114.6億美元。從行業(yè)整體來看,根據(jù)WSTS統(tǒng)計,2018年全球半導體市場規(guī)模達到

25、4,687.78億美元,同比增長13.7%;在2019年回落至與2017年相當水平,為4,123.07億美元,同比下降12.0%。根據(jù)WSTS預測,2020年至2021年,全球半導體規(guī)模仍將保持增長趨勢,預計增速分別為3.3%和6.2%。從2009年起,12英寸(300mm)半導體硅片逐漸成為全球硅片市場的主流產(chǎn)品,產(chǎn)量明顯呈增長趨勢,預計到2020年將占市場的75%以上。到2018年,邏輯電路和存儲器占據(jù)了全球半導體市場規(guī)模的一半以上,存儲器連續(xù)兩年貢獻了全球半導體市場規(guī)模的主要增量,該等部分應用領域已主要采用12英寸半導體硅片進行生產(chǎn)。考慮到在模擬芯片、傳感器及功率器件等領域,用8英寸硅片

26、制作成本最低,2011年以來,8英寸(200mm)半導體硅片出貨量逐年穩(wěn)定上升。6英寸(150mm)及以下尺寸半導體硅片的出貨量相對穩(wěn)定,但占全球硅片出貨量的比例不斷下降。3、我國半導體硅片市場現(xiàn)狀及前景自2014年以來,我國半導體硅片市場規(guī)模呈穩(wěn)定上升趨勢。根據(jù)ICMtia統(tǒng)計,2018年中國半導體硅片市場需求為172.1億元,預計2019、2020年的市場需求將分別達到176.3億元、201.8億元,2014年至2019年的復合增長率為13.74%。根據(jù)ICMtia統(tǒng)計,2018年我國半導體硅片年產(chǎn)能達到2,393百萬平方英寸,其中12英寸硅片產(chǎn)能約201百萬平方英寸,8英寸硅片產(chǎn)能約87

27、0百萬平方英寸,6英寸硅片產(chǎn)能約886百萬平方英寸,5英寸及以下硅片產(chǎn)能約436百萬平方英寸。6英寸及以下尺寸硅片產(chǎn)能占總產(chǎn)能比重為55.24%,仍是目前國內(nèi)市場的主要產(chǎn)品。未來隨著我國半導體硅片制造企業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)能力不斷提升、國際化程度不斷提高,預計我國8英寸及以上半導體硅片的產(chǎn)能將會有較大的提升。三、 半導體硅片行業(yè)市場供求狀況及變動原因半導體硅片是重要的半導體基礎材料,處于半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游,其需求狀況主要取決于產(chǎn)業(yè)鏈下游集成電路、分立器件等主要產(chǎn)品及其終端市場的拉動,供給主要受行業(yè)市場需求和技術水平的影響。1、行業(yè)需求情況從需求來看,通信、計算機、汽車產(chǎn)業(yè)、消費電子、光伏產(chǎn)業(yè)、智能電網(wǎng)、

28、醫(yī)療電子等終端應用領域的快速發(fā)展以及人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的崛起極大地促進了集成電路和分立器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,進而帶動對上游半導體硅片需求的快速提升。近年來,我國集成電路和分立器件市場規(guī)模持續(xù)擴大,根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計及預測,2018年我國集成電路行業(yè)銷售額為6,532億元,同比增長20.71%;2018年中國半導體分立器件產(chǎn)業(yè)銷售收入達2,716億元,同比增長9.79%。2018年中國半導體硅片市場需求為172.1億元,預計2019、2020年將分別達到176.3億元、201.8億元。2、行業(yè)供給情況從供給來看,我國6英寸及以下半導體硅片市場發(fā)展時間較長,技術較為成熟,因而近年來6英寸

29、及以下半導體硅片的整體供給能力未出現(xiàn)明顯變化,供給格局較為穩(wěn)定。在8英寸半導體硅片方面,國內(nèi)僅有少數(shù)廠商掌握8英寸半導體硅片量產(chǎn)技術,供給能力較為有限,國內(nèi)供給難以滿足自身需求,缺口部分從國外進口。在12英寸半導體硅片方面,國內(nèi)企業(yè)尚未能實現(xiàn)量產(chǎn),主要靠進口來滿足國內(nèi)需求。四、 項目實施的必要性(一)提升公司核心競爭力項目的投資,引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負債結構,補充流動資金將提高公司應對短期流動性壓力的能力,降低公司財務費用水平,提升公司盈利能力,促進公司的進一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領先的產(chǎn)業(yè)服務商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持,提高公司核心競爭力。第三章 市場分析一、

30、 半導體硅片行業(yè)技術水平及技術特點半導體硅片的核心工藝包括單晶工藝、成型工藝、拋光工藝、外延工藝等,技術專業(yè)化程度頗高。其中,單晶工藝是指原材料多晶硅通過單晶爐中的晶體生長后形成硅單晶錠的過程,技術難度較大;成型工藝是指切割、倒角、磨片、酸堿腐蝕后形成硅單晶片的過程;拋光工藝和外延工藝分別指通過拋光工序和外延生長工序最終形成硅拋光片、硅外延片的過程。1、增大半導體硅片的尺寸半導體硅片的大尺寸化是集成電路廠商降低生產(chǎn)成本、提高芯片收得率和提升芯片性能的主要手段,但大尺寸硅片的工藝路線和機器設備均有所不同,因而帶來了更高的技術難度。日本、美國、德國等國家的先進半導體硅片生產(chǎn)企業(yè)對于12英寸半導體硅

31、片的生產(chǎn)技術已較為成熟。在此基礎上,上述國際先進半導體硅片生產(chǎn)企業(yè)正在積極研發(fā)12英寸以上更大尺寸的半導體硅片,目前研發(fā)水平已經(jīng)達到18英寸。2、減少半導體硅片晶體缺陷、表面顆粒和雜質(zhì)隨著集成電路集成度的不斷提高,其加工線寬逐步縮小,從而對半導體硅片的晶體缺陷控制,以及半導體硅片的加工、清洗、包裝、儲運工作提出了更高的要求,特別是對表面附著顆粒和鐵、銅、鉻、鎳、鋁、鈉等微量金屬雜質(zhì)都要求控制在目前分析技術的檢測極限以下,難度較大。3、提高半導體硅片表面平整度、應力和機械強度等硅片的局部平整度一般要求為設計線寬的三分之二,目前的后續(xù)加工工藝要求半導體硅片表面達到更大的平整度,并且半導體硅片應力不

32、能過分集中、機械強度需達到更高標準,從而使得半導體器件的穩(wěn)定性和可靠性得到保證。此外,根據(jù)器件工藝的需要,半導體器件廠商也會對半導體硅片表面和內(nèi)部結晶特性以及氧含量提出特殊的要求。二、 半導體硅片行業(yè)技術水平及技術特點半導體硅片的核心工藝包括單晶工藝、成型工藝、拋光工藝、外延工藝等,技術專業(yè)化程度頗高。其中,單晶工藝是指原材料多晶硅通過單晶爐中的晶體生長后形成硅單晶錠的過程,技術難度較大;成型工藝是指切割、倒角、磨片、酸堿腐蝕后形成硅單晶片的過程;拋光工藝和外延工藝分別指通過拋光工序和外延生長工序最終形成硅拋光片、硅外延片的過程。1、增大半導體硅片的尺寸半導體硅片的大尺寸化是集成電路廠商降低生

33、產(chǎn)成本、提高芯片收得率和提升芯片性能的主要手段,但大尺寸硅片的工藝路線和機器設備均有所不同,因而帶來了更高的技術難度。日本、美國、德國等國家的先進半導體硅片生產(chǎn)企業(yè)對于12英寸半導體硅片的生產(chǎn)技術已較為成熟。在此基礎上,上述國際先進半導體硅片生產(chǎn)企業(yè)正在積極研發(fā)12英寸以上更大尺寸的半導體硅片,目前研發(fā)水平已經(jīng)達到18英寸。2、減少半導體硅片晶體缺陷、表面顆粒和雜質(zhì)隨著集成電路集成度的不斷提高,其加工線寬逐步縮小,從而對半導體硅片的晶體缺陷控制,以及半導體硅片的加工、清洗、包裝、儲運工作提出了更高的要求,特別是對表面附著顆粒和鐵、銅、鉻、鎳、鋁、鈉等微量金屬雜質(zhì)都要求控制在目前分析技術的檢測極

34、限以下,難度較大。3、提高半導體硅片表面平整度、應力和機械強度等硅片的局部平整度一般要求為設計線寬的三分之二,目前的后續(xù)加工工藝要求半導體硅片表面達到更大的平整度,并且半導體硅片應力不能過分集中、機械強度需達到更高標準,從而使得半導體器件的穩(wěn)定性和可靠性得到保證。此外,根據(jù)器件工藝的需要,半導體器件廠商也會對半導體硅片表面和內(nèi)部結晶特性以及氧含量提出特殊的要求。三、 影響半導體硅片行業(yè)發(fā)展的有利和不利因素1、有利因素(1)國家產(chǎn)業(yè)政策的支持半導體硅片行業(yè)是我國重點鼓勵、扶持發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。作為我國實施制造強國戰(zhàn)略第一個十年的行動綱領,中國制造2025明確指出,針對核心基礎零部件(元器件)、先進基礎

35、工藝、關鍵基礎材料和產(chǎn)業(yè)技術基礎(統(tǒng)稱“四基”)等工業(yè)基礎能力薄弱現(xiàn)狀,著力破解制約重點產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。到2020年,40%的核心基礎零部件、關鍵基礎材料實現(xiàn)自主保障,受制于人的局面逐步緩解,到2025年,70%的核心基礎零部件、關鍵基礎材料實現(xiàn)自主保障,80種標志性先進工藝得到推廣應用,部分達到國際領先水平。而工業(yè)“四基”發(fā)展目 錄(2016年版)將8英寸、12英寸集成電路硅片列為新一代信息技術領域關鍵基礎材料的首位。半導體硅片行業(yè)作為振興民族半導體工業(yè)、促進國民經(jīng)濟轉(zhuǎn)型的重要一環(huán),各監(jiān)管部門通過制定產(chǎn)業(yè)政策和頒布法律法規(guī),從鼓勵產(chǎn)業(yè)發(fā)展、支持研究開發(fā)、加強人才培養(yǎng)、保護知識產(chǎn)權等各方面,對

36、半導體硅片行業(yè)發(fā)展給予了大力扶持,并成立了國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,積極推動大尺寸半導體硅片的國產(chǎn)化進程。(2)國際半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的影響二十一世紀以來,國際半導體產(chǎn)業(yè)開始向亞洲發(fā)展中國家特別是中國大陸轉(zhuǎn)移。根據(jù)WSTS統(tǒng)計,2019年全球半導體市場規(guī)模為4,123.07億美元,其中中國大陸半導體市場規(guī)模占比三成以上,是目前全球最大的集成電路和分立器件市場。伴隨著下游市場的蓬勃發(fā)展,國際半導體產(chǎn)能也正加速向中國大陸轉(zhuǎn)移,幾乎所有國際大型半導體公司均在中國大陸進行布局,與此同時國際半導體專業(yè)人才也正在流向中國大陸。中國大陸已經(jīng)成為半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的需求中心和產(chǎn)能中心,國內(nèi)半導體硅片生產(chǎn)企業(yè)面臨廣闊發(fā)

37、展空間。(3)產(chǎn)品格局的轉(zhuǎn)換伴隨著硅片大尺寸化發(fā)展趨勢,半導體硅片的產(chǎn)品格局正在發(fā)生變化。目前,國際市場上12英寸半導體硅片主要用于邏輯電路、存儲器等半導體產(chǎn)品,而在模擬芯片、傳感器及功率器件等領域,仍以8英寸半導體硅片為主,8英寸及以下的半導體硅片市場需求也十分旺盛。由于發(fā)達國家主要對12英寸半導體硅片進行投資,6至8英寸半導體硅片已不再新增產(chǎn)能,這為我國硅片生產(chǎn)企業(yè)占領8英寸及以下半導體硅片市場份額提供了機會。2、不利因素(1)國際壟斷已經(jīng)形成從全球市場來看,半導體硅片市場具有較高的壟斷性,日本、德國、中國臺灣等少數(shù)國家和地區(qū)的少數(shù)主要廠商占據(jù)了絕大多數(shù)市場份額,掌握著先進的生產(chǎn)技術,特別

38、是大尺寸半導體硅片的生產(chǎn)技術,且不輕易進行技術輸出。這種格局不利于我國半導體硅片生產(chǎn)企業(yè)追趕先進技術水平、搶奪市場份額以及提升國際競爭力。(2)產(chǎn)業(yè)基礎薄弱我國半導體硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步較晚,在關鍵設備與硅單晶拉制、拋光、外延等核心技術上與國際先進水平存在較大差距。經(jīng)過國內(nèi)企業(yè)的多年努力,我國半導體硅片行業(yè)的技術水平有了顯著提高,但整體而言與國際先進水平相比還存在一定差距。資金、技術、人才等壁壘也在很大程度上限制了我國半導體硅片行業(yè)的發(fā)展。此外,國內(nèi)半導體硅片企業(yè)較為分散,與國外企業(yè)相比單體實力薄弱、科研投入有限,尚未能形成具有國際競爭力的企業(yè)。總體而言,我國半導體硅片產(chǎn)業(yè)仍處于成長期,仍需要大量

39、的資源投入和時間積累形成堅實的產(chǎn)業(yè)基礎。第四章 選址方案分析一、 項目選址原則1、符合城鄉(xiāng)規(guī)劃和相關標準規(guī)范的原則。2、符合產(chǎn)業(yè)政策、環(huán)境保護、耕地保護和可持續(xù)發(fā)展的原則。3、有利于產(chǎn)業(yè)發(fā)展、城鄉(xiāng)功能完善和城鄉(xiāng)空間資源合理配置與利用的原則。4、保障公共利益、改善人居環(huán)境的原則。5、保證城鄉(xiāng)公共安全和項目建設安全的原則。6、經(jīng)濟效益、社會效益、環(huán)境效益相互協(xié)調(diào)的原則。二、 建設區(qū)基本情況區(qū)域生產(chǎn)總值增長xx%,固定資產(chǎn)投資增長xx%,社會消費品零售總額增長xx%,貨物進出口總額增長xx%,全體居民人均可支配收入增長xx%,城鎮(zhèn)登記失業(yè)率xx%。綜合分析各種有利和不利因素,經(jīng)充分征求意見、深入論證

40、和慎重研究,區(qū)域生產(chǎn)總值增長目標確定為xx%左右。到“十三五”末,力爭實現(xiàn)經(jīng)濟增長、發(fā)展質(zhì)量效益、生態(tài)環(huán)境在省市爭先進位;地區(qū)生產(chǎn)總值比2010年增加1.5倍以上、城鄉(xiāng)居民人均可支配收入比2010年增加1.5倍以上;是到2020年確保如期全面建成小康社會。“十三五”時期,我區(qū)發(fā)展面臨諸多機遇和有利條件。我國經(jīng)濟長期向好的基本面沒有改變,發(fā)展仍然處于重要戰(zhàn)略機遇期的重大判斷沒有改變,但戰(zhàn)略機遇期的內(nèi)涵發(fā)生深刻變化,正在由原來加快發(fā)展速度的機遇轉(zhuǎn)變?yōu)榧涌旖?jīng)濟發(fā)展方式轉(zhuǎn)變的機遇,正在由原來規(guī)模快速擴張的機遇轉(zhuǎn)變?yōu)樘岣甙l(fā)展質(zhì)量和效益的機遇,我區(qū)推動轉(zhuǎn)型發(fā)展契合發(fā)展大勢。“十三五”時期,我區(qū)發(fā)展也面臨一

41、些困難和挑戰(zhàn)。從宏觀形勢看,世界經(jīng)濟仍然處于復蘇期,發(fā)展形勢復雜多變,國內(nèi)經(jīng)濟下行壓力加大,傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)面臨重大變革,區(qū)域競爭更加激烈,要素成本不斷提高,我區(qū)發(fā)展將不斷面臨新形勢、新情況和新挑戰(zhàn)。從自身來看,我區(qū)仍處于產(chǎn)業(yè)培育的“關鍵期”、社會穩(wěn)定的“敏感期”和轉(zhuǎn)型發(fā)展的“攻堅期”,有很多經(jīng)濟社會發(fā)展問題需要解決,特別是經(jīng)濟總量不夠大、產(chǎn)業(yè)結構不夠優(yōu)、重構支柱產(chǎn)業(yè)體系任重道遠,資源瓶頸制約依然突出、創(chuàng)新要素基礎薄弱、發(fā)展動力不足等問題亟需突破,維護安全穩(wěn)定壓力較大,保障和改革民生任務較重。三、 創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展整合區(qū)域創(chuàng)新資源和要素,推動創(chuàng)新要素合理流動,著力構建協(xié)同有序、優(yōu)勢互補、科學高效的區(qū)域創(chuàng)新

42、體系。(一)加快建設國家自主創(chuàng)新示范區(qū)全面提升自主創(chuàng)新能力,實施提升持續(xù)創(chuàng)新能力、高水平創(chuàng)新型園區(qū)建設、高成長性創(chuàng)新型企業(yè)培育、高附加值創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展、推進開放創(chuàng)新、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài)體系建設六大行動,建設創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展引領區(qū)。全面深化科技體制改革,積極落實先行先試政策,著力在深化科技體制改革、建設新型科研機構、科技資源開放共享、區(qū)域協(xié)同創(chuàng)新等方面率先突破,建設深化科技體制改革試驗區(qū)。全面推進區(qū)域協(xié)同創(chuàng)新,形成高效合作、協(xié)同有序的創(chuàng)新體系,建設區(qū)域創(chuàng)新一體化先行區(qū)。(二)加強創(chuàng)新型城市和創(chuàng)新型園區(qū)建設強化城市創(chuàng)新功能,推動創(chuàng)新要素集聚,建立區(qū)域創(chuàng)新合作聯(lián)動平臺,建設具有國際競爭力的創(chuàng)新型城市群。推

43、動高新區(qū)管理體制機制改革創(chuàng)新,強化綜合服務功能和科技創(chuàng)新促進功能。推動科技園區(qū)體制創(chuàng)新、科技創(chuàng)新、功能創(chuàng)新,建設集知識創(chuàng)造、技術創(chuàng)新和新興產(chǎn)業(yè)培育為一體的創(chuàng)新核心區(qū)。統(tǒng)籌推進大學科技園、科技產(chǎn)業(yè)園、科技創(chuàng)業(yè)園、留學回國人員創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園、科技企業(yè)孵化器(加速器)、創(chuàng)業(yè)特別社區(qū)等創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)載體建設。(三)推進區(qū)域協(xié)同創(chuàng)新探索人才、技術、成果、資本等創(chuàng)新要素統(tǒng)籌配置的新模式,提高區(qū)域創(chuàng)新體系整體效能。加快推進創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展,更好地支撐引領全省經(jīng)濟轉(zhuǎn)型升級。積極引導蘇中地區(qū)更大力度集聚創(chuàng)新要素、培育特色產(chǎn)業(yè),形成創(chuàng)新發(fā)展新優(yōu)勢。推動創(chuàng)新要素合理流動和高效組合,鼓勵高新區(qū)跨區(qū)域創(chuàng)新合作與產(chǎn)業(yè)整合。四、 社會經(jīng)

44、濟發(fā)展目標建設高質(zhì)高效、持續(xù)發(fā)展的經(jīng)濟發(fā)展強市。經(jīng)濟保持平穩(wěn)較快增長,產(chǎn)業(yè)結構優(yōu)化升級,實體經(jīng)濟不斷壯大,質(zhì)量效益明顯提高。創(chuàng)新驅(qū)動成為經(jīng)濟社會發(fā)展的主要動力,科技創(chuàng)新能力明顯增強。區(qū)域協(xié)同發(fā)展取得明顯成效,開放型經(jīng)濟達到新水平。產(chǎn)業(yè)強市成效顯著,項目建設鱗次櫛比,傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)優(yōu)化升級,新興產(chǎn)業(yè)蓬勃興起,現(xiàn)代農(nóng)業(yè)和服務業(yè)迅猛發(fā)展、蒸蒸日上,市域綜合經(jīng)濟實力和影響力邁上新臺階。建設生態(tài)良好、環(huán)境優(yōu)美的秀美生態(tài)城市。城鎮(zhèn)化進程進一步加快,中心城區(qū)綜合服務功能大幅提升,中小城市和特色小城鎮(zhèn)格局基本形成,城鎮(zhèn)化率達到60%以上。生態(tài)文明建設加快推進,具備條件的農(nóng)村基本建成美麗鄉(xiāng)村。節(jié)約型社會、循環(huán)經(jīng)濟深入

45、發(fā)展,主要污染物減排如期實現(xiàn)省下達目標任務,森林覆蓋率大幅提升,環(huán)境質(zhì)量明顯改善,經(jīng)濟、人口與資源環(huán)境相協(xié)調(diào)的發(fā)展格局初步形成。五、 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向以“中國制造2025”和“互聯(lián)網(wǎng)+”行動計劃為引領,實施產(chǎn)業(yè)強縣戰(zhàn)略,推進新型工業(yè)化進程,實現(xiàn)工業(yè)率先發(fā)展。著力建設一流的經(jīng)濟開發(fā)區(qū),打造現(xiàn)代制造業(yè)先進配套基地。以開發(fā)區(qū)和特色產(chǎn)業(yè)基地為發(fā)展平臺,以項目建設為發(fā)展支撐,深入推進傳統(tǒng)特色產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級和新興產(chǎn)業(yè)率先發(fā)展,形成先進制造業(yè)主導的工業(yè)發(fā)展格局。到“十三五”末,力爭全部工業(yè)總產(chǎn)值突破500億元;規(guī)模以上企業(yè)數(shù)量每年新增15家以上,達到220家以上,規(guī)上工業(yè)增加值增速達到9%以上。(一)著力推進園區(qū)

46、率先發(fā)展以規(guī)劃為引領,完善基礎設施建設,加快招商引資進度,以“工業(yè)新城生態(tài)園區(qū)”為目標,助力產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展、率先發(fā)展。(二)加快傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級“十三五”期間,配合產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級,逐步淘汰低端鋼鐵壓延、低端零配件加工制造等技術含量低、高耗能低產(chǎn)出行業(yè),實現(xiàn)傳統(tǒng)特色制造業(yè)高端化發(fā)展。(三)推動新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大堅持傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)與新興產(chǎn)業(yè)雙輪驅(qū)動,大力培育壯大新能源車輛制造、汽車零部件生產(chǎn)、數(shù)控設備生產(chǎn)等新興產(chǎn)業(yè),為經(jīng)濟發(fā)展提供新的支撐。力爭到“十三五”末,新興產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占工業(yè)總產(chǎn)值的比重達到30%以上。六、 項目選址綜合評價項目選址應統(tǒng)籌區(qū)域經(jīng)濟社會可持續(xù)發(fā)展,符合城鄉(xiāng)規(guī)劃和相關標準規(guī)范,保證城鄉(xiāng)公共安全和

47、項目建設安全,滿足項目科研、生產(chǎn)要求,社會經(jīng)濟效益、社會效益、環(huán)境效益相互協(xié)調(diào)發(fā)展。 第五章 建設規(guī)模與產(chǎn)品方案一、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容(一)項目場地規(guī)模該項目總占地面積60667.00(折合約91.00畝),預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積102272.44。(二)產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xxx(集團)有限公司建設能力分析,建設規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)xx萬片半導體芯片,預計年營業(yè)收入79600.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領目前,全球半導體材料已經(jīng)發(fā)展到第三代,包括以硅(Si)、鍺(Ge)等為代表的第一代元素半導體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等為代表的第二代化合物半導體材料,

48、以及以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的第三代寬禁帶半導體材料。本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調(diào)整,各年生產(chǎn)綱領是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平,并參考市場需求預測情況確定,同時,把產(chǎn)量和銷量視為一致,本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。表格題目產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品(服務)名稱單位單價(元)年設計產(chǎn)量產(chǎn)值1半導體芯片萬片xxx2半導體芯片萬片xxx3半導體芯片萬片xxx4.萬片5.萬片6.萬片合計xx79600.00第六

49、章 發(fā)展規(guī)劃分析一、 公司發(fā)展規(guī)劃(一)公司未來發(fā)展戰(zhàn)略公司秉承“不斷超越、追求完美、誠信為本、創(chuàng)新為魂”的經(jīng)營理念,貫徹“安全、現(xiàn)代、可靠、穩(wěn)定”的核心價值觀,為客戶提供高性能、高品質(zhì)、高技術含量的產(chǎn)品和服務,致力于發(fā)展成為行業(yè)內(nèi)領先的供應商。未來公司將通過持續(xù)的研發(fā)投入和市場營銷網(wǎng)絡的建設進一步鞏固公司在相關領域的領先地位,擴大市場份額;另一方面公司將緊密契合市場需求和技術發(fā)展方向進一步拓展公司產(chǎn)品類別,加大研發(fā)推廣力度,進一步提升公司綜合實力以及市場地位。(二)擴產(chǎn)計劃經(jīng)過多年的發(fā)展,公司在相關領域領域積累了豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和技術優(yōu)勢,隨著公司業(yè)務規(guī)模逐年增長,產(chǎn)能瓶頸日益顯現(xiàn)。因此,產(chǎn)能

50、提升計劃是實現(xiàn)公司整體發(fā)展戰(zhàn)略的重要環(huán)節(jié)。公司將以全球行業(yè)持續(xù)發(fā)展及逐漸向中國轉(zhuǎn)移為依托,提高公司生產(chǎn)能力和生產(chǎn)效率,滿足不斷增長的客戶需求,鞏固并擴大公司在行業(yè)中的競爭優(yōu)勢,提高市場占有率和公司影響力。在產(chǎn)品拓展方面,公司計劃在擴寬現(xiàn)有產(chǎn)品應用領域的同時,不斷豐富產(chǎn)品類型,持續(xù)提升產(chǎn)品質(zhì)量和附加值,保持公司產(chǎn)品在行業(yè)中的競爭地位。(三)技術研發(fā)計劃公司未來將繼續(xù)加大技術開發(fā)和自主創(chuàng)新力度,在現(xiàn)有技術研發(fā)資源的基礎上完善技術中心功能,規(guī)范技術研究和產(chǎn)品開發(fā)流程,引進先進的設計、測試等軟硬件設備,提高公司技術成果轉(zhuǎn)化能力和產(chǎn)品開發(fā)效率,提升公司新產(chǎn)品開發(fā)能力和技術競爭實力,為公司的持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展提

51、供源源不斷的技術動力。公司將本著中長期規(guī)劃和近期目標相結合、前瞻性技術研究和產(chǎn)品應用開發(fā)相結合的原則,以研發(fā)中心為平臺,以市場為導向,進行技術開發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新,健全和完善技術創(chuàng)新機制,從人、財、物和管理機制等方面確保公司的持續(xù)創(chuàng)新能力,努力實現(xiàn)公司新技術、新產(chǎn)品、新工藝的持續(xù)開發(fā)。(四)技術研發(fā)計劃公司將以新建研發(fā)中心為契機,在對現(xiàn)有產(chǎn)品的技術和工藝進行持續(xù)改進、提高公司的研發(fā)設計能力、滿足客戶對產(chǎn)品差異化需求的同時,順應行業(yè)技術發(fā)展,不斷研發(fā)新工藝、新技術,不斷提升產(chǎn)品自動化程度,在充分滿足下游領域?qū)Ξa(chǎn)品質(zhì)量要求不斷提高的同時,強化公司自主創(chuàng)新能力,鞏固公司技術的行業(yè)先進地位,強化公司的綜合競

52、爭實力。積極實施知識產(chǎn)權保護自主創(chuàng)新、自主知識產(chǎn)權和自主品牌是公司今后持續(xù)發(fā)展的關鍵。自主知識產(chǎn)權是自主創(chuàng)新的保障,公司未來三年將重點關注專利的保護,依靠自主創(chuàng)新技術和自主知識產(chǎn)權,提高盈利水平。公司計劃在未來三年內(nèi)大量引進或培養(yǎng)技術研發(fā)、技術管理等專業(yè)人才,以培養(yǎng)技術骨干為重點建設內(nèi)容,建立一支高、中、初級專業(yè)技術人才合理搭配的人才隊伍,滿足公司快速發(fā)展對人才的需要。公司將采用各種形式吸引優(yōu)秀的科技人員。包括:提高技術人才的待遇;通過與高校、科研機構聯(lián)合,實行對口培訓等形式,強化技術人員知識更新;積極拓寬人才引進渠道,實行就地取才、內(nèi)部挖掘和面向社會廣攬人才相結合。確保公司產(chǎn)品的高技術含量,

53、充分滿足客戶的需求,使公司在激烈的市場競爭中立于不敗之地。公司將加強與高等院校、研發(fā)機構的合作與交流,整合產(chǎn)、學、研資源優(yōu)勢,通過自主研發(fā)與合作開發(fā)并舉的方式,持續(xù)提升公司技術研發(fā)水平,提升公司對重大項目的攻克能力,提高自身研發(fā)技術水平,進一步強化公司在行業(yè)內(nèi)的影響力。(五)市場開發(fā)規(guī)劃公司根據(jù)自身技術特點與銷售經(jīng)驗,制定了如下市場開發(fā)規(guī)劃:首先,公司將以現(xiàn)有客戶為基礎,在努力提升產(chǎn)品質(zhì)量的同時,以客戶需求為導向,在各個方面深入了解客戶需求,以求充分滿足客戶的差異化需求,從而不斷增加現(xiàn)有客戶訂單;其次,公司將在穩(wěn)定與現(xiàn)有客戶合作關系的同時,憑借公司成熟的業(yè)務能力及優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品質(zhì)量逐步向新的客戶群

54、體拓展,挖掘新的銷售市場;最后,公司將不斷完善營銷網(wǎng)絡建設,提升公司售后服務能力,從而提升公司整體服務水平,實現(xiàn)整體業(yè)務的協(xié)同及平衡發(fā)展。(六)人才發(fā)展規(guī)劃人才是公司發(fā)展的核心資源,為了實現(xiàn)公司總體戰(zhàn)略目標,公司將健全人力資源管理體系,制定科學的人力資源開發(fā)計劃,進一步建立完善的培訓、薪酬、績效和激勵機制,最大限度的發(fā)揮人才潛力,為公司的可持續(xù)發(fā)展提供人才保障。公司將立足于未來發(fā)展需要,進一步加快人才引進。通過專業(yè)化的人力資源服務和評估機制,滿足公司的發(fā)展需要。一方面,公司將根據(jù)不同部門職能,有針對性的招聘專業(yè)化人才:管理方面,公司將建立規(guī)范化的內(nèi)部控制體系,根據(jù)需要招聘行業(yè)內(nèi)專業(yè)的管理人才,

55、提升公司整體管理水平;技術方面,公司將引進行業(yè)內(nèi)優(yōu)秀人才,提升公司的技術創(chuàng)新能力,增加公司核心技術儲備,并加速成果轉(zhuǎn)化,確保公司技術水平的領先地位。另一方面,公司將建立人才梯隊,以培養(yǎng)管理和技術骨干為重點,有計劃地吸納各類專業(yè)人才進入公司,形成高、中、初級人才的塔式人才結構,為公司的長遠發(fā)展儲備力量。培訓是企業(yè)人力資源整合的重要途徑,未來公司將強化現(xiàn)有培訓體系的建設,建立和完善培訓制度,針對不同崗位的員工制定科學的培訓計劃,并根據(jù)公司的發(fā)展要求及員工的發(fā)展意愿,制定員工的職業(yè)生涯規(guī)劃。公司將采用內(nèi)部交流課程、外聘專家授課及先進企業(yè)考察等多種培訓方式提高員工技能。人才培訓的強化將大幅提升員工的整

56、體素質(zhì),使員工隊伍進一步適應公司的快速發(fā)展步伐。公司將制定具有市場競爭力的薪酬結構,制定和實施有利于人才成長和潛力挖掘的激勵政策。根據(jù)員工的服務年限及貢獻,逐步提高員工待遇,激發(fā)員工的創(chuàng)造性和主動性,為員工提供廣闊的發(fā)展空間,全力打造團結協(xié)作、拼搏進取、敬業(yè)愛崗、開拓創(chuàng)新的員工隊伍,從而有效提高公司凝聚力和市場競爭力。二、 保障措施(一)著力推進簡政放權進一步深化制度改革,規(guī)范審批行為,減少、簡化、整合產(chǎn)業(yè)重大項目投資的前置審批及中介服務,降低企業(yè)的制度性交易成本;加強配套監(jiān)管體系建設,強化事中事后監(jiān)管。進一步簡化企業(yè)境外投資核準程序。運用大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等信息化手段,提升部門服務管理效能。認真落實各項政策,積極解決企業(yè)在轉(zhuǎn)型升級和調(diào)整疏解過程中遇到的困難與問題。(二)嚴格目標考核結合各自職責,制定具體實施方案和保障

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論