1、泓域咨詢/靶材項目可行性報告靶材項目可行性報告MACRO 泓域咨詢摘要靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。濺射靶材是利用物理氣相沉積技術制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應用于半導體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領域，其中半導芯片用濺射靶材技術要求最高，具有規(guī)模化生產能力的企業(yè)數量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。該靶材項目計劃總投資5562.67萬元，其中：固定資產投資4760.15萬元，占項目總投資的85.57%；流動資金802.52萬元，占項目總投資的14.43%。本期項目達產年營業(yè)收入6512.00萬元，

2、總成本費用5095.45萬元，稅金及附加102.05萬元，利潤總額1416.55萬元，利稅總額1713.99萬元，稅后凈利潤1062.41萬元，達產年納稅總額651.58萬元；達產年投資利潤率25.47%，投資利稅率30.81%，投資回報率19.10%，全部投資回收期6.74年，提供就業(yè)職位122個。靶材項目可行性報告目錄第一章 項目基本情況一、項目名稱及建設性質二、項目承辦單位三、戰(zhàn)略合作單位四、項目提出的理由五、項目選址及用地綜述六、土建工程建設指標七、設備購置八、產品規(guī)劃方案九、原材料供應十、項目能耗分析十一、環(huán)境保護十二、項目建設符合性十三、項目進度規(guī)劃十四、投資估算及經濟效益分析十五

3、、報告說明十六、項目評價十七、主要經濟指標第二章 建設背景分析一、項目承辦單位背景分析二、產業(yè)政策及發(fā)展規(guī)劃三、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展四、宏觀經濟形勢分析五、區(qū)域經濟發(fā)展概況六、項目必要性分析第三章 產業(yè)分析預測第四章 產品規(guī)劃方案一、產品規(guī)劃二、建設規(guī)模第五章 項目選址說明一、項目選址原則二、項目選址三、建設條件分析四、用地控制指標五、用地總體要求六、節(jié)約用地措施七、總圖布置方案八、運輸組成九、選址綜合評價第六章 土建工程方案一、建筑工程設計原則二、項目工程建設標準規(guī)范三、項目總平面設計要求四、建筑設計規(guī)范和標準五、土建工程設計年限及安全等級六、建筑工程設計總體要求七、土建工程建設指標第七章 工藝

4、說明一、項目建設期原輔材料供應情況二、項目運營期原輔材料采購及管理二、技術管理特點三、項目工藝技術設計方案四、設備選型方案第八章 環(huán)境保護說明一、建設區(qū)域環(huán)境質量現狀二、建設期環(huán)境保護三、運營期環(huán)境保護四、項目建設對區(qū)域經濟的影響五、廢棄物處理六、特殊環(huán)境影響分析七、清潔生產八、項目建設對區(qū)域經濟的影響九、環(huán)境保護綜合評價第九章 安全保護一、消防安全二、防火防爆總圖布置措施三、自然災害防范措施四、安全色及安全標志使用要求五、電氣安全保障措施六、防塵防毒措施七、防靜電、觸電防護及防雷措施八、機械設備安全保障措施九、勞動安全保障措施十、勞動安全衛(wèi)生機構設置及教育制度十一、勞動安全預期效果評價第十章

5、 項目風險評估一、政策風險分析二、社會風險分析三、市場風險分析四、資金風險分析五、技術風險分析六、財務風險分析七、管理風險分析八、其它風險分析九、社會影響評估第十一章 項目節(jié)能說明一、節(jié)能概述二、節(jié)能法規(guī)及標準三、項目所在地能源消費及能源供應條件四、能源消費種類和數量分析二、項目預期節(jié)能綜合評價三、項目節(jié)能設計四、節(jié)能措施第十二章 項目實施方案一、建設周期二、建設進度三、進度安排注意事項四、人力資源配置五、員工培訓六、項目實施保障第十三章 投資方案計劃一、項目估算說明二、項目總投資估算三、資金籌措第十四章 經濟評價一、經濟評價綜述二、經濟評價財務測算二、項目盈利能力分析第十五章 項目招投標方案

6、一、招標依據和范圍二、招標組織方式三、招標委員會的組織設立四、項目招投標要求五、項目招標方式和招標程序六、招標費用及信息發(fā)布第十六章 綜合結論附表1：主要經濟指標一覽表附表2：土建工程投資一覽表附表3：節(jié)能分析一覽表附表4：項目建設進度一覽表附表5：人力資源配置一覽表附表6：固定資產投資估算表附表7：流動資金投資估算表附表8：總投資構成估算表附表9：營業(yè)收入稅金及附加和增值稅估算表附表10：折舊及攤銷一覽表附表11：總成本費用估算一覽表附表12：利潤及利潤分配表附表13：盈利能力分析一覽表第一章 項目基本情況一、項目名稱及建設性質（一）項目名稱靶材項目（二）項目建設性質該項目屬于新建項目，依托

7、某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)良好的產業(yè)基礎和創(chuàng)新氛圍，充分發(fā)揮區(qū)位優(yōu)勢，全力打造以靶材為核心的綜合性產業(yè)基地，年產值可達7000.00萬元。二、項目承辦單位xxx公司三、戰(zhàn)略合作單位xxx集團四、項目提出的理由靶材材料的技術發(fā)展趨勢與下游應用產業(yè)的薄膜技術發(fā)展趨勢息息相關，隨著應用產業(yè)在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。例

8、如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在高真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。五、項目選址及用地綜述（一）項目選址方案項目選址位于某臨港經濟技術開發(fā)區(qū),地理位置優(yōu)越，交通便利，

9、規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，建設條件良好。（二）項目用地規(guī)模項目總用地面積19649.82平方米（折合約29.46畝），土地綜合利用率100.00%；項目建設遵循“合理和集約用地”的原則，按照靶材行業(yè)生產規(guī)范和要求進行科學設計、合理布局，符合規(guī)劃建設要求。六、土建工程建設指標項目凈用地面積19649.82平方米，建筑物基底占地面積12188.78平方米，總建筑面積22597.29平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程17403.87平方米，項目規(guī)劃綠化面積1507.60平方米。七、設備購置項目計劃購置設備共計68臺（套），主要包括：xxx生產線、xx設備、xx機、xx機、xxx儀等，設備

10、購置費2602.62萬元。八、產品規(guī)劃方案根據項目建設規(guī)劃，達產年產品規(guī)劃設計方案為：靶材xxx單位/年。綜合考xxx公司企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、產品市場定位、資金籌措能力、產能發(fā)展需要、技術條件、銷售渠道和策略、管理經驗以及相應配套設備、人員素質以及項目所在地建設條件與運輸條件、xxx公司的投資能力和原輔材料的供應保障能力等諸多因素，項目按照規(guī)模化、流水線生產方式布局，本著“循序漸進、量入而出”原則提出產能發(fā)展目標。九、原材料供應項目所需的主要原材料及輔助材料有：xxx、xxx、xx、xxx、xx等，xxx公司所選擇的供貨單位完全能夠穩(wěn)定供應上述所需原料，供貨商可以完全保障項目正常經營所需要的原輔材料

11、供應，同時能夠滿足xxx公司今后進一步擴大生產規(guī)模的預期要求。十、項目能耗分析1、項目年用電量506015.15千瓦時，折合62.19噸標準煤，滿足靶材項目項目生產、辦公和公用設施等用電需要2、項目年總用水量3590.90立方米，折合0.31噸標準煤,主要是生產補給水和辦公及生活用水。項目用水由某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)市政管網供給。3、靶材項目項目年用電量506015.15千瓦時，年總用水量3590.90立方米，項目年綜合總耗能量（當量值）62.50噸標準煤/年。達產年綜合節(jié)能量21.96噸標準煤/年，項目總節(jié)能率25.02%，能源利用效果良好。十一、環(huán)境保護項目符合某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)發(fā)展規(guī)劃，

12、符合某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)產業(yè)結構調整規(guī)劃和國家的產業(yè)發(fā)展政策；對產生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴格控制在國家規(guī)定的排放標準內，項目建設不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產生明顯的影響。項目設計中采用了清潔生產工藝，應用清潔原材料，生產清潔產品，同時采取完善和有效的清潔生產措施，能夠切實起到消除和減少污染的作用。項目建成投產后，各項環(huán)境指標均符合國家和地方清潔生產的標準要求。十二、項目建設符合性（一）產業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx公司承辦的“靶材項目”主要從事靶材項目投資經營，其不屬于國家發(fā)展改革委產業(yè)結構調整指導目錄（2011年本）（2013年修正）有關條款限制類及淘汰類項目。（二）項目選址與用地規(guī)

13、劃相容性靶材項目選址于某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)，項目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地，符合用地規(guī)劃要求，此外，項目建設前后，未改變項目建設區(qū)域環(huán)境功能區(qū)劃；在落實該項目提出的各項污染防治措施后，可確保污染物達標排放，滿足某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)環(huán)境保護規(guī)劃要求。因此，建設項目符合項目建設區(qū)域用地規(guī)劃、產業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護紅線：靶材項目用地性質為建設用地，不在主導生態(tài)功能區(qū)范圍內，且不在當地飲用水水源區(qū)、風景區(qū)、自然保護區(qū)等生態(tài)保護區(qū)內，符合生態(tài)保護紅線要求。2、環(huán)境質量底線：該項目建設區(qū)域環(huán)境質量不低于項目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容量，符合環(huán)境質量底

14、線要求。3、資源利用上線：項目營運過程消耗一定的電能、水，資源消耗量相對于區(qū)域資源利用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準入負面清單：該項目所在地無環(huán)境準入負面清單，項目采取環(huán)境保護措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達標排放，固體廢物能夠得到合理處置，不會產生二次污染。十三、項目進度規(guī)劃本期工程項目建設期限規(guī)劃12個月。項目承辦單位要合理安排設計、采購和設備安裝的時間，在工作上交叉進行，最大限度縮短建設周期。將投資密度比較大的部分工程盡量押后施工，諸如其他配套工程等。十四、投資估算及經濟效益分析（一）項目總投資及資金構成項目預計總投資5562.67萬元，其中：固定資產投資4760.15萬元，占

15、項目總投資的85.57%；流動資金802.52萬元，占項目總投資的14.43%。（二）資金籌措該項目現階段投資均由企業(yè)自籌。（三）項目預期經濟效益規(guī)劃目標項目預期達產年營業(yè)收入6512.00萬元，總成本費用5095.45萬元，稅金及附加102.05萬元，利潤總額1416.55萬元，利稅總額1713.99萬元，稅后凈利潤1062.41萬元，達產年納稅總額651.58萬元；達產年投資利潤率25.47%，投資利稅率30.81%，投資回報率19.10%，全部投資回收期6.74年，提供就業(yè)職位122個。十五、報告說明投資項目報告為針對行業(yè)投資投資項目進行可行性研究咨詢服務的專項研究報告，此報告為個性化定

16、制服務報告，我們將根據不同類型及不同行業(yè)的項目提出具體要求，修訂報告提綱，并在此目錄的基礎上重新完善行業(yè)數據及分析內容，為企業(yè)項目立項、批地、企業(yè)注冊、資金申請以及融資咨詢提供全程指導服務。項目報告主要是通過對項目的主要內容和配套條件，如市場需求、資源供應、建設規(guī)模、工藝路線、設備選型、環(huán)境影響、資金籌措、盈利能力等，從技術、經濟、工程等方面進行調查研究和分析比較，并對項目建成以后可能取得的財務、經濟效益及社會影響進行預測，從而提出該項目是否值得投資和如何進行建設的咨詢意見，為項目決策提供依據的一種綜合性的分析方法。可行性研究具有預見性、公正性、可靠性、科學性的特點。十六、項目評價1、本期工程

17、項目符合國家產業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)及某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)靶材行業(yè)布局和結構調整政策；項目的建設對促進某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)靶材產業(yè)結構、技術結構、組織結構、產品結構的調整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx集團為適應國內外市場需求，擬建“靶材項目”，本期工程項目的建設能夠有力促進某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)經濟發(fā)展，為社會提供就業(yè)職位122個，達產年納稅總額651.58萬元，可以促進某臨港經濟技術開發(fā)區(qū)區(qū)域經濟的繁榮發(fā)展和社會穩(wěn)定，為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產年投資利潤率25.47%，投資利稅率30.81%，全部投資回報率19.10%，全部投資回收期6.74年，固定

18、資產投資回收期6.74年（含建設期），項目具有較強的盈利能力和抗風險能力。4、改革開放以來，我國非公有制經濟發(fā)展迅速，在支撐增長、促進就業(yè)、擴大創(chuàng)新、增加稅收，推動社會主義市場經濟制度完善等方面發(fā)揮了重要作用，已成為我國經濟社會發(fā)展的重要基礎。但部分民營企業(yè)經營管理方式和發(fā)展模式粗放，管理方式、管理理念落后，風險防范機制不健全，先進管理模式和管理手段應用不夠廣泛，企業(yè)文化和社會責任缺乏，難以適應我國經濟社會發(fā)展的新常態(tài)和新要求。公有制為主體、多種所有制經濟共同發(fā)展,是我國的基本經濟制度；毫不動搖鞏固和發(fā)展公有制經濟，毫不動搖鼓勵、支持和引導非公有制經濟發(fā)展，是黨和國家的大政方針。今天，我們對民

19、營經濟的包容與支持始終如一，人們在市場經濟中創(chuàng)造未來的激情也澎湃如昨。從促進產業(yè)發(fā)展看，民營企業(yè)機制靈活、貼近市場，在優(yōu)化產業(yè)結構、推進技術創(chuàng)新、促進轉型升級等方面力度很大，成效很好。據統計，我國65%的專利、75%以上的技術創(chuàng)新、80%以上的新產品開發(fā)，是由民營企業(yè)完成的。從吸納就業(yè)看，民營經濟作為國民經濟的生力軍是就業(yè)的主要承載主體。全國工商聯統計，城鎮(zhèn)就業(yè)中，民營經濟的占比超過了80%，而新增就業(yè)貢獻率超過了90%。從經濟的貢獻看，截至2017年底，我國民營企業(yè)的數量超過2700萬家，個體工商戶超過了6500萬戶，注冊資本超過165萬億元，民營經濟占GDP的比重超過了60%，撐起了我國經

20、濟的“半壁江山”。同時，民營經濟也是參與國際競爭的重要力量。從經濟的貢獻看，截至2017年底，我國民營企業(yè)的數量超過2700萬家，個體工商戶超過了6500萬戶，注冊資本超過165萬億元，民營經濟占GDP的比重超過了60%，撐起了我國經濟的“半壁江山”。作為中國經濟最具活力的部分，民營經濟未來將繼續(xù)穩(wěn)步發(fā)展壯大，為促進我國經濟社會持續(xù)健康發(fā)展發(fā)揮更大作用。綜上所述，項目的建設和實施無論是經濟效益、社會效益還是環(huán)境保護、清潔生產都是積極可行的。十七、主要經濟指標主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米19649.8229.46畝1.1容積率1.151.2建筑系數62.03%1.3投資

21、強度萬元/畝161.581.4基底面積平方米12188.781.5總建筑面積平方米22597.291.6綠化面積平方米1507.60綠化率6.67%2總投資萬元5562.672.1固定資產投資萬元4760.152.1.1土建工程投資萬元1962.522.1.1.1土建工程投資占比萬元35.28%2.1.2設備投資萬元2602.622.1.2.1設備投資占比46.79%2.1.3其它投資萬元195.012.1.3.1其它投資占比3.51%2.1.4固定資產投資占比85.57%2.2流動資金萬元802.522.2.1流動資金占比14.43%3收入萬元6512.004總成本萬元5095.455利潤總

22、額萬元1416.556凈利潤萬元1062.417所得稅萬元1.158增值稅萬元195.399稅金及附加萬元102.0510納稅總額萬元651.5811利稅總額萬元1713.9912投資利潤率25.47%13投資利稅率30.81%14投資回報率19.10%15回收期年6.7416設備數量臺（套）6817年用電量千瓦時506015.1518年用水量立方米3590.9019總能耗噸標準煤62.5020節(jié)能率25.02%21節(jié)能量噸標準煤21.9622員工數量人122第二章 建設背景分析一、項目承辦單位背景分析（一）公司概況公司將“以運營服務業(yè)帶動制造業(yè)，以制造業(yè)支持運營服務業(yè)”經營模式，樹立起雙向融

23、合的新格局，全面系統化擴展經營領域。公司為以適應本土化需求為導向，高度整合全球供應鏈。公司是全球領先的產品提供商。我們在續(xù)為客戶創(chuàng)造價值，堅持圍繞客戶需求持續(xù)創(chuàng)新，加大基礎研究投入，厚積薄發(fā)，合作共贏。順應經濟新常態(tài)，需要公司積極轉變發(fā)展方式，實現內涵式增長。為此，公司要求各級單位通過創(chuàng)新驅動、結構優(yōu)化、產業(yè)升級、提升產品和服務質量、提高效率和效益等路徑，努力實現“做實、做強、做大、做好、做長”的發(fā)展理念。公司主要客戶在國內、國外均衡分布，沒有集中度過高的風險，并不存在對某個或某幾個固定客戶的重大依賴，公司采購的主要原材料市場競爭充分，供應商數量眾多，在采購方面具有非常大的自主權，項目承辦單位

24、通過供應商評價體系與部分供應商建立了長期合作關系，不存在對單一供應商依賴的風險。公司秉承“科技創(chuàng)新、誠信為本”的企業(yè)核心價值觀，培養(yǎng)出一支成熟的售后服務、技術支持等方面的專業(yè)人才隊伍，建立了完善的售后服務體系。快速的售后服務，有效地提高了客戶的滿意度，提升了客戶對公司的認知度和信任度。（二）公司經濟效益分析上一年度，xxx集團實現營業(yè)收入3863.00萬元，同比增長30.06%（892.75萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務靶材生產及銷售收入為3634.71萬元，占營業(yè)總收入的94.09%。上年度主要經濟指標序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入811.231081.641004.389

25、65.753863.002主營業(yè)務收入763.291017.72945.02908.683634.712.1靶材(A)251.89335.85311.86299.861199.452.2靶材(B)175.56234.08217.36209.00835.982.3靶材(C)129.76173.01160.65154.48617.902.4靶材(D)91.59122.13113.40109.04436.172.5靶材(E)61.0681.4275.6072.69290.782.6靶材(F)38.1650.8947.2545.43181.742.7靶材(.)15.2720.3518.9018.177

26、2.693其他業(yè)務收入47.9463.9259.3657.07228.29根據初步統計測算，公司實現利潤總額810.10萬元，較去年同期相比增長201.46萬元，增長率33.10%；實現凈利潤607.58萬元，較去年同期相比增長90.35萬元，增長率17.47%。上年度主要經濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元3863.00完成主營業(yè)務收入萬元3634.71主營業(yè)務收入占比94.09%營業(yè)收入增長率（同比）30.06%營業(yè)收入增長量（同比）萬元892.75利潤總額萬元810.10利潤總額增長率33.10%利潤總額增長量萬元201.46凈利潤萬元607.58凈利潤增長率17.47%凈利潤增長量萬元

27、90.35投資利潤率28.01%投資回報率21.01%財務內部收益率22.64%企業(yè)總資產萬元11626.88流動資產總額占比萬元28.82%流動資產總額萬元3351.33資產負債率23.56%二、靶材項目背景分析靶材材料的技術發(fā)展趨勢與下游應用產業(yè)的薄膜技術發(fā)展趨勢息息相關，隨著應用產業(yè)在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷

28、破壞效應。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產業(yè)中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增

29、加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數量也逐年增加。日本。就美國而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設立分公司。近段時間，亞洲的一些國家和地區(qū)，如臺灣.韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。對靶材廠商而言，這是相當重要的新興市場。中國靶材產業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規(guī)模和生產技術，國內一線生產制造靶材的品牌已經達到國外最頂尖的技術水平。2010年，日本三菱公司就

30、在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢公司)最新的統計報告指出，全球靶材市場將以8.8%的年平均增長率(AAGR)在今后的5年內持續(xù)增長，估計銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價值的特種電子材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲器以及光學鍍膜等產業(yè)上，用以濺射用于尖端技術的各種薄膜材料。BCC的報告顯示：全球的上述產業(yè)在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材來計算，全球在1999年

31、則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應用產業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統計資料，則是平均化后的結果。在所有應用產業(yè)中，半導體產業(yè)對靶材濺射薄膜的品質要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今

32、0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產ITO靶材，利用LIRF反應濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優(yōu)點l。但是靶材制

33、作困難，這是因為氧化銦和氧化錫不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究

34、發(fā)現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，不過,在實現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數據帶寬,這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。三、靶材項目建設必要性分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。高純度濺射靶材主要應用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVa

35、porDeposition，PVD）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜以及離子鍍膜。為推動國內靶材產業(yè)發(fā)展，增強產業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力，帶動傳統產業(yè)改造和產品升級換代，我國制定了一系列靶材行業(yè)相關支持政策。靶材行業(yè)產業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個靶材產業(yè)鏈中的關鍵環(huán)節(jié)。靶材產業(yè)下游包括半導體、光伏電池、平板顯示器等等，其中，半導體芯片行業(yè)用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體

36、等領域。其中，在靶材應用領域中，半導體芯片對靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產過程中的關鍵技術并經過長期實踐才能制成符合工藝要求的產品。因此，半導體芯片對靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴。半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應用領域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高的領域。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導線工藝的應用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節(jié)點來保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業(yè)，特別是高純度

37、的靶材市場，呈現寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學、日本愛發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應商，靶材銷售額約占全球市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。目前，國內靶材廠商主要聚焦在低端產品領域，在半導體、平板顯示器和太陽能電池等市場還無法與國際巨頭全面競爭。但是，依靠國內的巨大市場潛力和利好的產業(yè)政策，以及產品價格優(yōu)勢，它們已經在國內市場占有一定的市場份額，并逐步在個別細分領域搶占了部分國際大廠的

38、市場空間。近年來，我國政府制定了一系列產業(yè)政策，如863計劃、02專項基金等來加速濺射靶材供應的本土化進程，推動國產靶材在多個應用領域實現從無到有的跨越。這些都從國家戰(zhàn)略高度扶植并推動著濺射靶材產業(yè)的發(fā)展壯大。第三章 產業(yè)分析預測一、靶材行業(yè)分析超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在高真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶

39、材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機臺內完成濺射過程，機臺內部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。在濺射靶材應用領域中，半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產過程中的關鍵技術并經過長期實踐才能制成符合工藝要求的產

40、品，因此，半導體芯片對濺射靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴；相較于半導體芯片，平面顯示器、太陽能電池對于濺射靶材的純度和技術要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結合率、平整度等指標提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機臺內完成濺射過程，濺射機臺專用性強，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料是生產高純?yōu)R射靶材的基礎，以半導體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質含量過高，則形成的薄膜無法達到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導致電路短路或損壞，嚴重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學提純和物理提純，為

41、了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質，需要將化學提純和物理提純結合使用。在將金屬提純到相當高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個過程中，需要經過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結合并均勻分布；最后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產加工過程中對金屬成份、尺寸大小的要求。濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據下游應用領域的性能需求進行工藝設計，然后進行反復的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關鍵指標，再經過焊接、機械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細且繁多，工序流程管理及

42、制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質量和良品率。濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標基板上而制成薄膜的過程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料。此環(huán)節(jié)是在濺射靶材產業(yè)鏈條中對生產設備及技術工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質對下游產品的質量具有重要影響。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺專用性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷，主要設備提供商包括AMAT（美國）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國）等行業(yè)內知名企業(yè)。終端應用是針對各類市場需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產品，包括汽

43、車電子、智能手機、平板電腦、家用電器等終端消費電子產品。通常情況下，在半導體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進行芯片封裝。封裝是指將電路用導線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質對芯片電路造成腐蝕而損害導電性能。此外，終端應用也包括制備太陽能電池、光學鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等，此環(huán)節(jié)技術面較寬，呈現多樣化特征。全球范圍內，濺射靶材產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術門檻高、設備投資大，具有規(guī)模化生產能力的企業(yè)數量相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時開展金屬

44、提純業(yè)務，將產業(yè)鏈延伸到上游領域；部分企業(yè)只擁有濺射靶材生產能力，高純度金屬需要上游企業(yè)供應。濺射靶材最高端的應用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領域，這個領域只有美國和日本的少數公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關業(yè)務，是一個被跨國公司壟斷的行業(yè)。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)模化生產能力的企業(yè)數量相對較多，但質量參差不齊，美國、歐洲、日本、韓國等知名企業(yè)居于技術領先地位，品牌知名度高、市場影響力大，通常會將產業(yè)鏈擴展至下游應用領域，利用技術先導優(yōu)勢和高端品牌迅速占領終端消費市場，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應用環(huán)節(jié)是整個產業(yè)鏈中規(guī)模最大的領域，其產品的開發(fā)與生產

45、分散在各個行業(yè)領域，同時，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動密集性特點，參與企業(yè)數量最多，機器設備投資一般，主要分布在日本、中國臺灣和中國大陸等，并逐漸將生產工廠向人力成本低的國家和地區(qū)轉移。濺射靶材產業(yè)分布具有一定的區(qū)域性特征，美國、日本跨國集團產業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環(huán)節(jié)，具備規(guī)模化生產能力，在掌握先進技術以后實施壟斷和封鎖，主導著技術革新和產業(yè)發(fā)展；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)在磁記錄及光學薄膜領域有所特長。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產業(yè)發(fā)展較早，促使服務分工明確，可以為產業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專業(yè)代工服務，將上游基礎材料和下游終端應用對接，起到

46、承上啟下的作用，并在一定程度上推動上游濺射靶材的產品開發(fā)和市場擴展。但是上述地區(qū)的靶材服務廠商缺少核心技術及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術領域形成競爭力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國和日本的進口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴展產能。從全球來看，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國大陸轉移趨勢愈演愈烈，中國正在迎來這一領域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應用市場需求正在快速增長。由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產品性能要求高、專業(yè)應用性強，因此，長期以來全球濺射靶材研制和生產主要集

47、中在美國、日本少數幾家公司，產業(yè)集中度相當高。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團為代表的濺射靶材生產商較早涉足該領域，經過幾十年的技術積淀，憑借其雄厚的技術力量、精細的生產控制和過硬的產品質量居于全球濺射靶材市場的主導地位，占據絕大部分市場份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產的核心技術以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術擴散，同時不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應用領域，牢牢把握著全球濺射靶材市場的主動權，并引領著全球濺射靶材行業(yè)的技術進步。受到發(fā)展歷史和技術限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)。與國際知名企業(yè)

48、生產的濺射靶材相比，我國濺射靶材研發(fā)生產技術還存在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領域，全球高純?yōu)R射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生產廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國濺射靶材生產企業(yè)只有不斷進行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強的產品開發(fā)能力，研制出適用不同應用領域的濺射靶材產品，才能在全球濺射靶材市場中占得一席之地。半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游工業(yè)對產品的品質和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴格控制產品質量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應商時，供應商資格認證壁壘較高，且認證周期較長。我國高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進入國

49、際市場，首先要通過部分國際組織和行業(yè)協會為高純?yōu)R射靶材設置的行業(yè)性質量管理體系標準，例如，應用于汽車電子的半導體廠商普遍要求上游濺射靶材供應商能夠通過ISO/TS16949質量管理體系認證，應用于電器設備的濺射靶材生產商需要滿足歐盟制定的RoHS強制性標準；其次，半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認證體系，在高純?yōu)R射靶材供應商滿足行業(yè)性質量管理體系認證的基礎上，下游客戶往往還會根據自身的質量管理要求再對供應商進行合格供應商認證。認證過程主要包括技術評審、產品報價、樣品檢測、小批量試用、批量生產等幾個階段，認證過程相當苛刻，從新產品開發(fā)到實現大批量供貨，整個過

50、程一般需要2-3年時間。為了降低供應商開發(fā)與維護成本，保證產品質量的持續(xù)性，濺射靶材供應商在通過下游客戶的資格認證后，下游客戶會與濺射靶材供應商保持長期穩(wěn)定的合作關系，不會輕易更換供應商，并在技術合作、供貨份額等方面向優(yōu)質供應商傾斜。近年來，受益于國家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應用推廣，我國國內開始出現不少專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產的企業(yè)，并成功開發(fā)出一批能適應高端應用領域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎和市場化條件。通過將濺射靶材研發(fā)成果產業(yè)化，積極參與濺射靶材的國際化市場競爭，我國濺射靶材生產企業(yè)在技術和市場方面都取得了長足的進步，改變了高純?yōu)R射

51、靶材長期依賴進口的不利局面。目前，包括長沙鑫康在內的一些國內企業(yè)已經掌握了高純?yōu)R射靶材生產的關鍵技術，積累了較為豐富的產業(yè)經驗，擁有了一定的市場知名度，獲得了全球知名客戶的認可。二、靶材市場分析預測濺射靶材是利用物理氣相沉積技術制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應用于半導體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領域，其中半導芯片用濺射靶材技術要求最高，具有規(guī)模化生產能力的企業(yè)數量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。中國濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)，受益于國家戰(zhàn)略的支持，已經開始出現少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產的企業(yè)(如江豐電子，有研新材等)，并成功開發(fā)出一批

52、高端應用領域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎和市場化條件。靶材全球市場預計16-19復合增速13%。2016年全球濺射靶材市場容量達113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長20%。預測2016-2019年均復合增長率達13%，到2019年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過163億美元。2016年全球靶材市場的下游結構中，半導體占比10%、平板顯示占34%、太陽能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場集中度高，日、美占據80%高端靶材市場。濺射靶材由于其高技術、高投資、高客戶壁壘，具有規(guī)模化生產能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊

53、克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè)2017年占據全球約80%靶材市場。美、日等跨國企業(yè)產業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環(huán)節(jié)，主導高端的半導體靶材市場；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)擅長磁記錄及光學薄膜領域，原料多從國外進口；中國靶材產業(yè)正處于起步階段，逐步切入以原料以進口為主的全球主流半導體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。預計2018-2020年國內顯示靶材需求增速維持20-25%增速。中國大陸從上世紀80年代開始進入液晶顯示領域，在政府政策導向和產業(yè)扶植下，我國大陸液晶顯示產業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016年中國平板顯示器件產業(yè)整體規(guī)模達到1500億元，

54、同比增長25.99%；2012-2016年國內平板顯示增速基本保持在25%以上。此外考慮到國內LCD國產替代進程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預計2018-2020年國內平板顯示產業(yè)增速將至少維持在20-25%；對應到國內顯示靶材的需求也將相應增加。靶材應用的戰(zhàn)略高地17-20年全球半導體增速有望超預期，17年國內半導體增速24.81%。半導體靶材性能要求位居各類應用之首。半導體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半導體產業(yè)超預期增速21.62%，從下游需求

55、結構看，17年增長主要源于半導體的主要應用是集成電路中的存儲器，增速達到61.49%，增量來源于人工智能、大數據、汽車電子等領域對高性能芯片需求快速提升。從15年開始國內半導體產業(yè)維持20%左右增速，漸成常態(tài)。半導體產業(yè)從臺灣向國內轉移的趨勢比較確定，國內政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導體產業(yè)。國家集成電路產業(yè)基金第一期規(guī)模1,387億元。，至少帶動省市地方基金共4,651億元，拉動國內企業(yè)內生增長和海外并購。未來第二期基金計劃啟動，也將持續(xù)拉動國內半導體產業(yè)增長。2011-2016全球半導體用靶材年復合增長率3.17%，預計2018-2020國內半導體靶材需求增速在20%左右。國際半導體產業(yè)協會(SEMI)全球半導體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到2016年為11.7億美元，年均復合增長率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復合增長率為2.07%，封裝測試用濺射靶材年均復合增長率為4.65%。2016年我國集成電路用濺射靶材市場規(guī)模約14億元，年增速達20%。供給端，隨著國產濺射靶材技術成熟，尤其是國產濺射靶材具備一定性價比優(yōu)勢，并且符合濺射靶材國產化的政策導向；需求端，半導體產業(yè)向國內轉移的趨勢已基本確立，國內半導體產