,SUST,TFT液晶顯示器制造工藝,張方輝 2005.7,Color Filter Fabrication Process TFT Array Process Liquid Crystal Cell Process Module Assembly Process,TFT-LCD Process,C/F Introduce and Process,彩色濾光片基本結(jié)構(gòu)是由玻璃基板（Glass Substrate），黑色矩陣（Black Matrix），彩色層（Color Layer），保護(hù)層（Over Coat），ITO導(dǎo)電膜組成。一般穿透式TFT用彩色光片結(jié)構(gòu)如下圖。,C/F 的結(jié)構(gòu),C/F Process,C/F Pixel Array,馬賽克式:：顯示AV動(dòng)態(tài)畫面 直條式：較常顯示文字畫面,(Note Book)。,彩色濾光膜製造技術(shù),黑紋(BM)製程技術(shù) Cr/CrOx製程技術(shù) 感光樹脂製程技術(shù) 各製程技術(shù)之比較,彩色層製程技術(shù) 顏料分散法 電著法 染色法 印刷法 各製程技術(shù)之比較,黑紋製程,Cr/CrOx製程,黑紋製程,感光樹脂製程,黑紋製程,黑紋製程技術(shù)比較,彩色層製程,顏料分散法,彩色層製程,電著法,彩色層製程,電著法製程,彩色層製程,電著法-電著示意圖,彩色層製程,染色法,彩色層製程技術(shù),印刷法,Possible Defects On C/F,Particles Pattern Defects Pinholes Tokki Mixed Color Mura,ITO透明導(dǎo)電層的作用,ARRAY制程,（1）六道光罩：GE-SE-PE-CH-SD-DC,（2）五道光罩：GE-SE-SD-CH-PE,21,TFT Array組成材料（六道光罩）,22,Mask 1：GE (Gate電極形成),1. 受入洗淨(jìng) SPC(島田) 2. 濺鍍Cr (4000A) ULVAC/AKT 3. 成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲 4. UV處理 東芝 5. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 6. 顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi 7. 硬烤 光洋 8. Cr Taper蝕刻(WET) DNS 9. 光阻去除 DNS 10.製程完成檢查 KLA/ORBO,23,Mask 2：SE (島狀半導(dǎo)體形成),1. 成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲 2. 成膜SiNx Barlzers 3. 成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲 4. 成膜SiNx/a-Si/n+Si Barlzers 5. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 6. 顯影檢查 Nikon/ Hitachi 7. 蝕刻(DRY) TEL/PSC 8. 光阻去除 DNS 9. 製程完成檢查 KLA/ORBO,24,Mask 3：PE (畫素電極形成),1. 成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲 2. 成膜ITO ULVAC 3. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 4. 顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi 5. 蝕刻(WET) DNS 6. 光阻去除 DNS 7. 製程完成檢查 KLA/ORBO,25,Mask 4：CH (Contact Hole形成),1.Array 6道Mask工程中唯一沒(méi)有 成膜製程 2.蝕刻GI層(SiNx)，定義出不同層 金屬間的連接區(qū),1. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 2. 顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi 3. 蝕刻(DRY) TEL/PSC 4. 光阻去除 DNS 5. 製程完成檢查 KLA/ORBO,26,Mask 5：SD (Source及Drain電極形成),1. 成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲 2. 成膜Cr/Al/Cr ULVAC/AKT 3. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 4. 顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi 5. 蝕刻上層Cr(WET) DNS 6. 硬烤 光洋 7. 蝕刻Al(WET) DNS 8. 硬烤 光洋 9. 蝕刻下層Cr(WET) DNS 10.蝕刻n+Si(DRY) TEL/PSC 11.光阻去除 DNS 12.製程完成檢查 KLA/ORBO,27,Mask 6：DC(保護(hù)層形成),1. 成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲 2. 成膜SiNx Barlzers 3. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 4. 顯影檢查 Nikon/Hitachi 5. 蝕刻(DRY) TEL/PSC 6. 光阻去除 DNS 7. 退火 光洋,TFT元件製程結(jié)束 , 後流至ARRAY TESTER,28,TFT Array組成材料（五道光罩）,MASK 5-PE 畫素電極 ITO,MASK 2-SE 通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si：H,MASK 2-SE GI 層(Gate 絕緣層) SiNx,MASK 4-CH Contact hole SiNx,29,Mask 1：GE (Gate電極形成),1. 受入洗淨(jìng) 芝蒲 2. 濺鍍Cr (4000A) ULVAC 3. 成膜前洗淨(jìng) 島田理化/芝蒲 4. 光阻塗佈/曝光/顯影TEL/DNS/Nikon 5. 顯影檢查/光阻寸檢 V-tech 6. 硬烤 田葉井 7. Cr Taper蝕刻(WET) DNS 8. 光阻去除 島田理化 10 製程完成檢查 ORBOTEC/OLYMPUS,MASK 2 Island 形成,1.在 6 道 Mask之SE工程，其顯示區(qū)域內(nèi)所 製作的Pattern為 TFT之Island及Source Line與Gate Line重疊的部份。在5道Mask 製程中則將Source Line的底部皆鋪上SE層,MASK 3 S/D 電極形成,1.在 6 道 Mask製程，其第3道Mask為PE工程 在5道Mask製程，其第3道Mask為SD程。5 道Mask中PE為最後一道Mask。,MASK 4 SiN Depo. 挖 Contact Hole,1.此處的CH工程(5M)結(jié)合了CH工程(6M)及 DC工程(6M)，故在CH工程(5M)需先鍍上 SiN，做為保護(hù)膜。 2.此處的CH工程(5M)有些區(qū)域需挖SiN(GI 層及保護(hù)膜)，故在下一道製程PE工程鍍 上ITO膜時(shí)，對(duì)金屬濺鍍的階梯覆蓋能力 要求增加。,MASK 5 Pixel 電極形成,1.為何 5 道 Mask 中要將 SD 工程放在第3道 Mask、PE工程放在第5道 Mask？ 推測(cè)：因?yàn)镃H 工程(5M)是結(jié)合DC及CH 工程(6M)，故在CH工程(5M)需先鍍上保護(hù) 膜SiN，若第 3 道 Mask(5M)改成PE工程 (5M)，則在CH工程(5M)時(shí)鍍上之保護(hù)膜SiN 無(wú)法保護(hù) TFT ，因?yàn)榇藭r(shí) TFT 尚未形成。 2.PE工程(5M)在最後一道工程的優(yōu)缺點(diǎn)： A.在 6 道 Mask製程中，為了平坦度的要求 ，沒(méi)有將PE上的保護(hù)膜SiN挖掉。但此一 作法卻增加的一個(gè)電容，使的驅(qū)動(dòng)IC的 負(fù)載增加。5 道 Mask 將PE工程(5M)放， 在最後一道製程，可將保護(hù)膜 SiN 置於 PE底下，同時(shí)解決此二問(wèn)題。 B.在 ITO Depo.時(shí)需要通入O2，在挖CH(5M) 處SD工程Depo.的金屬此時(shí)裸露在表面， 故SD工程最表層的金屬需要求較不易氧 化的金屬。,Clean 工程 Process Monitor,受入洗,情報(bào),CELL制程,（1）傳統(tǒng)CELL制程,（2）ODF版CELL制程,製程流程,製程流程,CF Cleaning(彩色濾光片洗淨(jìng)),在Color Filter購(gòu)入後可能會(huì)受到周圍環(huán)境有機(jī)物質(zhì)污染，需對(duì)此附著在CF上之有機(jī)物排除，此製程以UV/O3對(duì)有機(jī)物進(jìn)行分解達(dá)到清潔之目的。,f e d c b a,a : Loader部 b : 基板受取部 c : Air Knife 部 d : Eximer UV部 e : 基板整列部 f : Unloader 部,1st Scribe & break(一次切割裂片),將大尺寸的Array TFT基板切割成我們所要的尺寸基板。,切割成2-up的目的是因?yàn)镃ell的生產(chǎn)線屬連續(xù)式生產(chǎn)線的型式(line),同樣數(shù)量的1-up與2-up投入生產(chǎn)線中雖然所花費(fèi)的時(shí)間幾乎一樣,但2-up的產(chǎn)能就是比1-up多出一倍 。,1st Grinding(一次磨邊),按照所定尺寸切割好的玻璃，進(jìn)行基板端面的研磨裝置，如圖，其主要目的有： (1). 將切割裂片後的玻璃截面平坦化，避免截面缺陷應(yīng)力集中。 (2). 避免尖銳的截面?zhèn)︶嵫u程設(shè)備。,C type,R type,1st Grinding 圖示,一、長(zhǎng)邊整形機(jī),功能：將裂片後的面板長(zhǎng)邊磨平,二、短邊整形機(jī),功能：將裂片後的面板短邊磨平,三、角磨邊機(jī),功能：將面板四個(gè)角磨平,10.5mm,After-grinding cleaning(磨邊後洗淨(jìng)),將前段磨邊後之玻璃基板洗淨(jìng)，主要去除殘留在表面上之玻璃粉屑、小顆粒等。,a：搬入Conveyor部 b：Water Shower (1) 部 c：CJ部 d：Water Shower (2) 部 e：Air-knife部 f：搬出Conveyor部,CJ部,CJ ( Cavitation Jet ) 由上下各2列強(qiáng)力水柱沖灌，產(chǎn)生液面下氣泡沖洗玻璃機(jī)板。,Pre-PI Cleaning(印上PI膜前洗淨(jìng)),在PI膜印刷前將玻璃基板洗淨(jìng)，並做適當(dāng)?shù)谋砻娓馁|(zhì)，使膜能均勻地塗布在玻璃基板上 。,a：基板受取/洗劑Brush部 b：Water Shower-1部 c：Water Shower (2) 部 d：MS Shower部 e：Silane Shower部 f：Water Shower (3) 部 g：Air-knife部 h：IR乾燥部 i：冷卻部 j：搬出Conveyor部,基板受取洗劑Brush部,Brush對(duì)向回轉(zhuǎn)的目的 上下Brush有自我清潔的功用 使欲清洗的玻璃基板不致於刮傷 減少Detergent的帶出量及流入下個(gè)單元 能有效清潔Array基板凹凸的表面,MS Shower部,MS( Mega Sonic ) 由2臺(tái)，頻率1.6MHz，以Maga波直立振盪，經(jīng)狹縫出口形成水簾，衝擊在基板上如同海浪般沖洗，可處理約1um左右之Particle。,PI Printing(印上PI膜),在玻璃基板（TFT基板、CF基板 ）上均勻塗佈印上一層薄膜，並且升溫把其溶劑揮發(fā)達(dá)到薄膜平整效果，其塗佈區(qū)域依照設(shè)計(jì)而定；薄膜厚度依據(jù)所選定的PI材料而有不同。,製程原理,Filter,Ink supply,Substrate,Letterpress,Doctor,Print Roller,Anilox Roller,Dispenser,PI film,流 品 方 向,PI Inspection(PI膜檢驗(yàn)),將已經(jīng)塗佈PI膜且經(jīng)過(guò)預(yù)烤的玻璃基板（TFT基板與CF基板）進(jìn)行表面檢查，利用CCD及影像處理系統(tǒng)對(duì)玻璃基板做影像分析，區(qū)分其上過(guò)PI膜部份的顏色差異，藉由此檢查裝置早期發(fā)現(xiàn)不良、分析歸納不良，以其找出PI Print的最佳製程條件。,PI Post Bake(印上PI膜後烘乾),將已經(jīng)上完P(guān)I膜且檢查OK的玻璃基板進(jìn)行高溫製程，使得基板上的PI膜進(jìn)行硬化反應(yīng)，以便於進(jìn)行配向製程的進(jìn)行。,立式乾燥爐,Clean oven,Rubbing(配向或稱定向),於PI膜上製作出供液晶定向用之溝槽，使液晶整齊排列於上 ,下配向膜間 。,利用配向布摩擦玻璃基板上方的PI膜，形成供液晶定向排列所需的構(gòu)槽及預(yù)傾角,雖然在配向作業(yè)時(shí)的磨擦不會(huì)破壞TFT基板,但磨擦所引起的靜電卻可能會(huì)破壞TFT(薄膜電晶體),因此TFT基板四周的Gate電極與Source電極是以短路相接的(shorted),以避免靜電所造成的破壞。,為了讓液晶的排列順著上下介面的方向做90的轉(zhuǎn)動(dòng),我們必須固定最上層的液晶及最下層的液晶,而為了讓液晶旋轉(zhuǎn)的方向固定一致(同為順時(shí)針?lè)较蚧蚰鏁r(shí)針?lè)较?,我們替液晶做了預(yù)傾角,這些製程稱為定向或配向(rubbing),配向模(PI)上若無(wú)預(yù)傾角時(shí),液晶分子旋轉(zhuǎn)的方向會(huì)不一致,在施加電場(chǎng)的狀況下,為了使液晶站起的方向一致,故在配向時(shí)在PI模上磨出(rub)預(yù)傾角。,玻璃基板,配向方式：下列圖形的組立方式是由CF基板上升、原地翻轉(zhuǎn)然後與下方的TFT基板進(jìn)行組合,如圖(為配向方向，+為組立對(duì)位符號(hào))。,After-rubbing Cleaning(配向後洗淨(jìng)),去除經(jīng)過(guò)Rubbing後的毛屑、PI膜殘?jiān)扔袡C(jī)污染物及其他Particle。,a : 基板受取 b : 洗劑US 部 c : Water Shower 部 d : MS Shower部 e : Spin Dry部 f : IR乾燥部 g : 冷卻部 h : 搬出Conveyor部,Spin Dry（1）,有搬入Spin Table之機(jī)械懸臂，其接觸玻璃基板下方邊緣端8mm以內(nèi)，Chuck材質(zhì)為Teflon，方式如下圖:,機(jī)械手臂,玻璃基板,Spin Dry（2）,Spacer Spraying(灑間隙球),將spacer均勻散佈在玻璃基板中，作為兩塊玻璃間隙的支撐，形成均勻的cell gap,以避免panel在製造過(guò)程中，因壓合、升溫造成玻璃形變或cell gap的不均勻化;另一方面，若發(fā)現(xiàn)不良品（聚集或密度太多、太少），則需利用cleaner將spacer清除乾淨(jìng)後，乾式灑間隙球再重新rework,而本廠採(cǎi)乾式灑間隙球之方式 。,乾式灑間隙球： 利用氮?dú)馀cspacer混合後，以高壓氣體為動(dòng)力，將spacer均勻噴灑在基板上。其中為使spacer不聚集在一起，利用摩擦生電的原理，將spacer與管壁高速摩擦而帶同性電。噴灑時(shí)，spacer因同性相斥的原理而彼此分散，達(dá)到均勻而不聚集的散佈。,Spacer Density Inspection(間隙球密度檢驗(yàn)),Spacer散佈之後，需經(jīng)過(guò)此步驟檢查是否合格。其檢查的項(xiàng)目大略分為兩大類：spacer散佈的密度及cohesion的情形。若檢驗(yàn)為合格者，則送至下一個(gè)步驟；若為不合格者，則送至double buffer內(nèi)準(zhǔn)備再行rework的步驟。 由於lamp發(fā)出的光照射到spacer之後反射至detector camera的亮度較只照射到基板的光線強(qiáng)度為強(qiáng)。所以經(jīng)由detector camera所收集到不同亮度的光線經(jīng)由CCD轉(zhuǎn)換為電荷訊號(hào)，再經(jīng)由影像處理單元轉(zhuǎn)換後即可於monitor顯影。若再將影像訊號(hào)傳送至PC，經(jīng)由電腦的運(yùn)算，可得知spacer的數(shù)目及cohesion的聚集情形，而達(dá)到檢測(cè)spacer散佈情況的目的。,CCD 檢測(cè)原理,Sealant Patterning(塗佈框膠),以Dispenser塗佈框膠(Sealant)於彩色濾光片(CF)上,將LCD Cell上下兩片玻璃基板區(qū)隔開(kāi),保護(hù)液晶不和外界水汽及雜質(zhì)接觸，並防止液晶外流。,Dispenser是由注射桶（barrel）和針頭（nozzle head）所組成，框膠置於注射桶中，利用氣體（一般使用氮?dú)猓┘訅簩⒖蚰z由筒內(nèi)經(jīng)由針頭畫於基板上。,Perfect,Nozzle邊緣殘留Seal會(huì)導(dǎo)致過(guò)細(xì)或斷線,框膠成份： 硬化劑 硬化促進(jìn)劑 充填劑 稀釋劑 溶劑 其他添加劑：顏料、消泡劑等。 可僥性賦予劑 Fiber,Sealant Pre-bake(框膠烘乾),為了讓框膠(Sealant)硬化前，將框膠內(nèi)的溶劑揮發(fā)，以防止因硬化溫度過(guò)高，框膠內(nèi)溶劑突沸，使框膠產(chǎn)生孔洞。因此在硬化前要在較低的溫度下先行預(yù)烤(Pre-bake)。,Transfer Dispenser(塗佈銀膠),由於TFTLCD cell上層基板為color filter，下層基板是TFT，外接之IC電極是架於TFT上。因此需藉由導(dǎo)通材(在此使用銀膠)導(dǎo)通上基板，才能使cell形成電容 。,銀膠點(diǎn)的數(shù)量目的是要達(dá)到電性的均一性。隨著Panel基板越大，當(dāng)有電壓訊號(hào)輸入，整片CF基板達(dá)到Common電壓的時(shí)間也越久（愈靠近銀點(diǎn)越快達(dá)到，愈遠(yuǎn)離銀點(diǎn)越慢達(dá)到），因此我們必須均勻的把銀膠點(diǎn)分佈於Panel兩側(cè)，減短電壓輸入距離（時(shí)間），才能有好的均一性。,Cell Assembly(組合),將上流裝置搬入之TFT ARRAY基板及CF基板利用光學(xué)儀器(CCD)高精細(xì)mark對(duì)位後均勻加壓貼合,達(dá)到控制兩枚基板至特定間隙(Gap) 。,Cell Press(壓合),此步驟為加壓於兩基板,其目的為： a.使兩片基板連接黏合。 b.產(chǎn)生基板間距,並做為日後防止異物侵入液晶之界面。在CF基板與TFT基板之對(duì)準(zhǔn)與初步壓合後，予其一均勻之壓力，並藉由控制壓力大小，來(lái)調(diào)整兩片基板間尚未硬化之框膠高度，使達(dá)到期望之預(yù)設(shè)值，並在框膠硬化之過(guò)程中持續(xù)壓合，保持基板間距，避免因框膠與spacer因彈性或熱膨脹而變形 。,CELL壓合型式,重量加壓法：在cell上堆疊重物如玻璃板或鋼板,利用重量對(duì)cell進(jìn)行施壓 。 機(jī)械加壓法：以機(jī)械對(duì)加壓板施力者 。 真空加壓法：在密壁空間中抽真空使可移動(dòng)之上板 或下板對(duì)cell做擠壓,優(yōu)點(diǎn)為施壓均勻 性高。 氣囊加壓法：利用 PV= nRT充入一定量氣體,再控制溫度做加壓 。,舊式Jig,新式Jig,真空加壓,氣囊加壓,抽真空,壓合步驟,Seal Bake(烘乾),在基板壓合後,予以加熱使基板間之框膠受熱硬化,我們將以控制加熱過(guò)程中之溫度程式與加熱之均勻性來(lái)得到最佳性之框膠硬化物。,后段B1製程簡(jiǎn)介,1.Vacuum Anneal (真空回火),2.LC Injection (液晶注入),3.End Seal (加壓封止),4.After End Seal Cleaner,Vacuum Anneal,在高溫真空下，將組立完的空panel中的水氣 、未脫盡之框膠、溶劑或揮發(fā)性氣體去除。 藉以縮短液晶注入時(shí)間，並避免產(chǎn)生defect,Vacuum Anneal 機(jī)臺(tái)示意圖,Sheath heater,Sirocco fan,Cooling jacket,前後製程關(guān)聯(lián)性,Sealant Curing(框膠硬化),Vacuum Anneal(真空回火),LC Injection(液晶注入),LC Injection,將液晶注入經(jīng)Vacuum Anneal後的Panel。 本製程所使用的液晶注入法為表面張力法，將 機(jī)臺(tái)維持在低真空度，將注入口與LC boat中的 液晶接觸，利用表面張力原理使液晶充滿於 Panel中。 可保持液晶的潔淨(jìng)度，但較浪費(fèi)液晶，故每次製程結(jié)束後需進(jìn)行LC boat剩餘液晶回收動(dòng)作。,Mechanism of LC Injection,Pitch of Injection Hole: 92mm(L131Xx), 120mm(L141Xx, L170Ex) Injection Hole width: 5mm(L131Xx), 10mm(L141Xx), 15mm(L170Ex),液晶脫泡 (4.1Pa 30min),液晶漏電流測(cè)試 (30pA),液晶及液晶皿添加安裝,Cassette 安置,規(guī)格確認(rèn),開(kāi)始進(jìn)行液晶注入,NG,更換液晶,重新檢查,NG,液晶注入結(jié)束,檢查注入情況,LC Injection Process Flow,前後製程關(guān)聯(lián)性,Vacuum Anneal(真空回火),LC Injection(液晶注入),End Seal(加壓封止),End Seal,將多餘的LC吸取出來(lái)，並將LC注入口以封口膠封住。 利用壓力，使Panel保持最適當(dāng)?shù)膅ap外，並將多餘的LC擠出。,Jig 堆疊方式,28片(13“、14” 2層) 14片(17“ 4層),封口膠塗布區(qū)域示意圖,End Seal Process Flow,將堆疊完成的Jig以MGV送至及機(jī)臺(tái)內(nèi),確認(rèn)裝置內(nèi)無(wú)任何異物及裝置門是關(guān)閉的狀態(tài),將選擇模式切換至“AUTO”模式,選擇“AUTO WIPE”,按下“開(kāi)始”鍵,輸入OPI及Cassette #,前後製程關(guān)聯(lián)性,LC Injection(液晶注入),End Seal(加壓封止),After End Seal Cleaner,End Seal Degassing,封口膠在使用前，先進(jìn)行真空脫泡的動(dòng)作，將 封口膠內(nèi)空氣排除，避免在進(jìn)行End Seal時(shí)， 有空氣被帶入注入口內(nèi)造成Defect。,After End Seal Cleaner,Panel在進(jìn)行LC Injection完，經(jīng)End Seal封口後 ，用以清洗附著在CELL基板上的液晶。,前後製程關(guān)聯(lián)性,End Seal(加壓封止),After End Seal Cleaner,2nd Cut(2次切割及裂片),后段B2製程簡(jiǎn)介,2nd Cut (2nd Scribe & 2nd Breaking) (2次切割及裂片),2. 2nd Grinding (2次磨邊),3. Cullet Remover,2nd Cut (2nd Scribe & 2nd Breaking),將已灌好液晶的TFT LCD Panel週邊多餘的 玻璃切割，並將切割好的TFT LCD裂開(kāi)。 將2-up玻璃尺寸切成1-up後，將Panel裂開(kāi)。,2nd Scriber Process Flow,將空Cassette置於收片機(jī)下，按下“運(yùn)轉(zhuǎn)”及“下降”,在touch panel下按下“B面”,將Panel TFT面朝上，對(duì)準(zhǔn)stage，長(zhǎng)邊電極需朝上,踩下真空吸著，使真空吸住Panel,雙手同時(shí)按下兩顆綠色按鈕,切割完成後，一手拿起Panel ，一手拿起毛刷朝外清掃一次stage,在touch panel下按下“A面”,將Panel CF面朝上，對(duì)準(zhǔn)stage，長(zhǎng)邊電極需朝上,進(jìn)行二次裂片(2nd Break),在touch panel下按下“A面”,將Panel上多餘的玻璃剝除,將Panel CF面朝上，對(duì)準(zhǔn)stage，長(zhǎng)邊電極需朝上,踩下真空吸著，使真空吸住Panel,雙手同時(shí)按下兩顆綠色按鈕,2nd Break Process Flow,裂片完成後，一手拿起Panel ，一手拿起毛刷朝外清掃一次stage,在touch panel下按下“B面”,將Panel TFT面朝上，對(duì)準(zhǔn)stage，長(zhǎng)邊電極需朝上,重複以下的步驟一次,將Panel送入Panel Insert中,OK,裂片不良,進(jìn)行Rework,2nd Cut 玻璃剝除圖示,先撥開(kāi)紅色部分，小心將Panel由TFT面翻倒CF面,以水平剝?nèi)》绞剑瑒兊羲{(lán)色部分,最後剝掉綠色部分,靜電刷之正確使用方法,(1).毛刷應(yīng)與stage平行， 毛刷之木柄不可與 stage接觸,(2).清理Stage上之玻璃屑 應(yīng)由右至左刷到底， 不可來(lái)回刷,(3).清理Stage上之玻璃屑 時(shí)，先清掃上半部2次， 再清掃下半部1次,Panel擺放方式,長(zhǎng)邊的電極部份,注意事項(xiàng)： 1.長(zhǎng)邊的電極部份一定是朝上擺放 2.Panel要牢牢抵住三邊的Pin，但不可推太大力，以免撞破Panel 3.如機(jī)臺(tái)還在使用塑膠的Pin時(shí)，Pin與Panel的相連處要記得壓,前後製程關(guān)聯(lián)性,After End Seal Cleaner,2nd Cut(2次切割及裂片),2nd Grinding(2次磨邊),2nd Grinding,將切割裂片後的玻璃截面平坦化，避免截面缺陷應(yīng)力集中 避免尖銳的截面?zhèn)︶嵫u程設(shè)備 研磨掉short ring,2nd Grinding機(jī)臺(tái)配置圖,Cassette Loader,外形整形機(jī),面磨邊機(jī),角磨邊機(jī),Out Conveyor,Cullet Remover,2nd Grinding 圖示,一、外形整形機(jī),功能：將裂片後的面板側(cè)邊(不含注入口測(cè))磨平,二、面磨邊機(jī) (含short ring),功能：將面板側(cè)面(不含注入口測(cè))磨出倒角，或?qū)hort ring磨除,Multi wheel,Short ring需磨除的部分,三、角磨邊機(jī),功能：將面板四個(gè)角磨平,10.5mm,前後製程關(guān)聯(lián)性,2nd Cut(2次切割及裂片),2nd Grinding(2次磨邊),Cullet Remover,Cullet Remover,本機(jī)臺(tái)之目的為清除2nd scriber/breaker製程 所產(chǎn)生之玻璃，若使用有機(jī)溶劑亦可用於 清除前段其他製程產(chǎn)生之機(jī)污染物。,Cullet Remover機(jī)臺(tái)配置圖,2nd Grinding,Panel Clean with Anneal,(1),(2),(3),(4),(5),(1)基板收取、位置決定部 (2)CF側(cè)潤(rùn)濕、清掃部 (4)TFT側(cè)潤(rùn)濕、清掃部 (3)基板反轉(zhuǎn)部 (5)基板反轉(zhuǎn)部、取出部,Cullet Remover清潔方式,(1)研磨式（Polish）：將基板潤(rùn)濕後，以捲動(dòng)之cleaning tape於基板表面作360度旋轉(zhuǎn)，利用tape下壓與旋轉(zhuǎn)的力量研磨玻璃碎屑與有機(jī)污染物，使其體積減小後被tape帶走，以達(dá)到清潔效果。,(2)刀刃清潔（Cutter）：以陶瓷 或SUS材質(zhì)的刀刃，往覆於基板 表面移動(dòng)，利用刀刃的下壓力量 將玻璃碎屑與有機(jī)物清除。刀刃 清潔每片基板後以brush自我清潔 ，避免其上附著之玻璃碎屑污染 下一片基板。,Cullet Remover清潔方式,前後製程關(guān)聯(lián)性,2nd Grinding(2次磨邊),Cullet Remover,Panel Clean with Anneal,后段B3製程簡(jiǎn)介,1.Panel Clean with Anneal,2.Polarizer Lamination(偏光片貼附),3.Auto Clave,4.After End Seal Cleaner,Panel Clean with Anneal,清除基板表面之particle，以利偏光片貼附。 並對(duì)液晶實(shí)施回火，使分子於基板內(nèi)部排 列更為有秩序。,貼附偏光板前的清潔 使液晶重新排列整齊,CF+TFT,PF,製程目的,A,B,F,G,H,D,C,E,I,J,K,B緩衝區(qū),A接收輸送帶,C灑水區(qū),G熱風(fēng)區(qū),F風(fēng)刀乾燥區(qū),E潤(rùn)濕區(qū),D刷洗區(qū),H紅外線加熱區(qū),I冷卻區(qū),J輸出輸送帶,K清淨(jìng)區(qū),設(shè)備組成,刷子的下壓量 刷子的平行度 紅外線加熱板的溫度控制 風(fēng)刀與SQUEEZE ROLLER的距離 靜電破壞,製程重點(diǎn),刷子 : NYLON 輸送帶滾輪 : 導(dǎo)電橡膠 OR SUS SQUEEZE ROLLER : PVA IR HEAT PLATE : 陶瓷材料 CO2,相關(guān)材料,前後製程關(guān)聯(lián)性,Cullet Remover,Panel Clean with Anneal,偏光板貼附,Polarizer Lamination,將偏光板貼付於已灌好液晶及完成封口 的Cell上。,將偏光板貼至面板,CF PF,TFT PF,製程目的,偏光板構(gòu)造,Poly Vinyl Alcohol,TAC(支撐層),粘著層,TAC(支撐層),分離層,保護(hù)膜,機(jī)臺(tái)組成,BTFT,FTFT,FCF,BCF,A面板旋轉(zhuǎn)區(qū),B面板清潔區(qū),E偏光板對(duì)位區(qū),D偏光板清潔區(qū),C偏光板儲(chǔ)存盒,F去除分離層及貼付偏光板,G捲取分離層及面板反轉(zhuǎn),H面板旋轉(zhuǎn)及讀取面板ID,I卸載區(qū),ECF,DCF,CCF,CTFT,DTFT,ETFT,靜電 MAX100V 微粒子或氣泡 SIZE30um 對(duì)位精度 貼付位置精度 設(shè)定位置0.3mm 貼付平行度精度 設(shè)定位置0.3mm,製程重點(diǎn),滾輪 : 搬送滾輪 : UPE 面板清潔滾輪 偏光板清潔滾輪 貼付滾輪 偏光板的功能,相關(guān)材料,前後製程關(guān)聯(lián)性,Panel Clean with Anneal,偏光板貼附,Auto Clave,Auto Clave,去除偏光板與Cell當(dāng)中的氣泡，並增加偏 光板的附著強(qiáng)度。,除去面板及偏光板間的氣泡 增加貼付的粘著力,CF PF,TFT PF,製程目的,機(jī)臺(tái)組成,Sirocco 風(fēng)扇,極屏燈絲,極屏燈絲 範(fàn)圍:常溫100oC 均勻性:5oC 壓力 範(fàn)圍:09 kg/cm2 排氣 3 階段排氣,製程重點(diǎn),前後製程關(guān)聯(lián)性,偏光板貼附,Auto Clave,Cell Test,Cell Test,藉由人員目檢，檢測(cè)面板的缺陷，除可 確保出貨給下游成品的良率外，亦可及 時(shí)發(fā)現(xiàn)製程上的問(wèn)題，提供製程人員參 考，作為改善的依據(jù)。,What is ODF?,OD