1、.模擬電子技術基礎基本概念復習題一、判斷題1、 凡是由集成運算放大器組成的電路都可以利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關系。2、 凡是運算電路都可利用 “虛短 ”和“虛斷 ”的概念求解運算電路。 3、 理想運放不論工作在線性區還是非線性區狀態都有v = v 。NP4、 當集成運放工作在閉環時，可運用虛短和虛斷概念分析。5、 在運算電路中，同相輸入端和反相輸入端均為“虛地”。6、 在反相求和電路中，集成運放的反相輸入端為虛地點，流過反饋電阻的電流基本上等于各輸入電流之代數和。 7、 溫度升高后，本征半導體中自由電子和空穴數目都增多，且增量相同。8、 因為 N 型半導體的多子是自由電子，所以它帶

2、負電。9、 因為 P 型半導體的多子是空穴，所以它帶正電。10、在 N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P 型半導體。 11、穩壓管工作在截止區時，管子兩端電壓的變化很小。12、BJT 型三極管是電流控制型有源器件，基極電流ib 與集電極電流 ic 的關系為 icib 。13、放大電路必須加上合適的直流電源才可能正常工作。14、放大電路工作時所需要的能量是由信號源提供的。15、放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的。16、由于放大的對象是變化量， 所以當輸入信號為直流信號時， 任何放大電路的輸出都毫無變化。17、共集電極電路沒有電壓和電流放大作用。 18、共集放大電路無電

3、壓放大作用，但有功率放大作用。19、只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用。20、放大電路中各電量的交流成分是交流信號源提供的。21、射極輸出器即是共射極放大電路，有電流和功率放大作用。22、只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。23、放大器的輸入電阻是從輸入端看進去的直流等效電阻。24、輸出電阻越大，放大電路帶負載的能力越弱。.25、在由雙極型三極管組成的三種基本放大電路中，共射放大電路的輸入電阻最小。26、在由雙極型三極管組成的三種基本放大電路中，共基放大電路的輸出電阻最小。27、阻容耦合多級放大電路各級的 Q 點相互獨立，它只能放大交流信號。 28、放大電路在高頻信

4、號作用下放大倍數下降的原因是耦合電容和旁路電容的影響。29、場效應管也是一種由 PN結組成的半導體器件， 是電流控制器件， 溝道越寬電流越大。30、由 MOSFET 管組成的放大電路中 i G 0 。31、在由耗盡型 N 溝道 MOSFET 管組成的放大電路中，若 VGS 小于零，則 iD0。32、若增強型 N 溝道 MOS 管的 vGS 大于開啟電壓 VT，則輸入電阻會明顯變小。33、N 溝道 JFET 在正常工作時的 vGS 不能大于零。 34、耗盡型 MOS 管在柵源電壓 uGS 為正或為負時均能實現壓控電流的作用。 35、結型場效應管通常采用兩種偏置方式，即（源極）自給偏壓式和柵極分壓

5、與源極自偏相結合的偏置方式。 36、耗盡型絕緣柵場效應管不能采用自給偏壓方式。37、增強型 MOS 管采用自給偏壓時，漏極電流 iD 必為零。 38、現測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數均為100，將它們連成兩級放大電路，其電壓放大倍數為 10000。39、通頻帶 BW 等于放大電路的上限頻率 f H 和下限頻率 f L 的平均值。40、集成運放內部第一級是差動放大電路，因此它有兩個輸入端。41、產生零點漂移的原因主要是晶體管參數受溫度的影響。42、集成運放內部是直接耦合的多級放大電路。 43、鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應完全相同。 44、共模信號都是直流信號，差模信號都是交流信號

6、。45、對于長尾式差分放大電路，不論是單端輸入還是雙端輸入，在差模輸入交流通路中，長尾電阻 Re 一概可視為短路。46、用電流源代替 Re 后電路的差模電壓放大倍數增加。47、帶有理想電流源的差分放大電路，只要工作在線性范圍內， 不論是雙端輸出還是單端輸出，其輸出電壓值均與兩個輸入端電壓的差值成正比，而與兩個輸入端電壓本身的大小無關。48、集成運放的輸入失調電壓VIO 是兩輸入端電位之差。.49、反饋量僅僅決定于輸出量。50、穩定輸出電壓，提高輸入電阻應引入電壓串聯負反饋。51、若放大電路引入負反饋，則負載電阻變化時，輸出電壓基本不變。52、穩定輸出電壓，提高輸入電阻應引入電壓并聯負反饋。53

7、、任何實際放大電路嚴格說都存在某種反饋。54、反相比例運算電路屬于電壓串聯負反饋，同相比例運算電路屬于電壓并聯負反饋。55、共集放大電路 AuUE ；UBUCB UBUE ；UBUBUED V CUB4T/22L（T 為電網電壓的周期），測得輸出電壓平均值UO（ AV） 可能的數值為：A 14VB12VC9VD4.5V（1）正常情況下 UO（ AV） （ B）；（2）電容虛焊時 UO（ AV） （9 ）；（3）負載開路時 UO（ AV） （A ）；（4）一只整流管和電容同時開路時UO（ AV）（ D）；78、單相橋式整流電路中，若有一只二極管接反，則（C ）。A輸出電壓約為 2UDB變為半波直

8、流C整流管將因電流過大而燒壞。三、填空題 (答案附后 )1、 頻率失真是由于放大電路的不夠寬引起的，非線性失真是由于放大器件的特性引起的。2、 工作在線性區的理想運放輸入端具有的兩個特點是虛短，虛斷。理想集成運算放大器的放大倍數Av，輸入電阻 r i，輸出電阻 r o。3、比例集成運算放大電路的輸入電流等于流過反饋電阻中的電流。4、 集成運放應用電路如果工作在線性放大狀態，一般要引入_。負反饋5、 在 N 型半導體中，多數載流子是；在 P 型半導體中，多數載流子是。6、 本征半導體是，其載流子是和，兩種載流子的濃度。7、 當 PN 結外加正向電壓時， P 區接電源極， N 區接電源極。8、 當

9、 PN 結外加正向電壓時，擴散電流漂移電流。9、 PN 結的 P 區接電源的正極， N 區接負極稱 PN 結為。.10、二極管的正向電阻，反向電阻，故二極管最主要的特性是。11、硅二極管導通后，其管壓降是基本不變的，典型值為伏；其門坎電壓 Uth 約為伏。12、一般硅二極管的反向飽和電流比鍺二極管的要。13、二極管最主要的特性是 _，它的兩個主要參數是反映正向特性的_和反映反向特性的_ 。14、三極管能起放大作用的內部條件是：發射區摻雜濃度，基區摻雜濃度比發射區摻雜濃度，基區寬度。15、BJT 的輸出特性上可劃分為三個區分別、。16、當溫度升高時，雙極型三管的 將，反向飽和電流 ICEO。17

10、、當溫度升高時，雙極性三極管的正向結壓降V。BE18、BJT 工作在放大區的外部條件是：。19、BJT 工作在飽和區時二個 PN 結的偏置情況為：發射結，集電結。20、測得某電路中 NPN 管得BE 0.7V，CE0.2V，由此可判定它工作在 _區。21、在晶體管放大電路中測得三個晶體管的各個電極的電位如圖所示。試判斷各晶體管的類型 ( 是 PNP管還是 NPN管, 是硅管還是鍺管 ), 并區分 e、b、c 三個電極。A 管；B 管； C管。22、放大電路中動態工作點在負載線上移動。23、雙極型三極管是控制型控制器件。24、用萬用表直流電壓檔測得電路中晶體管各電極的對地電位，試判斷這些晶體管分

11、別處于那種工作狀態（飽和、截止、放大、倒置或已損壞）。.A 管； B 管；C管。25、圖 (a) 和 (b) 是兩個放大管的不完整的符號，根據圖中所給數據和電流方向，判斷它們的導電類型分別為_ 型和 _型，用半導體材料_和_制成，電流放大系數 分別為 _和_。26、在模擬電子電路測試中，常用信號作為標準信號使用。27、在三極管組成的三種不同組態的放大電路中，共射和共基組態有電壓放大作用，組態有電流放大作用，組態有倒相作用；組態帶負載能力強。28、在由雙極型三極管組成的三種基本放大電路中，放大電路的輸入電阻最小，放大電路的輸出電阻最小。29、對于共射、共集和共基三種基本組態放大電路，若希望電路的

12、電壓放大倍數大，可選用組態；若希望帶負載能力強，應選用組態；若希望從信號源索取的電流小，應選用組態；若希望高頻性能好，應選用組態。30、共發射極電路又可稱為，共集電極電路又可稱為，共基極電路又可稱為。（ A 電壓跟隨器； B 反相電壓放大器； C 電流跟隨器）31、某 PNP 三極管構成的共射放大電路其輸出波形出現頂部失真則為失真，原因是 Q 點，可以使 IB來消除。32、交流放大電路和三極管的輸出特性、交、直流負載線如下圖所示，負載上獲得的最大不失真輸出電壓的峰峰值是V 。33、多級放大電路中，后一級的電阻是前一級的負載。.34、在多級放大器中，上一級的輸出電阻可作為下一級的。35、多級放大

13、電路常用的耦合方式有、耦合。36、當信號頻率等于放大電路的fL 或 fH 時 ,放大倍數的值為中頻時的倍。37、對于單極共射放大電路，當ff時， v與 v相位關系是，當 ffHLoi時， vo 與 vi 相位關系是。38、某放大器的下限角頻率L ，上限角頻率H ，則帶寬為Hz。39、一個放大電路的對數幅頻特性如圖所示，由圖可知中頻放大倍數|Avm|=_, fL 為_，fH 為_，當信號頻率為 fL 或 fH 時,實際的電壓增益為_。40、電路如圖所示 (用(a)增大 ,(b)減小 ,(c)不變或基本不變填空 )（ 1）若將電路中 Ce 由 100F , 改為 10F,則 |Avm|將 _， f

14、L 將 _， fH 將_ ，中頻相移將_。（2）若將一個 6800pF的電容錯焊到管子 b，c 兩極之間，則 |Avm 將，L將_， fH將_。（T較低的晶體管 ,|_f3）若換一個 f則 |Avm|將_，fL 將_，fH 將_。41、場效應管是一種利用效應來控制電流大小的半導體器件。42、場效應管是控制性器件，只依靠導電。43、場效應管的漏極特性上的三個區域分別為、。44、圖 所示 場效 應管的轉 移特 性 曲線 ，由 圖可 知， 該管 的類 型是 _溝 道_MOSEET 管。45、RC 耦合放大電路中 ,當耦合電容容量增加時，下限截止頻率fL 將，放大電路通頻帶 BW 將。.46、影響單級

15、共射極放大電路的低頻響應的主要因素是。47、集成運放內部電路中， 偏置電路由電路構成；輸入級由電路構成。48、共模抑制比 KCMR =，電路的 KCMR越大，表明電路的能力越強。49、集成運放內部電路主要有由、這幾個部分組成。50、差模輸入電壓是指差分放大器的兩個輸入端輸入的電壓。51、在長尾式差動電路中，長尾R 的主要作用是。e52、差動放大電路的基本功能是對差模輸入信號的作用和對共模輸入信號的作用。53、串聯負反饋只在信號源內阻時，其反饋效果才顯著。54、欲減小電路從信號源索取的電流， 增大帶負載能力， 應在放大電路中引入的反饋類型為。55、欲從信號源獲得更大的電流，并穩定輸出電流，應在放

16、大電路中引入的反饋類型為。56、在輸入量不變的情況下， 若引入反饋后輸出量，則說明引入的反饋是負反饋。57、在放大電路中，為了穩定靜態工作點，可以引入_；若要穩定放大倍數，應引入_；希望展寬頻帶，可以引入_；如要改變輸入或輸出電阻，可以引入_；為了抑制溫漂，可以引入_。（a.直流負反饋， b.交流負反饋， c.直流負反饋和交流負反饋）58、如希望減小放大電路從信號源索取的電流，則可引入 _；如希望取得較強的反饋作用而信號源內阻很大，則宜引入_；如希望負載變化時輸出電流穩定，則應引入 _；如希望負載變化時輸出電壓穩定，則應引入_。（ a.電壓負反饋，b.電流負反饋， c.串聯負反饋， d.并聯負

17、反饋）59、為了增大放大電路輸出電阻，應在放大電路中引入反饋。60、電流負反饋的反饋信號與輸出成比例；一反饋放大電路的開環增益為1000，反饋系數為 0.099，則其閉環增益為。61、負反饋放大電路的自激條件是，其實質是放大電路在中頻段的負反饋在高或低頻段變成了。62、乙類互補功率放大電路會產生失真。.63、在 OCL 乙類互補對稱功放電路中，靜態工作點Q 設置在輸出特性的區。64、OCL 乙類互補對稱功放電路中每個晶體管的導通角是，該放大器的理想效率為，每個管子所承受的最大電壓為。65、在一階 RC 高通電路的相頻特性中當 ffL 時，相角 =。66、正弦波振蕩電路通常由放大電路，和四部分組

18、成。67、在 RC 橋式正弦波振蕩電路中，當滿足相位起振條件時，則其中電壓放大電路的放大倍數要略大于才能起振。68、正弦波振蕩器自激振蕩的幅值平衡條件為、相位平衡條件為。69、為了抑制混入輸入信號中的工頻干擾信號，在電子系統中常選用濾波電路來濾除；而濾波電路能夠有效抑制高頻干擾信號。70、電壓比較器工作時， 在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，單限比較器的輸出狀態發生躍變，滯回比較器的輸出狀態發生次躍變。71、小功率直流穩壓電源由變壓、_、_、四部分電路組成。72、三端穩壓器 7815 的穩壓值為。73、電容濾波電源電路一般適用于場合。74、構成串聯反饋式穩壓電路的基本單元，除了調整管、基準電壓產生電路外，還有電路和環節。75、串聯型穩壓電路如圖所示，穩壓管的穩定電壓為UZ。則該電路中 T1 為，R 、R、R為， R、D為電路， T2 為電路。輸出123Z電 壓 最大 值的 表 達式 為， 輸 出 電 壓 最 小 值 的 表 達 式為。.填空題答案1通頻帶、非線性2虛短，虛斷； ； ；03反相4負反饋5自由電子；空穴；6純凈半導體；自由電子；空穴