山東工商學(xué)院《半導(dǎo)體物理學(xué)》試卷（A卷）專業(yè)班級

姓名

學(xué)號題號一二三四五六七八九十成績復(fù)核簽字得分登分簽字說明：本試卷共大題，共100分；答題要求：按要求答題考生須知:1.姓名、學(xué)號、系、專業(yè)、年級、班級必須寫在密封線內(nèi)指定位置。2.答案必須用藍(lán)、黑色鋼筆或圓珠筆寫在試卷上，字跡要清晰，卷面要整潔，寫在草稿紙上的一律無效。一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共15題，共30分）半導(dǎo)體與導(dǎo)體、絕緣體的主要區(qū)別在于（）A.導(dǎo)電性不同B.原子結(jié)構(gòu)不同C.能帶結(jié)構(gòu)不同D.化學(xué)性質(zhì)不同硅（Si）半導(dǎo)體中，最常見的本征激發(fā)是（）A.電子從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶B.空穴從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶C.電子從導(dǎo)帶躍遷到價帶D.空穴從導(dǎo)帶躍遷到價帶下列哪種雜質(zhì)在硅半導(dǎo)體中屬于施主雜質(zhì)（）A.硼（B）B.磷（P）C.鎵（Ga）D.銦（In）半導(dǎo)體的電導(dǎo)率與（）有關(guān)A.載流子濃度B.載流子遷移率C.溫度D.以上都是當(dāng)溫度升高時，半導(dǎo)體的本征載流子濃度（）A.不變B.減小C.增大D.先增大后減小在N型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是（）A.電子B.空穴C.離子D.光子半導(dǎo)體中的漂移電流是由（）引起的A.載流子的濃度梯度B.外加電場C.溫度梯度D.光照金屬與N型半導(dǎo)體形成良好的歐姆接觸，通常采用的方法是（）A.增加半導(dǎo)體的摻雜濃度B.降低半導(dǎo)體的摻雜濃度C.在金屬與半導(dǎo)體之間插入絕緣層D.改變金屬的功函數(shù)下列關(guān)于PN結(jié)的說法，錯誤的是（）A.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦訠.PN結(jié)的內(nèi)建電場方向是從P區(qū)指向N區(qū)C.正向偏置時，PN結(jié)的電阻較小D.反向偏置時，PN結(jié)的電阻較大當(dāng)PN結(jié)反向偏置時，其空間電荷區(qū)（）A.變寬B.變窄C.不變D.先變寬后變窄半導(dǎo)體中，施主雜質(zhì)電離后，在晶格中留下（）A.帶正電的離子B.帶負(fù)電的離子C.中性原子D.電子半導(dǎo)體的遷移率反映了（）A.載流子在電場作用下的運(yùn)動速度B.載流子在電場作用下的加速能力C.載流子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散能力D.載流子在半導(dǎo)體中的復(fù)合能力下列哪種現(xiàn)象不屬于半導(dǎo)體的光電效應(yīng)（）A.光生伏特效應(yīng)B.光電導(dǎo)效應(yīng)C.光發(fā)射效應(yīng)D.熱電效應(yīng)在MIS結(jié)構(gòu)中，當(dāng)半導(dǎo)體表面形成反型層時，其表面勢（）A.為正B.為負(fù)C.為零D.不確定半導(dǎo)體中，電子的有效質(zhì)量與（）有關(guān)A.半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)B.電子的能量C.電子所處的能帶D.以上都是二、填空題（每題2分，共10題，共20分）半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)中，價帶和導(dǎo)帶之間的能量間隔稱為______。本征半導(dǎo)體中，電子濃度與空穴濃度______。施主雜質(zhì)在半導(dǎo)體中提供______，受主雜質(zhì)在半導(dǎo)體中提供______。半導(dǎo)體中的載流子散射主要有______散射和______散射。PN結(jié)的勢壘高度與______和______有關(guān)。半導(dǎo)體的電導(dǎo)率公式為______。當(dāng)半導(dǎo)體處于熱平衡狀態(tài)時，其費(fèi)米能級是______。半導(dǎo)體的擴(kuò)散電流是由______引起的。金屬與半導(dǎo)體接觸時，形成的阻擋層又稱為______勢壘。在半導(dǎo)體中，電子和空穴的復(fù)合方式有______復(fù)合和______復(fù)合。三、簡答題（每題8分，共3題，共24分）簡述半導(dǎo)體中雜質(zhì)能級的形成及對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響。說明PN結(jié)的形成過程及單向?qū)щ娦缘脑怼ｊU述半導(dǎo)體中漂移運(yùn)動和擴(kuò)散運(yùn)動的區(qū)別與聯(lián)系。四、計(jì)算題（共26分）（一）（12分）已知硅半導(dǎo)體在300K時，本征載流子濃度ni=1.5（1）計(jì)算該N型半導(dǎo)體中電子濃度n和空穴濃度p。（2）若電子遷移率μn=1350cm2/(（二）（14分）一個PN結(jié)二極管，其反向飽和電流IS（1）當(dāng)外加正向電壓VF=0.6V（2）當(dāng)外加反向電壓VR=5V時，通過