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文檔簡介
模電期末試題及答案
一、單項選擇題(每題2分,共20分)1.半導體中的少數載流子產生的原因是()A.外電場B.摻雜C.熱激發D.光照2.當溫度升高時,二極管的反向飽和電流將()A.增大B.不變C.減小D.無法確定3.共發射極放大電路的輸出信號與輸入信號()A.同相B.反相C.相差90°D.不確定4.某放大電路的電壓放大倍數為100,相當于()dBA.20B.40C.60D.805.射極輸出器的電壓放大倍數()A.遠大于1B.約等于1C.遠小于1D.不確定6.差分放大電路的主要作用是()A.放大共模信號B.抑制共模信號C.放大差模信號D.B和C7.集成運算放大器工作在線性區的特點是()A.虛短和虛斷B.飽和和截止C.只有虛短D.只有虛斷8.理想集成運放的輸入電阻為()A.0B.無窮大C.幾百歐D.幾千歐9.在RC橋式正弦波振蕩電路中,起振時要求放大倍數()A.A=1B.A<3C.A>3D.A=310.串聯型穩壓電路中的調整管工作在()A.放大區B.飽和區C.截止區D.開關狀態答案:1.C2.A3.B4.B5.B6.D7.A8.B9.C10.A二、多項選擇題(每題2分,共20分)1.以下屬于半導體特性的有()A.熱敏性B.光敏性C.摻雜特性D.單向導電性2.二極管的主要參數有()A.最大整流電流B.最高反向工作電壓C.反向電流D.動態電阻3.基本放大電路的組成原則包括()A.有合適的靜態工作點B.信號能輸入輸出C.三極管工作在放大區D.有足夠的放大倍數4.多級放大電路的耦合方式有()A.直接耦合B.阻容耦合C.變壓器耦合D.光電耦合5.負反饋放大電路的類型有()A.電壓串聯負反饋B.電壓并聯負反饋C.電流串聯負反饋D.電流并聯負反饋6.集成運算放大器的性能指標包含()A.開環差模電壓放大倍數B.輸入失調電壓C.共模抑制比D.輸出電阻7.正弦波振蕩電路由以下哪些部分組成()A.放大電路B.選頻網絡C.正反饋網絡D.穩幅環節8.功率放大電路的主要性能指標有()A.輸出功率B.效率C.非線性失真D.最大輸出電壓9.直流穩壓電源一般由()部分組成A.電源變壓器B.整流電路C.濾波電路D.穩壓電路10.下列關于三極管的描述正確的有()A.有三個電極B.有兩種類型C.可用于放大和開關D.電流放大作用基于其內部結構答案:1.ABC2.ABC3.ABCD4.ABC5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABC9.ABCD10.ABCD三、判斷題(每題2分,共20分)1.本征半導體中電子和空穴的濃度相等。()2.二極管加正向電壓時一定導通。()3.放大電路的靜態工作點設置過高會產生截止失真。()4.負反饋一定能提高放大電路的放大倍數。()5.集成運放構成的電壓比較器工作在非線性區。()6.正弦波振蕩電路中,只要滿足相位平衡條件就可以產生振蕩。()7.功率放大電路的主要任務是向負載提供足夠大的功率信號。()8.直流穩壓電源中的濾波電路是為了濾除交流成分。()9.差分放大電路對共模信號有很強的抑制能力。()10.三極管的電流放大倍數β只與管子本身有關,與其他因素無關。()答案:1.√2.×3.×4.×5.√6.×7.√8.√9.√10.×四、簡答題(每題5分,共20分)1.簡述二極管的單向導電性。答案:二極管加正向電壓時,PN結變窄,正向電流較大,處于導通狀態;加反向電壓時,PN結變寬,反向電流極小,近似截止,所以二極管具有單向導電性。2.放大電路中設置靜態工作點的目的是什么?答案:使放大電路的三極管工作在放大區,保證輸入信號在整個周期內三極管都能正常放大,避免信號出現失真,可讓輸出信號完整復現輸入信號。3.簡述負反饋對放大電路性能的影響。答案:降低放大倍數,但提高放大倍數穩定性;減小非線性失真;擴展通頻帶;改變輸入輸出電阻,電壓負反饋減小輸出電阻,電流負反饋增大輸出電阻,串聯負反饋增大輸入電阻,并聯負反饋減小輸入電阻。4.簡述集成運算放大器線性應用和非線性應用的特點。答案:線性應用特點是虛短(兩輸入端電位相等)和虛斷(兩輸入端電流為零),輸出與輸入是線性關系;非線性應用時運放工作在飽和或截止狀態,輸出只有高電平和低電平兩種狀態,不滿足虛短。五、討論題(每題5分,共20分)1.在設計放大電路時,如何選擇合適的耦合方式?答案:需考慮多種因素。若要放大直流或緩慢變化信號,可選直接耦合;交流信號且需隔直,阻容耦合合適;需實現阻抗匹配、電隔離等,變壓器耦合可選;信號傳輸有特殊要求如抗干擾等,光電耦合可考慮。2.討論功率放大電路中如何提高效率并減小失真。答案:采用乙類或甲乙類工作狀態可提高效率,如采用互補對稱電路。減小失真可設置合適偏置使管子工作在甲乙類,避免交越失真;采用負反饋技術,穩定放大倍數,減小非線性失真。3.當集成運放組成的電路出現自激振蕩時,應該如何解決?答案:首先分析自激原因,可能是反饋過強等。可通過調整電路參數,如減小反饋系數;加消振電容,破壞自激振蕩條件;合理布局布線,減少寄生參數影響;選用穩定性好的運放芯片。4
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