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DB13DB13/T1828—2013太陽能級類單晶硅片Quasi-monocrystallinesiliconsolarwafers河北省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布I12規(guī)范性引用文件GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣GB/T25074太陽能級多晶硅GB50034-2004建筑照明設(shè)計DB13/T1633-2012太陽能級多晶硅片類單晶硅片quasi-monocrystallin2硅片邊緣呈現(xiàn)的單面局部破損。一般用寬度(hhhaaha崩邊或缺口a寬度h延伸度缺口breakage4.1按單晶比例分類4.2按產(chǎn)品質(zhì)量分類5質(zhì)量技術(shù)要求5.1單晶比例5.2.1外觀3崩邊(寬度a/mm,延伸度h/缺口(寬度a/mm,延伸度h/05.2.2規(guī)格尺寸3025202020200.50.50.3°10°45.2.3材料性能1817利用光學(xué)成像方法,測定最大晶粒面積,再按3.2的定義來計5少子壽命檢驗按GB/T1553進行,取整個硅片少子壽檢驗項目為本標準所規(guī)定的產(chǎn)品的全部質(zhì)量技術(shù)要求。有下列情況之一時,應(yīng)進行a)原料有較大改變,可能影響產(chǎn)品性能時;d)出廠檢驗結(jié)果與上次型式檢驗結(jié)果有較大差異時;61237.4.1.1單晶比例檢驗結(jié)果符合標稱分類,則判定7.4.2.1單晶比例檢驗結(jié)果符合標稱分類,則判定

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