半導體物理面試題及答案

單項選擇題（每題2分，共10題）1.本征半導體中，電子濃度（）空穴濃度。A.大于B.小于C.等于答案：C2.N型半導體的多子是（）。A.電子B.空穴C.離子答案：A3.半導體的禁帶寬度一般（）絕緣體。A.大于B.小于C.等于答案：B4.溫度升高，本征半導體的電導率（）。A.增大B.減小C.不變答案：A5.雜質半導體中，少子濃度主要取決于（）。A.溫度B.雜質濃度C.光照答案：A6.當PN結正向偏置時，耗盡層（）。A.變寬B.變窄C.不變答案：B7.硅的原子價層電子數是（）。A.2B.3C.4答案：C8.下列哪種不是半導體常用的雜質元素（）。A.硼B.磷C.鐵答案：C9.PN結反向電流主要是（）。A.擴散電流B.漂移電流C.歐姆電流答案：B10.半導體中參與導電的粒子稱為（）。A.載流子B.電子C.空穴答案：A多項選擇題（每題2分，共10題）1.屬于半導體材料的有（）A.硅B.鍺C.銅D.鋁答案：AB2.影響半導體電導率的因素有（）A.溫度B.雜質濃度C.光照D.濕度答案：ABC3.以下哪些是PN結的特性（）A.單向導電性B.電容特性C.穩壓特性D.放大特性答案：ABC4.N型半導體主要摻雜的元素有（）A.磷B.砷C.硼D.鎵答案：AB5.本征半導體中存在（）A.電子B.空穴C.質子D.中子答案：AB6.半導體的光電效應包括（）A.內光電效應B.外光電效應C.光伏效應D.光電導效應答案：ACD7.雜質半導體分為（）A.N型半導體B.P型半導體C.本征半導體D.化合物半導體答案：AB8.對半導體導電有貢獻的有（）A.多子擴散B.少子漂移C.電子D.空穴答案：ABCD9.PN結正向偏置時（）A.耗盡層變窄B.電流較大C.電阻較小D.電容較大答案：ABC10.半導體制備工藝中常用的技術有（）A.光刻B.刻蝕C.擴散D.外延生長答案：ABCD判斷題（每題2分，共10題）1.本征半導體在絕對零度時，沒有自由載流子。（）答案：對2.P型半導體帶正電。（）答案：錯3.溫度越高，半導體的電阻越大。（）答案：錯4.PN結反向偏置時，不會有電流通過。（）答案：錯5.雜質半導體中多子濃度主要由雜質含量決定。（）答案：對6.半導體中電子的遷移率一定大于空穴遷移率。（）答案：錯7.光照射半導體，其導電性不會變化。（）答案：錯8.擴散電流是由于載流子濃度差引起的。（）答案：對9.半導體的禁帶寬度是固定不變的。（）答案：錯10.反向電流很小，所以實際應用中可以忽略PN結反向偏置情況。（）答案：錯簡答題（每題5分，共4題）1.簡述本征半導體和雜質半導體的區別。答案：本征半導體是純凈的半導體，在一定溫度下電子與空穴成對產生，濃度相等，導電性差。雜質半導體是摻入雜質的半導體，分為P型和N型，多子由雜質決定，導電性比本征半導體強。2.PN結為什么具有單向導電性？答案：正向偏置時，外電場削弱內電場，耗盡層變窄，載流子擴散運動增強，形成較大正向電流；反向偏置時，外電場加強內電場，耗盡層變寬，只有很小的反向漂移電流，所以具有單向導電性。3.什么是載流子的漂移運動和擴散運動？答案：漂移運動是載流子在電場作用下的定向運動；擴散運動是由于載流子濃度分布不均勻，從高濃度區向低濃度區的運動。4.影響半導體中載流子遷移率的因素有哪些？答案：主要有溫度和散射機制。溫度升高，晶格振動加劇，散射增強，遷移率下降。同時雜質濃度也有影響，雜質多散射多，遷移率降低。討論題（每題5分，共4題）1.分析溫度對半導體性能的多方面影響，并說明在實際半導體器件應用中應如何應對溫度影響？答案：溫度升高，本征半導體載流子濃度增大，電導率上升；雜質半導體少子濃度增大。會影響器件性能穩定性等。應對方法：設計散熱裝置，選擇溫度特性好的材料和工藝，電路中增加溫度補償環節等。2.闡述摻雜對于半導體電學性質的改性原理，以及不同雜質類型如何影響導電性能？答案：摻雜使半導體中產生大量多子，改變載流子濃度和種類。N型摻雜（如磷）增加電子成為多子；P型摻雜（如硼）增加空穴成為多子，導電能力與摻雜濃度有關，濃度越高導電能力越強。3.結合半導體材料的特點，討論半導體在現代電子技術中的重要性和廣泛應用基礎。答案：半導體具有獨特電學性能，如可通過摻雜改變導電能力、有光電效應等。基于這些特性，廣泛用于制造晶體管、集成電路、傳感器等，支撐現代電子通訊、計算機等技術發展。4.談談你對半導體光電效應在