材料科學基礎I知到智慧樹期末考試答案題庫2025年湖南科技大學鮑林規則是用于判斷離子化學結構穩定性的（

）條規則。

答案:5高價金屬氧化物的引入使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:升高面心立方晶胞中的四面體空隙數為（

）

答案:8面心立方晶胞中的原子數分別是（

）

答案:4非穩態擴散的特征是（）。

答案:非穩態擴散的特征是（）。隨著氧化硼的加入，硅酸鹽熔體的粘度先降低后升高。（

）

答案:錯銅屬于（

）

答案:金屬晶體鈦鐵礦和剛玉的晶體結構是相同的。(

)

答案:對金剛石屬于（

）

答案:共價晶體重建性轉變的特點包括（

）。

答案:有舊鍵斷裂和新鍵形成；轉變速度慢

；需要的能量大通常堿金屬氧化物使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:降低選項中屬于晶帶軸[110]的晶面有（

）。

答案:選項中屬于晶帶軸[110]的晶面有（

）。負離子往往不易被極化。(

)

答案:錯要使鋪展過程能自發進行，鋪展系數必須小于或者等于0。

（

）

答案:錯要使沾濕過程自發進行，也就是要使粘附功（

）。

答案:大于0表面活性組分的加入，使熔體的表面張力（

）。

答案:降低螢石的硬度、熔點和密度比NaCl更高。(

)

答案:對菲克第一定律中的負號表示擴散方向與濃度梯度方向（）。

答案:相反若晶面指數相同，但正負符號相反，則兩組晶面是相互平行的。

答案:對置換剛玉晶胞中的2個3價鋁離子，便形成鈦鐵礦型結構，置換方式有（

）。

答案:2價和4價的兩種陽離子

；1價和5價的兩種陽離子缺陷的產生，使晶體內能升高，所以有缺陷的晶體是不穩定的。（

）

答案:錯結構材料是利用材料的（

）。

答案:強度；韌性；硬度結構材料是利用材料的(

)。

答案:強度

；韌性

；硬度組成晶體的基元數量和大小關系都相同，其結構類型相同。(

)

答案:錯線缺陷的特征是（

）

答案:一維方向上缺陷的尺寸很長等徑球體最緊密堆積時，一個球周圍有（

）個八面體空隙。

答案:6符合從熔體向晶體轉變過程的是（

）。

答案:具有固定溫度；熱效應大；產生新相；性質發生突變空間利用率為0.74的晶胞有（

）。

答案:面心立方晶胞

；六方晶胞離子晶體中，配位數大小與正、負離子半徑的比值無關。(

)

答案:錯離子晶體中，正離子的配位數越多越穩定。(

)

答案:對碘化銀晶體理論上是6配位結構，但實際上卻是4配位結構，原因有（

）。

答案:碘離子半徑大易被極化；碘銀鍵由離子鍵過渡為共價鍵；正負離子靠近，配位數降低硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si比的上升而上升。

答案:錯硅酸鹽熔體中（

）可以使表面張力降低。

答案:O/Si比值變小；聚合陰離子團變大硅酸鹽晶體中，硅氧四面體只能共頂連接，不能共棱或共面連接。（

）

答案:對珠光體組織的相組成為（）

答案:鐵素體+滲碳體熔體的表面張力和表面能的數值不相等。（

）

答案:錯熔體中質點間化學鍵的性質對玻璃的形成也有重要作用，不能形成玻璃的鍵型是（

）。

答案:金屬鍵；離子鍵；共價鍵熔體中聚合陰離子團的聚合程度低，（

）形成玻璃。

答案:不容易熱缺陷是溫度高于絕對零度時，由于質點的熱振動所產生的一種缺陷。（

）

答案:對熱缺陷包括弗倫克爾缺陷和肖特基缺陷。（

）

答案:對溫度升高，質點熱運動增加，體積膨脹，相互作用變為松弛，表面張力降低。

答案:對清潔表面分為（

）。

答案:臺階表面；弛豫表面；重構表面液體于固體表面不潤濕時，粗糙度越大，越不利于潤濕。

答案:對潤濕的過程是體系吉布斯自由能（）的過程。

答案:降低氧化鋁瓷件表面上涂銀后，，下面正確的是（

）。

答案:接觸角大于90度；液體不能潤濕固體氧化硼的引入使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:先升高后降低正負離子半徑比：0.732≤r＋/r－<1，正離子的配位數為（

）

答案:8正負離子半徑比：

正離子的配位數是（

）

答案:4根據單鍵能的大小，可將不同氧化物分為（

）。

答案:玻璃網絡形成體；網絡改變體；網絡中間體極化會對晶體結構產生的影響有：（

）。

答案:正負電荷中心不重合

；離子間距離縮短

；離子鍵向共價鍵過渡材料的合成與加工包括材料制備、材料加工、表面工程和材料復合。(

)

答案:對材料的使用效能則隨工作環境不同而異，它與材料的固有性能無關。

答案:錯最緊密堆積原理僅適用于離子晶體。(

)

答案:錯晶面指數通常用晶面在晶軸上截距的互質整數比來表示。(

)

答案:錯晶面指數代表了一組相互平行且無限大的晶面。(

)

答案:對晶胞的形狀和大小可用（

）個參數來描述。

答案:6晶核生成速率與晶體生長速率的極大值所處的溫度相差越小，熔體越容易形成玻璃。（

）

答案:錯晶向族包含了原子排列周期相同的所有晶向。(

)

答案:對晶向[110]不垂直于晶面(110)。(

)

答案:錯晶體結構缺陷按照其幾何形態可分為（

）

答案:點缺陷；線缺陷；面缺陷；體缺陷晶體結構中的空間利用率最大值為0.74。(

)

答案:錯晶體結構中，氧離子做面心立方堆積，鋁離子填充了（

）八面體空隙

答案:1/2晶體的自發極化與（

）有關。

答案:晶體結構

；環境溫度晶體中的每一個原子就是結構基元。(

)

答案:錯晶體中原子或分子的排列情況稱為（

）

答案:晶體結構晶體中，

作面心立方堆積，如圖所示，下列說法正確的是（

）。

答案:配位數為8；配位數為4；占據所有四面體間隙是因為反應物中離子濃度太少而產生的。（

）

答案:錯新材料被列為《中國制造2025》十大優先發展的重點領域之一。

答案:對新材料成為我國經濟結構調整的重要引擎和創新驅動發展的關鍵導向。(

)

答案:對按照質點間結合力性質的不同，可分為化學鍵和物理鍵，下列屬于化學鍵的有：（

）。

答案:離子鍵

；共價鍵我國新材料重點發展方向包括（

）。

答案:先進基礎材料

；關鍵戰略材料

；前沿新材料影響熔體粘度的主要因素是溫度和化學組成。（

）

答案:對當負離子配位多面體為立方體時，正離子的配位數為（

）

答案:8當負離子配位多面體為八面體時，正離子的配位數為（

）

答案:6當相鄰晶粒間的取向差角小于時，該晶界叫小角度晶界。（

）

答案:錯當某種液體在固體表面的接觸角為時，這種潤濕是（）。

答案:浸濕當某種液體在固體表面的接觸角為105度時，這種潤濕是（

）。

答案:浸濕當某種液體在固體表面的接觸角為0度時，說明（

）能自發進行。

答案:鋪展；浸濕；沾濕式中的硅氧鍵屬于（

）。

答案:極性共價鍵延展性最好的金屬的晶體結構是（

）

答案:面心立方布拉菲點陣共有（

）種點陣

答案:14屬于前沿新材料的有（

）

答案:3D打印材料

；智能材料少量KCl溶入中，以正離子為基準書寫反應方程式，有以下哪幾種產物（

）

答案:少量KCl溶入中，以正離子為基準書寫反應方程式，有以下哪幾種產物（

）對鈮酸鋰晶體施加電場時，其折射率會發生變化，這種效應稱為（

）

答案:電光效應對烴類高分子來說，扭曲的曲折鏈晶體結構是具有最低位能的構象。（

）

答案:錯對大多數晶體來說，質點間的結合力屬于綜合性的。(

)

答案:對對于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當Δ=(r1-r2)/r1分別為<15%，>30%時，溶質和溶劑之間（

）

答案:可以生成連續型固溶體

；不生成固溶體對于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當Δ=(r1-r2)/r1>30%時，溶質和溶劑之間（

）

答案:不生成固溶體對于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當Δ=(r1-r2)/r1=15%~30%時，溶質和溶劑之間（

）

答案:可以生成有限型固溶體孿生導致的變形量遠大于滑移。

答案:錯大多數鈣鈦礦型結構的晶體都具有理想結構，很少有畸變。(

)

答案:錯大多數AX化合物都屬于NaCl型結構。(

)

答案:對型晶體結構包括（

）

答案:鈣鈦礦型；鈦鐵礦型在間隙固溶體中，溶質原子的擴散方式一般為（）。

答案:間隙機制在鈦酸鈣晶體中，鈣離子與鈦離子一起形成面心立方堆積。(

)

答案:錯在等徑球最緊密堆積中，八面體空隙尺寸大于四面體空隙。(

)

答案:對在空間點陣中，每個陣點周圍的環境一定是相同的。(

)

答案:對在硅酸鹽晶體中，硅氧四面體的頂點，即氧離子最多被（

）個硅氧四面體所共用。

答案:2在標定晶面指數時，坐標原點一定要設在待求晶面以外。(

)

答案:對在同一晶體中，可以存在多種配位多面體類型。(

)

答案:錯在單元非凝聚系統相圖中，固液界線上的相數和自由度分別為（）

答案:2，1在六方ZnS晶體中傳播聲波可產生電動勢，這一現象稱為（

）

答案:聲電效應在書寫點缺陷符號時，右上標為?表示帶（

）個電荷。

答案:+1在（

）中，兩個共頂連接的硅氧四面體以共用氧離子為中心處于中心對稱狀態。

答案:α-方石英固體表面吸附膜的存在使潤濕性能（

）。

答案:變差固體的表面能與表面張力數值相同。

答案:錯固體的表面張力和表面能數據可以很容易地測定得到。（

）

答案:錯同溫度下，下列組成中熔體粘度最大的是（

）。

答案:同溫度下，下列組成中熔體粘度最大的是（

）。合金容易形成成分可變、不遵守倍比定律的金屬化合物。(

)

答案:對可以形成玻璃的化合物的鍵型是（

）。

答案:極性共價鍵；金屬共價鍵發生擴散時，擴散的推動力是（）。

答案:組元的化學位梯度雙鏈結構的硅酸鹽晶體中，每個硅氧四面體有兩個氧離子和其它硅氧四面體共用。（

）

答案:錯原子排列的周期性和對稱性屬于（

）結構。

答案:晶體原子之間通過共用電子對或通過電子云重疊而產生鍵合的晶體是（

）

答案:共價晶體原子(或離子)以熱振動為推動力通過由該種原子或離子所構成的晶體，向著特定方向所進行的遷移，這一過程是（）。

答案:自擴散單鍵強<250kJ/mol，這類氧化物屬于（

）。

答案:網絡改變體化學組成相同的物質形成不同的晶體結構，這種現象稱為（

）

答案:同質多晶化學組成相似或相近的物質形成相同的晶體結構，這種現象稱為（

）

答案:類質同晶剛玉結構中，為使鋁離子間距最遠，鋁離子填充在八面體間隙時共有（

）形式。

答案:3刃位錯具有唯一的滑移面，切應力方向與位錯線垂直。

答案:對關于鮑林規則，下列說法正確的是（

）。

答案:正離子配位數取決于正負離子半徑比

；利用電價規則可判斷晶體是否穩定關于等徑球最緊密堆積，下列說法正確的是（

）。

答案:六方是按ABAB…層序密堆積

；面心立方按ABCABC…層序密堆積關于晶面間距，下列說法正確的有（

）。

答案:低指數的晶面間距較大

；高指數的晶面間距則較小

；每一種晶體都有一套特征的晶面間距關于晶胞的描述，正確的是（

）。

答案:反映晶體周期性和對稱性的最小重復單元

；是空間點陣的組成單元

；是具有代表性的單元、即最小平行六面體

；是晶格的組成單元關于晶向指數說法正確的是（

）。

答案:若晶向的某坐標值為負，則需相應指數上加負號。；晶向指數代表在空間相互平行且方向一致的所有晶向。；若晶向所指的方向相反，則晶向數字相同但符號相反。關于不等徑球堆積的說法正確的是（

）。

答案:較大球體作緊密堆積，較小球體填充在空隙中

；稍小球體填充在四面體空隙；稍大球體填充在八面體空隙

；不等徑球堆積的空間利用率可能超過74%關于不同類型晶體的滑移，下列說法正確的是（

）。

答案:金屬晶體質點結合無方向性和飽和性，滑移容易；共價晶體質點結合力大，滑移困難；離子晶體中正負離子吸引，滑移困難；金屬晶體中滑移系統越多，滑移越容易關于不一致熔融化合物的描述錯誤的是（）

答案:有固定的熔點六方晶系中，晶面和晶向的4個指數全部都是獨立的。(

)

答案:錯六方晶系中，4指數的晶向指數在必要時可按一定的規則轉換成3指數的。(

)

答案:對假設αβγ原子半徑分別為1.6、1.4和1.25，僅從尺寸因素考慮，它們之間能形成連續置換型固溶體的是（

）

答案:αβ低價正離子占據高價正離子位置時，為了保持電中性，會產生（

）。

答案:負離子空位

；間隙正離子位錯線與原子滑移方向（伯氏矢量b）平行的是（

）

答案:螺位錯位錯的運動方式有（

）

答案:滑移；攀移位移性轉變只涉及鍵長和鍵角的調整。(

)

答案:對從熔體向玻璃的轉變過程是在一定的溫度范圍內完成的。（

）

答案:對二元相圖中，關于低共熔點的描述錯誤的是（）

答案:兩相共存兩種不同元素結合成晶體時，隨兩元素電負性差值增大，鍵的極性逐漸減弱。

答案:錯兩個配位多面體連接時，隨著共用頂點數的增加，結構穩定性增加。(

)

答案:錯不管對什么液體和固體，沾濕過程總能自發進行。（

）

答案:對下列晶系中只有一種布拉菲點陣的是（

）。

答案:三斜

；六方

；三方下列屬于離子晶體的有（

）。

答案:氯化鈉

；氯化鉀下列屬于材料物理性質的是（

）。

答案:電學下列屬于晶帶軸[111]的晶面有（

）。

答案:下列屬于晶帶軸[111]的晶面有（

）。下列屬于晶帶軸[111]的晶面有：（

）。

答案:下列屬于晶帶軸[111]的晶面有：（

）。下列屬于共價晶體的有（

）。

答案:金鋼石

；單晶硅下列屬于<210>晶向族的晶向有（

）。

答案:[102]

；[120]

；[201]

；[210]下列屬于<123>晶向族的晶向有（

）。

答案:下列屬于<123>晶向族的晶向有（

）。下列屬于<112>晶向族的晶向有（

）。

答案:下列屬于<112>晶向族的晶向有（

）。下列屬于<110>晶向族的晶向有哪些？（

）

答案:[100]

；[110]下列屬于{120}晶面族的晶面有（

）。

答案:(210)

；(201)

；(102)

；(120)下列屬于{110}晶面族的晶面有哪些？（

）。

答案:下列屬于{110