ICSCCS點擊此處添加CCS號51EnergyconsumptionlimitperunitproductofmonocrystallinesiliconIDB51/TXXXX—XXXX 32規范性引用文件 33術語和定義 34能耗限額等級 35技術要求 46統計范圍 47計算方法 5 7 8DB51/TXXXX—XXXX本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規則》的規定起草。請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。本文件由四川省發展和改革委員會提出、歸口并解釋。本文件由四川省市場監督管理局批準與發布。本文件起草單位：……本文件主要起草人：……本文件及其所代替文件的歷次版本發布情況為：——本次為首次發布。DB51/TXXXX—XXXX3單晶硅單位產品能源消耗限額本文件規定了單晶硅單位產品能源消耗（以下簡稱能耗）限額的術語和定義、技術要求、統計范圍與計算方法、節能管理與措施。本文件適用于單晶硅方棒和單晶硅片單位產品能耗的計算、考核，以及對新建、改建和擴建項目的能耗控制。2規范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T2589綜合能耗計算通則GB/T12723單位產品能源消耗限額編制通則GB17167用能單位能源計量器具配備和管理通則GB/T23331能源管理體系要求GB/T15498企業標準體系基礎保障3術語和定義GB/T2589和GB/T12723界定的術語和定義適用于本文件。3.1單晶硅方棒monocrystallinesiliconsquarerod高純度的多晶硅在單晶爐內用直拉法，通過籽晶使硅溶液按照一定的晶格排序進行生長形成的單晶硅棒材，截斷后切成方形，是制造單晶硅片的原料。3.2單晶硅片monocrystallinesilicon通過切割技術，將單晶硅方棒切割成一定厚度薄片，并通過清洗去除硅片表面微粉、金屬離子等，最終獲得表面清潔的單晶硅片。3.3產品綜合電耗comprehensiveelectricityconsumptionoftheproduct統計期內，用于生產合格產品所消耗的用電量，按照規定的統計范圍和計算方法得到的總和。3.4產品綜合能耗productcomprehensiveenergyconsumption統計期內，用于生產合格產品所消耗的各種能源和耗能工質，按照規定的計算方法和單位分別折算后的總和。DB51/TXXXX—XXXX44能耗限額等級4.1單晶硅方棒單位產品能耗單晶硅方棒單位產品能耗限額見表1，其中1級能耗最低。表1單晶硅方棒單位產品能耗等級指標產品名稱指標能耗限定等級單晶硅方棒單位產品綜合電耗（kW·h/kg）單位產品綜合能耗（kgce/kg）2.62.83.04.2單晶片單位產品能耗單晶硅片單位產品能耗限額見表2，其中1級能耗最低。表2單晶硅片單位產品能耗等級指標產品名稱規格指標能耗限定等級單晶硅片182mm×6.56.87.0單位產品綜合能耗（tce/百萬片）8.08.59.0注：以182mm×182mm/130μm為基準，其它規格硅片產量在實物量基礎上乘以折標系數，折標系數為該硅片規格除以182mm×182mm/130μm。5技術要求5.1現有單晶硅方棒生產企業單位產品能耗限定值應不大于表1中的3級，新建、改擴建單晶硅方棒企業單位產品能耗準入值應不大于表1中的2級。5.2現有單晶硅片生產企業單位產品能耗限定值應不大于表2中的3級，新建、改擴建單晶硅片企業單位產品能耗準入值應不大于表2中的2級。6統計范圍6.1單晶硅方棒主要生產系統：從硅料開始到制備出單晶硅方棒成品為止。包括從洗料、拉單晶、截斷、開方、制冷、供排水等。6.2單晶硅片主要生產系統：從單晶硅方棒開始到單晶硅硅片為止。包括從單晶硅方棒滾磨、切片、清洗、廢液排放等。6.3輔助生產系統：為生產系統服務的工藝過程、設施和設備，包括供水、供電、供氣、供熱、制冷、機修、儀修、照明、庫房、廠內原料輸送以及安全、環保等裝置及設施。DB51/TXXXX—XXXX56.4附屬生產系統：為生產系統專門配置的生產指揮系統（廠部）和廠區內生產服務的部門和單位，包括操作室、中控室、檢測化驗室、辦公室、休息室、更衣室等。6.5綜合電耗統計包括：主要生產系統、輔助生產系統和附屬生產系統所有環節消耗的電量。6.6綜合能耗統計包括：主要生產系統、輔助生產系統和附屬生產系統所有環節消耗的電量和其他各種能源的總和。6.7外購的輔助生產系統用能（如空壓站）應計入電耗和能耗，余熱利用裝置用能計入能耗。回收能源自用部分，計入自用工序；回收的能源外供或其他非生產用途的應予以扣除。6.8能源的低位發熱量和耗能工質耗能量，應按實測值或供應單位提供的數據折標準煤。無法獲得實測值的，其折標煤系數可參照國家統計局公布的數據或參考附錄A和附錄B。自產的二次能源，其折標準煤系數應根據實際投入產出計算確定。7計算方法7.1單位產品綜合電耗統計報告期內，單晶硅方棒或單晶硅片單位合格產品綜合電耗按公式（1）計算：（1）式中：e——單位單晶硅方棒或單晶硅片單位產品綜合電耗，單位為千瓦時每千克（kW·h/kg）或萬千瓦時每百萬片（萬kW·h/百萬片W——統計報告期內單晶硅方棒或單晶硅片產品生產綜合耗電量，單位為千瓦時（kW·h）或萬千M——統計報告期內單晶硅方棒或單晶硅片的合格產品產量，單位為千克（kg）或百萬片。7.2綜合能耗統計報告期內，單晶硅方棒或單晶硅片合格產品生產所需的綜合能源消耗量按公式（2）計算：（2）式中：E——統計報告期內，生產單晶硅方棒或單晶硅片產品實際所需的綜合能源消耗量，單位為千克標準煤（kgce）或噸標煤（tceqi——統計報告期內，生產單晶硅方棒或單晶硅片產品消耗的第i種能源實物量，單位為實物量單位；i——統計報告期內，生產單晶硅方棒或單晶硅片產品消耗的第i種能源的當量折標準煤系數；n——統計報告期內，生產單晶硅方棒或單晶硅片產品消耗的能源品種數。DB51/TXXXX—XXXX67.3單位產品綜合能耗統計報告期內，生產單位合格單晶硅方棒或單晶硅片的綜合能源消耗量按公式（3）計算：Ed=（3）式中：d——單晶硅方棒或單晶硅片單位產品綜合能耗，單位為千克標煤每千克（kgce/kg）或噸標煤每百萬片（tce/百萬片E——統計報告期內，生產合格單晶硅方棒或單晶硅片產品實際所需的綜合能源消耗量，單位為千克標準煤（kgce）或噸標煤（tceM——統計報告期內單晶硅方棒或單晶硅片的合格產品產量，單位為千克（kg）或百萬片。DB51/TXXXX—XXXX7（資料性附錄）各種能源折標準煤參考系數（參考值）各種能源折標準煤參考系數（參考值）見表A.1。表A.1各種能源折標準煤參考系數（參考值）能源名稱平均低位發熱量折標準煤系數原煤20934kJ/kg0.7143kgce/kg洗精煤26377kJ/kg0.9000kgce/kg天然氣32238~38979kJ/m31.1000kgce/m3~1.3300kgce/m3熱力（當量值）-0.03412kgce/MJ電力（當量值）3600kJ/（kW·h）0.1229kgce/（kW·h）8（資料性附錄）各種耗能工質折標準煤參考系數（參考值）各種耗能工質折標準煤參考系數（參考值）見表B.1。表B.1各種耗能工質折標準煤參考系數（參考值）耗能工質名稱單位耗能工質能耗量折標準煤系數新水7.54MJ/t0.2571kgce/t軟水14.24MJ/t0.4857kgce/t壓縮空氣1.17MJ/