下載本文檔
版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領
文檔簡介
第八章金屬半導體接觸畫出由p型半導體和金屬構成的肖特基勢壘在施加正向和反向電壓時的能帶圖，標出勢壘區擴散流和漂移流的方向和相對大小，以及電流的方向。空穴的流動可以看成價帶電子的流動;導帶電子的流動對應于少子的注入電流.（2）兩金屬的功函數分別為和，接觸電勢差應為。若這兩種材料通過半導體材料C形成接觸，證明其兩端a、b之間的電勢差與A、B直接接觸時相同。（3）設肖特基模型適用。在以下兩種情形下：（a）金屬和半導體直接形成接觸，（b）相距較遠，通過導線形式接觸，試分析并用圖示意說明接觸電勢差降落在金屬、半導體、以及金屬和半導體之間何處？Vm和Vs￠分別為金屬和半導體的電勢;D遠大于原子間距時(m)D減小,Qs增加，D接近幾十或幾百原子間距時,接觸電勢差部分降落在空間電荷區，部分降落在金屬和半導體表面之間。D~原子間距時，電子可自由穿過間隙，Vms很小.（4）說明金屬—n型半導體肖特基勢壘在正向偏壓下電子準費米能級的變化的幾種可能情形，和各種情形相適應的理論，以及各種理論的適用條件。兩極管理論:薄勢壘,mEM>>vr，vr為一具有熱運動速度數量級的等效速度．擴散理論:厚勢壘,mEM<<vr（5）按照肖特基模型和巴丁模型，半導體中的自建勢是否等于金屬和半導體的接觸電勢差？為甚么？肖特基模型:是;巴丁模型:否。半導體表面態中的電荷對勢壘高度起關鍵作用．（6）如果金屬—n型半導體接觸形成肖特基勢壘，金屬層很薄，可以透光。在有光照時1）肖特基勢壘如何變化？2）短路時有無電流？3）若短路電流為，設兩級管理論適用，導出開路電壓。1）肖特基勢壘降低（如同加正向偏壓）。2）有。3）IL為短路電流（光生電流）（7）包括同質結、MIS結、金屬-半導體接觸和異質結在內，你是否總結一下，在什么情形下接觸電勢差就等于半導體中的自建勢？在什么情形下功函數差就等于半導體中的勢壘高度？什么情形下（）就是半導體中的勢壘高度？接觸電勢差等于半導體中的自建勢:同質結、金屬-半導體接觸之肖特基模型、異質結；功函數差等于半導體中的勢壘高度：同質結、金屬-半導體接觸之肖特基模型；（）就是半導體中的勢壘高度：同質
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
- 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
評論
0/150
提交評論