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文檔簡介
模擬電子技術(山東聯(lián)盟)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋濰坊學院第一章單元測試
如圖所示電路是哪種半導體的電路模型。()
A:P型半導體B:雜質(zhì)半導體C:本征半導體D:N型半導體
答案:P型半導體當溫度降低時,二極管的反向飽和電流將(
)。
A:增大B:減小C:無法確定D:不變
答案:減小當場效應管的漏極直流電流從2mA變?yōu)?mA時,它的低頻跨導gm將(
)。
A:減小B:無法確定C:不變D:增大
答案:增大一場效應管的符號如下所示,它是(
)。
A:P溝道耗盡型B:N溝道增強型C:P溝道增強型D:N溝道耗盡型
答案:N溝道耗盡型時,能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有(
)。
A:P溝道增強型MOS管B:N溝道耗盡型MOS管C:N溝道增強型MOS管D:結(jié)型場效應管
答案:N溝道耗盡型MOS管;結(jié)型場效應管在P型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為N型半導體。
A:對B:錯
答案:對本征半導體中自由電子和空穴的濃度主要取決于溫度。(
)
A:對B:錯
答案:對PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。()
A:對B:錯
答案:對因為P型半導體的多子是空穴,所以它帶正電。()
A:對B:錯
答案:錯三極管放大時,內(nèi)部兩個PN結(jié)的偏置狀態(tài)應為()。
A:發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)也反偏B:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏C:發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏D:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)也正偏
答案:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏
第二章單元測試
在放大電路中,輸出電流和輸出電壓都是由有源元件提供的。
A:錯B:對
答案:錯由于放大的對象是變化量,所以當輸入信號為直流信號時,任何放大電路的輸出都毫無變化。
A:對B:錯
答案:錯在分析放大電路時,應遵循“先動態(tài),后靜態(tài)”的原則;
A:錯B:對
答案:錯放大電路的輸出電阻與負載無關。
A:對B:錯
答案:對下列哪種電路只放大電壓不放大電流。()
A:兩級共射B:共基C:共射
D:共集
答案:共基為使場效應管放大電路能夠正常放大,場效應管應該工作在()
A:恒流區(qū)B:截止區(qū)C:飽和區(qū)D:放大區(qū)
答案:恒流區(qū)計算如下電路的電壓放大倍數(shù)(
)
A:-125B:125C:-200D:200
答案:-200對放大電路的最基本的要求是(
)
A:不失真
B:能夠放大C:輸入電阻大D:輸出電阻小
答案:不失真
;能夠放大典型的靜態(tài)工作點穩(wěn)定電路Q點穩(wěn)定的原因是(
)
A:Re的直流負反饋的作用;B:旁路電容的影響;C:UBQ在溫度變化時基本不變。D:電源VCC的取值;
答案:Re的直流負反饋的作用;;UBQ在溫度變化時基本不變。共集放大電路的特點有哪些(
)
A:輸入電阻大;B:從信號源索取的電流小。C:帶負載能力強;D:輸出電阻小;
答案:輸入電阻大;;從信號源索取的電流小。;帶負載能力強;;輸出電阻小;
第三章單元測試
差分放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的(
)。
A:和B:差C:算數(shù)平均值D:幾何平均值
答案:差共模信號是兩個輸入端信號的(
)。
A:幾何平均值B:算數(shù)平均值C:和D:差
答案:算數(shù)平均值用恒流源取代長尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re,將使電路的(
)。
A:差模輸入電阻增大B:差模放大倍數(shù)數(shù)值增大C:差模放大倍數(shù)數(shù)值減小D:抑制共模信號能力增強
答案:抑制共模信號能力增強集成遠放的輸出級一般采用采用(
)。
A:共射電路B:共射互補輸出電路
C:共基電路
答案:共射互補輸出電路
直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是(
)。
A:電源電壓不穩(wěn)定B:元件老化C:放大倍數(shù)不夠穩(wěn)定D:晶體管參數(shù)受溫度影響
答案:電源電壓不穩(wěn)定;元件老化;晶體管參數(shù)受溫度影響多級放大電路級數(shù)越多放大性能越好。(
)
A:錯B:對
答案:錯集成放大電路均采用直接耦合方式。(
)
A:對B:錯
答案:對變壓器耦合放大電路的優(yōu)點是可以實現(xiàn)阻抗匹配。(
)
A:對B:錯
答案:對集成運放的輸入級采用差分放大電路的主要原因是它可以很好地抑制零點漂移現(xiàn)象。
A:對B:錯
答案:對三極管電流源的組成就是共射基本放大電路的直流通路去掉集電極電阻Rc后剩余的電路(
)。
A:對B:錯
答案:對
第四章單元測試
對于低通電路,頻率愈高,衰減愈大,相移不變。
A:對B:錯
答案:錯在分析放大電路的頻率響應時,在中頻段極間電容可視為短路。
A:對B:錯
答案:錯單管共射放大電路在低頻段電壓放大倍數(shù)下降的原因是耦合電容和旁路電容的影響。
A:錯B:對
答案:對兩級放大電路的通頻帶比組成它的單級放大電路的通頻帶寬。
A:對B:錯
答案:錯當信號的頻率等于放大電路的高端截止頻率是fH時,電路的放大倍數(shù)約為中頻放大倍數(shù)的(
)倍
A:0.5B:0.3C:0.9D:0.7
答案:0.7已知某電路的幅頻特性如圖所示,則該電路是由幾級放大電路組成(
)。
A:四級B:一級
C:兩級D:三級
答案:三級已知某放大電路的波特圖如圖所示,則該電路的中頻電壓增益20lg|Aum|=(
)。
A:1000B:60C:40
D:100
答案:60已知某電路的電壓放大倍數(shù)為,則該電路的fl=(
)。
A:100000B:100
C:10D:-10
答案:10下列屬于導致放大電路高頻響應變差的原因的是()。
A:結(jié)電容B:分布電容C:耦合電容D:旁路電容
答案:結(jié)電容;分布電容當輸入信號的頻率增大時,電路的放大倍數(shù)減小,其原因是()。
A:耦合電容和旁路電容的存在;B:放大電路的靜態(tài)工作點不合適。C:半導體管極間電容和分布電容的存在;D:半導體管的非線性特性;
答案:半導體管極間電容和分布電容的存在;
第五章單元測試
若反饋深度|1+AF|<1時,放大電路工作于哪種狀態(tài)?(
)
A:自激振蕩B:負反饋C:正反饋D:無反饋
答案:正反饋對于放大電路,所謂閉環(huán)是指(
)。
A:考慮信號源內(nèi)阻B:存在反饋通路C:接入電源D:接入負載
答案:存在反饋通路在輸入量不變的情況下,若引入的反饋為負反饋,則(
)。
A:輸入電阻增大B:輸出量增大C:凈輸入量減小D:凈輸入量增大
答案:凈輸入量減小為了抑制溫度漂移,應引入(
)。
A:交流負反饋B:交流正反饋C:直流負反饋D:直流正反饋
答案:直流負反饋為了展寬通頻帶,應引入(
)。
A:直流負反饋B:交流負反饋C:直流正反饋D:交流正反饋
答案:交流負反饋因為電流串聯(lián)負反饋的反饋系數(shù)的量綱是電阻,所以無法用近似估算法求閉環(huán)電壓放大倍數(shù)。(
)
A:對B:錯
答案:錯當負載需要穩(wěn)定的電壓信號驅(qū)動時,應引入電流負反饋。
A:對B:錯
答案:錯負反饋降低了放大倍數(shù),增強了放大倍數(shù)穩(wěn)定性。(
)
A:對B:錯
答案:對放大電路中引入負反饋后,其性能會得到多方面改善,以下選項正確的是:
A:增大輸入電阻B:穩(wěn)定放大倍數(shù)C:減小非線性失真D:展寬頻帶
答案:穩(wěn)定放大倍數(shù);減小非線性失真;展寬頻帶用瞬時極性法判斷反饋極性時,反饋信號的極性由輸出信號極性確定。(
)
A:對B:錯
答案:對
第六章單元測試
下列是低通濾波器的英文縮寫的是(
)。
A:HPFB:BPFC:BEFD:LPF
答案:LPF為使負載不影響濾波特性,在有源濾波電路和負載之間通常加(
)。
A:微分運算電路B:電壓跟隨器C:模擬乘法器D:差分放大電路
答案:電壓跟隨器理想集成運放的凈輸入電壓和凈輸入電流均為零。
A:對B:錯
答案:對反向比例運算電路的信號是從運放的同相輸入端輸入。
A:對B:錯
答案:錯由于理想集成運放的輸出為零,所以所有運算電路的輸出電阻均為零。
A:錯B:對
答案:對為了提高運算精度,一般應當選用高共模抑制比的集成運放。
A:錯B:對
答案:對PID調(diào)節(jié)器中同時含有比例、積分和微分運算電路。
A:錯B:對
答案:對指數(shù)運算電路的運算精度與溫度無關。
A:對B:錯
答案:錯濾波電路可以分為有源濾波和無源濾波電路。
A:錯B:對
答案:對一般來說,濾波器的品質(zhì)因數(shù)越大,選頻特性越好。
A:錯B:對
答案:對
第七章單元測試
對電壓比較器電路,表述不對的選項是(
)。
A:單限比較器只有一個閾值電壓.B:滯回比較器有兩個閾值電壓.C:窗口比較器有兩個閾值電壓.D:單限比較器有兩個閾值電壓.
答案:單限比較器有兩個閾值電壓.關于RC橋式振蕩電路,下列說法錯誤的是(
)。
A:理論上講,任何滿足放大倍數(shù)要求的放大電路與RC串并聯(lián)網(wǎng)絡都可組成正弦波振蕩電路。B:正弦波振蕩電路所選用的放大電路應具有盡可能小的輸入電阻。C:改變RC充放電時間常數(shù),可改變RC橋式正弦波振蕩電路的振蕩頻率。D:正弦波振蕩電路所選用的放大電路應具有盡可能小的輸出電阻。
答案:正弦波振蕩電路所選用的放大電路應具有盡可能小的輸入電阻。關于電容和電感,下列說法正確的是(
)。
A:信號頻率越低,電容的容抗越小。B:信號頻率越低,電感的感抗越小。C:信號頻率越高,電容的容抗越小。D:信號頻率越高,電感的感抗越小。
答案:信號頻率越低,電感的感抗越小。;信號頻率越高,電容的容抗越小。正弦波振蕩電路的顯著特征是(
)。
A:引入正反饋。B:外加選頻網(wǎng)絡。C:有電壓比較器。D:有滯回特性。
答案:引入正反饋。;外加選頻網(wǎng)絡。正弦波振蕩電路引入選頻網(wǎng)絡的目的是為了使振蕩頻率人為可控。
A:錯B:對
答案:對若正弦波振蕩電路不滿足相位條件,則電路一定不會振蕩。
A:對B:錯
答案:對變壓器反饋式振蕩電路的優(yōu)點是振蕩頻率的穩(wěn)定性高。
A:錯B:對
答案:對電感反饋式振蕩電路的輸出電壓波形中通常含有高次諧波。
A:對B:錯
答案:對石英晶體振蕩器具有非常穩(wěn)定的固有頻率。
A:錯B:對
答案:錯LC正弦波振蕩電路的振蕩頻率較高,所以放大電路多采用分立元件電路。
A:對B:錯
答案:對
第八章單元測試
功率放大電路的最大輸出功率是在輸入為正弦波時,輸出基本不失真情況下,負載上可能獲得的最大(
)。
A:交流功率瞬時值B:交流功率平均值C:直流功率D:交流功率有效值
答案:交流功率有效值功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指(
)。
A:輸出功率與晶體管所消耗的功率之比B:輸出功率與電源提供的平均功率之比C:晶體管所消耗的功率與電源提供的平均功率之比
答案:輸出功率與電源提供的平均功率之比已知電路如圖所示,電路中D1和D2管的作用是消除(
)。
A:削頂失真B:交越失真C:截止失真D:飽和失真
答案:交越失真若圖所示電路中晶體管飽和管壓降的數(shù)值為,則最大輸出功率=(
)。
A:B:C:D:
答案:已知電路如圖所示,晶體管發(fā)射極靜態(tài)電位(
)。
A:>0B:<0C:=0D:=0.5Vcc
答案:=0在選擇功放電路中的晶體管時,應當特別注意的參數(shù)有(
)。
A:B:C:D:
答案:;;功率放大電路與電流放大電路的區(qū)別是(
)。
A:前者比后者電源電壓高B:在電源電壓相同的情況下,前者比后者的輸出功率大C:前者比后者效率高D:前者比后者電流放大倍數(shù)大
答案:在電源電壓相同的情況下,前者比后者的輸出功率大;前者比后者效率高在功率放大電路中,輸出功率愈大,功放管的功耗愈大。(
)
A:錯B:對
答案:錯影響甲類功率放大器效率的主要原因是靜態(tài)損耗大。()
A:對B:錯
答案:對BTL功放電源的利用率比OTL功放高。(
)
A:對B:錯
答案:對
第九章單元測試
直流電源的濾波電路應選用(
)。
A:低通濾波電路B:高通濾波電路C:帶阻濾波電路D:帶通濾波電路
答案:低通濾波電路電源變壓器一般是(
)。
A:降壓變壓器B:升壓變壓器C:隔離變壓器
答案:降壓變壓器在橋式整流電容濾波電路中,已知變壓器副邊電壓有效值為10V,(T為電網(wǎng)電壓的周期)。正常情下況測得輸出電壓平均值可能的數(shù)值為
A:4.5VB:9VC:14VD:12V
答案:12V下列電路不屬于穩(wěn)壓電路組成部分的是(
)。
A:基準電路B:比較放大電路C:取樣電路D:整流電路
答案:整流電路將單相交流電轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的直流電壓,必不可少的組成部分是(
)
A:電
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