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文檔簡介
1.2相關知識1.2.2二極管總目錄下頁
在PN結的兩端各引出一根電極引線,然后用外殼封裝起來就構成了半導體二極管,由P區引出的電極稱為正極(或陽極),由N區引出的電極稱為負極(或陰極),其結構示意圖如圖1-7(a)所示,電路符號如圖1—7(b)所示,電路符號中的箭頭方向表示正向電流的方向。1.2.2二極管下頁上頁首頁圖1-7二極管的結構和符號1.二極管的結構與符號
按PN結面積的大小,半導體二極管可分為點接觸型和面接觸型兩大類。點接觸型二極管的PN結面積很小,結電容小,不允許通過較大的電流,不能承受較高的反向電壓,但其高頻性能好,適用于作高頻檢波、小功率電路和脈沖電路的開關元件等。
面接觸型二極管的PN結面積大,結電容大,可以通過較大的電流,能承受較高的反向電壓,適用于低頻電路,主要用于整流電路。
按照用途的不同,二極管分為整流、檢波、開關、穩壓、發光、快恢復和變容二極管等。常的二極管有金屬、塑料和玻璃三種封裝形式,其外形各異。下頁上頁首頁
二極管由一個PN結構成,因此,它的特性就是PN結的單向導電特性。常利用伏安特性曲線來形象地描述二極管的單向導電性。二極管的伏安特性,就是指二極管兩端的電壓U和流過二極管的電流I之間
的關系。若以二極管兩端的電壓U為橫坐標,流過二極管的電流I為縱坐標,用作圖法把電壓、電流的對應點用平滑曲線連接起來,就得到了二極管的伏安特性曲線,如圖1-9所示(圖中實線為硅二極管的伏安特性曲線,虛線為鍺二極管的伏安特性曲線),下面就二極管的伏安特性曲線進行說明。2.二極管的伏安特性下頁上頁首頁
(1)正向特性
二極管兩端加正向電壓時,電流和電壓的關系稱為二極管的正向特性。下頁上頁首頁
當正向電壓比較小時(0<U<Uth),外電場不足以克服PN結的內電場對多子擴散運動造成的阻力,正向電流極小,二極管呈現為一個大電阻,此區域稱為死區,電壓Uth稱為死區電壓(又稱門檻電壓)。
在室溫下硅管Uth≈0.5V,鍺管Uth≈0.1V,如圖1-9中OA(或OA/)段所示。圖1-9二極管的伏安特性曲線
當外加正向電壓大于Uth時,PN結的內電場大為削弱,二極管的電流隨外加電壓增加而顯著增大,電流與外加電壓呈指數關系,二極管呈現很小的電阻而處于導通狀態,硅二極管的正向導通壓降約為0.7V,鍺二極管的正向導通壓降約為0.3V,如圖1-9中AB(或AB/段)所示。
二極管正向導通時,要特別注意它的正向電流不能超過最大值,防止PN結被燒。下頁上頁首頁
(2)反向特性
二極管兩端加上反向電壓時,電流和電壓的關系稱為二極管的反向特性,由圖1-9中OC(或OC’段)所示,二極管的反向電流很小,且與反向電壓無關,因此,稱此電流值為二極管的反向飽和電流,這時二極管呈現很大的電阻而處于截止狀態,一般硅二極管的反向飽和電流比鍺二極管小很多,在室溫下,小功率硅管的反向飽和電流小于0.1微安,鍺管為幾十微安。下頁上頁首頁
(3)反向擊穿特性
當加在二極管兩端的反向電壓增大到UBR時,二極管內PN結被擊穿,二極管的反向電流將隨反向電壓的增加而急劇增大,如圖1-9中CD(或CD/)段所示,稱此現象為反向擊穿,UBR為反向擊穿電壓。反向擊穿后,只要反向電流和反向電壓的乘積不超過PN結容許的耗散功率,二極管一般不會損壞。若反向電壓下降到擊穿電壓以下后,其性能可恢復到原有情況,即這種擊穿是可逆的,稱為電擊穿;若反向擊穿電流過高,則會導致PN結結溫過高而燒壞,這種擊穿是不可逆的,稱為熱擊穿。下頁上頁首頁
(4)溫度對特性的影響
溫度對二極管的特性有顯著的影響,如圖1-10所示。當溫度升高時,正向特性曲線向左移,反向特性曲線向下移。變化規律是:在室溫附近,溫度每升高1℃,正向壓降約減小2~2.2mV,溫度每升高
10℃,反向電流約增大一倍。若溫度過高,可能導致PN結消失。一般規定硅管所允許的最高結溫為50-200℃,鍺管為75-150℃。下頁上頁首頁圖1-10溫度對二極管伏
安特性的影響
實用中一般通過查器件手冊,依據參數來合理使用二極管。二極管的主要參數有:
(1)最大整流電流IF
:指二極管長期連續工作時,允許通過的最大正向電流的平均值。使用時若超過此值,二極管會因過熱而燒壞。點接觸型二極管的IF
較小,面接觸型二極管的
IF較大。
(2)最高反向工作電壓
URM:指二極管正常工作時,允許施加在二極管兩端的最高反向電壓(峰值),通常手冊上給出的最高反向工作電壓URM為擊穿電壓UBR的一半。3.二極管的主要參數下頁上頁首頁
(3)反向飽和電流
IR
:指二極管未擊穿時的反向電流值。其值會隨溫度的升高而急劇增加,其值越小,二極管單向導電性能越好。反向電流值會隨溫度的上升而顯著增加,在實際應用中應加以注意。(4)最高工作頻率
fM
:指保證二極管單向導電作用的最高工作頻率。當工作頻率超過fM時,二極管的單向導電
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