工作簡況伴隨“硅器時代”的到來，硅在清潔能源生產、光通訊建設、集成電路領域均發(fā)揮著基礎主導性作用。太陽能級硅多晶作為聯(lián)通光伏產業(yè)鏈的中間樞紐，在多晶需求的占比達到90%以上，伴隨高效化、大硅片化及薄片化的發(fā)展趨勢，市場對高效高品質2015年~2016年經行業(yè)專家反復推敲、行業(yè)共同驗證的GB/T25074-2017的部分氧、碳、施受主雜質等關鍵參數(shù)測試方法標準的修訂，低溫紅外檢測設備的普及，與之國內硅多晶的質量已完全能滿足國內硅多晶片生產需求，正批量供應單晶硅生產n因此作為太陽能硅多晶行業(yè)的指導性產品標準，亟須與時俱進，科學引領行業(yè)發(fā)展。標準外文版計劃的通知》(國標委發(fā)〔2023〕58號)，國家標準《太陽能級硅多晶》由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口，任務編號為主要參加單位情況本標準主要起草人及工作職責見表1。表1主要起草人及工作職責起草人工作職責負責標準前期調研，技術指標收集負責草案的編制根據(jù)正在公示的計劃（2023000379）的要求，國家標準制工作由洛陽中硅高科技有限公司牽頭負責，組建了由洛陽中新疆大全新能源股份有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限業(yè)科技發(fā)展有限公司等專家成立標準編制組。編制組詳細討論國內外與本標準項目相關的標準、論文、專著等文獻資料，為和支撐。同時標準編制組也充分調研了硅多晶生產企業(yè)公司和能級硅多晶產品的技術要求，并組織相關人員整理，對擬制定圍、適用性、和科學性等內容進行了認真研討、論證和改進，確立了標準的主要內容。最終形成了《太陽能級硅多晶》的討會后洛陽中硅根據(jù)討論會意見，聯(lián)合標準起草組，形成2024年8月23日，由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會組織，在江蘇徐州召開了《太陽能級硅多晶》第二次標準工作會議（預審會），會議對本標準的技術指標、試驗方法等提出了相應修改建議。會后標準編制組根據(jù)會議內容對標準預審稿進行了修改和補充、完善，于2024年10月完成了審定稿及編制說明。標準編制原則（三）尺寸、表面質量部分按照最新的市場需求進行調整。標準主要內容的確定依據(jù)及主要試驗驗證情況分析規(guī)范性引用文件增加了最新的檢測方法標準，刪除了標準編制小組首先開始搜集相關的資料，起草小組對國際、國內太陽能級硅多晶光伏用的質量差，在標準討論稿中將國內外太陽能級硅多晶企業(yè)標準和用戶需求與國碳含量（以原子數(shù)計）cm注：硅多晶的導電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命和氧含量由供需雙方確定。因硅多晶結構（氧化夾層、溫度夾層）的出現(xiàn)，會影響產品純度，導致產品質量下降從而引發(fā)質量風險，所以在標準中增加了結構條款“硅多晶應無氧化夾層和溫度在標準公開討論過程中，與會專家認為，表面金屬對下游客戶的影響度較高，且匹配行業(yè)高質量發(fā)展要求。但同時專家認為，標準在高質量發(fā)展的同時也要考慮中小企業(yè)的發(fā)展以及不合格物料的處置問題，因此建議三級品的指標適當放寬至原二級品附近作為兜底。同時考慮體表金屬的邏輯匹配問題，最終形成征求意見稿的技術指標如表3征求意見稿技術指標碳含量（以原子數(shù)計）cm2024年8月22日，標準預審會上，與會專家提出太陽能硅多晶特級品施主雜質和受主雜質應與GB/T12963電子3級指標一致，其他指標不變，并考慮正在制定的團體標準《質量分級及“領跑者”評價要求太陽能級硅多晶》領跑者水平，所以將審定稿技術指標做如下修訂，如表4：表4審定稿技術指標項目技術指標特級品1級品2級品3級品施主雜質含量（P、As、Sb總含量，以原子數(shù)計）cm-3≤1.5×1013≤3.0×1013≤4.5×1013≤10.0×1013受主雜質含量（B、Al總含量，以原子數(shù)計）cm-3≤5.0×1012≤1.0×1013≤2.0×1013≤4.0×1013碳含量（以原子數(shù)計）cm-3≤1.5×1016≤2.0×1016≤2.5×1016≤3.0×1016基體金屬雜質含量（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na總含量），ng/g（ppbw）≤3≤8≤15≤20表面金屬雜質含量（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na、Al、K、Ti、Mo、W、Co總含量），ng/g（ppbw）≤5≤10≤20≤30注：硅多晶的導電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命和氧含量由供需雙方協(xié)商確定。在尺寸及允許偏差部分，與會專家認為根據(jù)目前的實際供應，客戶端對混裝的比例要求不同，在標準中推薦界定的指導意義不大，因此刪除了混裝比例的規(guī)定。結構方面雖然氧化夾層、溫度夾層是重要的評價指標，但隨著硅多晶生產技術的進步，氧化夾層、溫度夾層視為嚴重不合格，因此在最新版的標準中不宜作為一項普遍的技術1、因現(xiàn)在硅多晶企業(yè)普遍采用低溫紅外光譜儀檢測施受主雜質，不再使用準確度低的換算方法，刪除了硅多晶中的施主雜質含量和受主雜質含量的檢驗按GB/T1551和GB/T13389規(guī)定的方法換算得出。標準中涉及專利的情況采用國際標準和國外先進標準的情況與現(xiàn)行相關法律、法規(guī)、規(guī)章及相關標準的關系本標準修訂時，考慮到與國際標準和規(guī)范接軌，在規(guī)范性引用文件上按我國標準體系做了調整和編輯，在標準的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存等方面與國內相關標準協(xié)調一致；