SJ∕T 2658.7-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第7部分：輻射通量_第1頁
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ICS31.080Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part7:Radiantflux中華人民共和國工業和信息化部發布ISJ/T2658.7—2015 性修改外主要技術變化如下： 1半導體紅外發射二極管測量方法第7部分：輻射通量本部分規定了半導體紅外發射二極管(以下簡稱器件)輻射通量的測量原理圖、測量步驟以及規定凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。SJ/T2658.1半導體紅外發射二極管測量方法第1部分：總則4一般要求5測量方法5.1測量原理圖2SJ/T2658.7—2015積分球探測頭A十注1:被測器件發射的光輻射經積分球壁步次反射，在球壁產生與輻射通量成比例的均勻光；光度攥測系統的探測；遮光屏為探測系統屏蔽了來自被測器件的直接輻射注2:可采用變角光度計測量。被測器件、遮光扉以及光度探測系統的探測積分球相比，表面被應該小很多；球內壁和通光屏表面應有一層于功率消耗產生的變化5.2測量步驟輻射通量的測量按下列步驟進行測頭直接受到光輻射；b)調節電流源，給被測器件施加規定的正向電流I,用光度探測系統測量輻射通量值Φe。

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