SJ/T9014.8.2—2018半導體器件分立器件第8-2部分：超結金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規范Semiconductordevices—DiscretedevicesPart8-2:Blankdetailspecificationforsuperjunctionmetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors2018-04-30發布2018-07-01實施I——半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管(GB/T4586—1994);——半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場效應晶體管空白詳細規范(GB/T6219-1998)——半導體器件第10部付：分立器件和集盛電規節(GBT4589.1—2006);——半導體器件分立器件分規艷(GB/T12560—1999本規范起草單西安新能源種按發意有限公司、上海言虹宏力半導體制造有限公司、華潤上華科技有限公同、杜華微良子股份有限公司天水華天電子集組股份有限公司本規范主要據草人：陳梁、周宏偉、工、肖魁、王新、衛兵。1SJ/T9014.8.2—2018半導體器件分立器件第8-2部分：超結金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規范本規范適用于采用超結原理設計生產的超結金屬氧化物半導體場效應晶體管系列產品詳細規范的編制。2規范性引用文件凡是不注日期的引用文伴，其最新版木(包括所有的修改單)適用于本文化GB/T24236—2006GB/T2425.42008GB/T2423.13—2008電工電行產器環境第2部分：試會方法試驗C定濕熱試驗電1電子產品環境試除GB/T2423.22—2012GB/T2423gL-2013強度環境試驗第2部分：試驗方法試驗溫度變化環境試驗第2部分試驗學法試驗密封電工電子產品環境試驗模擬貯存影響的環境試驗則GB/T4023-20半導體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管GB/T4586—1994牢導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管GB/T4589.1—2006半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規范GB/T4937.3—2012單導體器件機械和氣候試驗方法第3部分，外部目驗GB/T6219—1998半導體器件分立器件第8部分場效應晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場效應晶體管空白詳細規范GB/T7581—1987半導體分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半導體器件分立器件分規范GB/T29332—2012半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)3空白詳細規范首頁的說明[1]授權起草詳細規范的行業標準機構名稱。[2]詳細規范號。2SJ/T9014.8.2—2018[5]器件型號。[7]外形圖和(或)引用有關的外形標準。[8]質量評定類別。注2:整個空白詳細規范中，當特性或額定值適用時，×表示在詳細規范中應填入的值。發布詳細規范的標準[1]機構名稱詳細規范號[2]評定電子器件質量的根據：[3]GB/T4589.1—2006GB/T12560—1999詳細規范號、發布日期和標準體系要求的任何更多的資料[有關器件的型號]訂貨資料：見本規范第7章外形標準：根據GB/T7581—1987[7]外形圖：[可在本規范的第10章給出詳細外形圖]引出端識別[引出端排列圖包括圖示符號]標志：字母、數字、圖形符號或色碼[如果可能，詳細規范應規定在器件上需標志的內容][見GB/T4589.1—2006的2.5和(或)本規范的第6章][如果采用特殊方法，需標明極性]超結金屬氧化物半導體場效應晶體管[6]絕緣柵N溝增強型封裝：[空腔或非空腔]用途：反激電路、LLC半橋諧振電路、升壓電路、降壓電路注意：操作靜電敏感器件時應遵守的預防措施(適用時)[根據GB/T4589.1—2006的2.6][8]參考數據[9]按本詳細規范鑒定合格的器件制造廠有效資料，見現行合格產品一覽表。4極限值(絕對最大額定值)3SJ/T9014.8.2—2018表1極限值章條號參數名稱符號最小值最大值單位4.1最高漏-源電壓VpssXV4.2最大漏極電流(Tae=25℃)pXXAA4.3最大峰值漏極電流XA4.4最高柵—源電壓VcssXXV4.5單脈沖雪崩能量(初始T=25℃)EAsXmJ4.6重復雪崩能量(初始T=25℃)EARXmJ4.7重復雪崩電流(初始T=25℃)XA4.8耗散功率(Teas=25℃)PXW4.9工作溫度xX℃4.10貯存溫度X℃4.11環境溫度或管完溫度X℃4.12二極管在續正向電流XA4.13極管脈沖電流XA4.14極管最大漏-V/ns5電特性檢驗要求見第8章。除非另有規是m/T。-24589.-20064章章條號參數名稱符號最小最單位試驗分組靜態特性漏一源擊安電壓VBp)pSsVA2b柵—源閾值電壓GS(ch)XV漏極截止電流XA2b,C2b正向柵極漏泄電流GSSFX反向柵極漏泄電流X正向跨導xXSA3漏—源通態電阻RDS(on)xΩA2b柵極電阻XΩA4動態特性共源極短路輸入電容CXpFC2a5.10共源極短路輸出電容CossXpF5.11共源極短路反饋電容CrssXpF5.12等效輸出電容Coss(eg)xpF4SJ/T9014.8.2—2018章條號參數名稱符號最小最大單位試驗分組5.13開啟延遲時間XA35.14上升時間tX5.15關斷延遲時間x5.16下降時間tx5.17單脈沖雪崩能量(初始T=25℃)EAsXmJB2c柵極電荷特性5.18柵極總電荷XA45.19柵—源電荷QcsX5.20柵—漏電荷QGpX二極管特性5.21二極管正向電壓VFSDXVA2b5.22二極管反向恢復時間tXA45.23二極管反向恢復電荷Qx5.24二極管反向恢復峰值電流XA熱特性5.25結到外殼的熱阻Rthj-e)xC2d5.26結到環境的熱阻RthG-a)x6標志7訂貨資料 準確的型號(需要時，給出標稱電壓值): 當有關時，帶版本號和(或)日期的詳細規范標準 當在同一詳細規范中包括幾種器件時，相關條件和(或)數值應以連續的方式給出相同條件和(或)數值的重復。5SJ/T9014.8.2—2018檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，Tmb/Tcase=25℃(見GB/T4589.1—2006的第4章)檢驗要求最小值最大值A1分組外部目驗GB/T4937.3-2012正常照明條件和正常視力條件器件型號、引出端標識、標志等符合要求，且無損傷A2a分組不能工作器件GB/T6219—短路：Vgsh<[0.1VGsch]minl或Icss>[101cssmaxl或Isp=10mA時，VFsp<0.2V開路：VGsth>[3Vcs(h)max]或Isp=10mA時，VFsp>2VA2b分組漏極截止電流正向柵極漏泄電淹反向柵極漏泄電流柵一源閥值電壓漏一源擊穿電醫漏—源通態電庫二極管正向電壓IGSSFGSSRGS(u)BR)DSsR(onESDW,15GB/T4023—2015中7,1.2s=[規定值],Vdcs=[規定值],Vs=[規定值],V,Ip=[定值[那定主cs=[規定值],Io-[規定值]Vcs=0,I=[規定值]××xX×A3分組正向跨導開啟延遲時間上升時間關斷延遲時間下降時間ttd(off)GB/T45861994中Vps=[規定值]Tcs或o規定值，[規定值Kps=[規定值],Vcs=[規定值],R?=[規定值],CL=[規定值],輸入脈沖渡越時間、持續時間、重復頻率=[規定值]X一Xxxx6表3(續)檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，Tam./T=25℃(見GB/T4589.1—2006的第4章)檢驗要求最小值最大值A4分組柵極電荷特性柵極總電荷柵一源電荷棚一漏電荷柵極電阻二極管特性二極管反向恢復時間二極管反向恢復電荷二極管反向恢復峰值電流QgsQGDQGB/T29332—2012中6.3.10Vpp=[規定值],Ip=[規定值],Vcs=[規定值]f=1MHzVpp=[規定值],I=[規定值],dipdt=[規定值]—×××××x×注：全部試驗都是非破壞性的。表4B組——逐批檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，T/T=25℃(見GB/T4589.1—2006的第4章)檢驗要求最小值最大值B1分組尺寸GB/T4589,1—2006中4.3.2見本規范第1章B2c分組單脈沖雪崩能量(D)EAsVDp=[規定值],L=[規定值],Rgs=[規定值]×—B3分組引出端強度引線彎曲(D)(適用時)GB/T2423.60—2008中5力=[見GB/T2423.60—2008的5.5.2]無損傷B4分組可焊性GB/T2423.28—2005中4優先采用焊槽法潤濕良好B5分組快速溫度變化繼之以：a)(對非空腔器件)循環濕熱(D)最后測試：GB/T2423.22-2012GB/T2423.4-2008GB/T4586—1994中TA=Tstgmin,Tg=Tsgmax,循環次數=試驗Db,方式2嚴酷等級：55℃,循環次數=7SJ/T9014.8.2—2018檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，Tam/Tcase=25℃(見GB/T4589.1—2006的第4章)檢驗要求最小值最大值漏—源擊穿電壓柵—源閾值電壓漏極截止電流正向柵極漏泄電流反向柵極漏泄電流漏一源通態電阻二極管正向電壓b)(對空腔器件)密封VBR)DSSVcs(h)Rps(on)VFSDGB/T4023—2015中7.1.2GB/T2423.23-2013按A2b分組Qc試驗LSLLSL—一—USLUSLUSLUSLUSLUSLB8分組電耐久性(168h)最后測試：漏一源擊穿電壓柵一源閾值電壓漏極截止電流正向柵極漏泄電流反向柵極漏泄電流漏—源通態電阻二極管正向電壓V(BR)pssVGS(th)RpslonVPspGB/T29332—2012中7.2.5GB/T4586-—1994中GB/T4023—2015中7.1.2高溫反偏(HTRB)、高溫柵極偏置(HTGB)或間隙工作壽命規定溫度；對HTRB,Vps=[規定值],Vcs=0;對HTGB,Vgs=Vgss,Vps=0按A2b分組LSLLSL一USLUSLUSLUSLUSLUSLCRRL分組提供B2、B3、B5和B8的計數檢查結果注：標有(D)的是破壞性試驗，其中，LSL為規范下限，USL為規范上限(根據A組)。檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，TambTase=25℃(見GB/T4589.1--2006的第4章)檢驗要求最小值最大值C1分組尺寸GB/T4589.1—2006中4.3.2見本規范第1章C2a分組共源極短路輸入電容共源極短路反饋電容共源極短路輸出電容等效輸出電容CissCssCossCoss(eg)GB/T4586—1994中Vps=[規定值],Vcs=[規定值]或Ip=[規定值],f[規定值]Vcs=0,Vps=[規定值]—×x×x8表5(續)檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，Tm/Tea=25℃(見GB/T4589.1—2006的第4章)檢驗要求最小值最大值C2b分組漏極截止電流正向柵極漏泄電流反向柵極漏泄電流GB/T4586—1994中T=[規定高的Vps=[規定值],Vgs=0Vgs=[規定值],Vps=0Vc=[規定值],Vps=0xC2d分組熱阻結到外殼的熱阻結到環境的熱阻GB/T45861994中[按規定xC3分組引出端強度(適用時)拉力和(或)轉矩GB/T2423.602008中拉力=[規定值]轉矩=[規定值]無損傷或按規定C4分組耐焊接熱(D)最后測試：漏一源擊穿電柵—源閾值電莊漏極截止電流正向柵極漏泄電流反向柵極漏泄電流漏—源通態電阻二極管正向電壓Vog)DSSVgs(thDss8(on)2005中V,2GB/T40232015中7.1.2[按規定]期=180dUSLUSLUSLUSLUSLUSLC6分組恒定加速度[僅對空腔器件1最后測試：漏—源擊穿電壓柵—源閾值電壓漏極截止電流正向柵極漏泄電流反向柵極漏泄電流漏—源通態電阻二極管正向電壓VBR)DSSVGS(ch)Rps(on)VpsDGB/T2423.15GBT4586—1994中GB/T4023—2015中7.1.2[按規定]按A2b分組一一一—USLUSLUSLUSLUSLUSL9SJ/T9014.8.2—2018表5(續)檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，TamJTcas=25℃(見GB/T4589.1—2006的第4章)檢驗要求最小值最大值C7分組穩態濕熱(D)或循環濕熱(D)[僅對非空腔器件]最后測試：同B5分組GB/T2423.3-2006GB/T2423.4-2008[按規定]試驗Db、方法2、嚴酷等級55℃、循環次數=[按規定]C8分組電耐久性最后測試：漏—源擊穿電壓柵—源閥值電壓漏極截止電流正向柵極漏泄電流反向柵極漏泄電流漏—源通態電阻二極管正向電壓VBR)DSSVGSth)GSsFRps(on)VFSDGB/T29332—2012中7.2.5GB/T4586—1994中GB/T4023—2015中7.1.2高溫反偏(HTRB)、高溫柵極偏置(HTGB)或間隙工作壽命規定溫度；對HTRB,Vps=[規定值],Vgs=0;對HTGB,Vgs=Vgss,Vps=0按A2b分組LSLLSLUSLUSLUSLUSLUSLUSLC9分組高溫貯存(D)最后測試：漏—源擊穿電壓柵—源閾值電壓漏極截止電流正向柵極漏泄電流反向柵極漏泄電流漏一源通態電阻二極管正向電壓V(BR)DSsVGschRps(on)VFSDGB/T2424.19-2005GB/T4586—1994中GB/T4023—2015中