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文檔簡介
ICS81.060.30
CCSQ32
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/TXXXX—XXXX
精細(xì)陶瓷斷裂阻力試驗(yàn)方法壓痕(IF)法
Fineceramics—Testmethodsforfractureresistanceofmonolithicceramics—
Indentationfracture(IF)method
[ISO21618:2019,Fineceramics(advancedceramics,advancedtechnicalceramics)—
Testmethodforfractureresistanceofmonolithicceramicsatroomtemperatureby
indentationfracture(IF)method,MOD]
(征求意見稿)
在提交反饋意見時(shí),請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施
GB/TXXXXX—XXXX
精細(xì)陶瓷斷裂阻力試驗(yàn)方法壓痕(IF)法
1范圍
本文件規(guī)定了壓痕法測定塊體陶瓷斷裂阻力的試驗(yàn)方法。該方法適用于宏觀上均勻的塊體陶瓷和晶
須或顆粒增強(qiáng)的陶瓷材料,不適用于軸承球用塊體氮化硅陶瓷和連續(xù)纖維增強(qiáng)的陶瓷基復(fù)合材料。
本文件可用于材料的開發(fā)、比對、質(zhì)量評估、表征,并獲得其可靠性數(shù)據(jù)。
本文件定義的壓痕斷裂阻力KI,IFR,不等同于其他試驗(yàn)方法測定的斷裂韌性,如KISC和KIPB。
注:KI,IFR是材料抵抗壓痕裂紋擴(kuò)展的阻力,和耐磨性、滾動(dòng)接觸疲勞及加工過程相關(guān),因?yàn)檫@些性能受局部損傷區(qū)
[1-3]
域抗裂紋擴(kuò)展能力的控制。相比之下,斷裂韌性KISC和KIPB是材料的固有特性,與宏觀和災(zāi)難性斷裂并伴隨
產(chǎn)生的長裂紋相關(guān),而與微觀和連續(xù)損傷累積引起的短裂紋不相關(guān)。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,
僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本
文件。
GB/T3505產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS)表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語、定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)(GB/T
3505—2009,ISO4287:1997,IDT)
GB/T4340.2金屬材料維氏硬度試驗(yàn)第2部分:硬度計(jì)的檢驗(yàn)與校準(zhǔn)(GB/T4340.2—2012,ISO
6507-2:2005,MOD)
GB/T4340.3金屬材料維氏硬度試驗(yàn)第3部分:標(biāo)準(zhǔn)硬度塊的標(biāo)定(GB/T4340.3—2012,ISO
6507-3:2005,MOD)
GB/T16534精細(xì)陶瓷室溫硬度試驗(yàn)方法(GB/T16534—22009,ISO14705:2008,MOD)
JC/T2172精細(xì)陶瓷彈性模量、剪切模量和泊松比試驗(yàn)方法脈沖激勵(lì)法
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件。
3.1
斷裂阻力fractureresistance
壓痕裂紋擴(kuò)展阻力程度的度量。
3.2
斷裂阻力值fractureresistancevalue
KI,IFR
壓痕法測得的裂紋擴(kuò)展阻力值。
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注:這里使用的壓痕斷裂阻力KI,IFR不等同于裂紋失穩(wěn)擴(kuò)展斷裂韌性KIC。KI,IFR是材料抵抗由壓頭引入裂紋的擴(kuò)展能力。
KIC被認(rèn)為是一種材料的固有特性,和測試方法無關(guān)。
4原理
本文件可用于致密塊體陶瓷的材料開發(fā)、比對、質(zhì)量評估、表征,并獲得其可靠性數(shù)據(jù)。使用維氏
壓頭壓入材料表面,移除壓頭后,測量表面壓痕對角線和裂紋長度,用材料彈性模量和壓頭加載力計(jì)算
壓痕斷裂阻力值(見圖1)[4]。本方法適用于半餅狀裂紋,但不適用于巴氏裂紋。兩種裂紋形貌可以通
過估算裂紋長度2c和壓痕對角線長度2a的比值來判斷,當(dāng)2c/2a大于2.5時(shí),裂紋是半餅狀裂紋。但是對
于某些半餅狀陶瓷裂紋,2c/2a小于2.5,需通過浸漬染色或者斷面分析技術(shù)來判斷兩種裂紋類型。為了
提高精度,可分開測量裂紋長度和裂紋尖端。裂紋長度不應(yīng)在單個(gè)光學(xué)圖像中測量,因?yàn)檫@樣做不可避
免地會(huì)限制可使用的放大率。移動(dòng)顯微鏡是一種解決方案,允許以大分辨率分別讀取裂紋長度和檢測裂
紋尖端。為了確保可靠性,應(yīng)使用40倍或更高的物鏡和經(jīng)過校準(zhǔn)的光學(xué)平臺。附錄C列出了本方法的國
際和國內(nèi)實(shí)驗(yàn)室比對結(jié)果(見參考文獻(xiàn)[5-8])。
標(biāo)引符號說明:
2a1,2a2——壓痕對角線長度;
2c1——壓痕對角線長度對角線裂紋長度。
圖1維氏壓痕的對角線長度和裂紋長度
5裝置
5.1硬度計(jì)
硬度計(jì)應(yīng)符合GB/T4340.2的規(guī)定,且應(yīng)能夠施加49.03N至196.1N載荷。
5.2壓頭
硬度計(jì)壓頭應(yīng)符合GB/T4340.2規(guī)定的維氏壓頭的要求。試驗(yàn)前應(yīng)檢查金剛石壓頭,如果壓頭在安
裝材料中松動(dòng)、碎裂或破裂,應(yīng)更換壓頭。
5.3通過標(biāo)準(zhǔn)硬度塊進(jìn)行驗(yàn)證
應(yīng)使用符合GB/T4340.3的標(biāo)準(zhǔn)硬度塊驗(yàn)證硬度計(jì),標(biāo)準(zhǔn)塊維氏硬度與待測材料的硬度相差不得超
過20%。
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5.4金相顯微鏡或移動(dòng)式顯微鏡
用配備有校準(zhǔn)載物臺移動(dòng)裝置的金相顯微鏡或移動(dòng)式顯微鏡測量裂紋尖端和裂紋長度。物鏡的放大
率應(yīng)為40倍或50倍并且總放大率應(yīng)為400倍或更大。移動(dòng)平臺應(yīng)能垂直和水平移動(dòng),工作臺位置的讀數(shù)
分辨率應(yīng)為1μm或更小。裂紋尖端的觀察應(yīng)采用具有足夠光強(qiáng)的同軸垂直照明。
6樣品制備
6.1厚度
樣品的厚度應(yīng)使裂紋長度不受厚度變化的影響。樣品的厚度大于裂紋長度(2c)的5倍,試驗(yàn)結(jié)果
不會(huì)受到影響。推薦的樣品厚度至少為3mm。
6.2表面光潔度
為了精確測量裂紋長度,樣品的表面應(yīng)進(jìn)行打磨和拋光。樣品表面粗糙度應(yīng)符合GB/T3505中定義
的粗糙度Ra要求,不超過0.1μm。應(yīng)通過拋光去除表面的任何磨削損傷層,使裂紋長度不受表面層殘余
應(yīng)力的影響。為精確測量裂紋長度,應(yīng)避免樣品表面因顆粒剝落或碎裂造成的微小凹坑。
注:附錄A提供典型加工過程的進(jìn)一步信息。
壓痕法只適用評價(jià)致密陶瓷。對于多孔陶瓷,因?yàn)榫哂幸恍┬】紫堵实奶沾煽赡茉趬汉圻^程局部致
密化,降低裂紋形成的驅(qū)動(dòng)力,并導(dǎo)致KI,IFR結(jié)果偏高。因此,應(yīng)在測試報(bào)告中描述孔隙率。
7試驗(yàn)步驟
7.1樣品放置
將樣品表面清洗干凈,無油脂或污染,然后將樣品放在儀器工作臺上。
7.2樣品調(diào)平
被測樣品表面應(yīng)與壓頭軸線垂直。
7.3壓頭清潔
在試驗(yàn)之前應(yīng)清潔壓頭。可使用含有乙醇、甲醇或異丙醇的棉簽或壓入軟銅來清除壓頭表面污染物。
7.4樣品臺運(yùn)動(dòng)調(diào)整
確保光學(xué)平臺的水平運(yùn)動(dòng)與視場的水平方向一致。應(yīng)使用千分尺校準(zhǔn)載物臺移動(dòng)的幅度。調(diào)整載物
臺和長度校準(zhǔn)程序應(yīng)按照附錄B中的規(guī)定執(zhí)行。
7.5試驗(yàn)載荷
使用維氏硬度計(jì)進(jìn)行壓痕試驗(yàn),試驗(yàn)載荷為196.1N,保載時(shí)間為15s。
如果在196.1N的載荷下獲得的壓痕無效(見圖2),則應(yīng)使用較低的試驗(yàn)載荷,如98.07N或49.03N。
應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中列出試驗(yàn)載荷。
注:在98.07N或49.03N的載荷下測得的KI,IFR可能略小于196.1N測得的結(jié)果,特別是那些具有自增韌顯微結(jié)構(gòu)及表現(xiàn)
出R曲線的氮化硅陶瓷。由于壓痕變小,在98.07N和49.03N下測量結(jié)果精度會(huì)變差。
7.6壓痕的有效性
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只能接受四個(gè)主裂紋從四個(gè)對角線方向延伸的壓痕。如圖2所示的邊緣剝落、嚴(yán)重不對稱、分叉裂
紋或粗糙的崩裂裂紋是無效壓痕。如果水平裂紋長度和垂直裂紋長度之間的差異大于其平均值的10%,
則壓痕無效。如果2c/2a小于2.5,則可能是巴氏裂紋,壓痕無效。如果裂紋類型是半餅狀的,則結(jié)果是
可以接受的。裂紋類型可通過浸漬染色或者斷面分析技術(shù)來判斷[9]。應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中列出有效壓痕和總
壓痕數(shù),因?yàn)闊o效壓痕太多意味著使用有效壓痕的準(zhǔn)確性可能會(huì)受到影響,例如用到橫向裂紋。
標(biāo)引序號說明:
1——?jiǎng)兟溥吘墸?/p>
2——不對稱;
3——嚴(yán)重分叉;
4——缺口和參差不齊的邊;
5——2c2<<2c1或2c1<<2c2;
6——2c/2a<2.5。
圖2無效壓痕示意圖
7.7壓痕數(shù)
有效壓痕的數(shù)量不得少于五個(gè)。壓痕的間距不得小于裂紋對角線長度的5倍,見圖3。壓痕與邊緣距
離不得少于裂紋對角線長度的3倍。
標(biāo)引序號說明:
1——樣品邊緣;
2——壓痕;
2c——對角線裂紋的長度;
l1——壓痕中心之間的距離;
l2——從壓痕中心到樣品邊緣的距離。
圖3壓痕之間以及從壓痕到樣品邊緣的最大允許間距
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7.8壓痕尺寸測量
7.8.1在卸載后10min內(nèi),測量壓痕的兩條對角線長度2a至1μm精度以內(nèi)。具體過程參考GB/T16534。
7.8.2將壓痕對角線方向調(diào)整到光學(xué)區(qū)域的垂直軸和水平軸。
7.8.3將壓痕對角線的左上角置于視場中心,并記錄載物臺位置。
7.8.4將壓痕對角線的右上角置于視場中心,并記錄載物臺位置。
7.8.5根據(jù)載物臺位置的變化計(jì)算水平對角線尺寸2a1。
7.8.6按照與7.8.3至7.8.5相同的步驟,獲得垂直對角線尺寸2a2。
7.9裂紋尺寸的測量
7.9.1在卸載后10min內(nèi),應(yīng)使用以下測量步驟測量水平和垂直裂紋長度2c至1μm精度以內(nèi)。
7.9.2如圖4(左)所示,將左側(cè)裂紋尖端置于視場中心,并記錄載物臺位置。為了識別裂紋尖端位
置,建議通過快速前后轉(zhuǎn)動(dòng)微調(diào)旋鈕,使圖像聚焦和散焦幾次。
7.9.3如圖4(右)所示,將右側(cè)裂紋尖端置于視場中心,并記錄載物臺位置。
7.9.4根據(jù)載物臺位置的變化計(jì)算水平裂紋長度2c1。
7.9.5按照與7.9.2至7.9.4相同的步驟,獲得直裂紋長度2c2。
標(biāo)引序號說明:
1——在高放大率下對左裂紋尖端的觀察(左裂紋尖端位于視場的中心);
2——在高放大率下對右裂紋尖端的觀察(右裂紋尖端位于視場的中心)。
圖4使用40倍或50倍物鏡和移動(dòng)樣品臺測量裂紋長度的方法
7.9.6如果裂紋尖端接觸到直徑為10μm或更大的孔洞,因難以確定裂尖位置而判定試驗(yàn)無效。如果
孔洞的直徑小于10μm,可將孔洞直徑包括在裂紋長度內(nèi),如圖5(左)所示。當(dāng)裂紋在顆粒或孔洞處
中斷并再次出現(xiàn)時(shí),將斷開裂紋的末端作為裂紋尖端來測量裂紋長度,如圖5(右)所示。
標(biāo)引序號說明:
1——直徑小于10μm的孔洞。
圖5當(dāng)裂紋尖端接觸孔洞或裂紋在顆粒或孔洞處斷開時(shí)裂紋長度的測量方法
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8結(jié)果計(jì)算
8.1對于每個(gè)壓痕,根據(jù)公式(1)計(jì)算2a和2c的平均值。
2a2a2c2c
2a12和2c12..............................................................(1)
22
8.2對于每個(gè)壓痕,根據(jù)公式(2)計(jì)算維氏硬度值。
F
HV0.001854........................................................................(2)
2a2
式中:
HV——維氏硬度值,單位為吉帕(GPa);
F——加載力,單位為牛頓(N);
A——壓痕對角線長度的一半,單位為毫米(mm)。
8.3對于每個(gè)壓痕,根據(jù)公式(3)計(jì)算壓痕斷裂阻力值。
0.4
EF
K0.000978..............................................................(3)
I,IFRHVc1.5
式中:
1/2
KI,IFR——壓痕斷裂阻力,單位為兆帕每米的0.5次方(MPa·m);
E——彈性模量,單位為吉帕(GPa);
HV——維氏硬度值,單位為吉帕(GPa);
F——加載力,單位為牛頓(N);
c——裂紋對角線長度的一半,單位為毫米(mm)。
如果樣品可從與樣品相同的材料批次中獲得,應(yīng)用JC/T2172規(guī)定的方法測試彈性模量。如果無法
獲得相應(yīng)尺寸的樣品,則選用文獻(xiàn)彈性模量數(shù)據(jù)。
本文件選用Niihara方程因?yàn)橛?jì)算所得的KI,IFR和SEPB和SCF方法測得的典型結(jié)構(gòu)陶瓷的KIC結(jié)果一致,
但不包括極細(xì)晶粒陶瓷[11,12,13]。
9試驗(yàn)報(bào)告
試驗(yàn)結(jié)果的報(bào)告應(yīng)包括以下項(xiàng)目:
a)檢測機(jī)構(gòu)的名稱和地址:
b)試驗(yàn)日期、報(bào)告和每頁的唯一標(biāo)識、客戶名稱和地址以及報(bào)告的授權(quán)簽字人;
c)引用的本文件名稱;
d)試驗(yàn)材料信息,批次代碼和制造日期等;
e)樣品的幾何形狀和尺寸;
f)樣品的取樣條件及其加工條件(當(dāng)樣品經(jīng)過熱處理時(shí),包括其條件);
g)試驗(yàn)機(jī)的名稱和型號;
h)顯微鏡的名稱和型號;
i)用于觀察和測量裂紋的物鏡放大率和總放大率;
j)測試環(huán)境、相對濕度和溫度;
k)壓痕載荷值;
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l)用于計(jì)算壓痕斷裂阻力的彈性模量以及測量方法,例如用JC/T2172測試得彈性模量,如果使
用文獻(xiàn)數(shù)據(jù),應(yīng)提供數(shù)據(jù)來源;
m)測試結(jié)果列表(測量的有效壓痕數(shù)量,以及壓痕總數(shù)、平均壓痕斷裂阻力和標(biāo)準(zhǔn)偏差);
n)與規(guī)定程序的偏差(如果有);
壓痕試驗(yàn)結(jié)果的報(bào)告宜包括以下項(xiàng)目:
o)試驗(yàn)材料的添加劑的種類和燒結(jié)方法;
p)測試材料的機(jī)械性能,如彎曲強(qiáng)度或維氏硬度;
q)使用微多孔陶瓷時(shí)測試材料的孔隙率。
A
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附錄A
(資料性)
用機(jī)器研磨V型槽
A.1概述
樣品表面光潔度的狀況影響裂紋長度測量的準(zhǔn)確性。當(dāng)由于顆粒脫落或破碎而在表面形成小凹坑時(shí),
測量裂紋尖端的正確位置變得困難。因此,有必要采用適當(dāng)?shù)募庸すに噥肀苊膺@種困難。本附錄中敘述
了一個(gè)理想表面光潔度的加工過程示例。
A.2切割和研磨
A.2.1使用樹脂結(jié)合金剛石砂輪,從燒結(jié)塊體上切割出樣品。
A.2.2準(zhǔn)備一個(gè)直徑約為130mm的鐵圓盤支架。沿著圓的圓周排列多個(gè)試樣(超過五個(gè)),并用蠟粘
合樣品,如圖A.1所示。
標(biāo)引序號說明:
1——鐵盤支架;
2——樣品。
圖A.1鐵盤支架上樣品的排列
A.2.3用電磁鐵將鐵架貼在研磨機(jī)的工作臺上,樣品面朝上。
A.2.4應(yīng)使用直徑為200mm的200目金剛石砂輪清除表面上最后0.2mm或以上的部分。將砂輪轉(zhuǎn)速設(shè)
置為2600r/min,切割深度應(yīng)小于6μm/道。拋光次數(shù)應(yīng)為10次。
A.2.5接著應(yīng)使用直徑為200mm的400目金剛石砂輪清除表面上最后70μm。將砂輪轉(zhuǎn)速設(shè)置為2600r
/min。切割深度應(yīng)小于3μm/道。拋光次數(shù)應(yīng)為10次。
A.2.6從研磨機(jī)的工作臺上取下鐵盤支架。
A.3拋光和研磨
A.3.1準(zhǔn)備一個(gè)銅制開槽拋光板。板的直徑應(yīng)為380mm或更大。將鐵架放在拋光板上,樣品面朝下。
將板的轉(zhuǎn)速設(shè)置為60r/min。樣品架應(yīng)繞其軸線旋轉(zhuǎn)。每分鐘向拋光板上噴灑少量粒徑為3μm金剛石顆
粒的磨料拋光液。通過使用適當(dāng)?shù)淖灾貙悠返膲毫φ{(diào)節(jié)至約2N/cm2,拋光的持續(xù)時(shí)間應(yīng)超過1h。當(dāng)
所有研磨引起的劃痕消失時(shí),拋光結(jié)束。
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A.3.2準(zhǔn)備一個(gè)由錫制成的帶槽研磨板。板的直徑應(yīng)為380mm或更大。將鐵架放在研磨板上,樣品面
朝下。將板的轉(zhuǎn)速設(shè)置為60r/min。樣品架應(yīng)繞其軸線旋轉(zhuǎn)。每分鐘向拋光板上噴灑少量金剛石顆粒粒
徑為0.5μm的磨料拋光液。通過使用適當(dāng)?shù)淖灾貙悠返膲毫φ{(diào)節(jié)至約2N/cm2,研磨的持續(xù)時(shí)間應(yīng)超
過1h。在拋光和研磨過程中,從表面去除最后10μm或更多。當(dāng)獲得拋光鏡面時(shí),研磨拋光完成。
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BB
附錄B
(資料性)
調(diào)整步進(jìn)臺軸線和校準(zhǔn)步進(jìn)臺長度測量
B.1.1概述
移動(dòng)平臺的軸和視場之間的不匹配會(huì)導(dǎo)致裂紋長度讀數(shù)誤差。因此,在測量之前有必要調(diào)整移動(dòng)平
臺。此外,還需要對移動(dòng)平臺長度測量校準(zhǔn)。本附錄描述了載物臺軸調(diào)節(jié)和校準(zhǔn)的一般程序。
B.2移動(dòng)平臺軸線的調(diào)整
B.2.1將樣品放在顯微鏡的移動(dòng)臺上。用40倍或50倍的物鏡觀察樣品,找到一個(gè)小而清晰的標(biāo)識,例
如樣品角落或印記。
B.2.2在視場的水平線上做個(gè)標(biāo)記,例如目鏡中的交叉線(見圖B.1a))。
a)設(shè)定階段b)檢查階段c)確認(rèn)階段
標(biāo)引序號說明:
1——視場;
2——水平線;
3——標(biāo)記。
圖B.1移動(dòng)平臺軸線的調(diào)整
B.2.3移動(dòng)樣品臺,使標(biāo)記向左移動(dòng)。如果標(biāo)記偏離水平線(見圖B.1b)),調(diào)整樣品臺軸,使標(biāo)記沿
水平線移動(dòng)(見圖B.1c))。
B.3使用移動(dòng)平臺校準(zhǔn)長度測量
B.3.1將放大40倍或50倍的物鏡安裝在顯微鏡上。
B.3.2將長度為1000μm的物鏡千分尺放在載物臺上,并用光學(xué)顯微鏡觀察。
B.3.3將千分尺的水平方向與視場水平方向?qū)R。
B.3.4將千分尺的左端居中,并記錄載物臺位置。
B.3.5水平移動(dòng)載物臺,到千分尺的右端居中。記錄載物臺位置。
B.3.6根據(jù)載物臺位置的變化計(jì)算載物臺的移動(dòng)。檢查載物臺的移動(dòng)是否為(1000±10)μm。
B.3.7以與水平程序相同的方式校準(zhǔn)垂直方向長度測量。
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CC
附錄C
(資料性)
壓痕法試驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)室比對結(jié)果
采用本文件規(guī)定的試驗(yàn)方法進(jìn)行了國內(nèi)和國際比對試驗(yàn)[5-8]。表C.1列出了比對試驗(yàn)用四種代表性結(jié)
構(gòu)陶瓷樣品的信息。
表C.1樣品工藝參數(shù)和材料特性
材料純度/質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%體積密度/(g/cm3)晶粒尺寸/μm楊氏模量/GPa
SSiC(SC-859)a-3.021-10365
GPSSN(SN-1)-3.21-10b284
氧化鋁(Hi-CERA)99.63.881-20370
氧化鋁(SSA-96)96.93.841-20354
a.采用B和C作為助劑固相燒結(jié)
b.長柱狀晶長軸長度
使用了ISO5725-2(參考文獻(xiàn)[14])分析了壓痕法斷裂阻力比對試驗(yàn)的重復(fù)性(實(shí)驗(yàn)室內(nèi))和再現(xiàn)
性(實(shí)驗(yàn)室之間)結(jié)果見表C.2。并與VAMAS進(jìn)行的SCF和SEVNB方法比對試驗(yàn)的結(jié)果[15,16]進(jìn)行了比較。
壓痕法的精確度和偏差和標(biāo)準(zhǔn)的SCF和SEVNB方法相當(dāng)。
[1][3]
表C.2SEVNB法結(jié)果的變異系數(shù)和標(biāo)準(zhǔn)差的重復(fù)性和再現(xiàn)性與SCF法測熱壓Si3N4結(jié)果對比
可重復(fù)性
數(shù)量平均值可復(fù)制性
(實(shí)驗(yàn)室)
比對試驗(yàn)
材料方法SDCVSDCV
類型
實(shí)驗(yàn)室壓痕數(shù)MPa·ml/MPa·ml/MPa·ml/
%%
222
IF國內(nèi)9433.200.113.40.123.8
SSiC(SC-850)
IF國際7393.300.133.90.267.8
IF國內(nèi)11687.790.253.20.344.4
GPSSN(SN-1)
IF國際6457.670.151.90.263.4
AluminaIF國內(nèi)12624.280.204.70.327.4
(Hi-CERA)IF國際6374.170.225.30.286.6
Alumina(SSA-96)IF國內(nèi)12613.630.123.40.246.6
HPSNSCF國際191024.560.245.40.316.8
HIPSNSCF國際151005.000.387.70.458.9
Alumina-998SEVNB國際281353.570.174.60.226.1
Alumina-999SEVNB國際211023.740.236.20.4010.7
GPSSNSEVNB國際271295.360.285.30.346.3
SSiCSEVNB國際12562.610.124.50.186.8
注:CV:方差系數(shù)SD:標(biāo)準(zhǔn)偏差
11
GB/TXXXXX—XXXX
參?考?文?獻(xiàn)
[1]XuH.H.K.,JAHANMIRs.,IVESL.K.,JOBL.S.,RITCHIEK.L.Short-cracktoughness
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indentationfractureresistanceinsiliconnitrideceramicshot-pressedwithaluminaand
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[3]MIYAZAKIH,KANEMATSUW.,HYUGAH.,YOSHIZAWAY.,HIRAOK.,OHJIT.Rollingcontact
fatiguepropertiesandfractureresistanceforsiliconnitrideceramicswithvariousmicrostructures.
Ceram.Eng.Sci.Proc.2009,29(3)pp.91-99
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median/radialcracksystem.J.Am.Cerarη.Soc.1980,63(9-10)pp.574-581
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[6]MIYAZAKIH,YOSHIZAWAY.,YASUDAK.Improvedaccuracyofthemeasurementofindentationfractu
reresistanceforsiliconnitrideceramicsbythepowerfulopticalmicroscopy.Ceram.Int.2013,39(8)
pp.9499-9504
[7]MIYAZAKIH,&YOSHIZAWAY.Refinedmeasurementsofindentationfracture
resistanceofaluminausingpowerfulopticalmicroscopy.Ceram.Int.2014,40(2)pp.2777-2783
[8]MIYAZAKIH,&YOSHIZAWAY.Internationalround-robintestonanimproved
indentationfracture(IF)methodperformedthroughhigh-magnificationmicroscopy
withatravelingstage.Ceram.Int.2015,41(10)pp.13271-13276
[9]LUBET.Indentationcrackprofilesinsiliconnitride.J.Euro.Ceram.2001,21(2)pp.211-218
[10]NIIHARAK.,MORENAR.,HASSELMAND.P.H.EvaluationofKieofbrittlesolidsbythe
indentationmethodwithlowcrack-to-indentratios.J.Mater.Sci.Lett.1982,1(1)pp.13-16
[11]MIYAZAKIH,&YOSHIZAWAY.Correlationoftheindentationfractureresistancemeasuredusing
high-resolutionopticsandthefracturetoughnessobtainedbythesingle
edge-notchedbeam(SEPB)methodfortypicalstructuralceramicswithvariousmicrostructures.
Ceram.Int.2016,42(6)pp.7853-7876
[12]MIYAZAKIH,HYUGAH,HIRAOK.,OHJIT.Comparisonoffractureresistanceasmeasuredby
theindentationfracturemethodandfracturetoughnessdeterminedbythesingle-edge-precracked
beamtechniqueusingsiliconnitrideswithdifferentmicrostructures.j.Eur.Ceram.Soc.2007
(6)pp.2347-2355
[13]MIYAZAKIH,HYUGAH,YOSHIZAWAY.,HIRAOK.,OHJIT.Relationshipbetweenfracturetoughness
determinedbysurfacecrackinflexureandfractureresistancemeasuredbyindentationfracture
forsiliconnitrideceramicswithvariousmicrosttructures.Ceram.Int.2009,35(1)pp.493-501
[14]ISO5725-2:1994,Accurαcy[truenessandprecision)ofmeasurementmethodsandresults
-Part2:Basicmethodforthedeterminationofrepeatabilityandreproducibilityofastandardmeasurement
method
[15]QUINNG.,GETTINGSR.,KUBLERJ.(1996).Fractographyandthesurfacecrackinflexure(SCF)
methodforevaluatingfracturetoughnessofceramics,in:FractographyofGlαssesandCeramicsIII:
12
GB/TXXXXX—XXXX
CeramicTransactions,64,editedbyVARNERJ.R.,FRECHETTEV.C.,QUINNG.D.Amer.Ceram.Soc.,
Westerville,USA,pp.107-44
[16]KüBLER,J.,(1999).FracturetoughnessofceramicsusingtheSEVNBmethod:roundrobin,VAMASReport
No.37(ISSN1016-2186)andESISDocumentD2-99,EMPA-Dübendorf,Switzerland,1998。
_______________________________
13
GB/TXXXXX—XXXX
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定
起草。
本文件修改采用ISO21618:2019《精細(xì)陶瓷(先進(jìn)陶瓷、先進(jìn)技術(shù)陶瓷)室溫下用壓痕斷裂(IF)
法測定單片陶瓷抗斷裂性能的試驗(yàn)方法》。
本文件做出下列編輯性改動(dòng)及其技術(shù)性差異:
——為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào),將標(biāo)準(zhǔn)名稱改為《精細(xì)陶瓷斷裂阻力試驗(yàn)方法壓痕(IF)法》;
——為適應(yīng)我國的技術(shù)條件,第2章規(guī)范性引用文件中的ISO4287、ISO6570-2、ISO6570-3、ISO
114705、ISO17561分別由GB/T3505、GB/T4340.2、GB/T4340.3、GB/T16534、JC/T2172替
代。
本文件由中國建筑材料聯(lián)合會(huì)提出。
本文件由全國工業(yè)陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC194)歸口。
本文件起草單位:中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所等。
本文件主要起草人:王新剛,蔣丹宇等。
I
GB/TXXXXX—XXXX
精細(xì)陶瓷斷裂阻力試驗(yàn)方法壓痕(IF)法
1范圍
本文件規(guī)定了壓痕法測定塊體陶瓷斷裂阻力的試驗(yàn)方法。該方法適用于宏觀上均勻的塊體陶瓷和晶
須或顆粒增強(qiáng)的陶瓷材料,不適用于軸承球用塊體氮化硅陶瓷和連續(xù)纖維增強(qiáng)的陶瓷基復(fù)合材料。
本文件可用于材料的開發(fā)、比對、質(zhì)量評估、表征,并獲得其可靠性數(shù)據(jù)。
本文件定義的壓痕斷裂阻力KI,IFR,不等同于其他試驗(yàn)方法測定的斷裂韌性,如KISC和KIPB。
注:KI,IFR是材料抵抗壓痕裂紋擴(kuò)展的阻力,和耐磨性、滾動(dòng)接觸疲勞及加工過程相關(guān),因?yàn)檫@些性能受局部損傷區(qū)
[1-3]
域抗裂紋擴(kuò)展能力的控制。相比之下,斷裂韌性KISC和KIPB是材料的固有特性,與宏觀和災(zāi)難性斷裂并伴隨
產(chǎn)生的長裂紋相關(guān),而與微觀和連續(xù)損傷累積引起的短裂紋不相關(guān)。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,
僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本
文件。
GB/T3505產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS)表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語、定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)(GB/T
3505—2009,ISO4287:1997,IDT)
GB/T4340.2金屬材料維氏硬度試驗(yàn)第2部分:硬度計(jì)的檢驗(yàn)與校準(zhǔn)(GB/T4340.2—2012,ISO
6507-2:2005,MOD)
GB/T4340.3金屬材料維氏硬度試驗(yàn)第3部分:標(biāo)準(zhǔn)硬度塊的標(biāo)定(GB/T4340.3—2012,ISO
6507-3:2005,MOD)
GB/T16534精細(xì)陶瓷室溫硬度試驗(yàn)方法(GB/T16534—22009,ISO14705:2008,MOD)
JC/T2172精細(xì)陶瓷彈性模量、剪切模量和泊松比試驗(yàn)方法脈沖激勵(lì)法
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件。
3.1
斷裂阻力fractureresistance
壓痕裂紋擴(kuò)展阻力程度的度量。
3.2
斷裂阻力值fractureresistancevalue
KI,IFR
壓痕法測得的裂紋擴(kuò)展阻力值。
1
GB/TXXXXX—XXXX
注:這里使用的壓痕斷裂阻力KI,IFR不等同于裂紋失穩(wěn)擴(kuò)展斷裂韌性KIC。KI,IFR是材料抵抗由壓頭引入裂紋的擴(kuò)展能力。
KIC被認(rèn)為是一種材料的固有特性,和測試方法無關(guān)。
4原理
本文件可用于致密塊體陶瓷的材料開發(fā)、比對、質(zhì)量評估、表征,并獲得其可靠性數(shù)據(jù)。使用維氏
壓頭壓入材料表面,移除壓頭后,測量表面壓痕對角線和裂紋長度,用材料彈性模量和壓頭加載力計(jì)算
壓痕斷裂阻力值(見圖1)[4]。本方法適用于半餅狀裂紋,但不適用于巴氏裂紋。兩種裂紋形貌可以通
過估算裂紋長度2c和壓痕對角線長度2a的比值來判斷,當(dāng)2c/2a大于2.5時(shí),裂紋是半餅狀裂紋。但是對
于某些半餅狀陶瓷裂紋,2c/2a小于2.5,需通過浸漬染色或者斷面分析技術(shù)來判斷兩種裂紋類型。為了
提高精度,可分開測量裂紋長度和裂紋尖端。裂紋長度不應(yīng)在單個(gè)光學(xué)圖像中測量,因?yàn)檫@樣做不可避
免地會(huì)限制可使用的放大率。移動(dòng)顯微鏡是一種解決方案,允許以大分辨率分別讀取裂紋長度和檢測裂
紋尖端。為了確保可靠性,應(yīng)使用40倍或更高的物鏡和經(jīng)過校準(zhǔn)的光學(xué)平臺。附錄C列出了本方法的國
際和國內(nèi)實(shí)驗(yàn)室比對結(jié)果(見參考文獻(xiàn)[5-8])。
標(biāo)引符號說明:
2a1,2a2——壓痕對角線長度;
2c1——壓痕對角線長度對角線裂紋長度。
圖1維氏壓痕的對角線長度和裂紋長度
5裝置
5.1硬度計(jì)
硬度計(jì)應(yīng)符合GB/T4340.2的規(guī)定,且應(yīng)能夠施加49.03N至196.1N載荷。
5.2壓頭
硬度計(jì)壓頭應(yīng)符合GB/T4340.2規(guī)定的維氏壓頭的要求。試驗(yàn)前應(yīng)檢查金剛石壓頭,如果壓頭在安
裝材料中松動(dòng)、碎裂或破裂,應(yīng)更換壓頭。
5.3通過標(biāo)準(zhǔn)硬度塊進(jìn)行驗(yàn)證
應(yīng)使用符合GB/T4340.3的標(biāo)準(zhǔn)硬度塊驗(yàn)證硬度計(jì),標(biāo)準(zhǔn)塊維氏硬度與待測材料的硬度相差不得超
過20%。
2
GB/TXXXXX—XXXX
5.4金相顯微鏡或移動(dòng)式顯微鏡
用配備有校準(zhǔn)載物臺移動(dòng)裝置的金相顯微鏡或移動(dòng)式顯微鏡測量裂紋尖端和裂紋長度。物鏡的放大
率應(yīng)為40倍或50倍并且總放大率應(yīng)為400倍或更大。移動(dòng)平臺應(yīng)能垂直和水平移動(dòng),工作臺位置的讀數(shù)
分辨率應(yīng)為1μm或更小。裂紋尖端的觀察應(yīng)采用具有足夠光強(qiáng)的同軸垂直照明。
6樣品制備
6.1厚度
樣品的厚度應(yīng)使裂紋長度不受厚度變化的影響。樣品的厚度大于裂紋長度(2c)的5倍,試驗(yàn)結(jié)果
不會(huì)受到影響。推薦的樣品厚度至少為3mm。
6.2表面光潔度
為了精確測量裂紋長度,樣品的表面應(yīng)進(jìn)行打磨和拋光。樣品表面粗糙度應(yīng)符合GB/T3505中定義
的粗糙度Ra要求,不超過0.1μm。應(yīng)通過拋光去除表面的任何磨削損傷層,使裂紋長度不受表面層殘余
應(yīng)力的影響。為精確測量裂紋長度,應(yīng)避免樣品表面因顆粒剝落或碎裂造成的微小凹坑。
注:附錄A提供典型加工過程的進(jìn)一步信息。
壓痕法只適用評價(jià)致密陶瓷。對于多孔陶瓷,因?yàn)榫哂幸恍┬】紫堵实奶沾煽赡茉趬汉圻^程局部致
密化,降低裂紋形成的驅(qū)動(dòng)力,并導(dǎo)致KI,IFR結(jié)果偏高。因此,應(yīng)在測試報(bào)告
溫馨提示
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