化學(xué)氣相沉積單層VIB族過渡金屬硫化物的研究進(jìn)展研究進(jìn)展：化學(xué)氣相沉積單層VIB族過渡金屬硫化物摘要：?jiǎn)螌覸IB族過渡金屬硫化物材料具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性質(zhì)，因此在催化、能源存儲(chǔ)和電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。化學(xué)氣相沉積作為一種常用的方法，能夠在大面積基底上制備高質(zhì)量的單層VIB族過渡金屬硫化物。本文綜述了近年來化學(xué)氣相沉積單層VIB族過渡金屬硫化物的研究進(jìn)展，并分析了其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：化學(xué)氣相沉積；單層VIB族過渡金屬硫化物；研究進(jìn)展；應(yīng)用1.引言單層二維過渡金屬硫化物材料具有特殊的物理和化學(xué)性質(zhì)，因此在催化、光電子器件和能量存儲(chǔ)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。化學(xué)氣相沉積是一種常用的制備單層二維材料的方法，可以在大面積基底上制備高質(zhì)量的單層材料。本文主要綜述了化學(xué)氣相沉積制備單層VIB族過渡金屬硫化物的研究進(jìn)展，并對(duì)其在催化、能源存儲(chǔ)和電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行了討論。2.化學(xué)氣相沉積制備單層VIB族過渡金屬硫化物化學(xué)氣相沉積是一種通過將金屬和硫源的預(yù)混氣體送入高溫反應(yīng)室中，在基底上沉積金屬硫化物薄膜的方法。該方法具有高溫、高壓和高反應(yīng)速度的特點(diǎn)，能夠在大面積基底上制備高質(zhì)量的單層材料。2.1基底選擇在化學(xué)氣相沉積制備單層VIB族過渡金屬硫化物時(shí)，基底的選擇非常重要。常用的基底材料包括石墨、硅、氮化硅和氮化鋁等。石墨是一種常見的基底材料，具有良好的導(dǎo)電性和機(jī)械性能，能夠提供良好的電子傳輸性能。硅是一種廣泛應(yīng)用于集成電路制造中的基底材料，具有良好的熱穩(wěn)定性和機(jī)械性能。氮化硅和氮化鋁是一種新型的基底材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和機(jī)械性能，可以在高溫下進(jìn)行化學(xué)氣相沉積。2.2沉積條件化學(xué)氣相沉積制備單層VIB族過渡金屬硫化物的沉積條件包括溫度、壓力和反應(yīng)時(shí)間等。通常情況下，在較高的溫度下進(jìn)行沉積能夠得到更高質(zhì)量的單層材料。沉積溫度可以通過控制底部電阻加熱和輔助電阻加熱來實(shí)現(xiàn)。壓力和反應(yīng)時(shí)間對(duì)沉積速率和材料質(zhì)量也有重要影響，需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行調(diào)節(jié)。3.單層VIB族過渡金屬硫化物的研究進(jìn)展近年來，單層VIB族過渡金屬硫化物的制備和應(yīng)用的研究取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展。以單層二硫化鉬（MoS2）為例，通過化學(xué)氣相沉積，研究人員成功制備了高質(zhì)量的單層MoS2薄膜，并研究了其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。此外，還有研究人員制備了單層二硫化鎢（WS2）、單層二硫化錸（ReS2）和單層二硫化鈮（NbS2）等VIB族過渡金屬硫化物，并研究了它們的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。4.應(yīng)用前景單層VIB族過渡金屬硫化物材料具有廣闊的應(yīng)用前景。在催化領(lǐng)域，單層MoS2被廣泛應(yīng)用于氫化反應(yīng)、還原反應(yīng)和電催化等領(lǐng)域。在能源存儲(chǔ)領(lǐng)域，單層VIB族過渡金屬硫化物被用作超級(jí)電容器、鋰離子電池和燃料電池等能量存儲(chǔ)設(shè)備的電極材料。在電子器件領(lǐng)域，單層VIB族過渡金屬硫化物可以用于制備邏輯電路、傳感器和光電子器件等。5.結(jié)論化學(xué)氣相沉積是一種有效制備單層VIB族過渡金屬硫化物的方法。通過調(diào)節(jié)沉積條件，可以得到高質(zhì)量的單層材料。近年來，單層VIB族過渡金屬硫化物的研究取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，并在催化、能源存儲(chǔ)和電子器件等領(lǐng)域展示了廣泛的應(yīng)用前景。未來的研究還應(yīng)進(jìn)一步深入探究單層VIB族過渡金屬硫化物的物理和化學(xué)性質(zhì)，并開發(fā)其更多的應(yīng)用。參考文獻(xiàn)：[1]JariwalaB,etal.ChemicallyexfoliatedReS2:alow-electronmobility2Dsemiconductor.AcsNano,2014,8(2):1717-1724.[2]ZhangX,etal.Chemicalvapordepositiongrowthandapplicationsoftwo-dimensionalmaterialsandtheirheterostructures.ChemSocRev,2018,47(9):3509-3528.[3]HuangP,LiuKK,etal.Recentadvancesinchemicalvapordepositiongrowthandapplications