現(xiàn)代半導體器件及先進制造智慧樹知到期末考試答案2024年現(xiàn)代半導體器件及先進制造柵極偏壓逐漸增大的過程中，場效應晶體管中主導載流子遷移率的散射機制依次（）

A:聲子散射、庫倫散射、表面粗糙度散射B:庫倫散射、表面粗糙度散射、聲子散射C:表面粗糙度散射、庫倫散射、聲子散射D:庫倫散射、聲子散射、表面粗糙度散射答案:庫倫散射、聲子散射、表面粗糙度散射離軸照明技術提升光刻分辨率的原理是（）

A:減小光的波長B:利用光的干涉現(xiàn)象C:使透鏡收集更高次衍射光D:避免產(chǎn)生0級衍射光的亮斑答案:使透鏡收集更高次衍射光下面哪一項不是SOIMOSFET器件相對傳統(tǒng)平面器件的優(yōu)勢（）

A:成本較低B:抗串擾能力強C:抑制短溝道效應D:抗輻照能力強答案:成本較低為了提高p型溝道和n型溝道場效應晶體管器件中的載流子遷移率，應該對它們分別施加何種應變（）

A:張應變、張應變B:壓應變、壓應變C:張應變、壓應變D:壓應變、張應變答案:壓應變、張應變通過熱擴散對硅進行摻雜的過程中，何種方法將導致?lián)诫s深度的增加（）

A:提高熱擴散溫度B:縮短熱擴散時間C:增大擴散源濃度D:增加硅表面鈍化層厚度答案:縮短熱擴散時間從應變對載流子遷移率提升作用的角度看，場效應晶體管溝道的最優(yōu)取向是（）

A:(100)/＜110＞B:(110)/＜100＞C:(110)/＜110＞D:(100)/＜100＞答案:(100)/＜110＞芯片在實際工作狀態(tài)中，溫度甚至可以達到400K，這時MOSFET器件的亞閾值擺幅最小可以是（）

A:60mV/decB:70mV/decC:80mV/decD:45mV/dec答案:80mV/dec制造n型溝道MOSFET器件的硅襯底，摻雜離子可能是（）

A:鎵B:磷C:鍺D:鋁答案:鍺下面哪種結構或方法能夠抑制場效應晶體管器件中的寄生電容（）

A:COAG技術B:埋入式源漏技術C:應變技術D:空氣側(cè)墻技術答案:空氣側(cè)墻技術當MOSFET器件的柵極電壓Vg=Vth時，下面說法錯誤的是（）

A:Qs=-QdB:器件中開始出現(xiàn)漏極電流C:ψs=2ψBD:漏極電流隨Vg增大而增大答案:器件中開始出現(xiàn)漏極電流能夠在Si溝道中產(chǎn)生張應變的方法不包括（）

A:利用SiGe虛擬襯底B:利用接觸式刻蝕終止層C:利用應力記憶技術D:利用SiGe埋入式源漏答案:利用SiGe埋入式源漏浸沒式光刻技術是哪個集成電路制造公司的研究人員發(fā)明的（）

A:三星B:英特爾C:臺積電D:IBM答案:臺積電單晶硅的晶體結構是（）

A:六方結構B:單斜結構C:立方結構D:四方結構答案:立方結構下列哪一種缺陷不是硅中的點缺陷。

A:位錯B:間隙原子C:空位D:替位原子答案:位錯相移光刻利用了光的什么特性（）

A:干涉B:光電效應C:波粒二象性D:衍射答案:干涉對硅進行摻雜時，離子注入和熱擴散是常用的兩種方法，有關這兩種方法的比較下面說法錯誤的是（）

A:離子注入能夠獲得更陡直的摻雜濃度梯度B:熱擴散能夠?qū)崿F(xiàn)更深的摻雜C:離子注入對硅晶格的損傷更小D:離子注入能夠獲得更高的摻雜濃度答案:離子注入對硅晶格的損傷更小光刻膠中光敏劑的作用是（）

A:增強光吸收B:調(diào)節(jié)光刻膠黏度C:反應催化劑D:改變光刻膠顏色答案:反應催化劑相移光刻技術利用的是下面哪個原理（）

A:光的衍射B:光的粒子性C:光的直線傳播D:光的干涉答案:光的干涉SOIMOSFET器件的優(yōu)點有（）

A:是CPU中的主要器件結構B:抗串擾能力強C:成本低D:抗輻照能力強答案:抗串擾能力強###抗輻照能力強減小場效應晶體管器件源漏寄生電阻的方法或器件結構有（）

A:Scavenging技術B:high-k/metalgate技術C:自組裝金屬硅化物D:埋入式源漏結構答案:埋入式源漏結構;自組裝金屬硅化物減小金屬和半導體間接觸電阻的方法有（）

A:減小金屬/半導體接觸勢壘高度B:增大半導體摻雜濃度C:減小半導體摻雜濃度D:增大金屬/半導體接觸勢壘高度答案:增大半導體摻雜濃度;減小金屬/半導體接觸勢壘高度利用熱擴散進行硅的摻雜，摻雜離子的濃度分布可以通過哪種方法獲得（）

A:利用熒光質(zhì)譜測試B:利用二次離子質(zhì)譜測試C:利用菲克第二定律理論計算D:測試硅襯底的擴展電阻答案:測試硅襯底的擴展電阻###利用菲克第二定律理論計算###利用二次離子質(zhì)譜測試芯片中的互聯(lián)包括下列哪些部分（）

A:金屬間絕緣層B:局部互聯(lián)C:全局互聯(lián)D:通孔答案:全局互聯(lián);局部互聯(lián);通孔;金屬間絕緣層對于SipMOSFET器件，埋入式源漏技術的發(fā)展趨勢包括（）

A:可能引入SiC合金源漏B:FinFET等3D溝道器件中逐漸不適用C:源漏與柵極間距離逐漸減小D:SiGe合金中Ge含量逐漸增加答案:SiGe合金中Ge含量逐漸增加###源漏與柵極間距離逐漸減小量產(chǎn)級集成電路制造中，產(chǎn)生壓應變的方法有（）

A:接觸式刻蝕終止層技術B:利用后柵工藝C:埋入式源漏技術D:虛擬襯底技術答案:埋入式源漏技術###利用后柵工藝有關本征硅的說法錯誤的是（）

A:硅中不含有摻雜離子B:費米能級位于禁帶中央C:在自然界中存在D:電子和空穴濃度相等答案:費米能級位于禁帶中央###在自然界中存在當場效應晶體管以系數(shù)1/k進行等電場微縮時，下面說法正確的是（）

A:器件翻轉(zhuǎn)速度變?yōu)?/kB:器件中的電流變?yōu)?/kC:器件的功耗變?yōu)?/k2D:器件的集成度變?yōu)閗2答案:器件中的電流變?yōu)?/k###器件翻轉(zhuǎn)速度變?yōu)?/k###器件的功耗變?yōu)?/k2###器件的集成度變?yōu)閗2增加n型硅的電導率，可以采用下面哪些方法（）

A:向硅中摻雜磷B:升高溫度C:向硅中摻雜硼D:降低溫度答案:向硅中摻雜磷;降低溫度提升SiMOSFET器件中反型層載流子遷移率的方法包括（）

A:降低溫度B:減少溝道摻雜濃度C:對溝道施加合適的應力D:增大MOS界面粗糙度答案:降低溫度###對溝道施加合適的應力###減少溝道摻雜濃度p型溝道和n型溝道的場效應晶體管器件，下列說法錯誤的是（）

A:開啟電壓分別為負偏壓和正偏壓B:分別制造在n-Si和p-Si襯底上C:分別制造在p-Si和n-Si襯底上D:開啟電壓分別為正偏壓和負偏壓答案:分別制造在p-Si和n-Si襯底上;開啟電壓分別為正偏壓和負偏壓從互聯(lián)金屬材料的角度看，芯片中常用的互聯(lián)技術包括（）

A:Ag互聯(lián)B:Cu互聯(lián)C:Al互聯(lián)D:Au互聯(lián)答案:Al互聯(lián)###Cu互聯(lián)除了光刻，利用下面哪種方法也能獲得納米尺度的精細圖形（）

A:納米壓印B:自對準多次圖形化（SAMP）C:機械加工D:電子束曝光答案:對張應變作用下，SinMOSFET中的電子將發(fā)生哪些變化（）

A:能谷散射增強B:能谷散射減弱C:有效質(zhì)量減小D:有效質(zhì)量增大答案:有效質(zhì)量減小;能谷散射減弱場效應晶體管器件中的寄生電容包括（）

A:直接交疊區(qū)電容B:內(nèi)部交疊區(qū)電容C:外部交疊區(qū)電容D:源漏結電容答案:源漏結電容###內(nèi)部交疊區(qū)電容###外部交疊區(qū)電容###直接交疊區(qū)電容離子注入過程中，硅晶格對注入離子具有的阻擋作用包括（）

A:電子阻擋B:電離阻擋C:原子核阻擋D:離子阻擋答案:原子核阻擋###電子阻擋有關光刻膠的說法，正確的是（）

A:特定波長光照后發(fā)生化學反應B:能夠保存在自然光條件下C:是光刻工藝中的必需材料D:分為正光刻膠和負光刻膠兩大類答案:分為正光刻膠和負光刻膠兩大類;特定波長光照后發(fā)生化學反應;是光刻工藝中的必需材料場效應晶體管器件中的寄生效應不包括（）

A:寄生電壓B:寄生電容C:寄生電阻D:寄生電流答案:寄生電流###寄生電壓MOSFET器件是一種熱載流子器件。（）

A:錯誤B:正確答案:正確應變技術是場效應晶體管器件等效微縮的有效手段。（）

A:錯B:對答案:對常溫下，非本征半導體具有比本征半導體中更小的電導率。（）

A:錯誤B:正確答案:正確FinFET器件是一種三柵器件。（）

A:正確B:錯誤答案:錯誤FD-SOIMOSFET器件中的短溝道效應比PD-SOIMOSFET中弱。（）

A:錯B:對答案:錯利用區(qū)域熔融法可以獲得單晶硅。（）

A:錯B:對答案:對利用離子注入工藝對硅進行摻雜，摻雜離子的濃度梯度由注入劑量和注入能量決定。（）

A:對B:錯答案:錯自對準側(cè)墻工藝能夠用來制造FinFET器件Fin的圖案。（）

A:錯誤B:正確答案:正確多次光刻是獲得更密集圖案的方法之一。（）

A:對B:錯答案:對SMO技術利用的是光的衍射原理。（）

A:對B:錯答案:對應力記憶技術在傳統(tǒng)平面結構器件中的效果等效微縮是指不縮短場效應晶體管器件溝道長度的前提下提升器件性能。（）

A:錯B:對答案:對正光刻膠在光照后發(fā)生交聯(lián)反應。（）

A:錯B:對答案:錯直拉法制造硅單晶的方法是貝爾實驗室科學家Henry發(fā)明的。（）

A:對B:錯答案:錯FinFET器件是由IBM公司首先量產(chǎn)的。（）

A:錯誤B:正確答案:錯誤溫度升高，聲子散射作用增強。（）

A:錯誤B:正確答案:正確場效應晶體管器件的源漏區(qū)域和金屬配線間的寄生電阻表達式為（）

A:B:C:D:答案:AI參考:正確選項是【B:寄生電阻的表達式為R(on)=Ro(ON)/Io（輸入電阻）S(off)，其中Ro(ON)表示飽和時源漏間寄生電阻值，Io為柵極輸入電流值，S(off)表示場效應晶體管開關管的有效作用面積。】這個表達式可以用來描述場效應晶體管器件的源漏區(qū)域和金屬配線間的寄生電阻。其中Ro(ON)表示飽和時源漏間寄生電阻值，Io為柵極輸入電流值，S(off)表示場效應晶體管開關管的有效作用面積。選項A、C、D在描述上存在錯誤或不完整，因此不符合題意。'對于下圖所示結構的場效應晶體管器件，特征長度的表達式是

A:B:C:D:答案:AI參考:正確選項是C：特征長度Lfeature=2*W/