多晶硅源漏SiCN-MOSFET關鍵技術研究的綜述報告摘要：隨著功率電子的迅速發展，SiC功率器件越來越受到關注。而在SiC功率器件中，SiCN-MOSFET的性能對于功率電子的應用至關重要。因此，多晶硅源漏SiCN-MOSFET的關鍵技術研究備受關注。本綜述報告介紹了多晶硅源漏SiCN-MOSFET的發展歷程、關鍵技術及未來發展方向。關鍵詞：多晶硅源漏、SiCN-MOSFET、關鍵技術、未來發展方向1.簡介SiC功率器件因其優異的性能，在航空航天、電力系統、交通運輸、醫療電子等領域應用廣泛。SiCN-MOSFET作為一種重要的SiC功率器件，具有低導通電阻、高開關速度、高溫性能、無后效電荷效應等優點，在大功率電力電子應用中具有廣闊的發展前景。2.多晶硅源漏SiCN-MOSFET的發展歷程SiCN-MOSFET最初使用的是沉積的n型SiC（epiSiC），其表面品質較好，但是研究發現，其雜質濃度對器件的漏電流有較大的影響。為了解決這一問題，多晶硅源漏結構被提出。多晶硅可以充分填充硅化物表面的微觀結構，形成“分子靜電鍵”結構，進而提高SiCN-MOSFET的性能。3.多晶硅源漏SiCN-MOSFET的關鍵技術（1）多晶硅生長技術多晶硅生長技術是實現多晶硅源漏SiCN-MOSFET的關鍵技術之一。研究表明，多晶硅的品質、晶粒度和厚度對于SiCN-MOSFET的漏電流和導通特性有直接影響。目前，多晶硅的生長技術主要包括“熱分解”法、“低壓化學氣相沉積”法、反應物直接進入氣相下金屬有機化合物氣相沉積法等。（2）源漏電極技術多晶硅源漏SiCN-MOSFET的動態和靜態性能均與源漏電極的接觸質量和接觸電阻有關。目前，用于多晶硅源漏SiCN-MOSFET的常見電極技術有Ni/SbPt、Al/Ni/Au等結構。（3）界面質量的控制技術源漏極與多晶硅界面質量對多晶硅源漏SiCN-MOSFET的特性和可靠性都有著較大影響。界面間的SiO2和SiC的氧化程度、缺陷密度、原子擴散等參數都可能影響多晶硅源漏SiCN-MOSFET的表現。4.多晶硅源漏SiCN-MOSFET的未來發展方向（1）進一步提高功率密度為滿足更大功率的應用需求，提高多晶硅源漏SiCN-MOSFET的功率密度是未來發展的重要方向。目前，提高功率密度的主要途徑包括優化電極設計、改進基底設計、提高多晶硅品質等。（2）提高可靠性在實際應用中，多晶硅源漏SiCN-MOSFET存在電熱老化、損傷積累等問題，導致器件可靠性降低。因此，未來的發展方向之一是通過優化設計和材料選擇等措施來提高多晶硅源漏SiCN-MOSFET的可靠性。（3）發展集成化技術未來的發展方向之一是開發多晶硅源漏SiCN-MOSFET的集成化技術。利用先進的集成化技術，將多晶硅源漏SiCN-MOSFET與其他SiC器件集成在一起，可以有效提高功率電子系統的集成度和可靠性。5.結論本綜述報告介紹了多晶硅源漏SiCN-MOSFET的發展歷程、關鍵技術及未來發展方向。隨著功率電子市場的不斷擴大，多晶硅源漏SiCN-MOSFET的