標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 43313-2023 碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測(cè)試 共焦點(diǎn)微分干涉法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要規(guī)定了使用共焦點(diǎn)顯微鏡和微分干涉對(duì)比技術(shù)對(duì)碳化硅拋光片進(jìn)行表面質(zhì)量檢測(cè)及微管密度測(cè)量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶碳化硅材料制成的拋光片。

在表面質(zhì)量方面，標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了如何通過(guò)共焦點(diǎn)顯微鏡觀察樣品表面形態(tài)特征，包括但不限于劃痕、凹坑等缺陷，并給出了量化這些缺陷尺寸與分布的具體指導(dǎo)原則。同時(shí)，對(duì)于不同級(jí)別的表面粗糙度要求也有所說(shuō)明，幫助用戶根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的評(píng)價(jià)指標(biāo)。

針對(duì)微管密度測(cè)定，標(biāo)準(zhǔn)介紹了利用微分干涉對(duì)比技術(shù)識(shí)別并計(jì)數(shù)單位面積內(nèi)存在的微管數(shù)量的過(guò)程。這里強(qiáng)調(diào)了樣品準(zhǔn)備的重要性，如正確選取待測(cè)區(qū)域、確保光照條件一致等，以保證數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。此外，還提供了處理實(shí)驗(yàn)結(jié)果時(shí)應(yīng)遵循的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)方法，比如采用多次重復(fù)測(cè)量取平均值來(lái)提高精度。

整個(gè)文件不僅涵蓋了理論基礎(chǔ)和技術(shù)流程，還包括了一些實(shí)用的操作指南和注意事項(xiàng)，旨在為從事相關(guān)研究或生產(chǎn)的人員提供一套科學(xué)合理且易于執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)操作程序。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-11-27 頒布
  • 2024-06-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 43313-2023碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測(cè)試共焦點(diǎn)微分干涉法_第1頁(yè)
GB/T 43313-2023碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測(cè)試共焦點(diǎn)微分干涉法_第2頁(yè)
GB/T 43313-2023碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測(cè)試共焦點(diǎn)微分干涉法_第3頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43313—2023

碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測(cè)試

共焦點(diǎn)微分干涉法

Testmethodforsurfacequalityandmicropipedensityofpolishedsilicon

carbidewafers—Confocalanddifferentialinterferometryoptics

2023-11-27發(fā)布2024-06-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T43313—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司常州

:、、

臻晶半導(dǎo)體有限公司湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司廈門坤錦電子科技有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)

、、、

公司第十三研究所廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司中國(guó)科學(xué)

、、、

院半導(dǎo)體研究所環(huán)鑫半導(dǎo)體天津有限公司浙江東尼電子股份有限公司

、TCL()、。

本文件主要起草人姚康劉立娜何烜坤李素青馬春喜高飛張紅巖陸敏鄭紅軍房玉龍

:、、、、、、、、、、

蘆偉立丁雄杰劉薇李嘉煒晏陽(yáng)鈕應(yīng)喜楊玉聰黃樹(shù)福

、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T43313—2023

碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測(cè)試

共焦點(diǎn)微分干涉法

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的共焦點(diǎn)微分干涉測(cè)試方法

4H。

本文件適用于直徑為厚度范圍為

50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm,300μm~1000μm

碳化硅拋光片的表面質(zhì)量和微管密度的測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.1—20211:

碳化硅單晶拋光片

GB/T30656

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4原理

采用共焦點(diǎn)微分干涉光學(xué)系統(tǒng)入射光通過(guò)諾馬斯基棱鏡和物鏡后照射到晶片表面晶片表面反射

,,

的光線通過(guò)共聚焦光學(xué)系統(tǒng)到達(dá)檢測(cè)器對(duì)待測(cè)晶片進(jìn)行全表面掃描獲得晶片表面各個(gè)位置的真實(shí)

。,

圖像與預(yù)設(shè)的各種缺陷的特征參數(shù)信息相比較對(duì)采集到的缺陷進(jìn)行分類識(shí)別并對(duì)缺陷的數(shù)量進(jìn)行統(tǒng)

,,

計(jì)進(jìn)而獲得各類缺陷在晶片表面的分布圖以及各類缺陷的數(shù)量

,,。

5干擾因素

51潔凈室的環(huán)境會(huì)影響晶體表面顆粒數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性

.,。

52光源穩(wěn)定性會(huì)影響儀器對(duì)各類缺陷的信號(hào)采集在圖像分析時(shí)易出現(xiàn)誤判

.,。

53儀器參數(shù)設(shè)置主要是對(duì)缺陷類別進(jìn)行界定因此儀器參數(shù)的設(shè)置也會(huì)影響晶體表面缺陷分類的準(zhǔn)

.,

確性

。

54晶片表面沾污會(huì)增加樣品缺陷數(shù)量同時(shí)也會(huì)影響儀器對(duì)樣品表面劃痕凹坑顆粒微管的識(shí)別

.,

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