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文檔簡介

選修三

物質結構與性質復習“物構”:起點高、落點低→易得分選考內容15分:選修模塊“物質結構與性質”和“有機化學基礎”,考生從中任意選一個模塊。專題2原子結構與元素的性質p27專題3微粒間作用力與物質性質p61專題4分子結構與物質性質p84重點:三個專題01原子核外電子排布的表示方法02電離能與電負性的應用03分子立體構型與中心原子雜化類型的判斷04鍵的極性和分子的極性05晶體類型的判斷及熔沸點比較06與晶胞有關計算高頻考點

2016年全國Ⅰ卷鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________,有__________個未成對電子。考察:1-36號核外電子排布的原理、表示方法注意:洪特規(guī)則特例ⅥBCr3d54s1

ⅡBCu3d104s1

;3d104s24p22講解學案P10620原子電子排布式(原子實法)、結構示意圖外圍電子排布式、價電子排布式、軌道表示式(3)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因_____________________。

GeCl4GeBr4GeI4熔點/℃?49.526146沸點/℃83.1186約400考察:不同晶體類型結構、性質比較練習冊P64、65鍺的鹵化物都是分子晶體,分子間通過分子間作用力結合,對于組成與結構相似的分子晶體,相對分子質量越大,分子間作用力越強,熔沸點越高,由于相對分子質量:GeCl4<GeBr4<GeI4,故沸點:GeCl4<GeBr4<GeI4,講解(4)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是_________GaF3為離子晶體,GaCl3為分子晶體,離子晶體的熔點高

2016年全國Ⅲ卷

舉一反三(4)光催化還原CO2制備CH4反應中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑。Zn、Ge、O電負性由大至小的順序是______________。考察:電負性比較、應用p23O>Ge>Zn注:元素的非金屬性越強,吸引電子的能力越強,元素的電負性越大,在化合物中顯負價講解Zn:+2Ge:+4O:-2(5)Ge單晶具有金剛石型結構,其中Ge原子的雜化方式為________,微粒之間存在的作用力是_____________。考察:微粒間作用力、中心原子雜化類型

注意:1.根據分子的空間構型或鍵角2.價層電子對互斥理論:ABm型共價分子或離子中心原子價電子對數

中心原子雜化軌道類型2sp3sp24sp3sp3雜化共價鍵講解3、根據σ鍵數和孤電子對數逆向判斷中心原子價電子對數=σ鍵數+孤電子對數4、根據根據等電子原理根據一些熟悉的分子的雜化軌道類型來判斷與它互為等電子體的不熟悉的分子的雜化軌道類型如N2OCNS-CO2σ鍵數+孤電子對數中心原子雜化軌道類型2sp3sp24sp3試一試2017年全國Ⅲ卷CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為__________和__________。sp雜化sp3雜化

(6)晶胞有兩個基本要素:①原子坐標參數,表示晶胞內部各原子的相對位置,下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標參數

A為(0,0,0);B為(?,0,?)C為(?,?,0)則D原子的坐標參數為______。ZnS型晶胞(?,?,?)講解常見晶胞類型、均攤法計算NaCl型CsCl型CaF2型ZnS型②晶胞參數,描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數a=565.76pm,其密度為__________g·cm-3(列出計算式即可)。考察:晶胞有關計算注意:①密度=——————————N×MNAV晶胞×*單位換算1pm=10-10cm“均攤法”②空間利用率=----------------V晶胞r3N××100%講解砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題:(1)基態(tài)As原子的核外電子排布式______________。(2)根據元素周期律,原子半徑Ga_____As,第一電離能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)

2016年全國Ⅲ卷考察:元素周期表、周期律(半徑、化合價、金屬性、非金屬性、第一電離能、電負性遞變規(guī)律)注意:同周期第一電離能呈增大“趨勢”,反常:ⅡA>ⅢAns2

全充滿ⅤA>ⅥAns2np3半充滿[Ar]3d104s24p3大于小于真題(3)AsCl3分子的立體構型為________,其中As的雜化軌道類型為________。2016年全國Ⅲ卷考察:分子空間構型、中心原子雜化判斷三角錐型sp3注:分子空間構型因孤對電子占據雜化軌道發(fā)生變化分子中心原子雜化類型孤電子對數分子構型AB2sp0直線形sp21V形sp32V形真題分子空間構型判斷分子中心原子雜化類型孤電子對數分子構型AB3sp20平面正三角形sp31三角錐型分子中心原子雜化類型孤電子對數分子構型AB4sp30正四面體型sp31三角錐型sp32V形或根據等電子體構型相似、記住特殊分子構型

2016全國Ⅰ卷東晉《華陽國志·南中志》卷四中已有關于白銅的記載,云南鎳白銅(銅鎳合金)聞名中外,曾主要用于造幣,亦可用于制作仿銀飾品。回答下列問題:(1)鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為____________________3d能級上的未成對電子數為________。考察:核外電子排布原理與表達1s22s22p63s23p63d84s2或[Ar]3d84s22練兵(2)硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4藍色溶液。①[Ni(NH3)6]SO4中陰離子的立體構型是________。考察:分子空間構型-VSEPR理論價電子對數n=(6+0+2)/2=4正四面體練兵(2)硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4藍色溶液。②在[Ni(NH3)6]2+中Ni2+與NH3之間形成的化學鍵稱為________,提供孤電子對的成鍵原子是________。考察:配合物的組成:內界(含配位鍵)、中心原子、配位體、配位原子、配位數、外界配位鍵N練兵(2)③氨的沸點______(填“高于”或“低于”)膦(PH3),原因是____________________________________________;氨是________分子(填“極性”或“非極性”),中心原子的軌道雜化類型為________。高于考察:氫鍵對物質性質的影響、分子的極性、雜化類型注意:分子間、分子內氫鍵對熔沸點影響的區(qū)別NH3分子間可形成氫鍵極性sp3練兵(3)單質銅及鎳都是由________鍵形成的晶體;元素銅與鎳的第二電離能分別為:I2Cu=1958kJ·mol-1、I2Ni=1753kJ·mol-1,I2Cu>I2Ni的原因___________________________________________考察:微粒間作用力、離子核外電子排布、洪特規(guī)則、電離能金屬銅失去的是全充滿的3d10電子,鎳失去的是4s1電子練兵(4)某鎳白銅合金的立方晶胞結構如圖所示。①晶胞中銅原子與鎳原子的數量比為________。②若合金的密度為dg·cm-3,晶胞參數a=________nm。考察:晶胞計算3∶1練兵碳及其化合物廣泛存在于自然界中。回答下列問題:(1)處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子核外出現的概率密度分布可用____________形象化描述。在基態(tài)14C原子中,核外存在_____對自旋相反的電子;(2)碳在形成化合物時,其鍵型以共價鍵為主,原因是____________________。(3)

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