1GB/TXXXXX—XXXX埋層硅外延片本文件規定了埋層硅外延片的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、貯存、隨行文件等。本文件適用于具有埋層結構的硅外延片，產品主要用于制作集成電路芯片和半導體分立器件。2規范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1555半導體單晶晶向測定方法GB/T2828.1—2012計數抽樣檢驗程序第1部分：按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T6617硅片電阻率測定擴展電阻探針法GB/T6624硅拋光片表面質量目測檢驗方法GB/T12962硅單晶GB/T12964硅單晶拋光片GB/T13389摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜濃度換算規程GB/T14139硅外延片GB/T14141硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法GB/T14142硅外延層晶體完整性檢測方法腐蝕法GB/T14146硅外延層載流子濃度測定電容－電壓法GB/T14264半導體材料術語GB/T14847重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法GB/T19921硅拋光片表面顆粒測試方法GB/T24578硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試法GB/T29507硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法GB/T32280硅片翹曲度和彎曲度測試自動非接觸掃描法GB/T35310200mm硅外延片GB/T39145硅片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法YS/T28硅片包裝3術語和定義GB/T14264界定的以及下列術語和定義適用于本文件。3.1埋層硅外延片（siliconepitaxialwaferswithburiedlayers）2GB/TXXXXX—XXXX在埋層上外延生長半導體硅單晶薄膜層獲得的晶片。4產品分類4.1埋層硅外延片按外延層導電類型分為N型和P型。N型外延層摻雜元素為磷或砷，P型外延層摻雜元素為硼。4.2埋層硅外延片按按直徑尺寸分為76.2mm、100mm、125mm、150mm、200mm。5技術要求5.1襯底材料5.1.1埋層片襯底的摻雜元素和電阻率要求應符合表1的規定，其他包括埋層片襯底的徑向電阻率變化、厚度、徑向厚度變化等應符合GB/T12964、GB/T14139、GB/T35310的相關規定，其質量由需方保證。表1埋層片襯底質量要求5.1.2埋層的注入元素有磷P，砷As，銻Sb、硼B，注入元素、注入劑量由需方提供。5.1.3埋層的表面質量要求應符合表2的規定，其他包括埋層的晶格完整性、幾何參數、表面金屬、表面顆粒等應符合GB/T12964、GB/T14139、GB/T35310的相關規定，其質量由需方保證。表2埋層片表面質量要求）；錯、位錯等微觀缺陷）5.2外延層3GB/TXXXXX—XXXX5.2.1圖形規格參數埋層硅外延片的圖形漂移率和圖形畸變率應符合表3的規定。表3圖形漂移和圖形畸變5.2.1.1圖形漂移率為埋層襯底上的圖形寬度和外延層表面圖形寬度之差與外延層厚度的比值如圖1所示，按式（1）計算：………………（1）式中：——圖形漂移率d——外延層上圖形寬度與襯底上圖形寬度的偏離，單位為微米(μmt——外延層厚度，單位為微米(μm）。5.2.1.2圖形畸變率為埋層襯底表面圖形中心點和外延層表面對應的圖形中心點之間的橫向距離與外延層厚度的比值如圖2所示，按式（2）計算：…………………（2）式中：——圖形畸變率a——外延層上的圖形寬度，單位為微米(μmb——襯底上的圖形寬度，單位為微米(μmt——外延層厚度，單位為微米(μm）。4GB/TXXXXX—XXXX5.2.2電阻率及徑向電阻率變化埋層硅外延片的外延層電阻率及徑向電阻率變化應符合表4的規定。表4外延層電阻率及徑向電阻率變化±5%≤5%±15%≤15%5.2.3厚度及徑向厚度變化埋層硅外延片的外延層厚度及徑向厚度變化應符合表5的規定。表5外延層厚度及徑向厚度變化μm5.2.4縱向電阻率分布及過渡區寬度5.2.4.1埋層硅外延片的外延層縱向電阻率分布由需方確定。5.2.4.2埋層硅外延片的外延層過渡區寬度應小于外延層厚度的15%，或由需方確定。5.2.5晶格完整性埋層硅外延片外延層的位錯密度和層錯密度均應不大于10個/cm2。5.2.6幾何參數埋層硅外延片的幾何參數包括總厚度變化、總平整度、局部平整度、彎曲度、翹曲度均應符合GB/T14139、GB/T35310的規定。5.2.7表面金屬5GB/TXXXXX—XXXX埋層硅外延片的外延層表面金屬應符合表6的規定。表6表面金屬5.2.8表面質量埋層硅外延片的正表面質量和背表面質量應符合GB/T14139、GB/T35310的規定。正表面質量包括滑移線、顆粒（局部光散射體）、凹坑、冠狀邊緣、劃痕、桔皮、波紋、裂紋、鴉爪、霧、崩邊、沾污等。5.2.9邊緣埋層硅外延片的邊緣應光滑、無破損。5.2.10其他需方如對埋層硅外延片有其他要求時，由供需雙方協商并在訂貨單中注明。6試驗方法6.1埋層硅外延片的導電類型檢驗按GB/T1550的規定進行。6.2埋層硅外延片的晶向檢驗按GB/T1555的規定進行。6.3電阻率和摻雜濃度換算按GB/T13389的規定進行。6.4埋層硅外延片的圖形漂移率和圖形畸變率用臺階儀測試。6.5埋層硅外延片的外延層電阻率測試按GB/T14141或GB/T14146的規定進行，仲裁檢驗按GB/T14141的方法決定。外延層的徑向電阻率變化按式（1）計算。RV=x100%……（1）式中：RV——外延層的徑向電阻率變化；ρMax——是中心點以及在平行于與垂直于主參考面或norch的兩條直徑上距周邊6mm±1mm的5點位置處電阻率測量值的最大值，或中心點以及在平行于和垂直于主參考面或norch的兩條直徑上1/2半徑以及距周邊6mm±1mm的9點位置處電阻率測量值的最大值，單位為歐姆厘米(Ω·cm）；ρMin——是中心點以及在平行于與垂直于主參考面或norch的兩條直徑上距周邊6mm±1mm的5點位置處電阻率測量值的最小值，或中心點以及在平行于和垂直于主參考面或norch的兩條直徑上1/2半徑以及距周邊6mm±1mm的9點位置處電阻率測量值的最小值，單位為歐姆厘米(Ω·cm）。6.6埋層硅外延片的外延層厚度測試按GB/T14847的規定進行。外延層的徑向厚度變化按式（2）計TV=x100%……（2）6GB/TXXXXX—XXXX式中：TV——外延層的徑向厚度變化；TMax——是中心點以及在平行于與垂直于主參考面或norch的兩條直徑上距周邊6mm±1mm的5點位置處的厚度測量值的最大值，或中心點以及在平行于和垂直于主參考面或norch的兩條直徑上1/2半徑以及距周邊6mm±1mm的9點位置處厚度測量值的最小值，單位為微米(μm）；TMin——是中心點以及在平行于與垂直于主參考面或norch的兩條直徑上距周邊6mm±1mm的5點位置處的厚度測量值的最小值，或中心點以及在平行于和垂直于主參考面或norch的兩條直徑上1/2半徑以及距周邊6mm±1mm的9點位置處厚度測量值的最小值，單位為微米(μm）。6.7埋層硅外延片的外延層縱向電阻率分布與外延層過渡區寬度的測試按GB/T6617的規定進行，或按供需雙方商定的方法進行。過渡區寬度按式（3）計算：W=W1-W2…………………（3）式中：W——外延層的過渡區寬度，單位為微米(μmW1——過渡區開始時的厚度，即襯底的載流子濃度平均值的90%對應的外延層厚度，單位為微米(μmW2——過渡區結束時的厚度，即外延層的平坦區載流子濃度平均值的110%對應的外延層厚度，單位6.8埋層硅外延片的外延層晶格完整性（位錯密度、層錯密度）的檢測按GB/T14142的規定進行。6.9埋層硅外延片的總厚度變化、總平整度、局部平整度檢測按GB/T29507的規定進行。6.10埋層硅外延片的彎曲度、翹曲度檢測按GB/T32280的規定進行。6.11埋層硅外延片外延層的表面金屬檢測按GB/T39145或GB/T24578的規定進行測試，仲裁檢驗按GB/T39145的方法決定。6.12埋層硅外延片的正表面質量（除顆粒外）、背表面質量檢驗按GB/T6624的規定進行，或按供需雙方商定的辦法進行。6.13埋層硅外延片的表面顆粒檢驗按GB/T19921的規定進行。6.14埋層硅外延片的邊緣檢驗按GB/T6624的規定進行。6.157檢驗規則7.1檢查與驗收7.1.1每批產品應由供方技術質量監督部門進行檢驗，保證產品質量符合本文件規定，并填寫產品質量證明書。7.1.2需方可對收到的產品進行檢驗。若檢驗結果與本文件或訂貨單的規定不符時，應在收到產品之日起3個月內以書面形式向供方提出，由供需雙方協商解決。7.2組批每批埋層硅外延片應成批提交驗收，每批應由同一牌號、相同規格的埋層硅外延片組成，每批埋層硅外延片不得少于供需雙方商定數量。7.3檢驗項目7GB/TXXXXX—XXXX7.3.1每批埋層硅外延片應對導電類型、晶向、電阻率、徑向電阻率變化、厚度、徑向厚度變化、圖形漂移率、圖形畸變率、晶體完整性、幾何參數、表面金屬、正表面質量、表面顆粒、背表面質量、邊緣進行檢驗。7.3.2埋層硅外延片的縱向電阻率分布及過渡區寬度的檢驗由供需雙方協商。7.4取樣7.4.1每批產品如屬非破壞性測量的項目，檢測取樣按GB/T2828.1—2012一般檢查水平Ⅱ,正常檢查一次抽樣方案進行。7.4.2其他破壞性測量的檢測取樣按GB/T2828.1—2012特殊檢查水平S-2，正常檢查一次抽樣方案進行。7.4.3埋層硅外延片縱向電阻率分布及過渡區寬度的取樣由供需雙方協商確定。7.5檢驗結果的判定7.5.1導電類型、晶向檢驗若有一片不合格，則該批產品為不合格。7.5.2外延片縱向電阻率分布及過渡區寬度檢驗結果的判定由供需雙方協商確定。7.5.3其他檢驗項目的接受質量限（AQL）應符合表7的規定。表7檢測項目及接受質量限1234567898GB/TXXXXX—XXXX霧8標志、包裝、運輸、貯存和隨行文件8.1標志和包裝8.1.1埋層硅外延片的包裝可參照YS/T28的相關內容執行，也可由供需雙方協商確定。8.1.2包裝箱外應有“小心輕放”、“防腐防潮”、“易碎”字樣或標記，并注明：a)供方名稱；b)需方名稱；c)產品規格；d)產品數量。8.2運輸和貯存8.2.1產品在運輸過程中應輕裝輕卸、勿擠勿壓，并有防震措施。8.2.2產品應貯存在