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文檔簡介
專用
人人文庫
中華人民共和國國家標準
電子工程建設術語標準
Terminologystandardofelectronicsengineeringconstruction
GB/T50780-2013
主編部門:中華人民共和國工業和信息化部
批準部門:中華人民共和國住房和城鄉建設部專用
施行日期:2013年9月1日
人人文庫
中國計劃出版社
2013北京
書
中華人民共和國國家標準
電子工程建設術語標準專用
GB/T50780-2013
☆
中國計劃出版社出版
網址:
地址:北京市西城區木樨地北里甲11號國宏大廈C座3層
郵政編碼:100038電話:(010)63906433(發行部)
新華書店北京發行所發行
北京世知印務有限公司印刷
850mm×1168mm1/325.25印張132千字
2013年8月第1版2013年8月第1次印刷
人人文庫☆
統一書號:1580242·055
定價:32.00元
版權所有侵權必究
侵權舉報電話:(010)63906404
如有印裝質量問題,請寄本社出版部調換
中華人民共和國住房和城鄉建設部公告
第1624號
住房城鄉建設部關于發布國家標準
《電子工程建設術語標準》的公告
現批準《電子工程建設術語標準》為專用國家標準,編號為
GB/T50780—2013,自2013年9月1日起實施。
本標準由我部標準定額研究所組織中國計劃出版社出版
發行。
中華人民共和國住房和城鄉建設部
2013年2月7日
人人文庫
前言
本標準是根據原建設部《關于印發〈2006年工程建設標準規
范制訂、修訂計劃(第二批)〉的通知》(建標〔2006〕136號)的要求,
由中國電子工程設計院會同有關單位共同編制完成。
本標準在編制過程中,編制組對我國電子工程建設的有關
術語進行了廣泛調查研究,總結了國內外實踐經驗,廣泛征求
了國內有關設計、制造、研究、建設等單位意見。最后經審查
定稿。
本標準共分8章,主要內容包括:總則、電子工程建設專用綜合性
術語、整機類及電子系統工程、元器件類工程、電子材料類工程、電
子專用設備類工程、電子工程建設特種技術、相關工程。
本標準由住房和城鄉建設部負責管理,由工業和信息化部
負責日常管理,由中國電子工程設計院負責具體技術內容的解
釋。在本標準的執行過程中,如發現有需要修改和補充之處,
請將意見、建議和有關資料寄至中國電子工程設計院(地址:
北京市海淀區西四環北路160號,郵政編碼:100142),以供今
后修訂時參考。
本標準主編單位、參編單位、主要起草人和主要審查人:
主編單人人文庫位:中國電子工程設計院
參編單位:信息產業電子第十一設計研究院科技工程股份
有限公司
上海電子工程設計研究院有限公司
主要起草人:王立王志良鄭秉孝吳碧萍趙海
薛長立郝文建李強何艷紅楊黎
孫華成黎瑛嚴仁威張平鄭佳明
·1·
周春海陳利陸堅韓方俊江元升
朱浩南馮立國姜玉勤黃琦玲李衛
主要審查人:高鴻錦孫紅王元光提劉旺魏曉東
祝大同龔永林衡永田范寶元
專用
人人文庫
·2·
目!!錄
1!總!!則…………………(1)
2!電子工程建設綜合性術語………………(2)
3!整機類及電子系統工程…………………(3)
!3.1!計算機…………………(3)
!3.2!通信……………………(3)
!3.3!雷達與導航……………(4)
!3.4!廣播電視與音視頻產品…………………專用(5)
!3.5!電子測量儀器……………(7)
!3.6!信息化及信息技術應用…………………(7)
4!元器件類工程……………(10)
!4.1!微電子與集成電路………(10)
!4.2!顯示器件………………(11)
!4.3!電真空器件……………(14)
!4.4!阻容元件及特種器件……(15)
!4.5!印制電路板……………(16)
!4.6!機電組件………………(17)
!4.7!新能源人人文庫…………………(17)
5!電子材料類工程…………(19)
!5.1!半導體材料……………(19)
!5.2!玻璃陶瓷………………(20)
!5.3!光纖光纜………………(21)
!5.4!其他電子材料……………(22)
6!電子專用設備類工程……(25)
·1·
書
7!電子工程建設特種技術…………………(29)
!7.1!潔凈技術………………(29)
!7.2!電磁屏蔽………………(32)
!7.3!防靜電…………………(33)
!7.4!微振動控制……………(35)
!7.5!消音降噪………………(38)
!7.6!廢棄電器電子產品處理…………………(41)
!7.7!工藝技術與工藝設計……(44)
8!相關工程…………………(57)
!8.1!建筑及結構……………(57)
!8.2!電氣技術………………(57)
!8.3!公用工程………………(60)
!8.4!節能環保………………專用(62)
!8.5!與電子工程建設相關的工程服務…………(64)
索!!引………(69)
!中文索引……………………(69)
!英文索引……………………(90)
附:條文說明…………………(113)
人人文庫
·2·
Contents
1Generalprovisions………(1)
2Comprehensiveterminologyofelectronics
engineeringconstruction…………………(2)
3Projectsforfabricationofintegralmachines
andelectronicsystemsengineering……(3)
3.1Computer………………(3)
3.2Communication……………專用……………(3)
3.3Radarandnavigation……(4)
3.4Broadcastingandtelevisionandaudio-videoproducts……(5)
3.5Electronicmeasuringinstruments………(7)
3.6InformatizationandapplicationofIT……(7)
4Projectsformanufactureofelectroniccomponent……(10)
4.1MicroelectronicsandIC…………………(10)
4.2Displaydevices…………(11)
4.3Electrovacuumdevices…………………(14)
4.4RandCelementsandotherspecialelements……………(15)
4.5Printed人人文庫circuitboards……(16)
4.6Electromechanicalcomponents……………(17)
4.7Newenergyresources……(17)
5Projectsformanufactureofelectronicmaterial………(19)
5.1Semiconductormaterial…………………(19)
5.2Glassandceramic………(20)
5.3Opticalfibreandcable…………………(21)
5.4Otherelectronicsmaterial………………(22)
·3·
6Projectsforfabricationofspecialequipment…………(25)
7Specialtechnologiesofelectronicsengineering
construction………………(29)
7.1Clean-roomtechnology…………………(29)
7.2Eletromagneticshielding…………………(32)
7.3Antielectrostatic………………(33)
7.4Microvibrationcontrol…………………(35)
7.5Soundattenuationandnoisereduction……(38)
7.6Treatmentofdisposedelectricalandelectronic
products………………(41)
7.7Electronicstechnologiesandprocessdesign………………(44)
8Relatedengineering…………專用……………(57)
8.1Architectureandstructure…………(57)
8.2Electricalengineering……(57)
8.3Utilities…………………(60)
8.4Energysavingandenvironmentalprotection………………(62)
8.5Otherservicesforconstructionofelectronicsprojects……(64)
Index…………(69)
Chineseindex…………………(69)
Englishindex…………………(90)
Addition:Explanatio人人文庫nofprovisions………(113)
?4·
1總則
1.0.1為規范電子工程建設的基本術語及其定義,實現專業術語
標準化,制定本標準。
1.0.2本標準適用于電子工程建設的規劃、咨詢、設計、工程監
理、工程管理等工程服務以及教學、科研及其他相關領域。
1.0.3電子工程建設文件、圖紙、科技文獻使用的術語,除應符合
本標準外,尚應符合國家現行有關標準的規定。
專用
人人文庫
·1·
2電子工程建設綜合性術語
2.0.1電子工程electronicsengineering
納入工程項目管理的電子信息產品的制造廠、研發基地、教
學、倉儲、信息系統,以及信息技術應用設施等的建設工程。
2.0.2電子工業工程ject
電子整機類、電子元器件類、電子材料類及電子專用設備類工
程建設項目的統稱。
2.0.3電子系統工程ject
為獨立運行或與各類工程中配套使用的電子信息專用系統進行設
計、采購、集成、安裝、調試等服務的建設工程。
人人文庫
·2·
3整機類及電子系統工程
3.1計算機
3.1.1計算機computer
一種能進行大量計算的功能單元,包括無需人工干預的算術
運算和邏輯運算。
3.1.2硬件hardware
信息處理系統物理組成部分的全部或部分。
3.1.3軟件software
信息處理系統的全部或者部分程序、流程專用、規則和相關文檔。
3.1.4輸入設備inputdevice
將數據送入計算機的設備。
3.1.5輸出設備outputdevice
將數據傳出計算機的設備。
3.1.6存儲器storage
能放入、保存并可從中取出數據的功能部件。
3.1.7外存儲器externalstoragedevice
只能通過輸入、輸出通道訪問處理器的存儲器。又稱輔助存
儲器,是內存儲器的補充設備。
3.1.8計算人人文庫機網絡work
一種由計算機和數據通信設備組成的各結點與由數據鏈接組
成的分支所形成的網絡。
3.2通信
3.2.1移動通信設備municationequipment
用于移動業務的交換機、基站設備、移動臺等通信設備的
·3·
統稱。
3.2.2集群移動通信系統munication
system
由多個部門或單位共用一組動態分配無線頻道的移動通信
系統。
3.2.3衛星通信munication
在兩個或多個衛星地面站之間利用人造地球衛星轉發或反射
信號的無線電通信方式。
3.2.4衛星通信設備municationequipment
衛星定位指揮調度系統、接收機、衛星天線、衛星通訊網絡、衛
星數據傳輸、衛星電話等通信設備的統稱。
3.2.5衛星通信地球站municationearth
station專用
在衛星通信系統中設置于陸地、水面和大氣層中的通信終端站。
3.2.6光纖通信munication
利用光波作為載波傳輸信息、以光纖作為傳輸介質實現信息
傳輸達到通信目的的通信技術。
3.2.7微波通信munication
使用波長為1m~1mm、頻率為300MHz~300GHz的電磁波
進行的通信。
3.2.8微波接力通信線路munication
link
將微波人人文庫信號由一個終端站傳送至另一個終端站所經由的線路。
3.2.9微波站設備microwavestationequipment
微波站內的天線、收發信機、調制器、多路復用設備以及電源
設備、自動控制設備等的統稱。
3.3雷達與導航
3.3.1雷達radar
·4·
利用無線電波對目標進行探測和定位的裝置。
3.3.2導航navigation
引導運載體和人員到達預定目的地的過程。
3.3.3導航系統navigationsystem
由裝在運載體上的導航設備和裝在其他地方與導航設備配合
使用的導航臺組成的系統。
3.3.4全球定位系統globalpositioningsystem(GPS)
由多顆衛星組成的覆蓋全球的無線電衛星導航系統。
3.3.5塔康系統tacticalairnavigation(TACAN)system
一種近程戰術無線電極坐標導航系統。又稱戰術空中導航系
統。
3.3.6微波著陸系統microwavelandingsystem(MLS)
一種工作在C波段,僅向空中提供著陸引導專用數據的地對空單
程信息傳遞的著陸系統。
3.3.7儀表著陸系統instrumentlandingsystem
在進近和著陸過程中,為航空器提供必要的航向、下滑和距離
信息的著陸系統。
3.3.8衛星導航系統satellitenavigationsystem
利用人造地球衛星進行導航的系統。
3.3.9北斗衛星導航系統BeiDounavigationsatellitesys-
tem(CNSS)
中國自行研制開發的區域性有源三維衛星定位與通信系統。
3.3.10空人人文庫中交通管制中心airtrafficcontrolcenter
(ATCC)
控制飛行航路的中心樞紐。
3.4廣播電視與音視頻產品
3.4.1廣播發射機broadcasttransmitter
產生發射類別為A3EGX的射頻能量并供無線電廣播用的設備。
·5·
3.4.2電視發射機TV-transmitter
將符合某種電視廣播標準的圖像(全電視信號、視頻)和伴音
(音頻)信號變換到射頻(指定的電視頻道),波形符合電視廣播標
準射頻特性要求,并饋送到指定的測試負載或電視發射天線上,功
率達到規定數值的無線電發射設備。
3.4.3電視差轉機TV-transposer
跨接在接收天線和發射天線的饋線端子之間,實現未經解調
的頻率移置的電視轉播設備。
3.4.4數字電視廣播digitalvideobroadcasting(DVB)
將活動圖像、聲音和數據通過數字技術進行壓縮、編碼、傳輸、
存儲、實時發送,供觀眾接收、播放的視頻系統。
3.4.5衛星電視廣播TVbroadcastbysatellite(TVBS)
利用地球同步衛星,將接收到的地面電視專用信號轉發到地球表
面指定區域的電視廣播形式。
3.4.6有線電視系統cableTVsystem(CATV)
用射頻電纜、光纜、多頻道微波分配系統或其組合傳輸、分配
和交換聲音、圖像及數據信號的電視系統。
3.4.7移動多媒體廣播mobilemultimediabroadcasting
通過衛星和地面無線廣播方式,在手機、掌上電腦、多媒體播
放器、數碼相機、筆記本電腦等小屏幕、移動便攜手持式終端上,實
現隨時隨地廣播電視節目收視與信息服務的系統。
3.4.8衛星電視接收系統satelliteTVprograms
利用地人人文庫球同步衛星將數字編碼壓縮的電視信號傳輸到用戶端
的一種廣播電視系統,又稱衛星地面站。
3.4.9影視音響設備audioandvisualdevice
收音機、錄音機、組合音響、錄像機、攝像機、攝錄一體機、家庭
影院播放系統、數字音視頻設備、數字電影設備、數字激光視盤機、
影音光碟播放機、數字通用光盤播放機、多媒體播放器、數碼照相
機等的統稱。
·6·
3.5電子測量儀器
3.5.1電子測量儀器electronicmeasuringinstrument
用電子技術實現對被測對象的參數進行定量檢測的裝置。
3.5.2電子儀器計量標準裝置electronicinstrumentmeas-
urementstandarddevice
按國家計量檢定系統表規定的準確度等級,用于檢定較低等
級電子儀器或電子計量器具的計量裝置。
3.6信息化及信息技術應用
3.6.1信息系統informationsystem
具有人力資源、技術資源和金融資源等相關組織資源的信息
處理系統,提供并分配信息。專用
3.6.2管理信息系統rmationsystem
(MIS)
按照組織的管理來支持決策的信息處理系統。
3.6.3信息化網絡建設workconstruction
信息網絡、含計算機處理系統的信息平臺、含數據庫的信息源
的建設,且包括信息化人才的培育。
3.6.4局域網work(LAN)
一種位于有限地理區域內的用戶宅院內的計算機網絡。
3.6.5城域網work(MAN)
一種連人人文庫接位于同一城市區域內的幾個局域網的網絡。
3.6.6廣域網work(WAN)
對比局域網或城域網更大的地理區域提供各種通信服務的一
種網絡。
3.6.7無線局域網wirelessLAN(WLAN)
一種工作于2.5GHz或5GHz頻段,以無線方式構成的局
域網。
·7·
3.6.8互聯網internet
廣域網、局域網及單機按一定的通信協議組成的國際計算機
網絡。又稱因特網、網際網。
3.6.9互聯網數據中心internetdatacenter(IDC)
為互聯網內容提供商、企業、媒體和各類網站提供大規模、高
質量、安全可靠的專業化服務器托管、空間租用、網絡批發帶寬以
及動態服務器網頁、電子商務等業務的數據中心。
3.6.10物聯網internetofthings
通過射頻識別、紅外感應器、全球定位系統、激光掃描器等信
息傳感設備,按約定的協議,將物品與互聯網連接,進行信息交換
和通信,以實現智能化識別、定位、跟蹤、監控和管理的網絡。
3.6.11電子信息系統機房rmationsystem
room專用
為電子信息設備提供運行環境的場所。
3.6.12數據災難備份中心databasecenterdisasterrecover
配備了各種資源,在災難發生時可接替數據處理中心運行的
計算機處理中心。
3.6.13規格說明specification
為開發或驗證系統而提供的以文檔形式對系統進行確切描述
的詳細說明。
3.6.14系統設計systemdesign
為使系統滿足規定的需求,對硬件和軟件的體系結構、組成部
分、模塊、接人人文庫口和數據進行定義的過程。
3.6.15概念系統設計conceptualsystemdesign
涉及確定系統組織的邏輯方面、處理過程和系統中信息流程
的系統設計活動。
3.6.16系統詳細設計systemdetaildesign
為確定每個模塊內部的詳細執行過程,在概念設計基礎上進
行的處理過程設計活動。
·8·
3.6.17系統設計規格說明書systemdesignspecification
(SDS)
描述系統設計要求的詳細說明文檔。
3.6.18系統界面/接口erface
指兩個系統之間共有的邊界,是一個系統與另一個系統組成
部分的交互作用或通信的接口。
3.6.19系統界面規格說明書erfacespecification
(SIS)
規定系統或系統組成部分接口需求的規格說明文件。
3.6.20系統測試計劃systemtestplan(STP)
確定詳細的需求、準則、通用方法、責任以及系統測試和評價
的全面計劃。
3.6.21計算機信息系統集成rmation專用system
integration
對計算機應用系統工程和網絡系統工程進行總體策劃、設計、
開發、實施、服務及提供保障的過程。
3.6.22集成測試integrationtest
程序或模塊的逐步連接和測試,以保證它們在完整的系統中
正確運行。又稱組裝測試、聯合測試。
3.6.23三網融合-
works,cableTVernet
指電信網、有線電視網和計算機通信網相互滲透、互相兼容,
并逐步整合成人人文庫全世界統一的IP協議的信息通信網絡。
·9·
4元器件類工程
4.1微電子與集成電路
4.1.1微電子技術micro-electronicstechnology
微小型電子元器件、元件和電路的研制、生產技術,以及實現
預定電子系統功能的技術。
4.1.2集成電路integratedcircuits(IC)
通過一系列的特定半導體工藝或薄膜、厚膜加工工藝,將晶體
管、二極管、電阻、電容等多個電子元件集成在一個襯底上,構成完
整的、具有一定功能的電路或系統。專用
4.1.3MOS集成電路egrat-
edcircuits(MOSIC)
以金屬-氧化物-半導體場效應晶體管為主要元件構成的集成
電路。
4.1.4CMOS集成電路complementarymetal-oxide-semi-
egratedcircuits(CMOSIC)
以P型溝道的NMOS晶體管和以N型溝道的PMOS晶體
管互補構成的集成電路。
4.1.5BiCMOS集成電路plementarymetal-
oxide-semiconductor人人文庫integratedcircuits
由雙極型門電路和互補金屬-氧化物-半導體門電路共同構成
的集成電路。
4.1.6半導體整流器semiconductorrectifier
由一個或者多個半導體PN結組成,用于將交流電流變成直
流電流的裝置。
4.1.7晶體管transistor
·10·
對信號有放大和開關等作用、有三個或四個電極的半導體器
件。
4.1.8可控硅整流管siliconcontrolledrectifier(SCR)
由三個PN結的PNPN四層結構硅芯片及三個電極組成的
半導體整流或開關器件。
4.1.9半導體光電子器件semiconductorphotoelectronic
device
利用半導體的光電效應將光能轉換成電能的器件。
4.1.10砷化鎵光耦合器件GaAslightcoupleddevice
以砷化鎵做成的光耦合器件。
4.1.11光電晶體管phototransistor
把光電二極管和放大器集成在一個硅片上的光電器件。
4.1.12紅外探測器infrareddetector專用
將入射的紅外輻射信號轉變成電信號輸出的器件。
4.1.13光電池photocell
在光的照射下產生電動勢的器件。又稱光生伏打電池。
4.1.14發光二極管lightemittingdiode(LED)
由一個PN結組成,具有單向導電性,可把電能轉化成光能的
一種半導體二極管。
4.1.15線寬criticaldimension
所加工的集成電路圖形中的最小物理尺寸,是表述集成電路
工藝的關鍵尺寸。又稱最小特征尺寸。
4.1.16硅片人人文庫wafer
用半導體材料制成的單晶硅圓片。
4.2顯示器件
4.2.1顯示器displaydevice
一種給出數據的可視表示的輸出單元。
4.2.2平板顯示器flatpaneldisplays(FPD)
·11·
顯示屏對角線的長度與整機厚度之比大于4∶1的顯示器。
4.2.3液晶顯示器liquidcrystaldisplays(LCD)
靠液晶分子排列狀態在電場中的改變調制外界光而實現顯示
功能的顯示器。
4.2.4扭曲向列相液晶顯示器twistednematicLCD(TN-
LCD)
采用向列相液晶分子扭曲90°顯示模式的液晶顯示器。
4.2.5超扭曲向列相液晶顯示器supertwistednematic
LCD(STN-LCD)
采用向列相液晶分子扭曲角大于90°,為180°~270°顯示模式
的液晶顯示器。
4.2.6薄膜晶體管液晶顯示器thin-filmtransistorsLCD
(TFT-LCD)專用
使用薄膜晶體管作為控制像素開關,采用有源矩陣直接驅動
像素方式的液晶顯示器。
4.2.7等離子體顯示器plasmadisplaypanel(PDP)
利用氣體電離放電而發光的平板顯示器。
4.2.8有機發光二極管顯示器organiclight-emittingdisplay
(OLED)
通過正負載流子注入有機半導體薄膜后復合發光的多層薄膜
全固體發光器件。又稱有機電致發光顯示器。
4.2.9場致發射顯示器fieldemissiondisplay(FED)
利用針狀人人文庫冷陰極在真空狀態下發射電子激發熒光粉發光原理
制成的主動發光型平板顯示器。
4.2.10真空熒光顯示器vacuumfluorescentdisplay(VFD)
由直熱式陰極、柵極及涂有熒光粉的陽極構成的電真空顯
示器。
4.2.11電致發光器件electroluminescencedevice(ELD)
通過施加電壓將電能轉換成光能,且為本征發光的器件。
·12·
4.2.12硅基液晶顯示器liquidcrystalonsilicon(LCOS)
display
在硅晶圓片上生長晶體管,采用半導體制程制作驅動面板,經
過研磨、蒸鍍反射鏡形成CMOS基板,再將CMOS基板與含有透
明電極的玻璃基板貼合,注入液晶組裝成的液晶顯示器。
4.2.13觸摸屏touchpanel
能用手指觸摸屏幕進行選項的顯示裝置。
4.2.14液晶顯示模塊liquidcrystalmodule(LCM)
將液晶顯示面板(屏)、連接件、控制與驅動等外圍電路、印制
電路板、背光源組件、結構件等裝配在一起的組件。又稱液晶顯示
模組。
4.2.15玻璃基板glasssubstrate
由表面極其平整的薄玻璃片構成的液晶專用顯示器件的基本
部件。
4.2.16彩色濾色片colorfilter(CF)
在透明基板上依規則排列紅、綠、藍三基色的圖形,只能使所
需要的色光通過的濾光片,又稱彩色濾光膜。
4.2.17黑矩陣blackmatrix(BM)
為保證三色彩色濾光膜的遮光效果,而在三色彩色濾光膜間
涂覆的不透光的黑色遮光層,又稱顏料黑矩陣。
4.2.18液晶liquidcrystal(LC)
具有像液體一樣的流動性,又具有像晶體分子一樣呈有序排
列的各向異人人文庫性的物質。
4.2.19偏振片polarizer
產生和檢驗偏光的片狀光學功能性材料。又稱偏光片。
4.2.20ITO導電膜indiumtinoxide(ITO)conductive
film
采用磁控濺射等方法,在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化
銦錫導電薄膜鍍層并經高溫退火處理得到的導電膜。
·13·
4.2.21背光單元backlightunit
由冷陰極熒光燈(發光二極管)照明系統、逆變器、反射板、導
光板、放散板、棱鏡片等組成,用于液晶顯示器的背光照明系統。
又稱背光組件。
4.2.22驅動芯片driverIC
可直接驅動負載或以其輸出推動另一器件驅動負載的芯片。
又稱驅動電路。
4.2.23各向異性導電膜anisotropicconductivefilm(ACF)
經熱壓接后,在膜厚方向具有導電性,在膜面方向具有絕緣
性,同時具有導電、絕緣、粘結功能的高分子膜。
4.3電真空器件
4.3.1電子管electrontube專用
在氣密封閉容器的真空中或特定氣體介質中產生電流傳導,利
用電場對真空中電子流的作用以獲得信號放大或振蕩的電子器件。
4.3.2真空電子器件vacuumelectronicdevice
利用電子在真空或者氣體中與電磁場發生相互作用,將一種
形式的電磁能量轉換為另一種形式電磁能量的器件。
4.3.3微波管microwavetube
在微波范圍內工作的真空器件。又稱超高頻管。
4.3.4陰極射線管cathoderaytube(CRT)
將電信號轉變為光學圖像的電子束管。
4.3.5投影人人文庫管projectiontube
在投影電視裝置中經過光學系統放大而完成大面積顯示圖像
的電子束管。又稱投射式顯像管。
4.3.6彩色顯像管colorpicturetube(CPT)
顯示彩色圖像的電子束管。
4.3.7指示管indicatortube
在雷達上用來指示目標方位的電子束管。
·14·
4.3.8攝像管cameratube,televisionpick-uptube
將光學圖像轉變成電信號的電子束管。
4.3.9電子槍electrongun
真空管內定向發射電子束的部件。
4.3.10蔭罩shadowmask
安裝在顯像管內的一塊超薄鋼片。
4.3.11吸氣劑getter
用來吸收電子管內的殘余氣體,從而提高和保持管內真空度
的材料。又稱消氣劑。
4.3.12光電管phototube
受到光輻射后從陰極釋放出電子的電子管。
4.3.13變像管imageconvertertube
能將紅外線、紫外線等不可見輻射光所構專用成的影像變換成可
見圖像的器件。
4.3.14像增強管ensifiertube
能將所有接收到的弱光照圖像或微光圖像增強到適于人眼觀
察亮度的器件。
4.3.15離子管ionictube
管內充有氣體或蒸氣,利用氣體放電原理工作的電子管。又
稱充氣管。
4.3.16X-射線管X-raytube
產生X人人文庫射線的電子管。
4.4阻容元件及特種器件
4.4.1電阻器resistor
在電路中限制電流或將電能轉變為熱能等的元件。
4.4.2敏感電阻器sensitiveresistor
器件特性對溫度、電壓、濕度、光照、氣體、磁場、壓力等作用敏
感的電阻器。
·15·
4.4.3電位器potentiometer
具有三個引出端,阻值可按某種變化規律調節的電阻元件。
4.4.4電容器capacitor
由兩片接近并相互絕緣的導體制成的電極組成的儲存電荷和
電能的器件。
4.4.5電感器inductor
產生電感的器件的統稱。又稱扼流器、電抗器、動態電抗器。
4.4.6線圈coil
通常指呈環形的導線。
4.4.7阻流圈frequencychoke
限制交流電通過的線圈。又稱扼流圈。
4.4.8表面組裝元器件surfacemounteddevices(SMD)
外形為矩形片狀、圓柱形或異形,其焊端或專用引腳制作在同一平
面內,適用于表面組裝的電子元器件。
4.5印制電路板
4.5.1印制電路板printedcircuitboard(PCB)
在絕緣基材上,按預定設計形成印制元件、印制線路或兩者結
合的導電圖形的印制電路或印制線路成品板。
4.5.2印制板組件printedboardassembly
裝有電子元件及機械緊固件并完成了焊接、涂覆等全部工藝
過程的印制版。
4.5.3多層印人人文庫制板mutilayerprintedboard
由多于兩層的導電圖形與絕緣材料交替地黏結在一起,且層
間導電圖形按設計要求進行互連的印制板。
4.5.4撓性印制電路板flexibleprintedcircuitboard(FPC)
用柔性基材制成的印制電路板。又稱柔性板或軟板。
4.5.5印制電子printedelectronics
采用印刷工藝,把導電聚合物、納米金屬墨水或納米無機墨水
·16·
印制在陶瓷薄片、塑料薄膜等基質上,形成電路或元器件的過程。
4.5.6柔性貼裝芯片chiponfilm(COF)
被直接安裝在柔性印制電路板上的芯片。
4.5.7芯片帶載封裝tapecarrierpackage(TCP)
貼裝驅動大規模集成電路芯片的撓性線路板。
4.6機電組件
4.6.1接插件connector
在電纜與電纜之間、電纜與機架之間提供電或機械快速連接
的裝置。
4.6.2轉接器adapter
用來使各種型號的插頭相互匹配或接入設備通信插口的一種
器件。專用
4.6.3接觸器contactor
能頻繁關合、承載和開斷正常電流及規定的過載電流的裝置。
4.6.4開關switch
在額定的設定條件下,使處于正常狀態的電路、回路開閉的
裝置。
4.6.5繼電器relay
當電流、電壓、電功率、頻率、溫度、速度及其他物理量超過設
定值或低于設定值以及反向動作時,能開啟或關閉其他電路的
裝置。人人文庫
4.7新能源
4.7.1光伏發電photovoltaic
利用光生伏特效應將光能直接轉變為電能的一種技術。
4.7.2太陽能電池solarcell
通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的
裝置。
·17·
4.7.3硅太陽能電池siliconsolarcell
以晶體硅為基體材料的太陽能電池。又稱晶硅電池。
4.7.4非晶硅太陽能電池amorphoussiliconsolarcell
用非晶硅材料及其合金制造的太陽能電池。簡稱a-si太陽能
電池。
4.7.5薄膜太陽能電池thinfilmsolarcell
在玻璃、塑料柔性襯底或其他非半導體材料襯底上沉積半導
體薄膜材料而制成的太陽能電池。
4.7.6鋰電池lithiumcell
由鋰金屬為負極材料、使用非水電解質溶液制成的電池。
4.7.7鋰離子電池lithium-ionbattery
以炭材料為負極,以含鋰的化合物作正極,在充放電過程中沒
有金屬鋰存在,只含鋰離子的一種高能量密度專用電池。
人人文庫
·18·
5電子材料類工程
5.1半導體材料
5.1.1半導體材料semiconductormaterials
電阻率介于導體與絕緣體之間,范圍在1×10-5Ω·cm~1×
107Ω·cm的一種固體物質。
5.1.2晶體材料crystalmaterials
在三維空間中,由沿一定晶向、以一定周期性結構排列的原
子、離子或分子組成的固體物質。
5.1.3單晶材料singlecrystalmaterials專用
不含大角晶界或亦孿晶界的晶體材料。
5.1.4多晶半導體材料polycrystalsemiconductormaterials
由大量結晶方向不相同的單晶體組成的半導體材料。
5.1.5多晶硅polysilicon
熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形
態排列成晶核,晶核長成晶面取向不同的晶粒,晶粒再結晶形成的
物質,是單質硅的一種形態。
5.1.6非晶態材料amorphousmaterials
具有可與晶態物質相比較的高硬度和高黏滯系數的剛性固
體。又稱無人人文庫定形或玻璃態材料。
5.1.7非晶硅amorphoussilicon
熔融硅在過冷條件下凝固時,硅原子以無規則網絡形態排列
成晶核,這些晶核長成晶粒,晶粒再結晶成的物質。
5.1.8硅基材料silicon-basedmaterials
以硅材料為襯底或基底,通過不同工藝過程生長制成的材料。
5.1.9絕緣層硅silicon-on-insulator(SOI)
·19·
在單晶硅片上形成絕緣薄層的硅單晶襯底材料。
5.2玻璃陶瓷
5.2.1電子玻璃electronicglass
應用于電子、微電子、光電子領域,用于制作集成電路以及具
有光電、熱電、聲光、磁光等功能元器件的玻璃材料。
5.2.2基板玻璃glasssubstrate
制造液晶顯示器、等離子體顯示器、有機發光二極管顯示器等
顯示器所使用的平板玻璃。
5.2.3玻殼glassshell
用于顯像管,以隔離發光體和周圍介質的透明或半透明殼體。
5.2.4鉛玻璃leadglass
除二氧化硅、三氧化二硼等玻璃形成物外專用,組分中含有氧化鉛
的玻璃。
5.2.5芯柱stem
用玻璃或陶瓷與金屬封接起來的電子管管殼的組成部分。
5.2.6玻璃絕緣子glassinsulator
由鋼化玻璃構成,使引出端與金屬外殼避免導通短路且符合
密封要求的絕緣零件。
5.2.7玻璃窯爐glassfurnace
用耐火材料砌成的用于玻璃熔化的熱工設備。
5.2.8坩堝爐cruciblefurnace
采用耐人人文庫火材料制成,用于配料的熔化與玻璃液的澄清、均化、
冷卻等間歇作業的玻璃熔爐。
5.2.9電子陶瓷electronicceramics
用于制造電子元件和器件的陶瓷材料。可分為結構陶瓷和功
能陶瓷。
5.2.10結構陶瓷structuralceramics
具有優良的機械性能、熱穩定性及化學穩定性,適合于制作不
·20·
同溫度下使用的結構件的陶瓷材料。
5.2.11功能陶瓷functionalceramics
具有各種物理特性的陶瓷材料,是與結構陶瓷對應的概念。
其介電系數、電容、電阻、電阻率等主要電性能參數會隨著溫度的
變化而變化,且為非線性關系。
5.2.12鐵電陶瓷ferroelectricceramics
在外電場作用下可發生自發極化、重新取向的鐵電效應的
陶瓷。
5.3光纖光纜
5.3.1光纖opticalfiber
能高質量傳導光的光導纖維的簡稱。
5.3.2光纜opticalfibercable專用
利用置于包覆護套中的一根或多根光纖作為傳輸媒介并可單
獨或成組使用的通信線纜組件。
5.3.3單模光纖single-modefiber
只能傳導單一基模的光纖。
5.3.4多模光纖multi-modefiber
可傳播多種基模的光纖。
5.3.5光纖預制棒opticalfiberpreform
徑向折射率分布符合光纖設計要求的用于拉制光纖的玻
璃棒。
5.3.6全介人人文庫質自承式光纜alldielectricself-support(ADSS)
opticalfibercable
采用全介質材料制成,自身加強構件能承受自重及外界負荷
的室外電力光纜。
5.3.7帶狀光纜coreribboncable
以多個單根光纖通過著色、堆疊成帶和二次套塑的光纖帶為
單元加工成的光纜。
·21·
5.3.8架空復合地線光纜opticalfibergroundwire
(OPGW)
電力傳輸線路地線中,供通信用光纖單元的一種室外電力光
纜。又稱光纖架空地線。
5.3.9海底光纜submarineopticalfibercable
由可阻止氫滲透和防止化學腐蝕的涂碳光纖或涂鈦光纖制
成,敷設于海底的光纜。
5.3.10松套層絞式光纜strandedloosetubecable
將已著色的光纖與油膏同時加入到高模量塑料制成的松套管
中,不同的松套管沿中心加強芯絞合制成纜芯,纜芯外加防護材料
制成的光纜。
5.3.11螺旋中心管式光纜spiralspacetubecable
將光纖套入由高模量塑料制成的螺旋空間專用松套管中,套管內
填充防水化合物,套管外施加一層阻水材料和鎧裝材料,兩側放置
兩根平行鋼絲并擠制聚乙烯護套制成的光纜。
5.3.12緊套光纜tighttubecable
用外徑為250μm的紫外光固化一次涂覆光纖直接緊套一層
材料制成900μm緊套光纖;以緊套光纖為單元,在單根或多根緊
套光纖四周布放適當的抗張力材料,擠制一層阻燃護套材料制成
的光纜。
5.3.13中心束管式光纜centerbundlearmouredopticalcable
把光纖置于束管中間,并在束管內注入油膏,使光纖自由懸浮
在纜芯中間人人文庫,完全與空氣和水隔離的光纜。
5.4其他電子材料
5.4.1絕緣材料insulatingmaterial
對電起到良好絕緣并能長期耐受電場作用的材料。
5.4.2磁性材料magneticmaterials
具有可利用磁學性質的材料。
·22·
5.4.3液晶材料liquidcrystalmaterials
在一定溫度范圍內既具有晶體特有的雙折射性,又具有液體
流動性的物質。
5.4.4電子化學品材料electronicschemicalmaterials
電子工業中,電子元器件、印制電路板、工業及消費類整機等生產
和包裝用的各種專用化學品及材料。又稱電子化工材料。
5.4.5石英制品duct
采用石英為主要原料制成的制品。
5.4.6石墨制品duct
采用石墨為主要原料制成的制品。
5.4.7光敏抗蝕干膜dryfilmphotoresist
由聚酯薄膜、感光層和聚乙烯薄膜三合一而成的感光膜。
5.4.8無氧銅oxygen-freecopper專用
采用真空無氧冶煉提高純度,使之不含氧化亞銅和任何脫氧
劑殘留物的銅。
5.4.9覆箔板metalcladboard,metalfoilcladboard
覆以金屬箔(通常為銅箔)的絕緣材料。
5.4.10覆銅板coppercladlaminate(CCL)
由木漿紙或玻纖布等作增強材料,浸以樹脂,單面或雙面覆以
銅箔,經熱壓而成的一種產品。全稱覆銅板層壓板。
5.4.11電子封裝材料electronicpackagingmaterials
電子器件等生產中用于將其打包封裝的絕緣材料。
5.4.12光人人文庫電子材料optoelectronicmaterials
采用光電子技術,通過特定工藝制作的可處理、存儲和傳遞信
息的材料。
5.4.13熒光粉phosphor
在一定的激發條件下能發光的無機粉末材料。又稱發光粉、
夜光粉、晶態磷光體或磷光體。
5.4.14電子漿料electronicpaste
·23·
電子信息產品制造過程中采用的由固體粉末和有機溶劑經過
三輥軋制混合均勻的膏狀物。
5.4.15超導材料superconductingmaterials
在一定溫度下,電阻等于零的材料。
5.4.16納米材料nano-materials
在三維空間中至少有一維處于1nm~100nm尺度范圍的材
料,或由這類材料作為基本單元構成的材料。
5.4.17壓電材料piezoelectricmaterials
可將壓強、振動等應力應變迅速轉變為電信號,或將電信號轉
變為形變、振動等信號的機電耦合功能材料。
5.4.18放射性材料radioactivematerials
具有自發地放出粒子或γ射線,或在發生軌道電子俘獲后放
出X-射線,或發生自發裂變等放射性的材料。專用
5.4.19銀漿Agpaste
在環氧樹脂中加入銀粉,可作為填料的導電膏。
5.4.20封框膠sealagent
將液晶顯示器上下兩片玻璃四周邊粘接(密封)使其保持一定
的間隙,并使盒中液晶不滲漏,防止外界污染物進入的一種材料。
人人文庫
·24·
6電子專用設備類工程
6.0.1真空設備vacuumequipment
產生、改善和(或)維持真空環境的裝置。包括真空應用設備
和真空獲得設備。
6.0.2真空鍍膜設備vacuumcoatingequipment
在真空中用蒸發等方法將蒸發材料沉淀于工件上,形成均勻
牢固的薄膜以完成鍍膜工藝的設備。
6.0.3濺射設備sputteringequipment
在真空中利用濺射方法制造薄膜的設備。
6.0.4排氣設備exhaustequipment專用
對某一容器抽氣進行一定工藝處理,使之達到所需真空度,并
將其封離的設備。
6.0.5電子束加工設備cessequipment
利用電子束的特性進行切割、打孔、焊接、熔煉、蒸發、摻雜等
工藝的設備,以及利用低能量電子束對某些物質的化學作用進行
鍍膜、曝光等加工的設備。
6.0.6離子束加工設備cessequipment
利用離子束的特性進行切割、打孔、焊接、熔煉、蒸發、摻雜等
工藝的設備。
6.0.7激光人人文庫加工設備cessequipment
利用激光的作用原理來進行打孔、切割、焊接、蒸發、光刻、曝
光、摻雜、擴散等工藝的設備。
6.0.8單晶爐crystalgrowingfurnace
采用高溫熔化方法,由原材料制備或提純單質或化合物半導
體單晶錠的設備。
6.0.9切片機slicingmachine
·25·
將半導體硅錠等脆硬棒材切割成規定厚度片材的設備。
6.0.10波峰焊機flowweldingmachine
將熔化的鉛錫合金軟釬焊料,經電動泵或電磁泵噴流成設計
要求的焊料波峰的設備。
6.0.11表面貼裝設備surfacemountedtechnology(SMT)
machine
采用表面貼裝技術,將傳統的電子元器件壓縮成為只有原
來體積幾十分之一的器件,實現電子產品組裝高密度、高可
靠、小型化、低成本以及生產自動化的組裝設備。又稱SMT
設備。
6.0.12等離子增強化學氣相沉積設備plasmaenhanced
chemicalvapordeposition(PECVD)machine
利用等離子體的活性促進反應,能在較低專用溫度下進行化學氣
相沉積法的反應設備。
6.0.13金屬有機化合物化學氣相沉積設備metal-organic
chemicalvapordeposition(MOCVD)machine
利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄膜這種化學氣
相沉積技術,生長金屬有機化合物半導體及其多元固溶體薄層單
晶材料的生長設備。
6.0.14拉絲塔drawingtower
可高速將光纖預制棒連續拉制成絲狀光纖的生產設備。
6.0.15光纖拉絲塔加熱爐heatingfurnaceofopticalfiber
drawingtower人人文庫
把預制棒下部尖端加熱到2200℃,使棒的尖端處于熔融狀
態,在重力和拉絲塔下部拉絲盤的作用下拉制光纖的裝置。
6.0.16光纖拉絲塔冷卻裝置coolingunitofopticalfiber
drawingtower
位于熔融光纖預制棒的熔爐下面,用于冷卻由光纖預制棒拉
出的光纖的裝置。
·26·
6.0.17光纖拉絲塔涂覆裝置coatingunitofopticalfiber
drawingtower
拉絲過程中對裸光纖施加預涂覆層進行保護的裝置。
6.0.18光纖拉絲塔控制裝置controlsystemofopticalfiber
drawingtower
為減小光纖纖芯直徑波動造成的非固有散射損耗,在光纖拉
絲塔上設置的控制系統。
6.0.19在線測試儀incircuittester(ICT)
通過對元器件的電性能及電氣連接進行在線測試,檢查生產
制造缺陷及元器件不良品的測試儀器。
6.0.20環境試驗設備environmentaltestequipment
為保證可靠性,根據電子元器件、電子設備的使用場合及運輸
條件等設計制造的單項試驗設備或綜合試驗設專用備。
6.0.21振動試驗臺shaker
產生一定振動運動的環境試驗設備。
6.0.22沖擊試驗臺shocktestmachine
利用機械或氣動、液壓等原理產生沖擊力,使試驗臺臺面實現
沖擊運動,用來對試件進行碰撞和沖擊試驗的設備。
6.0.23運輸試驗臺trafficsimulator
對電子產品進行鐵路、公路運輸狀況模擬,檢查電子產品經受
運輸能力的試驗設備。
6.0.24離心加速度試驗機centrifugalaccelerationtestmachine
利用機人人文庫械旋轉產生離心力的方法獲得恒加速度,對試件進行
恒加速度試驗的設備。
6.0.25溫度試驗箱temperaturetestchamber
用于測試電子元器件能否耐受高溫和低溫的設備。
6.0.26潮濕箱humiditychamber
用于測試電子元器件能否耐受潮濕的設備。
6.0.27低氣壓試驗箱lowpressuretestchamber
·27·
對電子元器件進行低氣壓試驗的設備。
6.0.28凈化設備equipmentforcleanroom
為維護潔凈室或潔凈環境潔凈條件而使用的、有完整功能的、
可單獨安裝的設備。又稱潔凈設備。
專用
人人文庫
·28·
7電子工程建設特種技術
7.1潔凈技術
7.1.1潔凈室cleanroom(CR)
空氣懸浮粒子濃度受控的房間。
7.1.2潔凈區cleanzone
空氣懸浮粒子濃度受控的限定空間。
7.1.3人身凈化用室roomforcleaninghumanbody
人員在進入潔凈室(區)之前按一定程序進行凈化的房間。
7.1.4物料凈化用室roomforcleaning專用material
物料在進入潔凈室(區)之前按一定程序進行凈化的房間。
7.1.5粒徑particalsize
由給定的粒子尺寸測定儀響應當量于被測粒子等效的球體直
徑。對離散粒子計數、光散射儀器采用當量光學直徑。
7.1.6懸浮粒子airborneparticles
用于空氣潔凈度分級的空氣中,尺寸范圍在0.1μm~5μm的
固體和液體粒子。
7.1.7超微粒子ultrafineparticle
當量直徑小于0.1μm的粒子。
7.1.8微粒人人文庫子microparticle
當量直徑大于5μm的粒子。
7.1.9粒徑分布particlesizedistribution
粒子粒徑的頻率分布和累積分布,是粒徑的函數。
7.1.10含塵濃度particleconcentration
單位體積空氣中懸浮粒子的顆數。
7.1.11潔凈度cleanliness
·29·
以單位體積空氣中某粒徑粒子的數量來區分的潔凈程度。
7.1.12潔凈度等級cleanlinessclass
潔凈空間單位體積空氣中,以大于或等于被考慮粒徑的粒子
最大濃度限值進行劃分的等級標準。
7.1.13空態as-built
設施已建成,所有動力接通并運行,但無生產設備、材料及人
員的潔凈室狀態。
7.1.14靜態at-rest
設施已建成,生產設備已安裝并按業主及供應商同意的狀態
運行,但無生產人員的潔凈室狀態。
7.1.15動態operational
設施以規定的狀態運行,有規定的人員在場并在商定的狀況
下進行工作的潔凈室狀態。專用
7.1.16氣流流型airpattern
室內空氣的流動形態和分布。
7.1.17單向流unidirectionalairflow
沿單一方向呈平行流線并且橫斷面上風速一致的氣流。包括
垂直單向流和水平單向流。
7.1.18非單向流non-unidirectionalairflow
凡不符合單向流定義的氣流。
7.1.19混合流mixedairflow
單向流和非單向流組合的氣流。
7.1.20潔凈人人文庫工作區cleanworkingarea
除工藝特殊要求外,潔凈室內距離地面高度0.8m~1.5m的
區域。
7.1.21空氣吹淋室airshower
利用高速潔凈氣流吹落并清除進入潔凈室人員或物料表面附
著粒子的小室。
7.1.22氣閘室airlock
·30·
設置在潔凈室出入口,阻隔室外或相鄰房間的污染氣流和控
制壓差的緩沖間。
7.1.23傳遞窗passbox
在潔凈室隔墻上設置的傳遞物料和工器具的開口。兩側窗扇
的開啟應進行聯鎖控制。
7.1.24潔凈工作臺cleanbench
能保持操作空間所需潔凈度的工作臺。
7.1.25潔凈工作服cleanworkinggarment
為把工作人員產生的粒子限制在最低程度所使用的發塵量少
的潔凈服裝。
7.1.26高效空氣過濾器highefficiencyparticulateairfilter
(HEPA)
在額定風量下,最易穿透粒徑的效率在99專用.95%以上且氣流
初阻力在220Pa以下的空氣過濾器。
7.1.27超高效空氣過濾器ultralowpenetrationairfilter
(ULPA)
在額定風量下,最易穿透粒徑的效率在99.9995%以上且氣
流初阻力在250Pa以下的空氣過濾器。
7.1.28微環境minienvironment
將產品生產過程與操作人員、污染物進行嚴格分隔的隔離
空間。
7.1.29風機過濾器機組fanfilterunit(FFU)
由高效人人文庫空氣過濾器或超高效空氣過濾器與風機組合在一起,
自身可提供動力的末端空氣凈化裝置。
7.1.30檢漏試驗leakagetest
檢查空氣過濾器及其與安裝框架連接部位等密封性的試驗。
7.1.31自凈時間cleanlinessrecoverycharacteristic,self-
cleaningtime
潔凈室被污染后,凈化空調系統開始運行至潔凈室恢復到穩
·31·
定的室內潔凈度規定等級的時間。又稱清潔恢復特性。
7.1.32技術夾層technicalmezzanine
潔凈廠房中用于安裝輔助設備和公用動力設施以及管線等,
以水平構件分隔構成的空間。
7.1.33技術夾道technicaltunnel
潔凈廠房中用于安裝輔助設備和公用動力設施以及管線等,
以垂直構件分隔構成的廊道。
7.1.34技術豎井technicalshaft
潔凈廠房中用于安裝輔助設備和公用動力設施以及管線等,
主要以垂直構件分隔構成的井式管廊。
7.2電磁屏蔽
7.2.1電磁環境electromagneticenvironment專用
存在于給定場所的電磁現象的總和。
7.2.2電磁輻射electromagneticradiation
能量以電磁波的形式通過空間進行傳播的現象。
7.2.3電磁波暗室electromagnetic(EM)waveanechoic
chamber
滿足特定測試要求的電磁環境。
7.2.4吸波材料absorbers
能吸收投射到其表面電磁波能量的材料。
7.2.5電磁兼容性patibility(EMC)
設備、分系人人文庫統、系統在共同的電磁環境中能實現各自功能的共
存狀態。
7.2.6電磁干擾erference(EMI)
導致設備、傳輸信道和系統性能劣化的電磁騷擾。
7.2.7電磁敏感性electromagneticsusceptibility
因電磁干擾而引起的設備或系統性能下降的特性。
7.2.8電磁屏蔽electromagneticshielding
·32·
用導電或導磁材料結構體衰減電磁波向指定區域傳輸的
措施。
7.2.9電磁屏蔽室electromagneticshieldingroom
采用電磁屏蔽和其他技術建造的,在關閉狀態下能對內外電
磁環境實現一定程度隔離的房間。
7.2.10屏蔽效果shieldingeffectiveness
空間某一區域屏蔽后的電磁場強度比屏蔽前電磁場強度降低
的分貝數。
7.3防靜電
7.3.1靜電staticelectricity
一種處于相對穩定狀態但不是靜止不動的電荷。
7.3.2靜電放電electrostaticdischarge(專用ESD)
當帶靜電物體表面的場強超過周圍介質的絕緣擊穿場強時,
因介質電離而使帶電體上的電荷部分或全部消失的現象。
7.3.3靜電危害electrostaticharm
因靜電放電產生的電磁輻射或靜電感應而對電子元器件及儀
器產生的有害影響。
7.3.4電暈放電coronadischarge
發生電場不均勻、場強較高的電離放電的現象。伴有藍紫色
熒光。
7.3.5室內靜電電位innerelectrostaticpotential
在設定人人文庫的區域環境內,任一物體對地的靜電電位差。
7.3.6靜電放電敏感electrostaticdischargesensitive(ESDS)
產品性能受靜電放電影響或損壞的敏感性。簡稱靜電敏感。
7.3.7靜電噪聲electrostaticnoise
靜電放電產生的電磁波輻射對電子裝置、通信設施等產生的
電磁干擾。
7.3.8防靜電工作區tectedarea
·33·
(EPA)
配備各種防靜電設備和器材,能限制靜電電位,具有確定邊
界,適于從事靜電防護操作的特定工作環境。
7.3.9靜電感應electrostaticinduction
在靜電場影響下引起物體上的電荷重新分布的現象。
7.3.10靜電泄漏electrostaticleakage
帶電體上的電荷通過其內部或表面等途徑使之部分或全部消
失的現象。又稱靜電泄放。
7.3.11表面電阻surfaceresistance
在材料同一表面上相接觸的兩個規定形狀的電極間施加的直
流電壓與流過兩電極間的穩態電流之商。
7.3.12體積電阻volumeresistance
在材料相對兩表面上放置的兩個規定形狀專用的電極間施加的直
流電壓與流過兩電極間的穩態電流之商。
7.3.13表面電阻率surfaceresistivity
沿試樣表面電流方向的直流電場強度與單位長度的表面傳導
電流線密度之比。
7.3.14體積電阻率volumeresistivity
沿物體體積電流方向的直流電場強度與該處的電流面密度之比。
7.3.15對地電阻resistancetoearth
在被測物體表面一點對接地連接點或防靜電接地裝置之間的
電阻。
7.3.16靜人人文庫電半衰期electrostatichalf-life
外界作用撤除后,帶電體上靜電電壓或靜電電荷下降到其初
始值的1/2時所需的時間。
7.3.17靜電衰減期electrostaticdecaytime
外界作用撤除后,帶電體上靜電電壓或靜電電荷下降到其初
始值的10%時所需的時間。
7.3.18摩擦起電電壓triboelectricvoltage
·34·
用摩擦方法使物體帶電的表面對地電位差。
7.3.19靜電接地electrostaticgrounding
將金屬導體通過接地極與大地進行電氣上的連接,將靜電電
荷安全傳導到地的措施。
7.3.20間接接地indirectgrounding
為使非金屬物體進行靜電接地,將其表面的全部或局部與接
地的金屬體緊密接觸的一種接地方式。
7.3.21軟接地softgrounding
通過足夠的接地阻抗,將電流限制在5mA的人身安全電流
以下的接地方式。
7.3.22防靜電接地系統electrostaticdischarge(ESD)
groundingsystem
使靜電泄放到大地而配置的接地線分支系統。又稱ESD接
地系統、靜電放電接地系統。專用
7.3.23防靜電接地電阻electrostaticgroundingresistance
從防靜電對象接地連接點至接地體(包括接地支線、接地干線
和接地體)電阻的總和。
7.3.24靜電中和electrostaticdissipation
帶電體上的電荷與其內部或外部異性電荷的結合而使所帶靜
電電荷部分或全部消失的現象。
7.3.25靜電耗散型材料electrostaticdissipativematerial
因泄放能使靜電荷部分或全部消失的材料。
7.3.26導人人文庫靜電型材料staticconductivematerial
能直接快速轉移靜電荷的材料。
7.3.27防靜電環境electrostaticdischarge(ESD)con-
trolledenvironment
具有防止靜電危害設施的特定環境。
7.4微振動控制
7.4.1微振動micro-vibration
·35·
影響精密設備及儀器正常運行的振動幅值較低的環境振動。
7.4.2微振動控制micro-vibrationcontrol
保證精密設備與儀器正常工作所采取的減弱環境振動影響的
措施和過程。
7.4.3振型modeshape
結構按某一自振周期振動時的形態。
7.4.4振動頻率vibrationfrequency
單位時間內振動周期的個數。
7.4.5振動幅值vibrationamplitude
質點作簡諧振動時的最大振動位移。
7.4.6振動模態modeofvibration
振動系統特性的一種表征。
7.4.7容許振動值allowancevalueofvibration專用
保證正常工作時,設備和儀器支承結構處的最大振動量值。
7.4.8頻譜分析spectrumanalysis
將采集到的數據利用數字信號處理手段進行頻譜變換,并根
據實際選擇需要的數據,對數據進行分析的過程。
7.4.9功率譜密度powerspectraldensity
振動能量在頻域上的分布狀況。
7.4.10阻尼比ratioofdamping
描述振動衰減變化的指標。
7.4.11地基剛度foundationstiffness
地基抵人人文庫抗變形的能力。
7.4.12固有振動頻率naturalfrequency
系統在自由振動下所具有的振動頻率。
7.4.13主動隔振activevibrationisolation
為減小動力設備產生的振動對外界環境的影響而對其采取的
隔振措施。
7.4.14主動隔振系統activevibrationisolationsystem
·36·
當平臺受擾動時,在系統上添加控制單元、能量輸出單元,根
據平臺擾動力的變化實時控制平臺振動加速度、速度、位移量,使
其維持在零點附近的系統。
7.4.15被動隔振passivevibrationisolation
為減小環境振動對精密設備及儀器的影響而對其采取的隔振
措施。
7.4.16隔振器vibrationisolator
具有衰減振動功能的支承器件。
7.4.17阻尼器damper
用能量損耗的方法減小振動幅值的裝置。
7.4.18空氣彈簧airspring
利用空氣壓力的變化對彈簧剛度和空氣流動進行調節從而控
制阻尼的彈簧。專用
7.4.19隔振平臺isolationplatform
設備與隔振器之間的結構物。
7.4.20振動傳遞率vibrationtransmissibility
對于主動隔振,為隔振體系在擾力作用下的輸出振動線位移
與靜位移之比;對于被動隔振,為隔振體系的輸出振動線位移與受
外界干擾的振動線位移之比;對于地面屏障式隔振,為屏障設置后
地面振動線位移與屏障設置前地面振動線位移之比。
7.4.21環境振動environmentvibration
建筑場地或建筑物在內外各種振源影響下的振動。
7.4.22建人人文庫筑結構防微振體系structuremicro-vibrationcon-
trolsystem
為保證精密設備及儀器正常運行,對建筑結構采取的減弱環
境振動影響的綜合措施。
7.4.23建筑結構微振動態響應計算calculationofstructure
dynamicresponseonmicro-vibrationcontrolling
對建筑結構的動態特性進行計算,考察建筑結構對振源的微
·37·
振動傳遞能力的數值計算方法。
7.4.24建筑結構模態計算modalstructurecalculation
用數值方法對建筑結構進行模態計算。
7.4.25微振動測試分析micro-vibrationtestandanalysis
用高靈敏度傳感器對擬建工程用地或建筑結構的微振動狀況
進行的評估。
7.4.26場地振動衰減vibrationattenuationoftheground
振源產生的振動在地面上隨距離的增加而減弱的一種現象。
7.4.27水平重復精度levellingrepeatableaccuracy
調平后的隔振平臺,在被隔振體因質量及質心位置變化引起
的平臺傾斜再次調平后,與前次調平相比的位移差。
7.4.28動態穩定時間dynamicsettlingtime
隔振平臺在受外力擾動后調平所用的時間專用。
7.5消音降噪
7.5.1聲壓soundpressure
有聲波時,媒介中的壓力與靜壓的差值。
7.5.2聲強ensity
單位時間內通過垂直于聲波傳播方向的單位面積的聲能。
7.5.3聲場soundfield
媒質中有聲波存在的區域或有聲波存在的空間。
7.5.4自由場freesoundfield
在均勻人人文庫各向同性媒質中,反射聲可以忽略不計的聲場。
7.5.5消聲室anechoicroom
邊界有效吸收所有入射聲,使空間的中心部位形成自由場的
房間。
7.5.6半消聲室semi-anechoicroom,hemi-anechoicroom
在反射面上方可獲得模擬自由場的房間。
7.5.7多功能消聲室multi-functionanechoicroom
·38·
既可作為消聲室又可作為半消聲室使用的房間。
7.5.8聲控室soundcontrolroom
控制電聲系統的監控房間。
7.5.9室內聲學roomacoustics
研究室內聲場和音質問題的科學。
7.5.10吸聲系數soundabsorptioncoefficient
入射聲能被材料表面或媒質吸收的百分數值。
7.5.11吸聲材料soundabsorptionmaterial
通過多孔材料薄膜作用或共振作用,對入射聲能有吸收作用
的材料。
7.5.12降噪系數noisereductioncoefficient(NRC)
表示材料或構造吸聲特性的數值。
7.5.13等效吸聲面積equivalentabsorption專用area
面積乘以吸聲系數的值。又稱等效吸聲量,單位為m2。
7.5.14房間吸聲量roomabsorption
房間內各個表面和物體的總吸聲量加上房間內在媒質中的損
耗量。
7.5.15微穿孔板吸聲結構microperforatedabsorber
裝置在剛性墻前一定距離處的穿孔板結構。
7.5.16空氣聲air-bornesound
聲源經過空氣向四周傳播的噪聲。
7.5.17固體聲solid-bornesound
建筑物人人文庫聲源經過固體向四周傳播的撞擊聲。
7.5.18隔聲量soundreductionindex
建筑構件一側的入射聲功率級與另一側的透射聲功率級之
差。單位為dB(分貝)。
7.5.19質量定律masslaw
決定墻體隔聲量的定律。
7.5.20聲橋soundbridge
·39·
在雙層或多層隔聲結構中兩層間的剛性連接物,聲能可以振
動的形式通過它在兩層間傳播。
7.5.21聲鎖soundlock
可大量吸收聲能的小室或走廊。又稱聲阱、聲閘。
7.5.22浮筑樓板floatingfloor
在樓板面層與結構層和四周墻壁之間鋪放的軟木、橡膠、玻璃
棉等彈性墊層。
7.5.23噪聲noise
不需要的聲音。
7.5.24背景噪聲backgroundnoise
來自被測聲源外的所有其他聲源的噪聲。又稱本底噪聲。
7.5.25環境噪聲ambientnoise,environmentalnoise
在某一環境下由多個不同位置的聲源產生專用的總噪聲。
7.5.26無規噪聲randomnoise
幅度、頻率、相位等沒有規律,瞬時值不能預先確定的聲振蕩。
7.5.27白噪聲whitenoise
頻譜連續且能量分布均勻的噪聲。
7.5.28粉紅噪聲pinknoise
頻譜連續且其幅度與頻率成反比的噪聲,每倍頻程內能量恒
定。又稱典型噪聲。
7.5.29倍頻程帶寬octavebandwidth
兩個比率為2的音頻之間的間隔。
7.5.30消人人文庫聲器muffler,silencer
具有吸音襯里或特殊形狀的氣流管道。
7.5.31水聲學hydroacoustics
研究與水環境相關的聲學問題的科學。
7.5.32消聲水池anechoicwatertank
邊界有效吸收所有入射聲,使池中心部位形成自由場的水池。
7.5.33水池本底噪聲backgroundnoiseofwatertank
·40·
在水池中,由水聽器收到的除測試設備本身的噪聲以外的水
中噪聲。
7.5.34尖劈wedgeabsorber
用于吸收入射聲波能量且能降低反射,安裝在消聲室邊界上
的錐形體。
7.5.35隔聲吸聲門of
door
對外阻隔外部噪聲傳入消聲室,對內則吸收聲能并防止聲反
射的門。
7.6廢棄電器電子產品處理
7.6.1廢棄電器電子產品wasteelectricalandelectronic
products專用
產品的擁有者不再使用且已丟棄或放棄的電器電子產品,又
稱電子廢棄物、電子垃圾。
7.6.2預先取出advancedfetch
廢棄電器電子產品拆解過程中,先對特定的含有毒、有害物的
零部件、元器件及材料進行拆卸、分離的活動。
7.6.3拆解disassembly
通過人工或機械方式對廢棄電器電子產品進行拆卸、解體,以
便于處理的活動。
7.6.4處理treatment
對廢棄人人文庫電器電子產品進行除污、拆解、破碎及再生利用的活動。
7.6.5處置disposal
采用焚燒、填埋或其他改變固體廢物的物理、化學、生物特性
的方法,達到減量化或者消除其危害性的活動,或將固體廢物最終
置于符合環境保護標準規定的場所或者設施的活動。
7.6.6分選selectionbyclassification
通過不同方法對廢棄電器電子產品中不同種類的可再生資源
·41·
及廢物進行分離的活動。
7.6.7熱解pyrolysis
利用原料中有機物的熱不穩定性,在無氧或缺氧條件下,對原
料進行加熱蒸餾,使有機物發生熱分解轉化的過程。
7.6.8物理處理physicaltreatment
對廢棄電器電子產品進行機械破碎,并利用其材料的不同密
度、導電性和磁性等特性進行分選、資源回收的活動。
7.6.9化學處理chemicaltreatment
通過化學反應或電化學方法處理廢棄電器電子產品,并對其
進行資源回收的活動。
7.6.10火法冶金pyrometallurgy
利用高溫使廢棄電器電子產品中金屬和非金屬物質分離,從
中提取金屬或金屬化合物的過程。專用
7.6.11濕法冶金hydrometallurgy
利用廢棄電器電子產品中金屬在強氧化性介質中溶解的特
性,對廢棄電器電子產品中的金屬和其他有用物質進行分離和提
取的過程。
7.6.12干式清洗drycleaning
不使用液態溶液或溶劑作為清洗介質的清洗過程。
7.6.13濕式清洗wetcleaning
采用液態溶液或溶劑作為清洗介質,利用清洗介質對特定物
質的溶解、沖刷以及親和特性,將特定物質分離、去除的過程。
7.6.14再人人文庫使用reuse
廢棄電器電子產品或其中的零部件、元器件繼續使用,或經清
理、維修后符合相關標準繼續用于原來用途的行為。
7.6.15產品可再生利用標識recyclabilitymarkingofthe
product
表示產品可再生利用以及明示材料中有關成分、不得隨意丟
棄的標記。
·42·
7.6.16再使用零部件ponents
經過清洗、維護、修復等,經檢驗符合相應的國家現行有關標
準,仍能按原功能繼續正常使用的廢棄電器電子產品的零部件、元
器件。
7.6.17能量回收energyrecovery
通過焚燒、熱解等方式處理廢棄電器電子產品以回收能量的
過程。
7.6.18直接再生recyclingdirectly
保持原產品的材料成分、性能不變,仍用于原用途的再生利用
方式。
7.6.19改性再生modifiedrecycling
通過各種手段改變原產品的材料成分或性能,達到再生利用
目的的再生利用方式。專用
7.6.20再生利用recycling
對廢棄電器電子產品進行處理,使之能作為原材料重新利用
的過程。
7.6.21回收利用recovery
對廢棄電器電子產品進行處理,使之能滿足其原來的使用要
求或用于其他用途的過程。
7.6.22再生材料recycledmaterial
對失去原使用價值的材料進行加工處理后,產生的重新獲得
使用價值的材料。
7.6.23均人人文庫質材料homogeneousmaterial
各部分組成相同且不能通過機械手段進一步拆分的材料。
7.6.24拆余物disassemblingremainders
經拆解得到的廢棄電器電子產品零部件、元器件等散件或殘
余物。
7.6.25有毒有害物質hazardoussubstance
廢棄電器電子產品中含有的對人、動植物和環境等產生危害
·43·
的物質或元素。
7.6.26收集率collectionrate
收集的廢棄電器電子產品的數量或質量與所生產的數量或質
量的百分比。
7.6.27再生利用率recyclingrate
廢棄電器電子產品中能被再使用部分與不包括能量回收的再
生利用部分的質量之和,與其質量之比。
7.6.28回收利用率recoveryrate
廢棄電器電子產品中,包括再使用、再生利用和能量回收等能
被回收利用部分的質量之和,與其質量之比。
7.6.29可再生利用率recyclabilityrate
新產品中能再使用部分與不包括能量回收的再生利用部分的
質量之和,占新產品質量的百分比。專用
7.6.30可回收利用率recoverabilityrate
新產品中,包括再使用、再生利用和能量回收等能被回收利用
部分的質量之和,占新產品質量的百分比。
7.6.31產品生態設計duct(ECD)
為提高產品生命周期內的環境績效,優化產品的環境影響而
將環境因素引入產品的設計和開發的活動。又稱環境意識設計、
綠色設計、環境化設計。
7.6.32環保使用期限environment-friendlyuseperiod
產品用戶使用該產品不會對環境造成嚴重污染或對其人身、
財產造成嚴人人文庫重損害的期限。
7.7工藝技術與工藝設計
Ⅰ整機生產工藝
7.7.1元器件老化篩選ponentsbyaging
method
給電子元器件施加熱的、電的、機械的或多種結合的外部應
·44·
力,模擬惡劣的工作環境,使其內部的潛在缺陷加速暴露出來,然
后進行電氣參數測量,篩選剔除那些失效或變性元器件的過程。
7.7.2裝聯準備electronicsassemblingpreparation
裝配前先將用于組裝電子產品的各種元器件、零件和各種導
線進行預先加工處理的工作。也稱生產準備。
7.7.3印制電路板裝聯PCBassembling
在制作有金屬電路圖形的印制電路板上裝配和裝焊電子元器
件的工藝。
7.7.4裸芯片組裝barechipassembly
從已完工的晶圓上切下芯片后,不按傳統的集成電路封裝成
體方式,而將芯片直接組裝在電路板上的工藝。
7.7.5表面組裝技術surfacemountedtechnology(SMT)
無需對印制板鉆插裝孔,直接將表面組裝專用元器件或部件貼焊
在印制板表面規定位置上的電路裝聯技術,又稱表面安裝技術。
7.7.6免清洗技術no-cleanforPCBassemblies
印制板在裝焊過程中采用免清洗助焊劑、免清洗焊膏和免清
洗焊接設備,裝配后的印制板組件不需進行清洗即能達到或超過
原來采用清洗工藝的清潔度水平的焊接技術。
7.7.7印制板組件檢測testforPCB
為將印制板組件的貼(插)裝、焊接故障降到最小限度,使組件
達到特定標準要求的質量和可靠性等級所進行的檢測。
7.7.8整機裝配completemachineassembling
對整機進人人文庫行機械裝配、電氣連接和裝配后質量檢驗的過程。
7.7.9整機老化試驗completemachineagingtest
針對整機產品仿真出高溫等惡劣環境,對其進行穩定性、可靠
性老化試驗的過程。
7.7.10整機調試completemachinedebugging
按相應的技術標準或指標要求,將整機產品各項指標調試到
允許范圍內的過程。
·45·
7.7.11整機生產環境completemachinemanufactureenvi-
ronment
整機生產活動所必需具備的空間和物質條件。
7.7.12環境試驗environmenttest
將產品暴露在自然或人工環境條件下經受其作用,評價產品
在實際使用、運輸和貯存環境條件下的性能,并分析研究環境因素
的影響程度及其作用機理的試驗。
7.7.13力學環境試驗dynamicsenvironmenttest
在力學環境因素作用下,考核、評價產品的功能可靠性、結構
完好性的試驗。
7.7.14氣候環境試驗climateenvironmentaltest
考核、評價產品在氣候環境因素作用下的性能、可靠性和安全
性的試驗。專用
7.7.15三防處理anticorrosivetechnique
對潮濕、霉菌、鹽霧等環境采取的防護措施。
Ⅱ電子元器件生產工藝
7.7.16外延epitaxy
采取化學反應晶體生長技術,用以在決定晶向的基質襯底表
面上生長一薄層與晶體有相同晶格結構的半導體材料的過程。
7.7.17硅氣相外延siliconvapor-phaseepitaxy(VPE)
利用四氯化硅(SiCl4)、三氯氫硅(SiHCl3)、二氯二氫硅
(SiH2Cl2)或硅烷(SiH4)等硅的氣態化合物,在加熱的硅襯底表
面與氫反應或人人文庫自身發生熱分解還原成硅,并以單晶的形式沉積在
硅襯底表面的過程。
7.7.18分子束外延molecular-beamepitaxy(MBE)
通過聚焦的電子束源產生的電磁場,使硅原子蒸發得到外延
反應所需的硅反應原子;硅原子束離開硅源,通過排泄腔體,不碰
撞并直接沉積在硅襯底表面形成外延層的過程。
7.7.19氧化oxidation
·46·
在硅表面上生長一層二氧化硅薄膜的技術。
7.7.20光刻photolithography,lithography,masking
圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。
7.7.21刻蝕etching
把進行光刻前所沉積的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的部
分,以化學或物理作用的方式去除,以完成轉移掩膜圖形到薄膜上
面的過程。
7.7.22擴散diffusion
雜質原子或分子在高溫下由高濃度區向低濃度區的移動過
程。
7.7.23摻雜doping
用人為的方法將所需雜質按要求的濃度和分布摻入到半導體
材料中,以改變材料的電學性質的過程。專用
7.7.24化學氣相沉積chemicalvapordeposition(CVD)
一種或數種物質的氣體以某種方式被激活后,在襯底表面發
生化學反應并淀積出所需固體薄膜的生長技術。
7.7.25濺射sputtering
高能粒子撞擊高純度的靶材料,被撞擊出的原子穿過真空,最
后淀積到硅片或其他基片上的過程。
7.7.26離子注入ionimplant
將待摻雜的物質電離,加速成能量級為100keV的高能量離
子束入射到材料中,離子束與材料中的原子或分子發生一系列的
物理、化學作人人文庫用;入射離子逐漸損失能量,最后停留在材料中并引
起材料表面成分、結構和性能發生變化,從而優化材料表面性能或
獲得某些新的優異性能的過程。
7.7.27退火anneal
將晶圓加熱到一定溫度,然后冷卻以達到特定結果的過程。
7.7.28金屬化metallization
應用化學或物理方法在芯片上淀積導電薄膜的過程。
·47·
7.7.29鈍化passivation
為避免周圍環境氣氛和其他外界因素對器件性能產生影響而
在器件表面形成保護膜的過程。
7.7.30化學機械拋光chemical-mechanicalpolish(CMP)
化學腐蝕和機械磨削同時進行的拋光技術。
7.7.31化學機械平坦化chemical-mechanicalplanarization
用化學腐蝕與機械研磨相結合的方式除去硅片頂部多余的厚
度,使硅片表面平坦化的技術。
7.7.32鍵合bonding
用細金屬絲將半導體器件芯片上的電極和底座外引線相連接
的過程。
7.7.33封裝packaging
為使芯片與外界環境隔絕、不受污染,且便專用于使用、焊接,將芯
片固定在外殼上并將芯片密封的過程。
7.7.34陣列工藝cess
在玻璃基板上通過成膜、光刻、刻蝕等半導體工藝技術,制作
有規則排列的特定薄膜晶體管(開關器件)陣列,以形成數據線、存
儲電容和信號線的工藝。
7.7.35清洗cess
清除吸附在玻璃基板表面上的各種有害雜質或油污的過程。
7.7.36干法清洗drycleaning
通過紫外線光清除基板表面有機污染物的清除方法。
7.7.37等人人文庫離子增強化學氣相沉積plasmaenhancedchemi-
calvapordeposition(PECVD)
通過等離子體的活性促進化學反應,使氣體反應物質生成固
態物質并沉積在玻璃基板表面的薄膜沉積工藝技術。
7.7.38濕法刻蝕cess
采用液態化學藥品對被蝕刻物質進行刻蝕的方法。
7.7.39干法刻蝕cess
·48·
在氣相中對基板表面、被蝕刻物質進行刻蝕的方法。
7.7.40聚酰亞胺取向劑涂覆polyimidedirectioncoater
process
在薄膜晶體管液晶顯示器陣列玻璃基板和彩色濾光片玻璃基
板上,通過旋轉涂敷和印刷方式形成液晶取向層,以備下一道工序
對其進行摩擦取向,達到對液晶分子進行取向目的的過程。又稱
PI涂覆。
7.7.41摩擦cess
為在聚酰亞胺取向劑膜(PI膜)上形成具有一定方向的溝槽,
對涂覆在兩片玻璃基板上的取向劑,用摩擦輥上的絨毛對該膜進
行的表面摩擦。
7.7.42摩擦后清洗afterrubbingcleaner
對摩擦定向后產生的絨毛、取向劑膜屑等專用塵埃進行的清除。
7.7.43封框膠涂復cess
制屏貼合前用絲網印刷技術或可滴涂方式,將封框膠圖形制
作在一片玻璃基板上,把公共電極導電膠制作在另一片玻璃基板
上,然后將兩片玻璃貼合封接制成液晶盒的工藝過程。
7.7.44貼合cess
將上下兩片玻璃基板對位壓合成液晶盒的工藝過程。
7.7.45成盒cess
將已制備好的薄膜晶體管液晶顯示器陣列玻璃基板和彩色濾
光片玻璃基板組裝到一起,使兩塊玻璃基板之間充有液晶材料,加
上適應的電人人文庫場即可進行圖像顯示的液晶盒(屏)的工藝過程。
7.7.46切割cess
將集成在一大片玻璃基板上的多個液晶顯示器件半成品面
板,切割成獨立的多個液晶顯示面板的工藝過程。
7.7.47液晶模組liquidcrystalmodule(LCM)process
將金屬外框、液晶面板(屏)、撓性印制電路板、驅動
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