SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）外延生長設(shè)備，也稱為外延生長裝置，是一類專用設(shè)備，用于在半導(dǎo)體制造過程中生長SiC和GaN晶片的外延層。這些外延層通常用于制造高性能電子器件，如功率半導(dǎo)體、射頻（RF）器件、發(fā)光二極管（LED）和激光二極管（LD），因為SiC和GaN材料具有出色的電學(xué)和光學(xué)性能。據(jù)QYResearch調(diào)研團(tuán)隊最新報告“全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場報告2023-2029”顯示，預(yù)計2029年全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到16.2億美元，未來幾年年復(fù)合增長率CAGR為7.2%。SiC和GaN外延生長設(shè)備，全球市場總體規(guī)模，預(yù)計2029年達(dá)到16.2億美元如上圖表/數(shù)據(jù)，摘自QYResearch最新報告“全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場研究報告2023-2029.主要驅(qū)動因素:高性能電子需求：高性能電子器件的需求正在增加，特別是在領(lǐng)域如電動汽車、5G通信、能源轉(zhuǎn)換和照明。SiC和GaN外延生長設(shè)備用于制造這些器件所需的材料。節(jié)能和高效：SiC和GaN材料在高溫和高頻應(yīng)用中具有出色的性能，可以提供更高的能源效率。這促使制造商尋求使用這些材料，并因此需要外延生長設(shè)備。綠色能源：可再生能源產(chǎn)業(yè)的增長也促進(jìn)了對SiC和GaN外延生長設(shè)備的需求，因為它們可用于制造太陽能逆變器和其他能源轉(zhuǎn)換器件。主要阻礙因素:高成本：SiC和GaN外延生長設(shè)備通常價格昂貴，這可能限制中小型制造商的投入。高成本也可能對設(shè)備的采用產(chǎn)生影響。技術(shù)復(fù)雜性：這些設(shè)備的操作和維護(hù)通常需要高度專業(yè)化的技能和知識，這可能對操作人員和維護(hù)團(tuán)隊提出挑戰(zhàn)。市場競爭：SiC和GaN外延生長設(shè)備市場競爭激烈，有多家制造商提供不同類型的設(shè)備。這可能導(dǎo)致價格競爭和毛利率下降。行業(yè)發(fā)展機(jī)遇:技術(shù)創(chuàng)新：制造商可以通過不斷改進(jìn)設(shè)備的性能和效率來應(yīng)對市場需求。新技術(shù)和創(chuàng)新的外延生長過程可以提供更好的晶片質(zhì)量和生產(chǎn)效率。拓展應(yīng)用領(lǐng)域：SiC和GaN材料的應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)展，包括無線通信、電動汽車、電源管理等。制造商可以尋求滿足不斷增長的需求。全球市場：國際市場對SiC和GaN材料的需求也在增長，特別是在亞洲市場。制造商可以考慮拓展國際市場份額。全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場前8強(qiáng)生產(chǎn)商排名及市場占有率（持續(xù)更新）如上圖表/數(shù)據(jù)，摘自QYResearch最新報告“全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場研究報告2023-2029.全球范圍內(nèi)SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)商主要包括TokyoElectronLimited、Aixtron、AdvancedMicro、NAURA、NuFlare等。2022年，全球前四大廠商占有大約58.0%的市場份額。

SiC和GaN外延生長設(shè)備，全球市場規(guī)模，按產(chǎn)品類型細(xì)分，CVD處于主導(dǎo)地位如上圖表/數(shù)據(jù)，摘自QYResearch最新報告“全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場研究報告2023-2029.就產(chǎn)品類型而言，目前CVD是最主要的細(xì)分產(chǎn)品，占據(jù)大約51.75%的份額。

SiC和GaN外延生長設(shè)備，全球市場規(guī)模，按應(yīng)用細(xì)分，碳化硅外延是最大的下游市場，占有59.48%份額。如上圖表/數(shù)據(jù)，摘自QYResearch最新報告“全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場研究報告2023-2029.就產(chǎn)品類型而言，目前碳化硅外延是最主要的需求來源，占據(jù)大約59.48%的份額。全球主要市場SiC和GaN外延生長設(shè)備規(guī)模如上圖表/數(shù)據(jù)，摘自QYResearch最新報告“全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場研究報告2023-2029.根據(jù)研究團(tuán)隊調(diào)研統(tǒng)計，2022年全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場銷售額達(dá)到了59億元，預(yù)計2029年將達(dá)到92億元，年復(fù)合增長率（CAGR）為5.5%（2023-2029）。中國市場在過去幾年變化較快，2022年市場規(guī)模為億元，約占全球的%，預(yù)計2029年將達(dá)到億元，屆時全球占比將達(dá)到%。SiC和GaN外延生長設(shè)備（EpitaxialGrowthEquipmentforSiCandGaN）核心廠商包括Aixtron、ASMInternational、AppliedMaterial等，前三大廠商占有全球約45%的份額。亞洲地區(qū)是全球最大市場，份額約占70%，隨后是北美和歐洲，市場份額分別約占20%和10%。本文側(cè)重研究全球SiC和GaN外延生長設(shè)備總體規(guī)模及主要廠商占有率和排名，主要統(tǒng)計指標(biāo)包括SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)能、銷量、銷售收入、價格、市場份額及排名等，企業(yè)數(shù)據(jù)主要側(cè)重近三年行業(yè)內(nèi)主要廠商的市場銷售情況。地區(qū)層面，主要分析過去五年和未來五年行業(yè)內(nèi)主要生產(chǎn)地區(qū)和主要消費地區(qū)的規(guī)模及趨勢。QYResearch（恒州博智）是全球知名的大型咨詢機(jī)構(gòu)，長期專注于各行業(yè)細(xì)分市場的調(diào)研。行業(yè)層面，重點關(guān)注可能存在“卡脖子”的高科技細(xì)分領(lǐng)域。企業(yè)層面，重點關(guān)注在國際和國內(nèi)市場在規(guī)模和技術(shù)等層面具有代表性的企業(yè)，挖掘出各個行業(yè)的國家級“專精特新”企業(yè)，以全球視角，深度洞察行業(yè)競爭態(tài)勢、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢。本文主要企業(yè)名單如下，也可根據(jù)客戶要求增加目標(biāo)企業(yè)：NuFlareTechnologyInc.TokyoElectronLimitedNAURAVEECOTaiyoNipponSansoAixtronAdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）AppliedMaterialASMInternational按照不同產(chǎn)品類型，包括如下幾個類別：CVDMOCVD其他按照不同應(yīng)用，主要包括如下幾個方面：碳化硅外延氮化鎵外延重點關(guān)注如下幾個地區(qū)北美歐洲中國日本本文正文共10章，各章節(jié)主要內(nèi)容如下：第1章：報告統(tǒng)計范圍、所屬行業(yè)、產(chǎn)品細(xì)分及主要的下游市場，行業(yè)現(xiàn)狀及進(jìn)入壁壘等第2章：國內(nèi)外主要企業(yè)市場占有率及排名第3章：全球總體規(guī)模（產(chǎn)能、產(chǎn)量、銷量、需求量、銷售收入等數(shù)據(jù)，2018-2029年）第4章：全球SiC和GaN外延生長設(shè)備主要地區(qū)分析，包括銷量、銷售收入等第5章：全球SiC和GaN外延生長設(shè)備主要廠商基本情況介紹，包括公司簡介、SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品型號、銷量、收入、價格