Word電力二極管的工作原理、基本特性及主要參數

電力（二極管）（Power（Diode））自20世紀50年代初期就獲得應用，但其結構和原理簡單，工作可靠，直到現在電力二極管仍然大量應用于許多（電氣）設備當中。

1（工作原理）

電力二極管是以半導體PN結為基礎的,實際上是由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的。從外形上看，可以有螺栓型、平板型等多種封裝。

電力二極管的外形、結構和電氣圖形符號

a)外形b)基本結構c)電氣圖形符號

二極管的基本原理——PN結的單向導電性

當PN結外加正向電壓（正向偏置）時，在外電路上則形成自P區流入而從N區流出的（電流），稱為正向電流IF，這就是PN結的正向導通狀態。當PN結外加反向電壓時（反向偏置）時，反向偏置的PN結表現為高阻態，幾乎沒有電流流過，被稱為反向截止狀態。

PN結具有一定的反向耐壓能力，但當施加的反向電壓過大，反向電流將會急劇增大，破壞PN結反向偏置為截止的工作狀態，這就叫反向擊穿。按照機理不同有雪崩擊穿和齊納擊穿兩種形式。

反向擊穿發生時，采取了措施將反向電流限制在一定范圍內，PN結仍可恢復原來的狀態。否則PN結因過熱而燒毀，這就是熱擊穿。

齊納擊穿和雪崩擊穿區別在于：齊納擊穿可恢復，齊納二極管（穩壓二極管）擊穿后可以自愈，是一種正常的工作狀態，齊納二極管就工作在齊納擊穿區。雪崩擊穿不可恢復，是一種非正常的工作狀態，一旦二極管工作在雪崩擊穿區，該二極管即已損壞報廢，表現為短路，失去（半導體）特性。當齊納二極管的反向擊穿電流超過其允許的最大擊穿電流數倍時，齊納二極管也會發生雪崩擊穿，現象是二極管短路報廢。

PN結的（電容）效應

PN結的電容稱為結電容Cj，又稱為微分電容。按其產生機制和作用的差別分為勢壘電容CB和擴散電容CD。勢壘電容只在外加電壓變化時才起作用，外加電壓頻率越高，勢壘電容作用越明顯。在正向偏置時，當正向電壓較低時，勢壘電容為主。擴散電容僅在正向偏置時起作用。正向電壓較高時，擴散電容為結電容主要成分。結電容影響PN結的工作頻率，特別是在高速開關的狀態下，可能使其單向導電性變差，甚至不能工作。

2基本特性

靜態特性

主要指伏安特性，正向電壓大到一定值（門檻電壓UTO），正向電流才開始明顯增加，處于穩定導通狀態。與IF對應的電力二極管兩端的電壓即為其正向電壓降UF。承受反向電壓時，只有少子引起的微小而數值恒定的反向漏電流。

伏安特性曲線

動態特性

因為結電容的存在，電壓—電流特性是隨時間變化的，這就是電力二極管的動態特性，并且往往專指反映通態和斷態之間轉換過程的開關特性。

由正向偏置轉換為反向偏置，電力二極管并不能立即關斷，而是須經過一段短暫的時間才能重新獲得反向阻斷能力，進入截止狀態。在關斷之前有較大的反向電流出現，并伴隨有明顯的反向電壓過沖。

反向恢復特性曲線

反向恢復時間：trr=ta+tb

恢復特性的軟度：tb/ta，或稱恢復系數，用Sr表示。

由零偏置轉換為正向偏置，先出現一個過沖UFP，經過一段時間才趨于接近穩態壓降的某個值（如2V）。

零偏置轉正偏特性曲線

正向恢復時間tfr

出現電壓過沖的原因:電導調制效應起作用所需的大量少子需要一定的時間來儲存，在達到穩態導通之前管壓降較大；正向電流的上升會因器件自身的電感而產生較大壓降。電流上升率越大，UFP越高。

3主要參數

正向平均電流IF(AV)：

指電力二極管長期運行時，在指定的管殼溫度（簡稱殼溫，用TC表示）和散熱條件下，其允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。IF(AV)是按照電流的發熱效應來定義的，使用時應按有效值相等的原則來選取電流定額，并應留有一定的裕量。

正向壓降UF：

指電力二極管在指定溫度下，流過某一指定的穩態正向電流時對應的正向壓降。

反向重復峰值電壓URRM：

指對電力二極管所能重復施加的反向最高峰值電壓。使用時，應當留有兩倍的裕量。

最高工作結溫TJM：

結溫是指管芯PN結的平均溫度，用TJ表示。最高工作結溫是指在PN結不致損壞的前提下所能承受的最高平均溫度。TJM通常在125～175C范圍之內。

反向恢復時間trr

浪涌電流IFSM：

指電力二極管所能承受最大的連續一個或幾個工頻周期的過電流。

4主要類型

按照正向壓降、反向耐壓、反向漏電流等性能，特別是反向恢復特性的不同，介紹幾種常用的電力二極管。

普通二極管（GeneralPurposeDiode）

又稱整流二極管（Rec（ti）fierDiode），多用于開關頻率不高（1kHz以下）的整流電路中。其反向恢復時間較長，一般在5us以上。其正向電流定額和反向電壓定額可以達到很高。

快恢復二極管（FastRecoveryDiode——FRD）

恢復過程很短，特別是反向恢復過程很短（一般在5us以下）。快恢復外延二極管（FastRecoveryEpitaxialDiodes——FRED），采用外延型P-i-N結構，其反向恢復時間更短（可低于50ns），正向壓降也很低（0.9V左右）。

從性能上可分為快速恢復和超快速恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100ns以下，甚至達到20~30ns。

肖特基二極管（SchottkyBarrierDiode——SBD）

屬于多子器件

優點在于：反向恢復時間很短（10~40ns），正向恢復過程中也不會有明顯的電壓過沖；在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低于快恢復二極管；因此，其開關損耗和正向導通損耗都比快速二極管還要小，效率高。

弱點在于：當所能承受的反向耐壓提高時其正向壓降也會高得不能滿足要求，因此多用于200V以下的低壓場合；反向漏電流較大且對溫度敏感，因此反向穩態損耗不能忽略，而且必須更嚴格地限制其工作溫度。

當然，除了以上幾種主要類型的二極管，還有很多其他類型的二極管，應用領域也很光，這里就不做過多的說明，后續慢慢地會涉及到。二極管在（電力電子）技術中有著很重要地作