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文檔簡介

總復習大規模集成電路工藝學

VLSITechnology第一章緒論集成電路的發展晶體管、集成電路、平面工藝...摩爾定律特征尺寸著名代工企業半導體原理本征半導體摻雜半導體9/2/20232VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第二章現代CMOS工藝集成電路工藝的發展現代CMOS工藝基本流程Silicide、Salicide9/2/20233VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第三章晶圓制備晶體結構晶格、晶胞晶面、晶向多晶、單晶金剛石結構、閃鋅礦結構晶體缺陷硅的制備冶金級硅、電子級硅晶體生長CZ、FZ、LEC晶圓制備流程、CMP9/2/20234VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第四章污染控制污染問題主要污染物、污染引起的問題污染源主要污染源潔凈室晶圓清洗晶圓表面污染物顆粒去除化學清洗、RCA清洗流程沖洗、烘干吸雜概念、方法、原理9/2/20235VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第五章熱氧化SiO2用途SiO2的主要特性、用途熱氧化機制干氧化、濕氧化氧化層的生長氧化率影響因素氧化方法氧化系統反應爐、氧化源氧化工藝流程、工藝循環、RTP、RTO熱氮化9/2/20236VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第六章光刻概述光刻目的、圖形轉移光刻膠光刻膠極性、掩模版極性光刻膠組成、表現要素、物理性質圖形尺寸變化、針孔光刻工藝流程步驟旋轉涂膠工藝、光刻機分類9/2/20237VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第六章光刻（續）高級光刻工藝圖形處理問題改進曝光源、波長與分辨率對比效應、周相移動掩模版、光學臨近糾偏環孔照射、掩模版薄膜晶圓表面問題防反射涂層、駐波平整化、復層光刻膠工藝、回刻平整、CMP雙掩模版9/2/20238VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第七章刻蝕概述方向性、選擇性對刻蝕的要求刻蝕工藝分類干法、濕法改進刻

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