IGBT結構設計發展與展望李碧姍;王昭;董妮【摘要】首先從絕緣柵型雙極性晶體管(IGBT)的物理模型展開討論，分析了影響IGBT性能的幾個重要特性參數，對其結構的優化和改進提供了理論支撐?其次論述了IGBT問世以來的主要結構設計發展歷程，以及國際主流IGBT設計廠商對各自IGBT產品結構做出的獨創性改進?最后對目前研究的新技術熱點如逆導型IGBT半導體器件進行了介紹，并對IGBT器件的發展方向提出展望.期刊名稱】《電子與封裝》年(卷),期】2018(018)002【總頁數】9頁(P1-8,45)關鍵詞】IGBT;PT;NPT;SPT;Trench-FS;CSTBT;RC-IGBT【作者】李碧姍;王昭;董妮【作者單位】中車永濟電機有限公司,西安710018;中車永濟電機有限公司,西安710018;中車永濟電機有限公司,西安710018正文語種】中文【中圖分類】TM215.92引言上世紀七十年代，一種采用絕緣柵、依靠感應原理輸入信號的電壓控制型器件MOSFET出現，它具有輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度高等優點，但是其導通電阻大、通流受限，且工作電壓有限。后來，人們把MOSFET絕緣柵技術結合到大功率雙極型晶體管（GTR）上之后，就出現了一種全新的復合型器件絕緣柵雙極型晶體管（IGBT，InsulatedGateBipolarTransistor）。它集合了MOSFET和BJT各自的優點，具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓驅動、通態壓降低等優點，使其可以向高頻、高電壓、大電流方向發展，在開關頻率大于1kHz、功率大于5kW的應用場合具有顯著優勢［1~8］。然而實際上僅僅是簡單組合而成的第一代IGBT器件的特性表現并不出眾，于是從上世紀八十年代至今,IGBT結構和性能歷經了數次較大的改進和變革［12,13］°IGBT的發展是按照不同的路徑和芯片技術進行的。不論是通過減少芯片面積來降低成本，還是提高特性使之更接近理論值，都基于3個基本途徑：（1）簡化單元結構/減少芯片面積/提高電流密度；（2）減薄芯片厚度，提高芯片性能；（3）提高芯片的可靠工作溫度。IGBT的設計理念是依據其主要用途，在不同情況且有時是相互矛盾的元件特性中選擇折中方案。最主要的兩個折中關系為［14］:（a）通態壓降VCE（sat）和關斷損耗Eoff;（b）通態壓降VCE（sat）和短路SOA（SCSOA）的關系。根據最新理念設計生產的IGBT器件，如SPT系列（ABB公司）［15~17］、Trench-FS（Infineon公司）［18~20］和CSTBT（Mitsubishi公司）［21］，對于問題（a）通過提高自由載流子在n發射極區的濃度來協調，缺點是大多數集電極電流在關斷時下降太快，會產生不良后果，如EMC等問題；對問題（b）則通過減薄芯片厚度或引入場截止FS（field-stop）結構低摻雜濃度截止層來改善［22］。同時，為了提高模塊的電流密度，逆導型IGBT結構也得到廣泛的研究和應用［23,24］。本文對主流IGBT器件廠商的IGBT結構特點進行了分析和總結。IGBT物理模型當把IGBT看作是MOSFET和BJT的組合模型時，我們可以對其以下幾個主要特性參數進行分析。通態壓降IGBT的總通態壓降可等效為PNP晶體管壓降和MOS管溝道電壓之和。PNP晶體管的壓降表示為［25］：其中，ICE1為流過IGBT的總電流，neff為準中性基區有效摻雜濃度，P0為內部晶體管發射集邊緣處的載流子濃度。IGBT開通時工作于線性區，IMOS=IB，集電極-基極電壓等于MOSFET漏極-源極電壓，IMOS為通過MOS管溝道的電流［26］，則MOS管的溝道壓降表示為［25］：其中，Vth為MOS管閾值電壓，Vgs為柵極和源極所加偏壓，Cox是柵氧化層電容，pns是表面電子遷移率，Z是溝道寬度，Lch是溝道長度。開通時，IGBT導通壓降VCE1可以表示為［25］:IGBT的通態飽和壓降主要由導通電阻來決定。式（7）中，RJ是柵極下JFET區電阻，RD是N-漂移區的基區電阻，RN+是源區的電阻，RCH是P阱內電阻，RSUB是背面P+發射極電阻。對于高壓器件來講，對器件通態壓降影響最大的電阻是JFET區電阻RJ和N-漂移區內的電阻RD［27］。導通電流IGBT的導通電流ICE1可以看作來自PNP晶體管的基區電流IB和集電極電流IC的總和，即ICE1=IB+IC［25］。其中，IGBT的漏電流來源于PN結耗盡層空間電荷產生的電流以及中性基區擴散電流的結合［28］，表達式為：式（10）中Wbcj為PN結中耗盡層的寬度，表達式為［23］:式（11）中，話i為硅的相對介電常數，Vbc為基極集電極電壓。漏電流很可能誘發IGBT擊穿和發生擎住效應，是導致IGBT失效的主要原因之一［28,29］。和其他半導體器件一樣，IGBT的漏電流隨溫度升高而增大，在室溫條件下，空間電荷產生的電流起主要決定作用，而高溫時擴散電流起主導作用。由漏電流公式可知:隨著溫度升高，漏電流變大，結溫上升，進一步加劇漏電流變大，從而導致IGBT器件發生擊穿和擎住效應。閾值電壓器件導電溝道的大小是由IGBT表面MOS結構的P阱區決定的，同時影響器件的表面態。P阱的阱推深度和濃度大小直接影響閾值電壓Vth的值。器件在工作狀態時，若P阱區的體電阻RB上的壓降過大，則會使器件寄生晶體管被激活，產生閂鎖效應［27］。因此P阱區通常會使用二次P+注入，使得源與P阱之間的摻雜濃度增加，從而降低P區的體電阻，提高抗閂鎖能力。閾值電壓表達式為［25］:式中，tox為柵極氧化層厚度，NA為P-base區摻雜濃度，ni為本征載流子濃度，Qss是氧化層表面電荷值，申ms是金屬半導體接觸的功函數。閾值電壓主要受P阱區摻雜濃度與柵氧化層厚度tox影響較大，規律是隨著P-base區與tox厚度的增大，閾值電壓也會隨之增大。隨著溫度升高，本征載流子濃度會變大，導致IGBT閾值電壓降低。由于MOS管的閾值電壓漂移，在高壓、大電流和高溫情況下，IGBT可能會出現誤開通。開關速度IGBT的關斷由兩個階段形成：第一階段是MOSFET關斷過程，這段時間Ic的下降較快，因為MOS管的溝道電流是IGBT集電極電流Ic的主要部分；第二階段和BJT的存儲電荷有關，這段時間Ic的下降較慢，是因為當MOS管關斷后，IGBT在沒有反向電壓時，N基區中剩余的載流子復合速度緩慢。因此可見，IGBT關斷第一階段Ic的下降速率是由BJT共射極電流增益P決定的；IGBT關斷第二階段Ic的下降速率則與剩余載流子的壽命有關。即IGBT的關斷速度主要受BJT電流增益P和剩余載流子壽命T的影響。IGBT集電極電流Ic的上升速率是表征其開通速度的一個重要指標。MOSFET的跨導系數kp對集電極電流的上升速率有明顯影響。由于MOSFET的跨導系數與載流子遷移率呈正相關，即MOSFET的跨導系數隨溫度的上升而減小［28］。跨導系數表達式為：式（13）中，T0=300K,kp（T0）表示T0溫度時的MOSFET跨導。由式（13）可知，隨著溫度升高跨導系數減少，集電極電流上升速度變慢，IGBT開通速度越慢。IGBT器件導通和關斷兩個瞬態過程是表征其動態工作特性的關鍵。對IGBT而言，其導通過程主要由MOS結構決定，速度快；而關斷過程卻比較復雜，時間較長，這就使得關斷損耗也較大［27,30］。當IGBT柵極電壓達到閾值電壓后，MOS管溝道開啟，溝道電流就成為其BJT的基極電流，經過上升時間tr以后，BJT集電極電流就形成了，這段時間由載流子在基區渡越時間決定，開通過程的時間表示如下［25］：式（15）中，RG是柵極電阻，CGC是柵極發射極間電容，CGC是柵極集電極間電容，3PNP是PNP晶體管的基區寬度，Dp是空穴擴散系數。關斷過程的時間表示如下：式（18）中，VGH是導通時柵極發射極間的電壓，IDM是承受電流，gfs是器件跨導值。在表面MOS管關閉后，J1結就會進入反偏狀態，在基區中聚集的載流子需要復合或流出，此時集電極電流IC的表達式為：其中,Teff是時間常數，其值由基區厚度和基區載流子壽命決定。因為關斷過程中基區的電荷無法通過外部電路被抽走，所以IGBT關斷過程通常伴有較大的拖尾電流。降低關斷拖尾電流，使基區電導調制效應削弱，會引起IGBT的通態壓降增加。因此IGBT的通態壓降與關斷時間在實際應用中需要加以均衡。IGBT結構演變過程平面柵穿通（PT）型IGBT（1982—1995）第一代IGBT器件結構就是穿通型（PT）設計，這是最早的IGBT概念型產品。其制作工藝是采用厚度約為300~500pm的p+硅襯底為基板，通過外延生長技術制造出n+區和n-區，然后在外延層上制作IGBT元胞。PT-IGBT具有類似BJT的器件特性，在向1200V以上高壓方向發展時，遇到了成本高、厚外延難度大、高阻抗、可靠性低的問題［31］。因此，PT-IGBT技術不適合生產高壓器件，但在600V低壓系列產品中具有優勢。其器件結構如圖1所示。圖1PT-IGBT結構圖該結構n-型基區較薄，正向壓降很低，在正向截止狀態下，空間電荷區分布在整個n-區，因此稱為穿通型IGBT。為了使外延層較高的截止電壓盡可能降低，通過在n-區邊緣加入高摻雜的n+型緩沖區，使電場在緩沖層下降到零。由于基板厚度大且摻雜濃度高，在正向工作時，p+層的空穴注入效率很高，空穴電流占總電流的40%~45%，這導致器件關斷時載流子難以快速流出集電極，造成拖尾電流和關斷時間很大，因此需要通過壽命控制技術附加再結合層（如摻雜Au或者電子輻射等）來減小關斷時n+區的載流子壽命。然而再結合層的引入使PT-IGBT的正向壓降具有負溫度系數，在并聯使用時難以均流，能夠引起熱電正反饋效應，導致電流集中誘發二次擊穿，高溫時容易燒毀，因此PT-IGBT器件僅適合于低壓低頻應用環境。平面柵非穿通（NPT）型IGBT（1989—2000）隨著工業應用中對IGBT耐壓等級要求的不斷提高，采用PT-IGBT設計的器件在高耐壓條件下的基區厚度達到100pm以上，同時在硅襯底上外延生長高阻厚外延層的工藝不僅成本高，而且外延層摻雜濃度和均一性都難以保證，因此采用外延工藝的PT設計逐漸難以滿足客戶的應用需求。1989年，西門子公司于IEEE功率電子專家會議（PESC）上率先提出了NPT-IGBT的概念，1995年成功采用區熔單晶硅批量生產NPT-IGBT產品。隨后，NPT-IGBT逐漸取代PT-IGBT占據市場。其制作工藝是采用很薄且摻雜濃度很低的n-區熔單晶硅片，利用研磨、腐蝕等背面處理技術將芯片減薄到要求的耐壓所需厚度，之后通過離子注入在背面形成集電極P+區。NPT設計的n-漂移區做得很寬，因此在最高許可耐壓時電場在n-漂移區內部被完全削弱到零，與PT-IGBT設計相比，空間電荷區不會穿透n-漂移區，所以稱為非穿通型IGBT，器件結構見圖2。圖2NPT-IGBT結構圖NPT-IGBT的p+集電區厚度很薄且摻雜濃度相對于PT-IGBT較低，因此對于少子電子來說集電極幾乎是透明的，約70%~75%的電子電流通過集電極流出。器件關斷時，存儲在n-漂移區的電子能夠通過集電極快速流出，因此不必進行載流子壽命控制就能實現器件的快速關斷。與PT-IGBT相反，再結合層的取消使NPT-IGBT飽和壓降具有正溫度系數。這提高了芯片中單元之間及并聯的芯片之間的電流分布平衡性。作為硬性開關，其開關時間相對較小，且受溫度影響較低，通過內部電流限制可以很好地切斷過載電流。當今使用最廣的IGBT芯片都是以NPT結構為基礎的，各大IGBT芯片制造商據此相繼開發出新一代IGBT結構，如ABB公司的SPT系列設計、Infineon公司的Trench-FS設計以及Mitsubishi公司的CSTBT設計。這3種芯片結構是IGBT領域最前沿設計理念與最尖端工藝技術的結合，代表了IGBT產業發展的最高水平，目前在各種主流產品中廣泛應用。4主流廠商IGBT結構分析ABB公司SPT系列設計(SoftPunchThrough)SPT設計一般情況下阻斷電壓與漂移區的厚度成正比，漂移區厚度增加反向耐壓也隨之增大，但這會導致apnp降低，飽和壓降相應增大，因此如何在保證反向耐壓的前提下降低飽和壓降是一個難題。為解決上述問題，ABB公司參考PT設計，在NPT設計的基礎上開發出SPT-IGBT(SoftPunchThrough),并成功應用于1200V和1700V的IGBT芯片上[15,32]，其結構見圖3。SPT設計將PT、NPT結構的優點相結合，采用NPT設計的區熔薄硅片基板，進行離子注入技術形成透明集電極P+區，同時引入PT結構中的高摻雜濃度n+區作為緩沖層，從而減薄漂移區的厚度，電場在n+緩沖層中被迅速消除，因此稱為軟穿通結構。然而，在SPT結構中，n-buffer的摻雜濃度沒有在PT-IGBT中那么高，因此不能像PT-IGBT中那樣降低發射效率，只能消除電場。在相同的正向截止電流下，SPT-IGBT基區的厚度相對于NPT-IGBT較薄，所以通態壓降較小。同時它還保留通態壓降的正溫度系數特性。同時由于載流子存儲量減少，關斷時的損耗也相應降低。其新系列HiPakTM模塊（額定電壓從2.5kV到6.5kV）采用了ABB最新研制的高壓SPTIGBT和二極管，使得其SOA首次達到破紀錄的最高極限［33］。中車株洲時代電氣公司也在8英寸專業IGBT芯片線上成功試制1700V平面柵軟穿通（SPT）IGBT，芯片參數均勻，成品率達95%以上［34］。SPT+設計為了進一步降低飽和壓降，減小通態電阻，ABB在SPT的基礎上，在n-漂移區和P+集電極間形成了一層n型層，這種結構被稱為SPT+結構［16］（見圖4）。圖3SPT-IGBT結構圖4SPT+結構在器件導通時，空穴由P+集電極出發，經n+緩沖層注入n-漂移區，在此過程中不斷與來自發射區的電子復合，因此越接近表面n-區少子濃度（空穴）越低，電導調制作用越弱，電阻越大。ABB公司引入摻雜濃度略高于漂移區的n型空穴阻擋層，這一濃度差產生一個約0.17V的接觸電勢差，這影響了空穴的移動，使正電子聚集在屏蔽層下方，為保持半導體內部的電中性，自由載流子不斷由溝道進入漂移區，使輸運系數增大，根據IGBT飽和壓降公式可知通態壓降相應降低。實際應用中SEMiX模塊上分別采用SPT和SPT+芯片進行計算，這兩個模塊具有相同的散熱條件、VCC電壓以及功率因數等。因為通態損耗降低，SPT+芯片比SPT芯片有更好的性能［35］。采用SPT+技術的下一代HV-IGBT，除了與成熟的HV-SPTIGBT-樣具有光滑的開關波形和極佳的SOA性能指標外，其通態和關斷損耗也大大降低［36,37］。目前采用SPT+結構的IGBT芯片是ABB供貨的主力。SPT++設計ABB最新的設計采用SPT++結構，其結構基本與SPT+保持一致，是在SPT+的基礎上優化芯片性能。SPT++結構大幅減薄了芯片厚度，使芯片工作溫度得以進—步提高，例如采用SPT++結構的1700V/100AIGBT芯片厚度從209nm降低到190nm，其效果就是芯片的通態壓降比上一代降低了250mV,損耗的大幅下降使芯片能夠在175°C的高溫下工作［17］。4.2Infineon公司的Trench-FS（FieldStop）設計在平面柵工藝中，電流流向與表面平行時，必須通過柵極下面的p阱區圍起來的—個結型場效應管（JFET）,該結構產生的串連電阻提高了正向導通壓降［31］。為了消除這一影響，早期引進溝槽柵（trench）結構，通過干法刻蝕工藝形成垂直于芯片表面的反型溝道［38］，消除了正向導通壓降中JFET串聯電阻的貢獻，大幅削減了通態壓降。另外因為增大了硅片的有效面積，所以更易控制溝道的截面面積，實現更小的溝道電阻。在給定的硅片面積上，原胞可以做得更小，能近一步使IGBT具有更高的電流密度、更小的通態功耗、更好的抗鎖定性、更小的整體功耗以及更高的耐壓。電場終止層（FieldStop）技術吸收了PT、NPT的優點。與ABB公司的SPT設計相似，在FS層中其摻雜濃度比PT結構中的n+緩沖層摻雜濃度低，但比基區n-層濃度高，因此基區可以減薄1/3左右，還能保證飽和壓降具有正溫度系數。由于仍然是在區熔單晶硅中（沒有外延）制作FS層，需進行2次離子注入，又要確保飽和壓降的正溫度系數，工藝難度較大［31］。圖5溝槽柵場截止結構InfineonIGBT芯片經歷了從傳統的PT結構到NPT結構、FS結構的發展。直到Infineon第3代IGBT開始將溝槽柵及電場終止層（FS）2種技術相結合，帶來了IGBT芯片性能的變革，器件基本結構如圖5所示。這種結構最大的優勢就是使得芯片厚度大幅削減。傳統1200VNPT-IGBT芯片厚度約為200pm,IGBT3產品厚度為140pm左右；600VIGBT3產品芯片厚度僅為70pm左右。芯片的減薄使飽和壓降、漏電流、開關損耗等參數得到優化［19］。隨后Infineon公司在IGBT3的基礎上進一步減小了相鄰兩個單元的基極間距，通過芯片的優化和減小厚度，IGBT4芯片的靜態和動態特性都有所提高，飽和壓降集電極漏電流、開關損耗等重要參數再次得到優化，其中通態壓降減少了180mV［18］。第5代InfineonIGBT進一步降低了芯片厚度，優化軟特性，將關斷和飽和電壓平衡到較低水平，并在芯片表面引入銅金屬化處理以適應銅線鍵合工藝，由于銅材質的優良導熱性及導電性使得芯片的熱容增大，確保了10ps短路電流能力。芯片的導通和關斷特性優于IGBT4，并且將可靠工作溫度穩定在175°C［20］。與國外公司相比，國產IGBT器件的研發制造能力大大落后。市面上的TrenchFSIGBT產品基本被國外壟斷，產品電壓涉及1200V、1700V和3300V［39,40］。電子科技大學在Trench-FS型IGBT設計方面進行了大量驗證，開發了600V和1200VIGBT的工藝方案，彌補了國內TrenchFSIGBT的研制空缺［41,42］。Mitsubishi公司的CSTBT設計三菱電機公司的H.Takahashi等人于1996年在溝槽柵IGBT中引入CS層結構，并將其命名為CSTBT(carrierstoredtrench-gatebipolartransistor)。通過在p基區與漂移區之間引入n型摻雜的載流子存儲層(carrierstoredlayer,CS層)來實現增加發射極一側載流子濃度的目的，如圖6所示。該結構類似于東芝提出的注入增強型柵極晶體管(InjectionEnhancedGatedTransistors,IEGT)［43］。這種IGBT因為空穴屏障，原理如同在SPT+設計中所描述的，它有效促使從溝道輸出電子，使自由載流子的濃度提高，提高了在n發射極的載流子注入率。在器件正向導通時，漂移區與CS層之間的n-n+結會建立起擴散電勢阻礙空穴的流出，CS層下方存在空穴的堆積。為保持該區域的電中性，發射極通過n溝道向n-漂移區注入大量電子，這使n-漂移區中靠近發射極一側的載流子濃度局部增加，降低了器件的導通壓降［44］。圖6CSTBT結構三菱電機公司已經研發成功的第7代芯片大幅削減了p+層厚度并優化了結構。器件關斷時，n漂移區的過剩載流子能夠更快地通過薄層集電極流出，進一步降低了關斷拖尾電流與開關損耗，使其相比第6代模塊損耗下降了25%［45,46］。三菱電機在600V和650VCSTBTTM芯片制造中使用薄片技術，擴大了器件的安全工作區，平衡了VCEsat和Eoff之間的關系，穩定的電學性能奠定其在工業領域的應用優勢［47~50］。IGBT新結構——逆導型IGBT如果在IGBT單向導通能力基礎上將IGBT和二極管集成在同一塊芯片上，使得IGBT不但具有高集成度同時擁有正向導通和反向導通能力，并且也能消除IGBT芯片與二極管芯片之間的溫度差，能更好地提高功率模塊的穩定性。2004年Takahashi等人將這種想法應用到縱向IGBT中，通過將IGBT的P型集電極用一段N型集電極來代替，實現了續流二極管與IGBT在單一硅片內的集成，并稱其為逆導型RC-IGBT(Reverse-ConductingInsulatedGateBipolarTransistor)［51］。逆導型IGBT的基本結構是在集電極的p+區間斷性地嵌入n型半導體材料。這樣當器件承受反向壓降時,IGBT的p+基區、n-漂移區、n+截止層及n+短路區構成了一個能夠反向導通的PIN二極管，器件就同時兼具正向和反向導通性，如圖7所示。圖7RC-IGBT基本結構由于n+短路區的存在，器件關斷時，n漂移區的過剩載流子能夠通過n+短路區迅速流走，這大幅縮短了逆導型IGBT的關斷時間。但在正向導通初期，從溝道注入漂流區的載流子在進入n-buffer層后會首先經由n+短路區流出，此時沒有空穴注入，器件單級導通，其運行模式類似VDMOS。因為電導調制并未發生，故通態壓降很大。直至Vce增加到集電極導通，發生電導調制，通態壓降陡降。這一過程被稱為RC-IGBT的Snap-back現象［52］。為了減小Snap-back現象對RC-IGBT性能的影響，可以對p+集電極和n+短路區的摻雜濃度與尺寸進行優化設計，如采用增加P+區寬度及P+區上方n+Buffer層的電阻率、n+區寬度、減小Buffer層的摻雜濃度等方式降低Snap-back現象的峰值電壓VP。但上述方法只能減小Snap-back現象帶來的影響，無法從根本上消除該現象，為此ABB的Storasta等人提出Bi-modeInsulatedGateTransistor(BIGT)結構［53-55］(見圖8),將普通IGBT與RC-IGBT相結合。圖8BIGT結構在器件導通初期，IGBT首先導通并觸發電導調制現象，直至電壓電流增大到逆導IGBT的電導調制效應產生，器件完全導通。在這一過程中，IGBT起到了導向作用，在電流電壓較小的階段消除了Snap-back，因此稱為Pilot-IGBT。另外，Pilot-IGBT技術的引入能夠實現對二極管部分進行獨立優化而不影響其他特性，從而改進二極管的關斷特性，降低RC-IGBT的關斷損耗。自2010年以來，各大芯片制造廠商已陸續推出各自的逆導型產品，ABB、Infineon的高壓大功率逆導IGBT器件覆蓋600~6500V電壓等級，而Mitsubishi公司則致力于逆導IGBT在IPM產品中的應用［51~57］。目前諸多國際廠商已經在逆導器件的研發生產中領先一步，而國內對此研究較少，主要是電子科技大學和國家電網在對逆導型IGBT的結構進行一些仿真計算［58~60］。在傳統IGBT器件性能已經逐漸接近理論極限的情況下，逆導IGBT結構為半導體器件向更高的電壓等級發展提供了一個可能的方向，同時它還具有低成本、低損耗、良好SOA特性、軟關斷、高可靠性等優點。5結論上世紀八十年代IGBT器件首次出現，隨后其經歷了從PT-IGBT到NPT-IGBT的演變過程，直到本世紀初各大半導體廠商開始在NPT-IGBT的基礎上做出獨創性改進，產生了如今市場上的3種主流產品：SPT(ABB公司)、Trench-FS(Infineon公司)以及CSTBT(Mitsubishi公司)。這3種產品將半導體先進結構設計如溝槽柵、場截止層、空穴阻擋層等技術相結合，使IGBT器件特性逐漸逼近理論極限，現階段各大公司都將主要研究方向放在提高IGBT芯片工作結溫上，從而提高器件的適用范圍。毫無疑問，IGBT已經成為近年來最有價值的電力電子主力器件，目前尚無其他大功率高頻器件可以代替。參考文獻：CarlBlake,ChrisBull.IGBTorMOSFET:ChooseWisely[J].InternationalRectifier,1970.吳濟均?電力半導體器件的現狀及發展趨勢J].電力電子技術,1995(dl):77-83.王宏?半導體電力電子器件發展概況及國內發展展望J].微處理機,2002(2):4-6.周文定，亢寶位.不斷發展中的IGBT技術概述J].電力電子技術,2007,18(9):115-118.⑸葉立劍,鄒勉,楊小慧.IGBT技術發展綜述J].半導體技術,2008,33(11):937-940.LeoLozenz.PowerSemiconductorDeviceandDesignCriteria[R].2012.戚麗娜，張景超，劉利峰，等.IGBT器件的發展J].電力電子技術,2012,46(12):34-38.張金平，李澤宏，任敏，等?絕緣柵雙極型晶體管的研究進展J].中國電子科學研究院學報,2014,9(2):111-119.支崇玨?電力電子器件在軌道交通車輛牽引中的應用J].科技信息：科學教研,2008(17):307-308.王瑞?大功率IGBT特性及在變頻器中應用研究J].寶雞文理學院學報：自然科學版,2014,34(3):64-66.丁榮軍,劉國友?軌道交通用高壓IGBT技術特點及其發展趨勢J].機車電傳動,2014(1):1-6.馮松，高勇,FENGSong,等.溫度對3種IGBT結構通態特性的影響J].電力電子技術,2016,50(6):97-100.陳為真，張丙可,陳星弼?關于IGBT的四種結構的研究J].中國科技論文在線,2016.KatsumiSatoh,TetsuoTakahashi,HidenofiFujii,等.用于下一代功率模塊中的新一代硅片設計[幾電力電子技術,2008,42(10):75-77.DewarS,LinderS,vonArxC,MukhitinovA,DebledG.SoftPunchThrough(SPT)-SettingnewStandardsin1200VIGBT[C].PCIMEuropeConferenceProceedings,2000.CCorvasce,AKopta,JVobecky.New1700SPT+IGBTandDiodeChipSetwith175°COperatingJunctionTemperaure[C].PCIMEurope2006ConferenceProceedings.SvenMatthias,ChiaraCorvasce.The62PakIGBTmodulerangeemployingthe3rdGeneration1700VSPT++chipsetfor175Coperation[C].PCIMAsia,2016.MBapier,PKanschat,FUmbach.1200VIGBT4-HighPower-ANewTechnologyGenerationwithOptimizedCharacteristicsforHighCurrentModules[C].PCIMEurope,2006.Xi,Z,Jansen,U,RUthing,H,Ag,IT(2009).IGBTpowermodulesutilizingnew650VIGBT3andEmitterControlledDiode3chipsforthreelevelconverter[C].PCIMEruope2009:1-6.WilhelmRusche,AndreRStegner.MorePowerbyIGBT5withXT[J].ElectronicsinMotionandConversion,May2015.KotaOhara,HiroyukiMasumoto.ANewIGBTModulewithInsulatedMetalBaseplate(IMB)and7thChip[C].NurembergGermany:PCIMEurope,2015:19-21.Dr-IngArendtWintrich,Dr-IngUlrichNicolai,DrtechnWernerTursky.ApplicationManualPowerSemicon-ductors[C].SEMIKRONInternation.[23]張文亮，田曉麗,談景飛，等逆導型IGBT發展概述J].半導體技術,2012,37(11):17-22.李曉平，劉江，趙哿，等逆導型IGBT的發展及其在智能電網中的應用J].智能電網,2017,5(1):1-8.KhannaV.InsulatedGateBipolarTransistorIGBTTheoryandDesign[M].Wiley-IEEEPress,2003.[26]趙芬.IGBT模型仿真研究[D].合肥：合肥工業大學,2010.肖璇.3300VPlanarIGBT的仿真分析與設計[D].成都：電子科技大學,2012.陳永淑.IGBT的可靠性模型研究[D]?重慶：重慶大學,2010.李鋒?功率IGBT的若干失效問題研究[D].西安：西安理工大學,2009.付耀龍.IGBT的分析與設計[D].哈爾濱：哈爾濱工業大學,2010.[31]茹意?大功率IGBT建模與瞬態分析研究[D].北京：北方工業大學,2010.[32]RahimoM,LukaschW,ArxCV,etal.NovelSoft-Punch-Through(SPT)1700VIGBTSetsBenchmarkonTechnologyCurve[C].PositiveTemperatureCoefficient,2001.[33]MRahimo,AKopta,ECarroll.HiPak~(TM)高壓SPTIGBT模塊的SOA新基準J].電力電子技術,2007,41(3):100-102.[34]劉國友?具有低損耗、寬安全工作區的1700V平面柵軟穿通IGBT[C].2014全國半導體器件產業發展、創新產品和新技術研討會暨中國微納電子技術交流與學術研討會,2014.[35]NorbertPluschke,張文瑞.SPT+未來的IGBT技術及先進的封裝技術[C].2006中國電工技術學會電力電子學會學術年會,2006.[36]胡冬青.SPT+下一代低損耗高壓IGBTJ].電力電子,2006(6):37-41.[37]褚為利侏陽軍，張杰,etal.SPT+IGBTcharacteristicsandoptimization[J].JournalofSemiconductors,2013,2(1):863-867.UdreaF,ChanSSM,ThomsonJ,etal.DevelopmentoftheNextGenerationofInsulatedGateBipolarTranistorsbasedonTrenchTechnology[C].Solid-StateDeviceResearchConference,1997.Proceedingofthe,European.IEEE,1997:504-507.N沃馬羅,M奧蘇基,Y霍希，等.1200V和1700V新型IGBT模塊溝槽及電場截止型IGBT低注入續流二極管[J].電力電子,2004(4):44-47.KogaT,KakikiH,ZhanM.3.3kVIGBTModuleswithTrenchGateFSStructure[C].Internationalexhibition&conferenceforpowerelectronicsintelligentmotionpowerquality,2011.趙起越.1200VTRENCH-FS型IGBT的設計[D].成都：電子科技大學,2013.李丹.600VTrenchFSIGBT的設計[D].成都：電子科技大學,2016.KitagawaM,OmuraI,HasegawaS,etal.A4500Vinjectionenhancedinsulatedgatebipolartransistor(IEGT)operatinginamodesimilartoathyristor[C].ElectronDevicesMeeting,1993.IEDM'93.TechnicalDigest.International.IEEE,1993:679-682.沈千行，張須坤,張廣銀，等.IGBT載流子增強技術發展概述J].半導體技術,2016(10):751-758.OharaK,MasumotoH,TakahashiT,etal.ANewIGBTModulewithInsulatedMetalBaseplate(IMB)and7thGenerationChips[C].PCIMEurope2015;InternationalExhibitionandConferenceforPowerElectronics,IntelligentMotion,RenewableEnergyandEnergyManagement;Proceedingsof.VDE,2015:1-4.YosukeNakata.NewPerformance7thGenerationChipInstalledPowerModuleforEV/HEVInventers[C].Nuremberg,Germany:PCIMEurope,2015:19-21.HondaS,HaraguchiY,NarazakiA,etal.Nextgeneration600VCSTBT?withanadvancedfinepatternandathinwaferprocesstechnologies[C].InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICS.IEEE,2012:149-152.KamibabaR,KonishiK,FukadaY,etal.Nextgeneration650VCSTBTTMwithimprovedSOAfabricatedbyanadvancedthinwafertechnology[C].IEEE,InternationalSymposiumonPowerSemiconductorD