第三章門電路§3.2半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性§3.3最簡單的與、或、非門電路§3.4TTL門電路§3.1概述§3.6CMOS門電路§3.7其他類型的MOS門電路*§3.8TTL電路與CMOS電路的接口*§3.5其他類型的雙極型數(shù)字集成電路*第三章門電路§3.2半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性§3.1§3.1概述門電路：實現(xiàn)基本運算、復(fù)合運算的單元電路，如與門、與非門、或門······門電路中以高/低電平表示邏輯狀態(tài)的1、0獲得高、低電平的基本原理高/低電平都允許有一定的變化范圍§3.1概述門電路：實現(xiàn)基本運算、復(fù)合運算的單元電2正邏輯：高電平表示1，低電平表示0負邏輯：高電平表示0，低電平表示1正邏輯：高電平表示1，低電平表示03根據(jù)制造工藝不同可分為單極型和雙極型兩大類。門電路中晶體管均工作在開關(guān)狀態(tài)。首先介紹晶體管和場效應(yīng)管的開關(guān)特性。然后介紹兩類門電路。注意：各種門電路的工作原理，只要求一般掌握；而各種門電路的外部特性和應(yīng)用是要求重點。當代門電路（所有數(shù)字電路）均已集成化。根據(jù)制造工藝不同可分為單極型和雙極型兩大類。門4§3.2半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性一、半導(dǎo)體二極管（Diode）的結(jié)構(gòu)和外特性二極管的結(jié)構(gòu)：

PN結(jié)+引線+封裝構(gòu)成PN§3.2半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性一、半導(dǎo)體二極管（D5在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成為N型半導(dǎo)體，兩個區(qū)域的交界處就形成了一個特殊的薄層，稱為PN結(jié)。PNPN結(jié)圖PN結(jié)的形成一、PN結(jié)的形成PN結(jié)在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P型半導(dǎo)體6二極管的開關(guān)特性：高電平：VIH=VCC低電平：VIL=0VI=VIH

D截止，VO=VOH=VCCVI=VIL

D導(dǎo)通，VO=VOL=0.7V二極管的開關(guān)特性：高電平：VIH=VCCVI=VIH71.開關(guān)電路舉例2.靜態(tài)特性伏安特性等效電路在數(shù)字電路中重點在判斷二極管開關(guān)狀態(tài)，因此必須把特性曲線簡化。（見右側(cè)電路圖）有三種簡化方法：輸入信號慢變化時的特性。1.開關(guān)電路舉例2.靜態(tài)特性伏安特性等效電路在8二極管的開關(guān)等效電路：二極管的開關(guān)等效電路：93.動態(tài)特性當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r，二極管會短時間導(dǎo)通。tre這段時間用tre表示，稱為反向恢復(fù)時間。輸入信號快變化時的特性。DRLi它是由于二極管正向?qū)〞rPN結(jié)兩側(cè)的多數(shù)載流子擴散到對方形成電荷存儲引起的。3.動態(tài)特性當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r，二101、N溝道增強型MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)P型襯底N+N+BGSDSiO2源極S漏極D襯底引線B柵極G圖3.3.1

N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖SGDB二、MOS的開關(guān)特性1、N溝道增強型MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)P型襯底N+N+111.工作原理絕緣柵場效應(yīng)管利用UGS

來控制“感應(yīng)電荷”的多少，改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，以控制漏極電流ID。2.工作原理分析(1)UGS=0漏源之間相當于兩個背靠背的PN結(jié)，無論漏源之間加何種極性電壓，總是不導(dǎo)電。SBD1.工作原理絕緣柵場效應(yīng)管利用UGS12導(dǎo)電溝道(反型層)源極Source漏極Drain柵極Gate稱為N溝道增強型場效應(yīng)管導(dǎo)電溝道將源區(qū)和漏區(qū)連成一體。此時在D,S間加電壓，將形成漏極電流iD。當大于VGS(th)時，將出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。VGS(th)稱為開啟電壓，與管子構(gòu)造有關(guān)。顯然，導(dǎo)電溝道的厚度與柵源電壓大小有關(guān)。而溝道越厚，管子的導(dǎo)通電阻RON越小。因而，若不變，就可控制漏極電流iD。因此，把MOS管稱為電壓控制器件。SDB導(dǎo)電溝道(反型層)源極漏極柵極稱為N溝道增強型場效應(yīng)管導(dǎo)電溝13輸入特性：直流電流為0，看進去有一個輸入電容CI，對動態(tài)有影響。輸出特性： 對應(yīng)不同的VGS下得一族曲線。2、輸入特性和輸出特性輸入特性：直流電流為0，看進去有一個輸入電容CI，對動態(tài)有影14輸出特性曲線（漏極特性曲線：分三個區(qū)域）截止區(qū)：VGS<VGS(th)，iD

=0,ROFF>109Ω恒流區(qū)：iD基本上由VGS決定，與VDS關(guān)系不大截止區(qū)：VGS<VGS(th)，iD

=0,ROFF>109Ω恒流區(qū)：iD基本上由VGS決定，與VDS關(guān)系不大可變電阻區(qū)：當VDS較低（近似為0），VGS

一定時，這個電阻受VGS控制、可變。輸出特性曲線（漏極特性曲線：分三個區(qū)域）截止區(qū)：VGS<VG153、MOS管的基本開關(guān)電路3、MOS管的基本開關(guān)電路164、MOS管的開關(guān)等效電路OFF截止狀態(tài)ON導(dǎo)通狀態(tài)4、MOS管的開關(guān)等效電路OFF截止狀態(tài)175、MOS管的四種類型增強型耗盡型大量正離子導(dǎo)電溝道5、MOS管的四種類型增強型大量正離子導(dǎo)電溝道18P溝道增強型MOS管的漏極特性P溝道增強型MOS管的開啟電壓UGS(th)<0當UGS<UGS(th)，漏-源之間應(yīng)加負電源電壓管子才導(dǎo)通,空穴導(dǎo)電。P溝道增強型MOS管的漏極特性P溝道增強型MOS管的開啟電壓19一、反向器（非門）（一）工作原理N溝道管開啟電壓VGS(th)N記為VTN;P溝道管開啟電壓VGS(th)P記為VTP;要求滿足VDDVTN+|VTP|;輸入低電平為0V；高電平為VDD;（1）輸入為低電平0V時；T2截止；T1導(dǎo)通。iD=0，=VDD;（2）輸入為高電平VDD時；T1截止；T2導(dǎo)通。iD=0，=0V;輸入與輸出間是邏輯非關(guān)系。§3.3.2CMOS反相器的電路和工作原理一、反向器（非門）（一）工作原理N溝道管開啟電壓VGS(th20特點：靜態(tài)功耗近似為0；電源電壓可在很寬的范圍內(nèi)選取。在正常工作狀態(tài)，T1與T2輪流導(dǎo)通，即所謂互補狀態(tài)。CC4000系列CMOS電路的VDD可在3－18V之間選取。特點：靜態(tài)功耗近似為0；電源電壓可在很寬的范圍211.電壓傳輸特性VVT2截止，T1導(dǎo)通T1截止，T2導(dǎo)通T1，T2都導(dǎo)通閾值電壓轉(zhuǎn)折區(qū)變化率大，特性更接近理想開關(guān)。閾值電壓為VDD

的一半，特性對稱，因而輸入端噪聲容限較大。CC4000系列CMOS電路的噪聲容限為：（允許輸出電壓變化百分之十）VNH=VNL=30%VDD特點：1.電壓傳輸特性VVT2截止，T1導(dǎo)通T1截止，T2導(dǎo)通T1222.電流傳輸特性A當T1,T2都導(dǎo)通時，iD不為0；輸入電壓為VDD/2時，iD較大，因此不應(yīng)使其長期工作在BC段。在動態(tài)情況下，電路的狀態(tài)會通過BC段，使動態(tài)功耗不為0；而且輸入信號頻率越高，動態(tài)功耗也越大，這成為限制電路扇出系數(shù)的主要因素。2.電流傳輸特性A當T1,T2都導(dǎo)通時，iD不為0；輸入電壓23(二)靜態(tài)特性

1.輸入特性由于MOS管柵極絕緣，輸入電流恒為0，但CMOS門輸入端接有保護電路，從而輸入電流不為0。AiI由曲線可看出，輸入電壓在0－VDD間變化時，輸入電流為0；當輸入電壓大于VDD時，二極管D1導(dǎo)通；當輸入電壓小于0V時，二極管D2導(dǎo)通。二極管D2和電阻RS串聯(lián)電路的特性二極管D1的特性(二)靜態(tài)特性

1.輸入特性由于MOS管柵242.輸出特性(1)輸出低電平0VDD增加相當于T2的VGS增加

T2工作在可變電阻區(qū)，有較小的導(dǎo)通電阻，當負載電流增加時，該電阻上的壓降將緩慢增加。對于CC4000系列門電路，當VDD=5V時，IOL的最大值為0.51mA；而在74HC系列中，該值為4mA。2.輸出特性(1)輸出低電平0VDD增加相當于T2的VG25(2)輸出高電平00IOHVDDVOHVOH=+VDD與輸出低電平類似，此時T1工作在可變電阻區(qū)；當負載電流增加時，T1的VDS增加，導(dǎo)致輸出下降。此時，IOH的最大值，與輸出低電平時相同。(2)輸出高電平00IOHVDDVOHVOH=26（三）動態(tài)特性1.傳輸延遲時間(1)MOS管在開關(guān)過程中無電荷存儲，有利于縮短延遲時間；

(2)MOS管的導(dǎo)通電阻比TTL電路大的多，所以其內(nèi)部電容和負載電容對傳輸延遲時間的影響非常顯著。導(dǎo)通電阻受VDD影響，所以，VDD也影響傳輸延遲時間；

(3)CMOS門的輸入電容比TTL電路大的多，因此負載個數(shù)越多，延遲時間越大；CMOS門的扇出系數(shù)就是受傳輸延遲時間和下面要介紹的動態(tài)功耗等動態(tài)特性限制的。（三）動態(tài)特性1.傳輸延遲時間(1)MOS管在開關(guān)過程中無272.交流噪聲容限3.動態(tài)功耗與TTL電路類似，當噪聲電壓作用時間tW小于電路的傳輸延遲時間時，輸入噪聲容限VNA將隨tW縮小而明顯增大。傳輸延遲時間與電源電壓和負載電容有關(guān)，因此VDD和CL都對輸入噪聲容限有影響。動態(tài)情況下，T1,T2會短時同時導(dǎo)通，產(chǎn)生附加功耗，其值隨輸入信號頻率增加而增加。定量估算可得動態(tài)功耗PC的公式：PC=CLfV2DD負載電容經(jīng)T1、T2充、放電，也會產(chǎn)生功耗。2.交流噪聲容限3.動態(tài)功耗與TTL電路類似，28二、其他類型的CMOS門電路1.其他邏輯功能的門電路與非門或非門二、其他類型的CMOS門電路與非門或非門29設(shè)：MOS管的導(dǎo)通電阻為RON、門電路的輸出電阻為RO。2RONRON/211RONR0N01RONRON10RON/22R0N00RO（與非)RO（或非）BA輸出高電平偏低輸出低電平偏高與非門特點：N溝道管串聯(lián)、P溝道管并聯(lián)；輸出電阻隨輸入狀態(tài)變化。設(shè)：MOS管的導(dǎo)通電阻為RON、門電路的輸出電303.帶緩沖級的CMOS門電路特點：輸出電阻恒為RON；輸出電平和電壓傳輸特性都不受輸入狀態(tài)影響。3.帶緩沖級的CMOS門電路特點：輸出電阻恒為RON；輸出電313.漏極開路的門電路（OD門）普通CMOS門不能接成線與形式。線與是指具有高阻輸出的器件（各類門電路），直接連接，自動完成與邏輯的功能的連接方式。3.漏極開路的門電路（OD門）普通CMOS門不能接32（三）漏極開路門電路（OD）普通CMOS門不能接成線與形式。

OD門輸出端只是一個N溝道管，因此可以按OC門的辦法連成總線形式。特點：VDD1和VDD2可取不同值；允許灌入電流較大。如：CC40107在VOL<0.5V的條件下，允許灌入的最大電流可達50mA。（三）漏極開路門電路（OD）普通CMOS門不能接成33CMOS傳輸門（TG）柵極控制電壓為互補信號，如C=0，C=VDD工作原理：當C=0V，C=VDD時TN和TP均截止，VI由0～VDD變化時，傳輸門呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，相當于開關(guān)斷開，CL上的電平保持不變，這種狀態(tài)稱為傳輸門保存信息當C=VDD，C=0V時，VI在VT～VDD范圍變化時TP導(dǎo)通即VI在0～VDD范圍變化時，TN、TP中至少有一只管子導(dǎo)通，使VO=VI，這相當于開關(guān)接通，這種狀態(tài)稱為傳輸門傳輸信息VI由0～（VDD-VT）范圍變化時TN導(dǎo)通返回CMOS電路CMOS傳輸門（TG）柵極控制電壓為互補信號，如C=034CMOS傳輸門（TG）工作原理：1、當C為低電平時，TN、TP截止傳輸門相當于開關(guān)斷開，傳輸門保存信息2、當C為高電平時，TN、TP中至少有一只管子導(dǎo)通，使VO=VI，這相當于開關(guān)接通，傳輸門傳輸信息由此可見傳輸門相當于一個理想的開關(guān)，且是一個雙向開關(guān)邏輯符號輸入輸出門控制信號返回CMOS電路CMOS傳輸門（TG）工作原理：1、當C為低電平時，35VGS(th)PVGS(th)NVDD0VN溝道管導(dǎo)通P溝道管導(dǎo)通分析原理。先分析只有一個管時的情況：單管工作的缺點是：1.有死區(qū)；2.導(dǎo)通電阻隨輸入電壓變化很大。采用雙管可克服這些缺點。VGS(th)PVGS(th)NVDD0VN溝道管導(dǎo)通P溝道36雙向模擬開關(guān)雙向模擬開關(guān)375.三態(tài)輸出門5.三態(tài)輸出門38三、雙極型三極管的開關(guān)特性雙極型三極管的結(jié)構(gòu)管芯+三個引出電極+外殼三、雙極型三極管的開關(guān)特性雙極型三極管的結(jié)構(gòu)39基區(qū)薄低摻雜發(fā)射區(qū)高摻雜集電區(qū)低摻雜基區(qū)薄發(fā)射區(qū)高摻雜集電區(qū)低摻雜40beceRcRbIEpICBOIEICIBIEnIBnICn以NPN為例說明工作原理：當VCC>>VBBbe結(jié)正偏,bc結(jié)反偏e區(qū)發(fā)射大量的電子b區(qū)薄，只有少量的空穴bc反偏，大量電子形成IC發(fā)射區(qū)的電子越過發(fā)射結(jié)擴散到基區(qū)，基區(qū)的空穴擴散到發(fā)射區(qū)—形成發(fā)射極電流

IE(基區(qū)多子數(shù)目較少，空穴電流可忽略)。電子到達基區(qū)，少數(shù)與空穴復(fù)合形成基極電流Ibn，復(fù)合掉的空穴由VBB補充。集電結(jié)反偏，有利于收集基區(qū)擴散過來的電子而形成集電極電流

Icn。其能量來自外接電源VCC。beceRcRbIEpICBOIEICIBIEnIBnICn411、三極管的輸入特性曲線（NPN）VON：開啟電壓硅管，0.5~0.7V鍺管，0.2~0.3V近似認為:VBE<VONiB=0VBE≥VONiB

的大小由外電路電壓，電阻決定

1、三極管的輸入特性曲線（NPN）VON：開啟電壓422、三極管的輸出特性（NPN）固定一個IB值，即得一條曲線，在VCE>0.7V以后，基本為水平直線2、三極管的輸出特性（NPN）固定一個IB值，即得一條曲線，43特性曲線分三個部分：放大區(qū)：條件VCE>0.7V,iB>0,iC隨iB成正比變化，ΔiC=βΔiB。飽和區(qū)：條件VCE<0.7V,iB>0,VCE很低，ΔiC

隨ΔiB增加變緩，趨于“飽和”。截止區(qū)：條件VBE=0V,iB=0,iC=0,c—e間“斷開”。特性曲線分三個部分：443、雙極型三極管的基本開關(guān)電路只要參數(shù)合理：VI=VIL時，T截止，VO=VOHVI=VIH時，T導(dǎo)通，VO=VOL3、雙極型三極管的基本開關(guān)電路只要參數(shù)合理：45工作狀態(tài)分析：工作狀態(tài)分析：46圖解分析法：圖解分析法：474、三極管的開關(guān)等效電路截止狀態(tài)飽和導(dǎo)通狀態(tài)4、三極管的開關(guān)等效電路截止狀態(tài)飽和導(dǎo)通狀態(tài)485、三極管的動態(tài)開關(guān)特性從二極管已知，PN結(jié)存在電容效應(yīng)。在飽和與截止兩個狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時，iC的變化將滯后于VI，則VO的變化也滯后于VI。5、三極管的動態(tài)開關(guān)特性從二極管已知，PN結(jié)存在電容效應(yīng)。49一、二極管與門設(shè)VCC=5V,加到A,B的VIH=3V，VIL=0V，二極管導(dǎo)通時VDF=0.7VABY0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7VABY000010100111規(guī)定3V以上為10.7V以下為0§3.45TTL門電路一、二極管與門設(shè)VCC=5V,加到A,B的VIH=3V50二、二極管或門設(shè)VCC=5V,加到A,B的VIH=3V，VIL=0V，二極管導(dǎo)通時VDF=0.7VABY0V0V0V0V3V3.3V3V0V3.3V3V3V3.3VABY000011101111規(guī)定3.3V以上為10V以下為0二極管構(gòu)成的門電路的缺點：電平有偏移、帶負載能力差，只用于IC內(nèi)部電路。二、二極管或門設(shè)VCC=5V,加到A,B的VIH=3V51三、三極管非門（反相器）三極管的基本開關(guān)電路就是非門， 實際應(yīng)用中，為保證 VI=VIL時T可靠截止，常在 輸入接入負壓。

參數(shù)合理？VI=VIL時，T截止，VO=VOHVI=VIH時，T導(dǎo)通，VO=VOL三、三極管非門（反相器）三極管的基本開關(guān)電路就是非門，參525V-8V3.3KΩ10KΩ1KΩβ=20VCE(sat)=0.1VVIH=5VVIL=0V例3.3.1：計算參數(shù)設(shè)計是否合理5V-8V3.3KΩ10KΩ1KΩβ=20VIH=5V例3.53當當又因此，參數(shù)設(shè)計合理當541.電路結(jié)構(gòu)設(shè)0.2V0.9V三個PN結(jié)導(dǎo)通需3.1V不足以讓T2、T5導(dǎo)通（1）VI=VIL§3.5.2TTL反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理1.電路結(jié)構(gòu)0.2V0.9V三個PN結(jié)導(dǎo)通需3.1V不足以讓55T2、T5：截止0.9V0.2VRLVO=5–UD2-UBE4-UR2

3.4V

高電平！A=0Y=1T2、T5：截止0.9V0.2VRLVO=5–UD2563.4V反偏電位被嵌在2.1V全導(dǎo)通0.9V截止（2）VI=VIH3.4V反偏電位被嵌全導(dǎo)通0.9V截止（2）VI=VIH573.4V反偏全導(dǎo)通飽和VO0.2V低電平！A=0Y=13.4V反偏全導(dǎo)通飽和VO0.2VA=058需要說明的幾個問題：

需要說明的幾個問題：593.電壓傳輸特性3.電壓傳輸特性603.輸入噪聲容限3.輸入噪聲容限61（二）輸入特性IIL稱為輸入低電平電流。IIS稱為輸入短路電流—=0V的輸入電流。IIH稱為輸入漏電流。輸入電壓為負時，基本是保護二極管的伏安特性。IIH輸入為0.2V時輸入為3.4V時輸入為其他電壓時IILIIS輸入電壓小于0.6V時，計算IIL的公式仍然成立(把VIL換為），是一直線方程。ii（二）輸入特性IIL稱為輸入低電平電流。IIS稱為輸入短路62（三）輸入端負載特性當小于0.6V時當=1.4V時，T2、T5均已導(dǎo)通，T1基極電位被鉗在2.1V而不再隨RP增加，因此也不再隨RP增加。當RP較小時，這是直線方程返回（三）輸入端負載特性當小于0.6V時當63（四）輸出特性1.高電平輸出特性

T4飽和前，VOH基本不隨iL變，T4飽和后，VOH將隨負載電流增加線性下降，其斜率基本由R4決定。2.低電平輸出特性受功耗限制，74系列門輸出高電平時最大負載電流不超過0.4mA。T5飽和，c-e間等效電阻不超過10歐姆，因此直線斜率很小。rce（四）輸出特性1.高電平輸出特性T4飽和前，V64例：計算G1能驅(qū)動的同類門的個數(shù)。設(shè)G1滿足：VOH=3.2V,VOL=0.2V。16解：N1=16/1=16G1輸出低電平G1輸出高電平

G1輸出高電平時，最大允許輸出電流為0.4mA；每個負載門輸入電流為IIH,不超過0.04mA;故：N2=0.4/0.04=10綜合N1,N2,應(yīng)取N=10N稱為門的扇出系數(shù)。每個負載門電流G1門電流例：計算G1能驅(qū)動的同類門的個數(shù)。設(shè)G1滿足：VOH=3.265三、TTL反相器的動態(tài)特性1、傳輸延遲時間（1）現(xiàn)象三、TTL反相器的動態(tài)特性1、傳輸延遲時間662、交流噪聲容限（b）負脈沖噪聲容限（a）正脈沖噪聲容限當輸入信號為窄脈沖，且接近于tpd時，輸出變化跟不上，變化很小，因此交流噪聲容限遠大于直流噪聲容限。2、交流噪聲容限（b）負脈沖噪聲容限（a）正脈沖噪聲容限673、電源的動態(tài)尖峰電流3、電源的動態(tài)尖峰電流68四、其它類型的TTL門電路1、其他邏輯功能的門電路（1）與非門四、其它類型的TTL門電路1、其他邏輯功能的門電路69（2）或非門（3）與或非門（2）或非門（3）與或非門70（4）異或門（4）異或門712、集電極開路的門電路（1）推拉式輸出電路結(jié)構(gòu)的局限性①輸出電平不可調(diào)②負載能力不強，尤其是高電平輸出③輸出端不能并聯(lián)使用OC門2、集電極開路的門電路（1）推拉式輸出電路結(jié)構(gòu)的局限性O(shè)C門72（2）OC門的結(jié)構(gòu)特點（2）OC門的結(jié)構(gòu)特點73（3）OC門實現(xiàn)的線與（3）OC門實現(xiàn)的線與74（4）外接負載電阻RL的計算（4）外接負載電阻RL的計算75數(shù)字電路ppt課件763、三態(tài)輸出門（ThreestateOutputGate,TS）DEN101截止(1)控制端EN=0時的工作情況：EN—

控制端3、三態(tài)輸出門（ThreestateOutputGat77(2)控制端EN=1時的工作情況：DEN110導(dǎo)通截止截止高阻態(tài)(2)控制端EN=1時的工作情況：DEN110導(dǎo)通截止截止高78輸出高阻功能表輸出高阻功能表使能端高電平起作用使能端低電平起作用三態(tài)門的符號及功能表&ABY符號△&ABY符號△輸出高阻功能表輸出高阻功能表使能端高電平使能端低電平三態(tài)門的79三態(tài)門的用途三態(tài)門主要作為TTL電路與總線間的接口電路。用三態(tài)門實現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸用三態(tài)門接成總線結(jié)構(gòu)三態(tài)門的用途三態(tài)門主要作為TTL電路與總線間的接口電路。用三80五、TTL電路的改進系列（改進指標：)（一）高速系列74H/54H（High-SpeedTTL）1.電路的改進(1)輸出級采用復(fù)合管（減小輸出電阻Ro）(2)減少各電阻值3.性能特點速度提高的同時功耗也增加達林頓結(jié)構(gòu)、阻值降半五、TTL電路的改進系列（改進指標：81（二）肖特基系列74S/54S（SchottkyTTL）1.電路改進采用抗飽和三極管用有源泄放電路代替74H系列中的R3減小電阻值3.性能特點速度進一步提高，電壓傳輸特性沒有線性區(qū)，功耗增大（二）肖特基系列74S/54S（SchottkyTTL）182