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文檔簡介

浙江大學電氣

模擬與數(shù)模混合集成電路

，

2015-2016學年春夏學期

2016年4月

4-1.ThecircuitshowninFigure4.1illustratesasingle-channelMOSresistorwithaW/Lof2μm/2μm.UsingTable4.1modelparameterscalculatethesmall-signalon oftheMOStransistoratvariousvaluesforVSandfillinthetablebelow.(Notethatthetransistorwasinlinearregion)

VS(V)

R(Ω)

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

5V

I=0.0

VS

Figure4.1

Table4.1

4-2.AnactiveresistivevoltagedividerwasshowninFigure4.2.IfVDD=5V,VSS=0V,VOUT=2.5V,I=15μA,usingmodelparametersinTable4.1,determinetheW/LratioofM1andM2.Assumeλ=0.

Figure4.2

4-3.Figure4.3illustratesvariouswaystoimplementthelayoutofaresistordivider.Choosethelayoutthatbestachievesthegoalofa2:1ratio.Exinwhytheotherchoicesarenotoptimal.

Figure4.3

4-4.DeterminethecurrentIinFigure4.4andcalculateitsTC(TemperatureCoefficient)usingCN20processshowninTable4.2.NeglectoxideencroaentandassumethatM5isoperatinginthesaturationregion.Allunlabeledn-channelsare15/5andallunlabeledp-channelsare70/5.AssumeResistorRispolysiliconandhasatemperaturecoefficientof1500ppm/℃,threshold

voltageVThasatemperaturecoefficientof

2.3103V/C.

Figure4.4

Table4.2

4-5.DetermineVref(OutputVoltage)inFigure4.5andtheconditionsunderwhichtheTCofVrefiszero.AssumeallPMOStransistorsareidenticalandallNMOStransistorsareidentical.

VT0.085mV/C,VBE(D3

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