芯片基礎(chǔ)--模擬集成電路設(shè)計（山東聯(lián)盟）知到章節(jié)測試答案智慧樹2023年最新山東工商學(xué)院第一章測試

跟數(shù)字集成電路設(shè)計一樣，目前高性能模擬集成電路的設(shè)計已經(jīng)能自動完成。

參考答案:

錯

模擬電路許多效應(yīng)的建模和仿真仍然存在問題，模擬設(shè)計需要設(shè)計者利用經(jīng)驗和直覺來分析仿真結(jié)果

參考答案:

對

模擬設(shè)計涉及到在速度、功耗、增益、精度、電源電壓等多種因素間進(jìn)行折衷

參考答案:

對

CMOS電路已成為當(dāng)今SOC設(shè)計的主流制造技術(shù)。

參考答案:

對

MOSFET的特征尺寸越來越小，本征速度越來越快（已可與雙極器件相比較），現(xiàn)在幾GHz～幾十GHz的CMOS模擬集成電路已經(jīng)可批量生產(chǎn)。

參考答案:

對

相對于數(shù)字電路來說，模擬集成電路的設(shè)計更加基礎(chǔ)，更加靈活。

參考答案:

對

片上系統(tǒng)，又稱SOC，其英文全稱是：

參考答案:

System

onChip

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，英文簡稱CMOS，其英文全稱為：

參考答案:

ComplementaryMetalOxideSemiconductor

模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,英文簡稱ADC,英文全稱為：

參考答案:

Analog-to-DigitalConverter

第二章測試

MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互換。

參考答案:

錯

如果一個電路的最高電壓是，最低電壓是，那么NMOS器件的襯底應(yīng)該接。

參考答案:

錯

一般MOS器件的源漏是對稱的，這告訴我們要根據(jù)實際集成電路的情況來判斷電路的源極和漏極。

參考答案:

對

下列關(guān)于MOS版圖說法不正確的是（）

參考答案:

版圖中柵極的接觸孔可以開在溝道區(qū)里

下列關(guān)于閾值電壓的說法，不正確的是（）

參考答案:

若，則

NMOS器件關(guān)斷

下列關(guān)于NMOS器件的伏安特性說法正確的是（）

參考答案:

當(dāng)時，NMOS器件工作在截止區(qū);當(dāng)，時，NMOS器件工作在飽和區(qū);當(dāng)，并且NMOS器件工作在線性區(qū)

下列對器件尺寸參數(shù)描述正確的有（）

參考答案:

tox是器件柵氧化層的厚度，由工藝決定;L是器件的溝道長度，W是器件的寬度;一般所說的90nm工藝，其中的90nm是指器件的最小溝道長度L

下列關(guān)于體效應(yīng)的說法，正確的是（）

參考答案:

改變襯底電勢可能會產(chǎn)生體效應(yīng)。;源電壓相對于襯底電勢發(fā)生改變，使得源襯電勢差不為0，就會產(chǎn)生體效應(yīng)。;不改變襯底電勢也可能會產(chǎn)生體效應(yīng)。;體效應(yīng)導(dǎo)致設(shè)計參數(shù)復(fù)雜，模擬集成電路設(shè)計往往不希望其存在，但也有利用體效應(yīng)的電路。

下列關(guān)于亞閾值導(dǎo)電特性的說法正確的是（）

參考答案:

當(dāng)時，漏極電流以有限速度下降，導(dǎo)致功率損耗或模擬信息的丟失;MOS管由0增大到大于閾值電壓，經(jīng)歷截止---弱反型---強(qiáng)反型，這是一個漸進(jìn)的過程，故當(dāng)時，仍有存在;亞閾值區(qū)的跨導(dǎo)比飽和區(qū)（強(qiáng)反型區(qū)）跨導(dǎo)大，有利于實現(xiàn)大的放大倍數(shù);MOS管亞閾值電流一般為幾十~幾百nA，常用于低功耗放大器、帶隙基準(zhǔn)設(shè)計

下列關(guān)于MOS模型的說法正確的有（）

參考答案:

MOS器件的高頻小信號模型，除考慮跨導(dǎo)、體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)，還需要考慮各個寄生電容和寄生電阻的影響;當(dāng)信號相對直流偏置工作點而言較小且不會顯著影響直流工作點時，可用小信號模型簡化計算;MOS器件的大信號模型一般由I/V特性關(guān)系式，各寄生電容計算式等推導(dǎo)建立;MOS器件的低頻小信號模型，主要考慮了跨導(dǎo)，體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)

第三章測試

下列關(guān)于放大的說法，正確的是（）

參考答案:

在大多數(shù)模擬電路和許多數(shù)字電路中，放大是一個基本功能。;我們放大一個模擬或數(shù)字信號是因為這個信號太小而不能驅(qū)動負(fù)載，或者不能克服后繼的噪聲;放大在反饋系統(tǒng)中起著重要作用。

下列關(guān)于小信號的說法，正確的是（）

參考答案:

一般小信號是交流信號;若小信號變化幅度過大，則會影響直流偏置點，需用大信號分析;小信號使電路偏置點受到的擾動可忽略不記

以電阻為負(fù)載的共源極電路的小信號增益的表達(dá)式有（）

參考答案:

;;;

對于以電阻為負(fù)載、以一個NMOS器件為主放大管的共源極電路，增大其小信號增益的措施有（）

參考答案:

增大NMOS器件的寬長比W/L;減小NMOS器件的漏極電流;增大電阻上的電壓

圖中的被偏置在飽和區(qū)，則電路的小信號電壓增益，說明使用電流源作負(fù)載可提高增益。

參考答案:

對

關(guān)于二極管連接的MOS器件的說法正確的有（）

參考答案:

二極管連接的PMOS管作負(fù)載的共源極電路的小信號增益只與W/L有關(guān)，與偏置電流無關(guān)，即輸入與輸出呈線性;將MOS管作二極管連接并導(dǎo)通時，不論是NMOS還是PMOS管,均工作在飽和區(qū);二極管連接的PMOS管作負(fù)載的共源極電路的小信號增益是兩管的過驅(qū)動電壓之比，增益AV越大，最大輸出電壓Voutmax越小

下列關(guān)于源極跟隨器的說法正確的有（）

參考答案:

源極跟隨器的;源極跟隨器可用來構(gòu)成電平位移電路;源極跟隨器一般只用來驅(qū)動小電容(或高阻)負(fù)載，不宜用來驅(qū)動低阻、大電容負(fù)載

下列關(guān)于共柵放大器的說法正確的有（）

參考答案:

輸出阻抗高，可用于提高增益和構(gòu)成高性能恒流源;常同共源級聯(lián)合構(gòu)成共源共柵放大器，用于高速運放的差分輸入放大級;輸入阻抗與有關(guān)，有阻抗變換特性

如圖(a)(b)(c)三個電路，若電路中ID相等，輸出阻抗最大的是（）

參考答案:

圖(c)

關(guān)于共源共柵電路下列說法正確的有（）

參考答案:

共源共柵結(jié)構(gòu)具有屏蔽特性;共源共柵結(jié)構(gòu)具有高輸出阻抗特性;共源共柵電流源可近似代替理想恒流源

第四章測試

下列關(guān)于差動放大電路的描述正確的是

參考答案:

差動模式使電路的偏置電路更簡單，輸出線性度更高;差動電路增大了輸出電壓擺幅;差動電路能有效抑制共模噪聲;差動電路相對于單端電路，其芯片面積和功耗有所增加

對于差分放大電路，下列說法正確的是

參考答案:

輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越小。;輸入共模電平越小，輸出擺幅越大，利于實現(xiàn)高增益

理想差分只放大輸入信號的差模部分，不放大共模部分

參考答案:

對

差分放大電路如圖，輸出端的電壓范圍為（）

參考答案:

如圖電路，下列說法正確的是（）

參考答案:

當(dāng)時，，電路處于平衡狀態(tài);當(dāng)時，小信號增益(即斜率)最大，線性度最好;當(dāng)足夠負(fù)時,截止

如圖電路完全對稱，考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng)后，其差模小信號增益為（）

參考答案:

關(guān)于差分信號和差分放大電路的說法正確的是（）

參考答案:

差分放大電路對任意輸入信號的響應(yīng)包含差模響應(yīng)和共模響應(yīng)兩部分;如果輸入信號和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信號。;任意輸入信號Vin1和Vin2的差模分量是正負(fù);任意輸入信號Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值

實際差分放大電路由于工藝誤差存在而非理想，因此必然會出現(xiàn)共模響應(yīng)

參考答案:

對

差分放大電路的電阻失配或者差分對管失配，都會引起共模分量到差模響應(yīng)的轉(zhuǎn)化，因而抑制共模噪聲能力減弱。

參考答案:

對

關(guān)于差分放大器的說法錯誤的是（）

參考答案:

差分放大電路只放大輸入信號的差模部分，不放大共模部分

第五章測試

下列關(guān)于共源共柵電流鏡的說法正確的是（）

參考答案:

提高了電路的輸出阻抗;共源共柵級屏蔽了輸出電壓變化的影響;犧牲了電壓余度;提高了電流復(fù)制精度

有源負(fù)載差動對的輸出端是不對稱的。

參考答案:

對

有源負(fù)載差動電路的小信號增益也可以使用半邊電路法來分析。

參考答案:

錯

如圖電流鏡電路，說法正確的有（）

參考答案:

有管時，;有管時，;有管時的電流復(fù)制精度比沒有管時的電流復(fù)制精度高。;沒有管時，

如圖電路，的最大值為（）

參考答案:

假設(shè)電路完全對稱，且時，所有器件都飽和，那么

=（）

參考答案:

如圖使用有源電流鏡負(fù)載的差分放大電路，實現(xiàn)了將差動輸入信號變成了(

)輸出信號，完成了“雙端—單端”變換。

參考答案:

單端

采用共源共柵結(jié)構(gòu)，不能提高輸出阻抗。

參考答案:

錯

實際模擬集成電路通過基本電流鏡產(chǎn)生眾多的偏置電流/電壓。

參考答案:

對

共源共柵電流鏡屏蔽了輸出電壓變化的影響，不能提高電流復(fù)制精度。

參考答案:

錯

第六章測試

如果系統(tǒng)傳輸函數(shù)H（s）的所有零點都位于左半平面時，系統(tǒng)是穩(wěn)定的

參考答案:

錯

利用米勒效應(yīng)以及極點和結(jié)點的關(guān)聯(lián)關(guān)系分析電路的頻率特性時，可能漏掉電路中的零點。

參考答案:

對

因為下面的電路中結(jié)點X與Y之間只有一條信號通路，所以適用密勒定理。

參考答案:

錯

的彌勒效應(yīng)（）CS放大器的帶寬

參考答案:

減小

由于零點在運放的穩(wěn)定性中不起作用，因此在放大器頻率特性中可以忽略。

參考答案:

錯

零點意味著存在某一頻率fZ使輸出Vout等于（）

參考答案:

0

若兩條通路到達(dá)輸出結(jié)點時信號極性相同且傳輸函數(shù)存在零點，則為（）平面零點

參考答案:

左半

該圖中，

不會產(chǎn)生密勒效應(yīng)。

參考答案:

錯

輸入信號頻率從低頻到高頻變化過程中，線性電路的增益、輸入阻抗、噪聲等指標(biāo)不會隨頻率發(fā)生變化。

參考答案:

錯

求該電路的極點

參考答案:

1/(RC)

第七章測試

反饋可以提高電路增益的穩(wěn)定性。

參考答案:

對

由于增益帶寬之積為常數(shù)，故反饋電路帶寬增加的同時，其增益必減小。

參考答案:

對

放大器一般有四種，分別為電壓放大器，跨阻放大器，跨導(dǎo)放大器和電流放大器。

參考答案:

對

共源電路屬于（）類型放大器。

參考答案:

電壓放大器

為了檢測輸出電壓，可以通過（）的方法實現(xiàn)。

參考答案:

在相應(yīng)接口并聯(lián)電壓表

（）方法能夠使兩個電流信號相加。

參考答案:

并聯(lián)

引入電壓-電壓反饋后，電路的輸出阻抗變?yōu)闆]有反饋時的（）倍。

參考答案:

在具有電流-電壓反饋機(jī)制的電路中，其輸入阻抗改變?yōu)闊o反饋情況下的倍。

參考答案:

對

電壓-電流反饋機(jī)制能夠使電路的輸入阻抗減小為無反饋時的（）。

參考答案:

電流-電流反饋可使電路的輸入阻抗改變?yōu)橐M(jìn)反饋機(jī)制之前的倍。

參考答案:

錯

第八章測試

如圖電路，設(shè)計額定增益為10，即，要求增益誤差為5%，確定A1的最小值為（）

參考答案:

1000

假定運放是一個單極點電壓放大器，若Vin是小的階躍電壓，計算當(dāng)輸出電壓處于其最終值的1%范圍內(nèi)所需的時間約為時間常數(shù)的多少倍？

參考答案:

4.6

對于以下單極點電壓放大器，若,且輸出達(dá)到終值的1%所需的穩(wěn)定時間小于5ns，運放必須提供的單位增益帶寬約為多少？

參考答案:

9.21Grad/s

以下電路的開環(huán)輸出阻抗為（

）？

參考答案:

該電路的環(huán)路增益為（）？

參考答案:

分析該電路的閉環(huán)輸出阻抗為（）

參考答