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芯片基礎(chǔ)--模擬集成電路設(shè)計(山東聯(lián)盟)知到章節(jié)測試答案智慧樹2023年最新山東工商學(xué)院第一章測試
跟數(shù)字集成電路設(shè)計一樣,目前高性能模擬集成電路的設(shè)計已經(jīng)能自動完成。
參考答案:
錯
模擬電路許多效應(yīng)的建模和仿真仍然存在問題,模擬設(shè)計需要設(shè)計者利用經(jīng)驗和直覺來分析仿真結(jié)果
參考答案:
對
模擬設(shè)計涉及到在速度、功耗、增益、精度、電源電壓等多種因素間進(jìn)行折衷
參考答案:
對
CMOS電路已成為當(dāng)今SOC設(shè)計的主流制造技術(shù)。
參考答案:
對
MOSFET的特征尺寸越來越小,本征速度越來越快(已可與雙極器件相比較),現(xiàn)在幾GHz~幾十GHz的CMOS模擬集成電路已經(jīng)可批量生產(chǎn)。
參考答案:
對
相對于數(shù)字電路來說,模擬集成電路的設(shè)計更加基礎(chǔ),更加靈活。
參考答案:
對
片上系統(tǒng),又稱SOC,其英文全稱是:
參考答案:
System
onChip
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,英文簡稱CMOS,其英文全稱為:
參考答案:
ComplementaryMetalOxideSemiconductor
模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,英文簡稱ADC,英文全稱為:
參考答案:
Analog-to-DigitalConverter
第二章測試
MOS器件的源端和漏端不可以共用,不可以互換。
參考答案:
錯
如果一個電路的最高電壓是,最低電壓是,那么NMOS器件的襯底應(yīng)該接。
參考答案:
錯
一般MOS器件的源漏是對稱的,這告訴我們要根據(jù)實際集成電路的情況來判斷電路的源極和漏極。
參考答案:
對
下列關(guān)于MOS版圖說法不正確的是()
參考答案:
版圖中柵極的接觸孔可以開在溝道區(qū)里
下列關(guān)于閾值電壓的說法,不正確的是()
參考答案:
若,則
NMOS器件關(guān)斷
下列關(guān)于NMOS器件的伏安特性說法正確的是()
參考答案:
當(dāng)時,NMOS器件工作在截止區(qū);當(dāng),時,NMOS器件工作在飽和區(qū);當(dāng),并且NMOS器件工作在線性區(qū)
下列對器件尺寸參數(shù)描述正確的有()
參考答案:
tox是器件柵氧化層的厚度,由工藝決定;L是器件的溝道長度,W是器件的寬度;一般所說的90nm工藝,其中的90nm是指器件的最小溝道長度L
下列關(guān)于體效應(yīng)的說法,正確的是()
參考答案:
改變襯底電勢可能會產(chǎn)生體效應(yīng)。;源電壓相對于襯底電勢發(fā)生改變,使得源襯電勢差不為0,就會產(chǎn)生體效應(yīng)。;不改變襯底電勢也可能會產(chǎn)生體效應(yīng)。;體效應(yīng)導(dǎo)致設(shè)計參數(shù)復(fù)雜,模擬集成電路設(shè)計往往不希望其存在,但也有利用體效應(yīng)的電路。
下列關(guān)于亞閾值導(dǎo)電特性的說法正確的是()
參考答案:
當(dāng)時,漏極電流以有限速度下降,導(dǎo)致功率損耗或模擬信息的丟失;MOS管由0增大到大于閾值電壓,經(jīng)歷截止---弱反型---強(qiáng)反型,這是一個漸進(jìn)的過程,故當(dāng)時,仍有存在;亞閾值區(qū)的跨導(dǎo)比飽和區(qū)(強(qiáng)反型區(qū))跨導(dǎo)大,有利于實現(xiàn)大的放大倍數(shù);MOS管亞閾值電流一般為幾十~幾百nA,常用于低功耗放大器、帶隙基準(zhǔn)設(shè)計
下列關(guān)于MOS模型的說法正確的有()
參考答案:
MOS器件的高頻小信號模型,除考慮跨導(dǎo)、體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù),還需要考慮各個寄生電容和寄生電阻的影響;當(dāng)信號相對直流偏置工作點而言較小且不會顯著影響直流工作點時,可用小信號模型簡化計算;MOS器件的大信號模型一般由I/V特性關(guān)系式,各寄生電容計算式等推導(dǎo)建立;MOS器件的低頻小信號模型,主要考慮了跨導(dǎo),體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)
第三章測試
下列關(guān)于放大的說法,正確的是()
參考答案:
在大多數(shù)模擬電路和許多數(shù)字電路中,放大是一個基本功能。;我們放大一個模擬或數(shù)字信號是因為這個信號太小而不能驅(qū)動負(fù)載,或者不能克服后繼的噪聲;放大在反饋系統(tǒng)中起著重要作用。
下列關(guān)于小信號的說法,正確的是()
參考答案:
一般小信號是交流信號;若小信號變化幅度過大,則會影響直流偏置點,需用大信號分析;小信號使電路偏置點受到的擾動可忽略不記
以電阻為負(fù)載的共源極電路的小信號增益的表達(dá)式有()
參考答案:
;;;
對于以電阻為負(fù)載、以一個NMOS器件為主放大管的共源極電路,增大其小信號增益的措施有()
參考答案:
增大NMOS器件的寬長比W/L;減小NMOS器件的漏極電流;增大電阻上的電壓
圖中的被偏置在飽和區(qū),則電路的小信號電壓增益,說明使用電流源作負(fù)載可提高增益。
參考答案:
對
關(guān)于二極管連接的MOS器件的說法正確的有()
參考答案:
二極管連接的PMOS管作負(fù)載的共源極電路的小信號增益只與W/L有關(guān),與偏置電流無關(guān),即輸入與輸出呈線性;將MOS管作二極管連接并導(dǎo)通時,不論是NMOS還是PMOS管,均工作在飽和區(qū);二極管連接的PMOS管作負(fù)載的共源極電路的小信號增益是兩管的過驅(qū)動電壓之比,增益AV越大,最大輸出電壓Voutmax越小
下列關(guān)于源極跟隨器的說法正確的有()
參考答案:
源極跟隨器的;源極跟隨器可用來構(gòu)成電平位移電路;源極跟隨器一般只用來驅(qū)動小電容(或高阻)負(fù)載,不宜用來驅(qū)動低阻、大電容負(fù)載
下列關(guān)于共柵放大器的說法正確的有()
參考答案:
輸出阻抗高,可用于提高增益和構(gòu)成高性能恒流源;常同共源級聯(lián)合構(gòu)成共源共柵放大器,用于高速運放的差分輸入放大級;輸入阻抗與有關(guān),有阻抗變換特性
如圖(a)(b)(c)三個電路,若電路中ID相等,輸出阻抗最大的是()
參考答案:
圖(c)
關(guān)于共源共柵電路下列說法正確的有()
參考答案:
共源共柵結(jié)構(gòu)具有屏蔽特性;共源共柵結(jié)構(gòu)具有高輸出阻抗特性;共源共柵電流源可近似代替理想恒流源
第四章測試
下列關(guān)于差動放大電路的描述正確的是
參考答案:
差動模式使電路的偏置電路更簡單,輸出線性度更高;差動電路增大了輸出電壓擺幅;差動電路能有效抑制共模噪聲;差動電路相對于單端電路,其芯片面積和功耗有所增加
對于差分放大電路,下列說法正確的是
參考答案:
輸入共模電平越大,
允許輸出的輸出擺幅就越小。;輸入共模電平越小,輸出擺幅越大,利于實現(xiàn)高增益
理想差分只放大輸入信號的差模部分,不放大共模部分
參考答案:
對
差分放大電路如圖,輸出端的電壓范圍為()
參考答案:
如圖電路,下列說法正確的是()
參考答案:
當(dāng)時,,電路處于平衡狀態(tài);當(dāng)時,小信號增益(即斜率)最大,線性度最好;當(dāng)足夠負(fù)時,截止
如圖電路完全對稱,考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng)后,其差模小信號增益為()
參考答案:
關(guān)于差分信號和差分放大電路的說法正確的是()
參考答案:
差分放大電路對任意輸入信號的響應(yīng)包含差模響應(yīng)和共模響應(yīng)兩部分;如果輸入信號和Vin1和Vin2不是大小相等,方向相反,那么Vin1和Vin2就是非全差分信號。;任意輸入信號Vin1和Vin2的差模分量是正負(fù);任意輸入信號Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值
實際差分放大電路由于工藝誤差存在而非理想,因此必然會出現(xiàn)共模響應(yīng)
參考答案:
對
差分放大電路的電阻失配或者差分對管失配,都會引起共模分量到差模響應(yīng)的轉(zhuǎn)化,因而抑制共模噪聲能力減弱。
參考答案:
對
關(guān)于差分放大器的說法錯誤的是()
參考答案:
差分放大電路只放大輸入信號的差模部分,不放大共模部分
第五章測試
下列關(guān)于共源共柵電流鏡的說法正確的是()
參考答案:
提高了電路的輸出阻抗;共源共柵級屏蔽了輸出電壓變化的影響;犧牲了電壓余度;提高了電流復(fù)制精度
有源負(fù)載差動對的輸出端是不對稱的。
參考答案:
對
有源負(fù)載差動電路的小信號增益也可以使用半邊電路法來分析。
參考答案:
錯
如圖電流鏡電路,說法正確的有()
參考答案:
有管時,;有管時,;有管時的電流復(fù)制精度比沒有管時的電流復(fù)制精度高。;沒有管時,
如圖電路,的最大值為()
參考答案:
假設(shè)電路完全對稱,且時,所有器件都飽和,那么
=()
參考答案:
如圖使用有源電流鏡負(fù)載的差分放大電路,實現(xiàn)了將差動輸入信號變成了(
)輸出信號,完成了“雙端—單端”變換。
參考答案:
單端
采用共源共柵結(jié)構(gòu),不能提高輸出阻抗。
參考答案:
錯
實際模擬集成電路通過基本電流鏡產(chǎn)生眾多的偏置電流/電壓。
參考答案:
對
共源共柵電流鏡屏蔽了輸出電壓變化的影響,不能提高電流復(fù)制精度。
參考答案:
錯
第六章測試
如果系統(tǒng)傳輸函數(shù)H(s)的所有零點都位于左半平面時,系統(tǒng)是穩(wěn)定的
參考答案:
錯
利用米勒效應(yīng)以及極點和結(jié)點的關(guān)聯(lián)關(guān)系分析電路的頻率特性時,可能漏掉電路中的零點。
參考答案:
對
因為下面的電路中結(jié)點X與Y之間只有一條信號通路,所以適用密勒定理。
參考答案:
錯
的彌勒效應(yīng)()CS放大器的帶寬
參考答案:
減小
由于零點在運放的穩(wěn)定性中不起作用,因此在放大器頻率特性中可以忽略。
參考答案:
錯
零點意味著存在某一頻率fZ使輸出Vout等于()
參考答案:
0
若兩條通路到達(dá)輸出結(jié)點時信號極性相同且傳輸函數(shù)存在零點,則為()平面零點
參考答案:
左半
該圖中,
不會產(chǎn)生密勒效應(yīng)。
參考答案:
錯
輸入信號頻率從低頻到高頻變化過程中,線性電路的增益、輸入阻抗、噪聲等指標(biāo)不會隨頻率發(fā)生變化。
參考答案:
錯
求該電路的極點
參考答案:
1/(RC)
第七章測試
反饋可以提高電路增益的穩(wěn)定性。
參考答案:
對
由于增益帶寬之積為常數(shù),故反饋電路帶寬增加的同時,其增益必減小。
參考答案:
對
放大器一般有四種,分別為電壓放大器,跨阻放大器,跨導(dǎo)放大器和電流放大器。
參考答案:
對
共源電路屬于()類型放大器。
參考答案:
電壓放大器
為了檢測輸出電壓,可以通過()的方法實現(xiàn)。
參考答案:
在相應(yīng)接口并聯(lián)電壓表
()方法能夠使兩個電流信號相加。
參考答案:
并聯(lián)
引入電壓-電壓反饋后,電路的輸出阻抗變?yōu)闆]有反饋時的()倍。
參考答案:
在具有電流-電壓反饋機(jī)制的電路中,其輸入阻抗改變?yōu)闊o反饋情況下的倍。
參考答案:
對
電壓-電流反饋機(jī)制能夠使電路的輸入阻抗減小為無反饋時的()。
參考答案:
電流-電流反饋可使電路的輸入阻抗改變?yōu)橐M(jìn)反饋機(jī)制之前的倍。
參考答案:
錯
第八章測試
如圖電路,設(shè)計額定增益為10,即,要求增益誤差為5%,確定A1的最小值為()
參考答案:
1000
假定運放是一個單極點電壓放大器,若Vin是小的階躍電壓,計算當(dāng)輸出電壓處于其最終值的1%范圍內(nèi)所需的時間約為時間常數(shù)的多少倍?
參考答案:
4.6
對于以下單極點電壓放大器,若,且輸出達(dá)到終值的1%所需的穩(wěn)定時間小于5ns,運放必須提供的單位增益帶寬約為多少?
參考答案:
9.21Grad/s
以下電路的開環(huán)輸出阻抗為(
)?
參考答案:
該電路的環(huán)路增益為()?
參考答案:
分析該電路的閉環(huán)輸出阻抗為()
參考答
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